功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法与流程

技术特征：
1.一种用于制造功率半导体封装体的方法，所述方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架，将半导体裸片附接到裸片焊盘，通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面，以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：将模制锁定特征激光切割到裸片焊盘中，其中，模制锁定特征包括通孔或腔，以及用模制化合物填充模制锁定特征。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述激光切割包括在两个不同位置处进行激光切割而切穿所述至少一个系杆，使得一段系杆被完全切割掉。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述方法还包括：使用空气流、气流或负压，以便从引线框架上移除所述一段系杆。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在激光切割之后，用激光从切割表面去除毛刺。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个系杆包括至少一个凹口，且在所述至少一个凹口中执行激光切割。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述引线框架还包括与裸片焊盘续连的引线，并且在模制期间所述裸片焊盘通过所述引线连接到框架。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括：在模制之后，通过切穿引线将功率半导体封装体从框架分离。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使用具有可收回销的模制工具执行模制，其中，所述可收回销被配置为将裸片焊盘固定在位，并且所述可收回销在模制期间被收回。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：在激光切割之前，将电连接器耦合到半导体裸片，其中，电连接器包括连接导线、带或接触夹。11.一种功率半导体封装体，包括：裸片焊盘，其包括至少一个系杆残段，其中，切割表面被布置在所述至少一个系杆残段的端部处，半导体裸片，其附接到裸片焊盘，以及包封物，其包封半导体裸片，其中，包封物完全覆盖切割表面，以及其中，切割表面包括通过激光切割制造的微结构。12.根据权利要求11所述的功率半导体封装体，其中，所述至少一个系杆残段面对包封物的第一侧向侧，以及其中，在第一侧向侧处没有金属部分从包封物暴露。13.根据权利要求11或12所述的功率半导体封装体，其中，所述功率半导体封装体还包括：至少一个通孔，其延伸穿过裸片焊盘，其中，所述通孔填充有包封物的材料，并且所述
通孔包括另外的切割表面，所述另外的切割表面包括通过激光切割制造的微结构。14.根据权利要求11-13中任一项所述的半导体封装体，其中，所述至少一个系杆残段包括凹口，并且所述切割表面被布置在所述凹口中。15.根据权利要求11-14中任一项所述的半导体封装体，其中，所述切割表面没有任何毛刺。

技术总结
一种用于制造功率半导体封装体的方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。切割表面被模制化合物完全覆盖。切割表面被模制化合物完全覆盖。


技术研发人员：J
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2021.10.13
技术公布日：2022/4/29