耐用的混合异质结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种混合异质结构，包括：
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半导体层，包括锑化铟；
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超导体层，包括铝；以及
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屏蔽层，在所述半导体层与所述超导体层之间，所述屏蔽层包括砷化铟。2.根据权利要求1所述的混合异质结构，其中所述屏蔽层的厚度小于10个单层。3.根据权利要求2所述的混合异质结构，其中所述屏蔽层的所述厚度小于5个单层。4.根据权利要求3所述的混合异质结构，其中所述屏蔽层的所述厚度为2个单层。5.根据权利要求4所述的混合异质结构，其中所述半导体层形成纳米线使得所述半导体层的宽度在50nm到200nm之间并且所述半导体层的厚度在1nm到10nm之间。6.根据权利要求5所述的混合异质结构，其中所述超导体层的厚度在5nm到40nm之间。7.根据权利要求4所述的混合异质结构，其中所述半导体层包括锑化铝铟。8.一种用于制造混合异质结构的方法，包括：
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提供包括锑化铟的半导体层；
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提供超导体层，所述超导体层包括铝；以及
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在所述半导体层与所述超导体层之间提供屏蔽层，所述屏蔽层包括砷化铟。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述屏蔽层被提供使得所述屏蔽层的厚度小于10个单层。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述屏蔽层被提供使得所述屏蔽层的厚度小于5个单层。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述屏蔽层被施加使得所述屏蔽层的厚度为2个单层。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体层被提供使得所述半导体层形成纳米线，其中所述半导体层的宽度在50nm到200nm之间并且所述半导体层的厚度在1nm到10nm之间。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述超导体层被提供使得所述超导体层的厚度在5nm到40nm之间。14.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体层包括锑化铝铟。15.根据权利要求11所述的方法，其中所述半导体层被提供使得所述半导体层形成纳米线，其中所述半导体层的宽度在50nm到200nm之间并且所述半导体层的厚度在1nm到10nm之间。

技术总结
一种混合异质结构(10)包括：包括锑化铟的半导体层(12)、包括铝的超导体层(16)、以及在半导体层与超导体层之间的屏蔽层(14)，屏蔽层包括砷化铟。通过在锑化铟半导体层与铝超导体层之间包括砷化铟屏蔽层，提供了适用于量子计算设备的高性能且耐用的混合异质结构。算设备的高性能且耐用的混合异质结构。算设备的高性能且耐用的混合异质结构。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：微软技术许可有限责任公司
技术研发日：2020.06.26
技术公布日：2022/4/29