一种静电吸盘的调节方法和调节装置与流程

1.本技术实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种静电吸盘的调节方法和调节装置。


背景技术：

2.在半导体制造技术领域，静电吸盘通过异种电荷相互吸引的原理，用于承载目标晶圆，被广泛用于光刻、离子注入、刻蚀以及形成薄膜等工艺过程中。
3.然而，在工艺过程结束后，由于目标晶圆的调节层内仍然存在电荷，目标晶圆与静电吸盘之间仍然存在静电吸附，使得卸下目标晶圆的过程受阻，甚至可能在卸下目标晶圆的过程中导致机台报警或者目标晶圆破碎的情况。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种静电吸盘的调节方法和调节装置。
5.为达到上述目的，本技术实施例的技术方案是这样实现的：
6.第一方面，本技术实施例提供一种静电吸盘的调节方法，所述方法包括：
7.提供包括第一区域和第二区域的静电吸盘；
8.在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；
9.在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。
10.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括2n个第一子区域；所述第二区域包括2n个第二子区域；其中，n为大于或等于1的整数。
11.在本技术的一些实施例中，所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
12.在所述第一区域中选取包括n个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且在所述第二区域中选取包括n个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
13.对所述第一区域中包括剩余的n个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对所述第二区域中包括剩余的n个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
14.在本技术的一些实施例中，所述第一子集合和所述第三子集合之间没有交集；且所述第二子集合和所述第四子集合之间没有交集。
15.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段之前，所述方法还包括：
16.在第三阶段，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零；或
17.在第三阶段，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
18.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括两个第一子区域，所述第二区域包括两个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
19.对包括一个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括一个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
20.对包括另一个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括另一个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
21.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括两个第一子区域，所述第二区域包括两个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
22.对包括一个所述第一子区域的第一子集合进行施加电压极性切换，且对包括一个所述第二子区域的第二子集合进行施加电压极性切换；
23.对包括另一个所述第一子区域的第三子集合进行施加电压极性切换，且对包括另一个所述第二子区域的第四子集合进行施加电压极性切换；
24.再次对所述第一子集合进行施加电压极性切换，且对所述第二子集合进行施加电压极性切换。
25.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括四个第一子区域，所述第二区域包括四个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
26.对包括两个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括两个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
27.对包括另两个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括另两个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
28.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段，每次对所述第一子集合和所述第二子集合进行施加电压极性切换之前，所述方法还包括：
29.在第三阶段，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零。
30.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段，每次对所述第三子集合和所述第四子集合进行施加电压极性切换之前，所述方法还包括：
31.在第三阶段，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
32.在本技术的一些实施例中，对所述第一子集合和所述第二子集合进行施加电压极性切换的时刻和对所述第三子集合和所述第四子集合进行施加电压极性切换的时刻不同。
33.在本技术的一些实施例中，交替执行对所述第一子集合和所述第二子集合的电压极性切换和对所述第三子集合和所述第四子集合的电压极性切换。
34.在本技术的一些实施例中，每个所述第一子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等；每个所述第二子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等。
35.在本技术的一些实施例中，若干个所述第一子区域的面积均相等；若干个所述第二子区域的面积均相等。
36.在本技术的一些实施例中，若干个所述第一子区域的面积不相等；若干个所述第二子区域的面积不相等。
37.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段之后，所述方法还包括：
38.在第四阶段，将所述第一区域的施加电压归零，且将所述第二区域的施加电压归零。
39.在本技术的一些实施例中，所述正电压和所述负电压的绝对值相等。
40.在本技术的一些实施例中，在所述第一阶段之前，所述方法还包括：
41.将目标晶圆放置在所述静电吸盘上；
42.其中，所述目标晶圆上形成有调节层，所述调节层用于调节所述目标晶圆的翘曲度。
43.在本技术的一些实施例中，所述调节层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
44.第二方面，本技术实施例提供一种静电吸盘的调节装置，用于对包括第一区域和第二区域的静电吸盘进行电压调节，所述调节装置包括：
45.第一调节模块，用于在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；
46.第二调节模块，用于在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。
47.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括2n个第一子区域；所述第二区域包括2n个第二子区域；其中，n为大于或等于1的整数。
48.在本技术的一些实施例中，所述第二调节模块，用于在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
49.所述第二调节模块，在所述第一区域中选取包括n个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且在所述第二区域中选取包括n个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
50.所述第二调节模块，对所述第一区域中包括剩余的n个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对所述第二区域中包括剩余的n个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
51.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
52.第三调节模块，用于在所述第二阶段之前，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零；或
53.第三调节模块，用于在所述第二阶段之前，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
54.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
55.第三调节模块，在所述第二阶段，每次对所述第一子集合和所述第二子集合进行施加电压极性切换之前，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零。
56.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
57.第三调节模块，在所述第二阶段，每次对所述第三子集合和所述第四子集合进行施加电压极性切换之前，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
58.本技术实施例提供一种静电吸盘的调节方法和调节装置，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的静电吸盘；在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且
对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。在本技术实施例提供的静电吸盘的调节方法中，分别对静电吸盘的第一区域和第二区域进行施加电压极性切换，能够使得吸附在静电吸盘表面的目标晶圆的调节层内的异种电荷发生中和，从而在半导体处理结束后，有效地降低目标晶圆的调节层内的电荷量的绝对值，以便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
附图说明
59.图1为静电吸盘与目标晶圆之间相互吸附作用的原理示意图；
60.图2为包括两个区域的静电吸盘的结构示意图；
61.图3为对包括两个区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图；
62.图4为一种静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图；
63.图5为从静电吸盘上卸下目标晶圆的原理示意图；
64.图6为本技术实施例提供的一种静电吸盘的调节方法的流程示意图；
65.图7为另一种静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图；
66.图8为包括四个子区域的静电吸盘的结构示意图；
67.图9、图10和图11为对包括四个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图；
68.图12为包括八个子区域的静电吸盘的结构示意图；
69.图13为对包括八个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图；
70.图中包括：10-目标晶圆；20-调节层；30-静电吸盘；41-第一电源；42-第二电源；51-正电极；52-负电极；321、321
’‑
第一区域；322、322
’‑
第二区域；341、341’、342、342’、381、382、383、384-第一子区域；343、343’、344、344’、385、386、387、388-第二子区域。
具体实施方式
71.下面将结合本技术实施方式及附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
72.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
73.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
74.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、
层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
75.空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
76.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
77.为了彻底理解本技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本技术的技术方案。本技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本技术还可以具有其他实施方式。
78.在半导体制造技术领域中，晶圆(wafer)经过多道制程后，其在各层薄膜和图案的应力作用下，会有不同程度的翘曲。过度翘曲的晶圆无法再继续后面的制程。因此，通常根据晶圆的翘曲度，在晶圆上形成调节层，调节晶圆的翘曲度以使晶圆的翘曲度符合工艺要求。
79.在一些半导体处理机台中，例如等离子处理机台，通常使用静电吸盘(electric static chuck，esc)来对晶圆进行吸附以固定晶圆。常用的静电吸盘的类型有单极性静电吸盘和双极性静电吸盘。参考图1，图1为静电吸盘与目标晶圆之间相互吸附作用的原理示意图。如图1所示，在静电吸盘30的绝缘材料中设有一组电极，包括一个正电极51和一个负电极52，分别电连接至第一电源41和第二电源42。这里，可以分别使得正电极51和负电极52的电压大小的绝对值相等，且电压极性相反，这种静电吸盘即为双极性静电吸盘。静电吸盘30的绝缘材料的表面会产生极化电荷(以“
”“‑”
表示)，表面极化电荷随之会产生电场。
80.可以举例的是，通过第一电源输入使得正电极的电压为 10v，且通过第二电源输入使得负电极的电压为-10v。当然，输入给正电极与输入给负电极的电压值不限于此。
81.参考图2，图2示出了包括两个区域的静电吸盘的结构示意图。如图2(a)所示，静电吸盘可以包括面积相等的两个区域，分别为第一区域321和第二区域322，即，第一区域321和第二区域322均为半圆形。如前所述，图1示出的静电吸盘的区域划分对应于图2(a)，即，图1示出的静电吸盘为剖视图。也就是说，静电吸盘的第一区域可以电连接至第一电源，静电吸盘的第二区域可以电连接至第二电源，分别通过第一电源和第二电源给第一区域和第二区域施加电压，电压大小的绝对值相等，且电压极性相反。对应于静电吸盘的第一区域和
第二区域表面会产生极化电荷，电荷量大小的绝对值相等，且电荷极性相反。
82.如图2(b)所示，静电吸盘也可以包括面积不相等的两个区域，分别为第一区域321’和第二区域322’，即，第一区域321’为圆环，第二区域322’为圆形。这里，静电吸盘的第一区域和第二区域可以电连接至不同的电源。因此，可以独立地控制施加至第一区域、第二区域的电压极性以及电压大小。可以举例的是，施加至静电吸盘的第一区域和第二区域的电压极性相反，且电压大小的绝对值不相等。
83.仍继续参考图1，根据目标晶圆10的翘曲状态，在目标晶圆10的背面形成调节层20，以调整目标晶圆10的翘曲状态，使得目标晶圆10的翘曲度符合工艺要求。将目标晶圆10放置于静电吸盘30的表面，其中，目标晶圆10背面形成的调节层20朝向静电吸盘30的表面。由于静电吸盘表面的极化电荷产生的电场，会进一步在目标晶圆10背面的调节层中形成极化电荷，分布在调节层20内的电荷与分布在静电吸盘30表面的电荷的极性相反，从而使得静电吸盘30可以吸附住目标晶圆10。因此，在半导体处理过程中，通过与静电吸盘连接的电源施加电压，使得目标晶圆的背面产生电荷分离或者电荷定向分布，在静电吸附作用下，目标晶圆固定在静电吸盘上。
84.目标晶圆的翘曲状态一般可划分为两种，一种是目标晶圆边缘向下弯曲、中间凸起，另一种是目标晶圆边缘向上弯曲、中间凹陷。根据晶圆的翘曲状态，可以在目标晶圆的背面生长调节层，例如硅化物薄膜，通过硅化物薄膜的应力调整目标晶圆的翘曲状态。具体地，可以有针对性地根据目标晶圆的翘曲状态，在目标晶圆的背面生长硅化物薄膜，由于晶圆翘曲的主因是应力作用，而硅化物薄膜在生长过程中会产生可控的拉应力或压应力，当硅化物薄膜生长到目标晶圆的背面后，可以在目标晶圆的背面施加相应的拉应力或压应力，利用该拉应力或压应力即可抵消目标晶圆正面的应力，从而通过硅化物薄膜的应力调整目标晶圆的翘曲状态。
85.在本技术的一些实施例中，硅化物可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，或者是上述任一材料中掺杂了掺杂元素后形成的硅化物。其中，由于氮化硅具有良好的稳定性，且比较容易通过生长工艺控制产生的应力的类型和大小。在优选的实施例中，可以在目标晶圆的背面生长氮化硅薄膜。所述目标晶圆的正面用于形成器件结构。
86.如图3所示，图3示出的是对包括两个区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图。图3(a)示出静电吸盘包括第一区域321和第二区域322，其对应的静电吸盘的结构如图2(a)所示；图3(b)示出的静电吸盘包括第一区域321’和第二区域322’，其对应的静电吸盘的结构如图2(b)所示。参考图3(a)，分别对静电吸盘的321区域施加正电压，持续时长为t1，同时对静电吸盘的322区域施加负电压，持续时长也为t1，在持续时长为t1后，同时对321区域和322区域的施加电压归零。其中，对321区域和322区域施加的电压大小的绝对值相等，电压极性相反。参考图3(b)，分别对静电吸盘的321’区域施加正电压，持续时长为t1，同时对静电吸盘的322’区域施加负电压，持续时长也为t1，在持续时长为t1后，同时对321’区域和322’区域的施加电压归零。其中，对321区域和322区域施加的电压大小的绝对值可以相等或者不相等，电压极性相反。
87.在半导体处理机台内执行半导体处理的过程中，需要对静电吸盘的表面施加电压，使得静电吸盘的表面能够产生极化电荷，从而与目标晶圆相互吸引，使得目标晶圆能够固定在静电吸盘上。可以举例的是，在光刻、离子注入、刻蚀以及形成薄膜等工艺过程中，均
需要将目标晶圆固定在静电吸盘上。这里，t1即为目标晶圆在静电吸盘上的固定时间。在一些实施例中，t1也可以为执行半导体处理所需的时间。
88.继续参考图4，图4示出了一种静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图，需要说明的是图4仅示意出了对一个区域仅进行施加电压施加，而不进行施加电压极性切换的情况下的静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图。如图4所示，对静电吸盘的一区域施加负电压，持续时长为t1，然后，对该区域的施加电压归零。如前所述，在对静电吸盘的一区域施加负电压的过程中，在静电吸盘的该区域会产生极化电荷，该极化电荷为负电荷，会产生电场，该电场会进一步在静电吸盘上的目标晶圆的调节层内产生极化电荷，此时静电吸盘的该区域对应的目标晶圆背面的调节层内产生的极化电荷为正电荷。
89.在半导体处理过程中，随着对静电吸盘施加电压的时间越来越长，调节层内捕获(trap)的电荷量也越来越大，在半导体处理结束后，对静电吸盘施加的电压归零，此时调节层内仍然有大量电荷，导致目标晶圆与静电吸盘之间仍然存在静电吸附力，使得从静电吸盘卸下目标晶圆(de-chuck)的过程受阻，甚至在de-chuck的过程中可能会出现机台报警(alarm)或者目标晶圆破碎的情况。仍参考图4，在持续时间t1内，随着时间的延长，目标晶圆的调节层内的电荷量持续增加，在t1后，对静电吸盘该区域的施加电压归零，调节层内仍然有大量电荷，电荷量维持在q1。结合图5可知，在对静电吸盘30的施加电压归零后，目标晶圆10的调节层20内仍然有大量电荷。因此，强行卸下目标晶圆可能导致碎片。
90.基于此，本技术实施例提供了一种静电吸盘的调节方法，图6为本技术实施例提供的一种静电吸盘的调节方法的流程示意图，如图6所示，所述方法包括：
91.步骤s601，提供包括第一区域和第二区域的静电吸盘。
92.这里，如图2(a)所示，静电吸盘可以包括面积相等的两个区域，分别为第一区域321和第二区域322，即，第一区域321和第二区域322均为半圆形。而如图2(b)所示，静电吸盘也可以包括面积不相等的两个区域，分别为第一区域321’和第二区域322’，即，第一区域321’为圆环，第二区域322’为圆形。对于静电吸盘的区域划分方式并不限于此，可以存在其他的划分方式。值得关注的是，区域划分的目的在于可以独立地控制静电吸盘的第一区域和第二区域的电压极性以及电压大小。
93.步骤s602，在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；
94.步骤s603，在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。
95.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段之后，所述方法还包括：
96.在第四阶段，将所述第一区域的施加电压归零，且将所述第二区域的施加电压归零。
97.参考图7，图7示出了另一种静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图，需要说明的是图7仅示意出了对一个区域进行一次施加电压极性切换的情况下的静电吸盘的电压-时间关系图和目标晶圆内的电荷量-时间关系图。如图7所示，在第一阶段，从时间为0开始，对该区域施加负电压-vt，持续时长为t
30
；在第三阶段，从时间为t
30
开始，将该区域的施加电压归零，持续时长为(t
20-t
30
)；在第二阶段，即从时间为t
20
开始，对
该区域进行施加电压极性切换，即，对该区域施加的负电压-vt切换为正电压vt，持续时长为(t
40-t
20
)；在第四阶段，即从时间为t
40
开始，将该区域的施加电压归零。在第四阶段的电压归零过程结束后，即，静电吸盘吸附目标晶圆的过程结束，可以从静电吸盘上卸下目标晶圆。
98.如图4所示，在半导体处理过程中，随着对静电吸盘施加电压的时间越来越长，目标晶圆背面的调节层内捕获的电荷量也越来越大，在半导体处理结束后，对静电吸盘的施加电压归零，此时调节层内仍然有大量电荷q1，导致目标晶圆与静电吸盘之间仍然存在静电吸附力，使得从静电吸盘卸下目标晶圆(de-chuck)的过程受阻，甚至在de-chuck的过程中可能会导致机台报警或者目标晶圆破碎的情况。参考图7，在第一阶段内，即从时间为0开始，目标晶圆背面的调节层内的电荷量持续增加；在第三阶段内，即从时间为t
30
开始，将该区域上的施加电压归零，目标晶圆背面的调节层内的电荷量迅速减少；进而在第二阶段，即从时间为t
20
开始，对静电吸盘的施加电压极性切换，目标晶圆背面的调节层内的电荷的极性也发生转变，使得原本积累在晶圆背面的调节层内的电荷量中和，并且开始积累异种电荷；在第四阶段内，即从时间为t
40
开始，对静电吸盘该区域的施加电压归零，目标晶圆背面的调节层内虽然仍有q2的电荷量，但相较于不进行施加电压极性切换的情况，目标晶圆背面的调节层内的电荷量会大大减小，即，|q2|《|q1|。
99.在上述半导体处理过程中，由于对静电吸盘的施加电压极性切换，可以使得目标晶圆背面的调节层内积累的电荷量中和，并且开始积累异种电荷，而不是同种电荷随着施加电压时间的延长而一直积累。这样在半导体处理结束后，目标晶圆背面的调节层内捕获的电荷量大大减少。也就是说，此时电荷量|q2|《|q1|，因此，从静电吸盘上卸下目标晶圆也更加容易，以减小目标晶圆破碎的情况。
100.本技术实施例中，在进行施加电压极性切换之前，需对进行施加电压极性切换的区域进行电压归零。可以理解的是，在进行施加电压极性切换的过程中，插入将施加电压归零的第三阶段，能够为电压极性切换的过程提供缓冲作用，避免由于对静电吸盘施加电压极性的突然切换，而导致目标晶圆的受力突然改变，从而导致目标晶圆破碎的严重后果。
101.这里，第三阶段的持续时长远小于第一阶段的持续时长，且第三阶段的持续时长也远小于第二阶段的持续时长。也就是说，可以提供给目标晶圆缓冲的时间较短，这主要考虑到需要通过给静电吸盘施加电压使得静电吸盘与目标晶圆之间具有稳定的静电吸附作用，从而达到将目标晶圆固定于静电吸盘上的目的。
102.在本技术的一些优选实施例中，对于静电吸盘的第一区域或第二区域而言，第一阶段的持续时长与第二阶段的持续时长相等，更具体而言，对静电吸盘上的每个区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等。可以理解的是，对静电吸盘施加正电压能够使得目标晶圆背面的调节层内产生极化负电荷，对静电吸盘施加负电压能够使得目标晶圆背面的调节层内产生极化正电荷，对静电吸盘上的每个区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等，这意味着目标晶圆背面与静电吸盘相对应的每个区域内产生的正电荷和负电荷尽可能中和，使得目标晶圆的调节层内的电荷量的绝对值较小，从而便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
103.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括2n个第一子区域；所述第二区域包括2n个第二子区域；其中，n为大于或等于1的整数。
104.参考图8，图8示出了包括四个子区域的静电吸盘的结构示意图。如图8(a)所示，静电吸盘可以包括面积相等的四个子区域，分别为第一子区域341、342和第二子区域343、344，即，第一子区域341、342和第二子区域343、344均为圆心角为90
°
的扇形。因此，可以分别独立地控制上述四个子区域的电压极性以及电压大小。
105.如图8(b)所示，静电吸盘也可以包括面积不相等的四个子区域，分别为第一子区域341’、342’和第二子区域343’、344’，其中，第一子区域341’和342’均为半圆形，且面积相等，第二子区域343’和344’均为半圆形，且面积相等。因此，可以分别独立地控制上述四个子区域的电压极性以及电压大小。
106.在本技术的一些实施例中，施加正电压的子区域可以与施加负电压的子区域相邻设置。在本技术的另一些实施例中，施加正电压的子区域可以与施加负电压的子区域间隔分布。将静电吸盘的第一区域划分为2n个第一子区域，将静电吸盘的第二区域划分为2n个第二子区域，总共4n个子区域，其中，每个子区域都可以独立地控制其电压极性以及电压大小。对于静电吸盘划分的区域越多，静电吸盘上施加电压的调节过程越复杂，对于静电吸盘上电压的控制越精确。
107.在本技术的一些实施例中，2n个第一子区域的面积不相等，且2n个第二子区域的面积不相等。
108.这里，2n个第一子区域的面积不相等既可以是2n个第一子区域中的每个第一子区域的面积均不相等，也可以是2n个第一子区域中的某些第一子区域的面积相等，某些第一子区域的面积不相等。类似地，2n个第二子区域的面积不相等既可以是2n个第二子区域中的每个第二子区域的面积均不相等，也可以是2n个第二子区域中的某些第二子区域的面积相等，某些第二子区域的面积不相等。
109.在本技术的一些优选实施例中，2n个第一子区域的面积均相等，且2n个第二子区域的面积均相等。
110.在本技术的一些实施例中，所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
111.在所述第一区域中选取包括n个所述第一子区域的第一子集合进行施加至少一次电压极性切换，且在所述第二区域中选取包括n个所述第二子区域的第二子集合进行施加至少一次电压极性切换；
112.对所述第一区域中包括剩余的n个所述第一子区域的第三子集合进行施加至少一次电压极性切换，且对所述第二区域中包括剩余的n个所述第二子区域的第四子集合进行施加至少一次电压极性切换。
113.这里，首先，对包括n个所述第一子区域的第一子集合和包括n个所述第二子区域的第二子集合进行施加电压极性切换，然后，对包括剩余的n个所述第一子区域的第三子集合和包括剩余的n个所述第二子区域的第四子集合进行施加电压极性切换。也就是说，在上述调节方法中，每次进行电压极性切换时，在静电吸盘的2n个第一子区域和2n个第二子区域中，总有n个第一子区域和n个第二子区域的电压极性方向处于保持状态。换言之，每次进行电压极性切换时，静电吸盘上总有一半的区域的电压极性方向处于保持状态。这样有助于静电吸盘稳定地吸附目标晶圆。
114.在本技术的一些实施例中，所述第一子集合和所述第三子集合之间没有交集；且
所述第二子集合和所述第四子集合之间没有交集。
115.这里，第一子集合包括n个第一子区域，第三子集合则包括剩余的n个第一子区域；第二子集合包括n个第二子区域，第四子集合则包括剩余的n个第二子区域。
116.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段之前，所述方法还包括：
117.在第三阶段，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零；或
118.在第三阶段，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
119.这里，在第一阶段和第二阶段之间，可以插入第三阶段，即，在进行施加电压极性切换之前，插入施加电压归零的第三阶段，能够为电压极性切换提供缓冲过程。
120.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括两个第一子区域，所述第二区域包括两个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
121.对包括一个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括一个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
122.对包括另一个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括另一个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
123.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括两个第一子区域，所述第二区域包括两个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
124.对包括一个所述第一子区域的第一子集合进行施加电压极性切换，且对包括一个所述第二子区域的第二子集合进行施加电压极性切换；
125.对包括另一个所述第一子区域的第三子集合进行施加电压极性切换，且对包括另一个所述第二子区域的第四子集合进行施加电压极性切换；
126.再次对所述第一子集合进行施加电压极性切换，且对所述第二子集合进行施加电压极性切换。
127.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段，每次对所述第一子集合和所述第二子集合进行施加电压极性切换之前，所述方法还包括：
128.在第三阶段，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零。
129.在本技术的一些实施例中，在所述第二阶段，每次对所述第三子集合和所述第四子集合进行施加电压极性切换之前，所述方法还包括：
130.在第三阶段，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
131.这里，在第二阶段中，可以多次插入第三阶段，即，在每次进行施加电压极性切换之前，均可以插入施加电压归零的第三阶段，以便于给电压极性切换提供缓冲过程。
132.如图9所示，图9为对包括四个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图。为了便于描述电压极性切换的过程，在此将主要描述电压极性切换过程，不再对第三阶段，即电压归零的过程进行赘述。参考图9，在第一阶段，对341子区域和342子区域施加正电压，对343子区域和344子区域施加负电压，此时，施加至第一子区域341、342和第二子区域343、344的电压极性相反。在第二阶段，即从时间为t
21
开始，在第一区域中选取包括1个第一子区域的第一子集合，即342子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中包括选取1个第二子区域的第二子集合，即344子区域，进行施加电压极性切换；仍在第二阶段，从时间为t
22
开
始，在第一区域中选取包括剩余的1个第一子区域的第三子集合，即341子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括剩余的1个第二子区域的第四子集合，即343子区域；仍在第二阶段，从时间为t
23
开始，对包括342子区域的第一子集合进行施加电压极性切换，且对包括344子区域的第二子集合进行施加电压极性切换。最后，在第四阶段，即从时间为t
40
开始，将第一子区域341、342的施加电压归零；将第二子区域343、344的施加电压归零。
133.在上述电压极性切换过程中，对第一子区域341和第二子区域343进行了一次施加电压极性切换，对第一子区域342和第二子区域344进行了两次施加电压极性切换。并且，在每次进行施加电压极性切换之前，优选将子区域的施加电压归零后再进行施加电压极性切换，利用第三阶段，即电压归零的时间段给目标晶圆提供缓冲作用。
134.在本技术的一些实施例中，对包括一个第一子区域的第一子集合和包括一个第二子区域的第二子集合进行施加电压极性切换的时刻和对包括另一个第一子区域的第三子集合和包括另一个第二子区域的第四子集合进行施加电压极性切换的时刻不同。
135.可以理解的是，在上述调节方法中，在第二阶段中，首先，对第一子集合(包括342子区域)和第二子集合(包括344子区域)进行电压极性切换；然后，对第三子集合(包括341子区域)和第四子集合(包括343子区域)进行电压极性切换；最后，对第一子集合(包括342子区域)和第二子集合(包括344子区域)进行电压极性切换。
136.在本技术的一些实施例中，每个所述第一子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等；
137.每个所述第二子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等。
138.以图9所示为例，将静电吸盘划分为四个子区域，对每个区域采取不同的电压施加方式。尽管对于第一子区域341和342进行施加电压极性切换的次数不同，且对于第二子区域343和344进行施加电压极性切换的次数不同，但是，对第一子区域341和342施加正电压的时间与施加负电压的时长相等，且对第二子区域343和344施加正电压的时间与施加负电压的时长相等。
139.如前所述，第三阶段中对静电吸盘进行电压归零的时长是非常短的，因此，在忽略不计算第三阶段的时长的情况下，仍参考图9，对第一子区域341施加正电压的时长为t
22
，对第一子区域341施加负电压的时长为(t
40-t
22
)，即，t
22
与(t
40-t
22
)相等；对第一子区域342施加正电压的时长为(t
21
(t
40-t
23
))，对第一子区域342施加负电压的时长为(t
23-t
21
)，即，(t
21
(t
40-t
23
))与(t
23-t
21
)相等。对第二子区域343施加正电压的时长为(t
40-t
22
)，对第二子区域343施加负电压的时长为t
22
，即，t
22
与(t
40-t
22
)相等；对第二子区域344施加正电压的时长为(t
23-t
21
)，对第二子区域344施加负电压的时长为(t
21
(t
40-t
23
))，即，(t
21
(t
40-t
23
))与(t
23-t
21
)相等。
140.可以理解的是，对静电吸盘上的每个子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等，这意味着目标晶圆背面的调节层内与静电吸盘相对应的每个子区域内产生的正电荷和负电荷尽可能中和，使得目标晶圆背面的调节层内的电荷量的绝对值较小，从而便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
141.在本技术的一些优选实施例中，每次仅同时对n个第一子区域和n个第二子区域进行施加电压极性切换。换言之，每次仅对静电吸盘上的一半区域进行施加电压极性切换，而静电吸盘上的另一半区域处于电压保持状态。这样一方面可以减少目标晶圆背面的调节层
内捕获的电荷，另一方面，也不会影响到目标晶圆在静电吸盘上吸附的稳定性，不影响半导体处理过程。
142.如图10所示，图10为对包括四个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图。为了便于描述电压极性切换的过程，在此将主要描述电压极性切换过程，不再对第三阶段，即电压归零的过程进行赘述。参考图10，在第一阶段，对341子区域和342子区域施加正电压，对343子区域和344子区域施加负电压，此时，施加至第一子区域341、342和第二子区域343、344的电压极性相反。在第二阶段，从时间为t
21
开始，在第一区域中选取包括1个第一子区域的第一子集合，即342子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括1个第二子区域的第二子集合，即344子区域，进行施加电压极性切换；在第二阶段，即从时间为t
22
开始，在第一区域中选取包括剩余的1个第一子区域的第三子集合，即341子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括剩余的1个第二子区域的第四子集合，即343子区域；仍在第二阶段，即从时间为t
23
开始，对包括341子区域的第三子集合进行施加电压极性切换，且对包括343子区域的第四子集合进行施加电压极性切换；仍在第二阶段，即从时间为t
24
开始，对包括342子区域的第一子集合进行施加电压极性切换，且对包括344子区域的第二子集合进行施加电压极性切换；仍在第二阶段，即从时间为t
25
开始，对包括341子区域的第三子集合进行施加电压极性切换，且对包括343子区域的第四子集合进行施加电压极性切换。最后，在第四阶段，即从时间为t
40
开始，将第一子区域341、342的施加电压归零；将第二子区域343、344的施加电压归零。
143.在上述电压极性切换过程中，对包括第一子区域341的第三子集合和包括第二子区域343的第四子集合进行了三次施加电压极性切换，对包括第一子区域342的第一子集合和包括第二子区域344的第二子集合进行了两次施加电压极性切换。并且，在每次进行施加电压极性切换之前，优选将子区域的施加电压归零后再进行施加电压极性切换，利用第三阶段，即电压归零的时间给目标晶圆提供缓冲作用。
144.以图10所示为例，将静电吸盘划分为四个子区域，对每个区域采取不同的电压施加方式。尽管对于第一子区域341和342进行施加电压极性切换的次数不同，且对于第二子区域343和344进行施加电压极性切换的次数不同，但是，对第一子区域341和342施加正电压的时长与施加负电压的时长相等，且对第二子区域343和344施加正电压的时长与施加负电压的时长相等。也就是说，对于每个子区域而言，施加正电压的时长与施加负电压的时长相等。
145.如前所述，第三阶段中对静电吸盘进行电压归零的时长是非常短的，因此，在忽略不计算第三阶段的时长的情况下，仍参考图10，对第一子区域341施加正电压的时长为(t
22
(t
25-t
23
))，对第一子区域341施加负电压的时长为((t
23-t
22
) (t
40-t
25
))，即，(t
22
(t
25-t
23
))与((t
23-t
22
) (t
40-t
25
))相等。对第一子区域342施加正电压的时长为(t
21
(t
40-t
24
))，对第一子区域342施加负电压的时长为(t
24-t
21
)，即，(t
21
(t
40-t
24
))与(t
24-t
21
)相等。对第二子区域343施加正电压的时长为((t
23-t
22
) (t
40-t
25
))，对第二子区域343施加负电压的时长为(t
22
(t
25-t
23
))，即，(t
22
(t
25-t
23
))与((t
23-t
22
) (t
40-t
25
))相等。对第二子区域344施加正电压的时长为(t
24-t
21
)，对第二子区域344施加负电压的时长为(t
21
(t
40-t
24
))，即，(t
24-t
21
)与(t
21
(t
40-t
24
))相等。
146.可以理解的是，在半导体处理过程中，对静电吸盘施加电压进行周期性的极性切
换，对静电吸盘上的每个区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等，这意味着目标晶圆背面的调节层与静电吸盘相对应的每个子区域内产生的正电荷和负电荷尽可能中和，使得目标晶圆背面的调节层内的电荷量的绝对值较小，从而便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
147.在本技术的一些实施例中，交替执行对所述第一子集合和所述第二子集合的电压极性切换和对所述第三子集合和所述第四子集合的电压极性切换。需要说明的是，在每次电压极性切换之前，都可以对进行施加电压极性切换的区域进行施加电压归零。
148.如图11所示，图11为对包括四个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图。为了便于描述电压极性切换的过程，在此将主要描述电压极性切换过程，不再对第三阶段，即电压归零的过程进行赘述。参考图11，在第一阶段，对341子区域和342子区域施加正电压，对343子区域和344子区域施加负电压，此时，施加至第一子区域341、342和第二子区域343、344的电压极性相反。
149.继续参考图11，在第二阶段，即从时间为t
21
开始，在第一区域中选取包括1个第一子区域的第一子集合，即342子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括1个第二子区域的第二子集合，即344子区域，进行施加电压极性切换。在第二阶段，即从时间为t
22
开始，在第一区域中选取包括剩余的1个第一子区域的第三子集合，即341子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括剩余的1个第二子区域的第四子集合，即343子区域。仍在第二阶段，即从时间为t
23
开始，对该第一子集合进行施加电压极性切换，且对该第二子集合进行施加电压极性切换。仍在第二阶段，即从时间为t
24
开始，对该第三子集合进行施加电压极性切换，且对该第四子集合进行施加电压极性切换。仍在第二阶段，即从时间为t
25
开始，对该第一子集合进行施加电压极性切换，且对该第二子集合进行施加电压极性切换。仍在第二阶段，即从时间为t
26
开始，对该第三子集合进行施加电压极性切换，且对该第四子集合进行施加电压极性切换。仍在第二阶段，即从时间为t
27
开始，对该第一子集合进行施加电压极性切换，且对该第二子集合进行施加电压极性切换。最后，在第四阶段，即从时间为t
40
开始，将第一子区域341、342的施加电压归零；将第二子区域343、344的施加电压归零。
150.也就是说，在上述电压极性切换过程中，对包括第一子区域341的第三子集合和包括第二子区域343的第四子集合进行了三次施加电压极性切换，对包括第一子区域342的第一子集合和包括第二子区域344的第二子集合进行了四次施加电压极性切换。并且，在上述电压极性切换过程中，交替执行对第一子集合和第二子集合的电压极性切换和第三子集合和第四子集合的电压极性切换。在半导体处理的总时间相同的情况下，交替执行对所述第一子集合和所述第二子集合的电压极性切换和对所述第三子集合和所述第四子集合的电压极性切换，能够使得电压极性切换的总次数最多。
151.如前所述，第三阶段中对静电吸盘进行电压归零的时长是非常短的，因此，在忽略不计算第三阶段的时长的情况下，分别计算得到对第一子区域和第二子区域施加正电压和施加负电压的时长。
152.仍参考图11，对第一子区域341施加正电压的时长为(t
22
(t
26-t
24
))，对第一子区域341施加负电压的时长为((t
24-t
22
) (t
40-t
26
))，即，(t
22
(t
26-t
24
))与((t
24-t
22
) (t
40-t
26
))相等。对第一子区域342施加正电压的时长为(t
21
(t
25-t
23
) (t
40-t
27
))，对第一子区域
342施加负电压的时长为((t
23-t
21
) (t
27-t
25
))，即，(t
21
(t
25-t
23
) (t
40-t
27
))与((t
23-t
21
) (t
27-t
25
))相等。
153.仍参考图11，对第二子区域343施加正电压的时长为((t
24-t
22
) (t
40-t
26
))，对第二子区域343施加负电压的时长为(t
22
(t
26-t
24
))，即，((t
24-t
22
) (t
40-t
26
))与(t
22
(t
26-t
24
))相等。对第二子区域344施加正电压的时长为((t
23-t
21
) (t
27-t
25
))，对第二子区域344施加负电压的时长为(t
21
(t
25-t
23
) (t
40-t
27
))，即，((t
23-t
21
) (t
27-t
25
))与(t
21
(t
25-t
23
) (t
40-t
27
))相等。
154.换言之，每次对静电吸盘上的某个子区域持续施加正电压或者持续施加负电压的时长更短，那么目标晶圆背面的调节层内同种极化电荷积累的时长更短。这样在半导体处理结束后，目标晶圆背面的调节层内捕获的电荷量更少，便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
155.在本技术的一些实施例中，所述正电压和所述负电压的绝对值相等。也就是说，在电压极性切换的过程中，仅切换电压的方向，不改变电压大小的绝对值。这里仅仅切换电压的方向，不改变电压大小的绝对值便于操作控制；且所述正电压和所述负电压的绝对值相等也有利于目标晶圆背面的调节层内电荷中和，使得目标晶圆背面的调节层内捕获的电荷量更少，便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
156.参考图12，图12示出了包括八个子区域的静电吸盘的结构示意图。如图13所示，静电吸盘可以包括面积相等的八个子区域，分别为第一子区域381、382、383、384和第二子区域385、386、387、388，即，第一子区域381、382、383、384和第二子区域385、386、387、388均为45
°
的扇形。因此，可以分别独立地控制上述八个子区域的电压极性以及电压大小。对于静电吸盘划分的区域越多，静电吸盘上施加电压的调节过程越复杂，对于静电吸盘上电压的控制越精确。
157.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括四个第一子区域，所述第二区域包括四个第二子区域；所述在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
158.对包括两个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括两个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
159.对包括另两个所述第一子区域的第三子集合进行至少一次施加电压极性切换，且对包括另两个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
160.如图13所示，图13为对包括八个子区域的静电吸盘施加电压的电压-时间关系图。为了便于描述电压极性切换的过程，在此将主要描述电压极性切换过程，不再对第三阶段，即电压归零的过程进行赘述。参考图13，在第一阶段，对381子区域、382子区域、383子区域和384子区域施加正电压，对385子区域、386子区域、387子区域和388子区域施加负电压，此时，施加至第一子区域381、382、383、384和第二子区域385、386、387、388的电压极性相反。在第二阶段，即从时间为t
21
开始，在第一区域中选取包括2个第一子区域的第一子集合，即383子区域和384子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括2个第二子区域的第二子集合，即387子区域和388子区域，进行施加电压极性切换；在第二阶段，即从时间为t
22
开始，在第一区域中选取包括剩余的2个第一子区域的第三子集合，即381子区域和382子区域，进行施加电压极性切换，且在第二区域中选取包括剩余的2个第二子区域的第四子集合，即385子区域和386子区域，进行施加电压极性切换；仍在第二阶段，即从时间为t
23
开
始，对包括383子区域和384子区域的第一子集合进行施加电压极性切换，且对包括387子区域和388子区域的第二子集合进行施加电压极性切换；最后，在第四阶段，即从时间为t
40
开始，将第一子区域381、382、383、384的施加电压归零；将第二子区域385、386、387、388的施加电压归零。
161.在上述电压极性切换过程中，对包括第一子区域381、382的第三子集合和包括第二子区域385、386的第四子集合进行了一次施加电压极性切换，对包括第一子区域383、384的第一子集合和包括第二子区域387、388的第二子集合进行了两次施加电压极性切换。
162.如前所述，第三阶段中对静电吸盘进行电压归零的时长是非常短的，因此，在忽略不计算第三阶段的时长的情况下，分别计算得到对第一子区域和第二子区域施加正电压和施加负电压的时长。
163.仍参考图13，对第一子区域381和382施加正电压的时长为t
22
，对第一子区域381和382施加负电压的时长为(t
40-t
22
)，即，t
22
与(t
40-t
22
)相等。对第一子区域383和384施加正电压的时长为(t
21
(t
40-t
23
))，对第一子区域383和384施加负电压的时长为(t
23-t
21
)，即，(t
21
(t
40-t
23
))与(t
23-t
21
)相等。
164.仍参考图13，对第二子区域385和386施加正电压的时长为(t
40-t
22
)，对第二子区域385和386施加负电压的时长为t
22
，即，t
22
与(t
40-t
22
)相等。对第二子区域387和388施加正电压的时长为(t
23-t
21
)，对第二子区域387和388施加负电压的时长为(t
21
(t
40-t
23
))，即，(t
21
(t
40-t
23
))与(t
23-t
21
)相等。
165.可以理解的是，对静电吸盘上的每个子区域施加正电压的时长与施加负电压的时长相等，这意味着目标晶圆背面的调节层与静电吸盘相对应的每个子区域内产生的正电荷和负电荷尽可能中和，使得目标晶圆背面的调节层内的电荷量的绝对值较小，从而便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
166.当然对于包括八个子区域的静电吸盘的电压调节方法并不限于图13所示，也可以增加各子区域的电压极性切换次数。
167.本技术实施例还提供一种静电吸盘的调节装置，用于对包括第一区域和第二区域的静电吸盘进行电压调节，所述调节装置包括：
168.第一调节模块，用于在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；
169.第二调节模块，用于在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。
170.在本技术的一些实施例中，所述第一区域包括2n个第一子区域；所述第二区域包括2n个第二子区域；其中，n为大于或等于1的整数。
171.在本技术的一些实施例中，所述第二调节模块，用于在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换，包括：
172.所述第二调节模块，在所述第一区域中选取包括n个所述第一子区域的第一子集合进行至少一次施加电压极性切换，且在所述第二区域中选取包括n个所述第二子区域的第二子集合进行至少一次施加电压极性切换；
173.所述第二调节模块，对所述第一区域中包括剩余的n个所述第一子区域的第三子
集合进行至少一次施加电压极性切换，且对所述第二区域中包括剩余的n个所述第二子区域的第四子集合进行至少一次施加电压极性切换。
174.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
175.第三调节模块，用于在所述第二阶段之前，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零；或
176.第三调节模块，用于在所述第二阶段之前，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
177.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
178.第三调节模块，在所述第二阶段，每次对所述第一子集合和所述第二子集合进行施加电压极性切换之前，同时对所述第一子集合和所述第二子集合的施加电压归零。
179.在本技术的一些实施例中，所述调节装置还包括：
180.第三调节模块，在所述第二阶段，每次对所述第三子集合和所述第四子集合进行施加电压极性切换之前，同时对所述第三子集合和所述第四子集合的施加电压归零。
181.本技术实施例提供一种静电吸盘的调节方法和调节装置，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的静电吸盘；在第一阶段，对所述第一区域施加正电压/负电压，且对应地对所述第二区域施加负电压/正电压，以使施加至所述第一区域和所述第二区域的电压极性相反；在第二阶段，对所述第一区域进行施加电压极性切换，且对所述第二区域进行施加电压极性切换。在本技术实施例提供的静电吸盘的调节方法中，分别对静电吸盘的第一区域和第二区域进行施加电压极性切换，能够使得吸附在静电吸盘表面的目标晶圆的调节层内的异种电荷发生中和，从而在半导体处理结束后，有效地降低目标晶圆的调节层内的电荷量的绝对值，以便于从静电吸盘上卸下目标晶圆。
182.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
183.以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的发明构思下，利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本技术的专利保护范围内。