处理液喷嘴和清洗装置的制作方法

1.本发明的实施方式涉及处理液喷嘴和清洗装置。


背景技术：

2.现有技术中，已知有利用从处理液喷嘴释放的被施加了超声波的清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片)等基片的表面进行清洗的技术(参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2009-200331号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明提供一种能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损的技术。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一个方式的处理液喷嘴包括超声波施加部、第一供给流路、释放流路和第二供给流路。超声波施加部具有产生超声波的振子和与上述振子接合的振动体。第一供给流路对与上述超声波施加部的上述振动体接触的位置供给第一液体。释放流路将由上述超声波施加部施加了超声波的上述第一液体供给到释放口。第二供给流路连接在上述释放流路的比上述超声波施加部靠下游侧的位置，对上述释放流路供给第二液体。
10.发明效果
11.依照本发明，能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损。
附图说明
12.图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的示意图。
13.图2是表示处理单元的具体结构例的示意图。
14.图3是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
15.图4是用于说明实施方式的处理液喷嘴的垂液抑制处理的图。
16.图5是用于说明实施方式的处理液喷嘴的垂液抑制处理的图。
17.图6是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
18.图7是表示实施方式的变形例的处理液喷嘴的结构的图。
19.图8是表示实施方式的伪分配槽的结构的图。
20.图9是表示实施方式的另一变形例的处理液喷嘴的结构的图。
21.图10是表示实施方式的变形例的伪分配槽的结构的图。
22.附图标记说明
23.w晶片
24.1基片处理系统(清洗装置的一例)
25.16处理单元
26.18控制部
27.30基片处理部
28.41a喷嘴(处理液喷嘴的一例)
29.60超声波施加部
30.61振子
31.62振动体
32.71第一供给流路
33.72释放流路
34.73第二供给流路
35.74释放口
36.82伪分配槽
37.83吸引嘴
38.84鼓风部
39.da、db、dc内径
40.dd口径
41.l1第一液体
42.l2第二液体
43.la、lb长度。
具体实施方式
44.以下，参照附图，对本技术所公开的处理液喷嘴和清洗装置的实施方式详细地进行说明。此外，本发明并不由以下所示的实施方式限定。另外，附图是示意性的，需要注意各要素的尺寸的关系、各要素的比例等有时与现实不同。而且，在附图之间，有时也包含相互的尺寸关系、彼此不同的部分。
45.现有技术中，已知有利用从处理液喷嘴释放的被施加了超声波的清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片)等基片的表面进行清洗的技术。另一方面，在该清洗液使用发泡性的液体的情况下，由于被施加的超声波，液体内的气泡爆裂，因此有可能因气泡爆裂时的冲击力而导致施加超声波的振动体破损。
46.因此，希望能够克服上述问题，实现能够抑制在处理液喷嘴内对清洗液施加超声波的振动体破损的技术。
47.《基片处理系统的概要》
48.首先，参照图1，对实施方式的基片处理系统1的概略结构进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的图。另外，基片处理系统1是清洗装置的一例。以下为了明确位置关系，规定相互正交的x轴、y轴和z轴，令z轴正方向为铅垂向上方向。
49.如图1所示，基片处理系统1具有送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻地设置。
50.送入送出站2具有承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置有将多个
基片——在实施方式中为半导体晶片w(以下称为晶片w)——以水平状态收纳的多个承载器c。
51.输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片w的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在承载器c与交接部14之间进行晶片w的输送。
52.处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具有输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在输送部15的两侧。
53.输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片w的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片w的输送。
54.处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片w进行规定的基片处理。
55.另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19中保存有对在基片处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
56.另外外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
57.在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器c取出晶片w，将取出的晶片w载置在交接部14。载置于交接部14的晶片w由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，向处理单元16送入。
58.被送入处理单元16的晶片w在由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置在交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片w由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器c。
59.《处理单元的结构》
60.接着，参照图2，对处理单元16的结构进行说明。图2是表示处理单元16的具体结构例的示意图。如图2所示，处理单元16具有腔室20、基片处理部30、液供给部40和回收杯状体50。
61.腔室20收纳基片处理部30、液供给部40和回收杯状体50。在腔室20的顶部设置有ffu(fan filter unit：风机过滤单元)21。ffu21在腔室20内形成下降流。
62.基片处理部30具有保持部31、支柱部32和驱动部33，对所载置的晶片w实施液处理。保持部31水平地保持晶片w。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，根端部被驱动部33以可旋转的方式支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。
63.该基片处理部30使用驱动部33使支柱部32旋转，由此使由支柱部32支承的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持的晶片w旋转。
64.在基片处理部30所具有的保持部31的上表面设置有从侧面保持晶片w的保持部件31a。晶片w由该保持部件31a以从保持部31的上表面稍微离开的状态被水平保持。此外，晶片w以进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持在保持部31。
65.液供给部40对晶片w供给处理流体。液供给部40具有：多个(此处为2个)喷嘴41a、
41b；分别水平地支承该喷嘴41a、41b的臂42a、42b；和使臂42a、42b分别旋转及升降的旋转升降机构43a、43b。喷嘴41a是处理液喷嘴的一例。
66.喷嘴41a经由阀44a和流量调节器45a与第一液体供给部46a连接，并且经由阀44b和流量调节器45b与第二液体供给部46b连接。
67.从第一液体供给部46a供给的第一液体l1(参照图3)为具有强酸性或强碱性的药液，例如为浓硫酸、氨水。从第二液体供给部46b供给的第二液体l2(参照图3)为具有发泡性的药液，例如为过氧化氢水、diw(deionized water：去离子水)等。
68.另外，在本发明中，“第二液体l2具有发泡性”不限于第二液体l2单独发泡的情况，也包括第二液体l2与其他液体(例如，第一液体l1)混合才会发泡的情况。
69.喷嘴41b经由阀44c和流量调节器45c与diw供给源46c连接。diw例如用于冲洗处理。此外，用于冲洗处理的处理液不限于diw。
70.从喷嘴41a释放从第一液体供给部46a供给的第一液体l1和从第二液体供给部46b供给的第二液体l2混合而成的混合液m(参照图3)。关于该喷嘴41a的详细情况在后文说明。从喷嘴41b释放从diw供给源46c供给的diw。
71.回收杯状体50以包围保持部31的方式配置，收集通过保持部31的旋转而从晶片w飞散的处理液。在回收杯状体50的底部形成有排液口51，由回收杯状体50收集到的处理液从该排液口51向处理单元16的外部被排出。此外，在回收杯状体50的底部形成有将从ffu21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
72.另外，在实施方式的处理单元16中，示出了设置2个喷嘴的例子，但设置于处理单元16的喷嘴的数量不限于2个。
73.《处理液喷嘴的详细情况》
74.接下来，参照图3对作为实施方式的处理液喷嘴的一个例子的喷嘴41a的详细情况进行说明。图3是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
75.如图3所示，喷嘴41a具有超声波施加部60、第一供给流路71、释放流路72和第二供给流路73。喷嘴41a将从第一供给流路71供给的第一液体l1和从第二供给流路73供给的第二液体l2混合而生成混合液m，对该混合液m施加超声波s，从释放口74释放到晶片w。
76.此处，如图3所示，从释放口74释放的混合液m以中途不被截断的方式被释放到晶片w，由此能够将由超声波施加部60施加的超声波s传递至着落在晶片w上的混合液m。
77.即，实施方式的喷嘴41a在利用混合液m对晶片w进行清洗时，能够利用基于超声波s的物理力来进行清洗。因此，依照实施方式，即使在晶片w形成有化学稳定性高的膜(例如，牺牲膜等)的情况下，也能够利用较高的清洗力除去该化学稳定性高的膜。
78.接着，对喷嘴41a中的各部分的详细情况进行说明。超声波施加部60具有振子61和振动体62。
79.振子61由pzt(锆钛酸铅)等压电陶瓷形成。振子61通过从外部输入具有规定的振荡频率的驱动信号，而产生具有该规定的发送频率的超声波s。振子61例如能够产生200khz以上的较高频率的超声波s。
80.振动体62牢固地接合于振子61。即，在超声波施加部60中，构成为振动体62和振子61一体地振动，因此振动体62具有作为振动时的负载的功能。
81.因此，依照实施方式，通过使振动体62与第一液体l1直接接触而施加超声波s，由
此与使振子61与第一液体l1直接接触地施加超声波s的情况相比，能够减小阻抗的变动。
82.振动体62由具有耐化学药品性和耐热性的无机材料形成。振动体62例如由石英、蓝宝石等矿物类材料、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、碳化硅等陶瓷材料等形成。
83.第一供给流路71对与超声波施加部60的振动体62接触的位置供给第一液体l1。第一供给流路71与设置有振动体62的释放流路72的上游侧连接。而且，第一供给流路71经由第一液体供给部46a、阀44a和流量调节器45a将第一液体l1供给到释放流路72的上游侧。
84.释放流路72以向下方直线状地延伸的方式形成于喷嘴41a的内部。释放流路72在上游侧设置有超声波施加部60的振动体62，在下游侧形成有喷嘴41a的释放口74。释放流路72将由超声波施加部60施加了超声波s的第一液体l1、使用该第一液体l1生成的混合液m供给到释放口74。
85.在实施方式中，释放流路72形成为直线状，因此能够将由超声波施加部60施加的超声波s顺畅地传递至晶片w的表面。
86.第二供给流路73对释放流路72供给第二液体l2。第二供给流路73连接在释放流路72的比超声波施加部60靠下游侧的位置。第二供给流路73经由第二液体供给部46b、阀44b和流量调节器45b将第二液体l2供给到比释放流路72的超声波施加部60靠下游侧的位置。
87.通过从第二供给流路73对释放流路72供给第二液体l2，在释放流路72的内部生成第一液体l1与第二液体l2的混合液m。在实施方式中，由于第二液体l2具有发泡性，因此至少混合液m中含有气泡b。
88.另外，在使用过氧化氢水作为第二液体l2的情况下，第二液体l2自身具有发泡性，因此如图3所示，除了混合液m以外，第二液体l2中也含有气泡b。
89.此处，在实施方式中，通过将第二供给流路73连接在比超声波施加部60靠下游侧的位置，能够在超声波施加部60的下游侧生成含有气泡b的混合液m。
90.即，在实施方式中，能够在离开超声波施加部60的位置生成含有气泡b的混合液m，因此即使混合液m内的气泡b因超声波s而爆裂，也能够使该气泡b爆裂时的冲击力不容易传递至振动体62。
91.因此，依照实施方式，能够抑制因施加于混合液m的超声波s和混合液m中含有的气泡b而在喷嘴41a的内部发生振动体62的破损。
92.另外，在实施方式中，由于具有发泡性的混合液m仅位于释放流路72的下游侧，因此在清洗处理结束而停止了混合液m的释放时，能够将残留在喷嘴41a的内部的混合液m的量抑制在最小限度。
93.由此，在混合液m的内部持续发泡而混合液m的体积膨胀时，能够将该体积的膨胀抑制在最小限度。因此，依照实施方式，在停止了混合液m的释放的情况下，能够抑制该混合液m膨胀而从释放口74垂落。
94.另外，在实施方式中，优选第一液体l1具有强酸性或强碱性，第二液体l2具有发泡性。由此，即使在晶片w形成有牺牲膜等化学稳定性高的膜的情况下，也能够利用高清洗力除去该化学稳定性高的膜。
95.另外，在实施方式中，优选还具有对从释放口74释放的混合液m进行除电的除电部(未图示)。该除电部例如由将喷嘴41a的主体部、超声波施加部60之间、与接地电位之间连接的配线构成。
96.由此，在晶片w的带电、电弧成为问题的情况，能够在利用混合液m实施清洗处理时抑制晶片w的带电、电弧的产生。
97.另外，第二供给流路73的上游侧经由阀81与排放部dr连接。其中，上述阀81和排放部dr位于比第二供给流路73靠下的位置。接着，参照图4和图5，对使用了该阀81的垂液抑制处理的详细情况进行说明。
98.图4和图5是用于说明实施方式的处理液喷嘴的垂液抑制处理的图。此外，图4表示从喷嘴41a释放被施加了超声波s的混合液m，实施晶片w的清洗处理的情况。
99.在使用喷嘴41a实施晶片w的清洗处理时，与第一供给流路71连接的阀44a和与第二供给流路73连接的阀44b均为打开状态(此外，在以后的图中记载为“o”)。
100.另外，在该情况下，阀81为关闭状态(此外，在以后的图中记为“c”)，从超声波施加部60输出超声波s。由此，能够从喷嘴41a的释放口74释放被施加了超声波s的混合液m。
101.然后，在晶片w的清洗处理结束而结束混合液m的释放时，如图5所示，控制部18(参照图1)首先停止由超声波施加部60进行的超声波s的输出(步骤s01)。接着，控制部18使阀44a成为关闭状态，停止向释放流路72供给第一液体l1(步骤s02)。
102.像这样，通过在停止了超声波s的输出之后停止第一液体l1的供给，能够抑制超声波施加部60使超声波s“空烧”(没有作用对象)。因此，依照实施方式，能够抑制超声波施加部60由于该空烧而破损。
103.接着，控制部18使阀44b成为关闭状态，停止向释放流路72供给第二液体l2(步骤s03)。此外，该步骤s03也可以与上述的步骤s02同时实施。
104.然后，控制部18使阀81成为打开状态，将残留于第二供给流路73的第二液体l2排出至排放部dr(步骤s04)。由此，能够使残留在释放口74附近的混合液m返回释放流路72的上游侧。
105.通过以上说明的处理，在实施方式中，能够抑制残留于释放口74的附近的混合液m滴落到外部。
106.另外，在每次开始进行晶片w的清洗处理时，优选在从第一供给流路71对释放流路72供给第一液体l1之后，从超声波施加部60输出超声波s。由此，能够抑制超声波施加部60使超声波s空烧，因此能够抑制超声波施加部60由于该空烧而破损。
107.另外，在图4和图5的例子中，示出了使用设置于比第二供给流路73靠下方的阀81，利用自重将残留于第二供给流路73的第二液体l2排出至排放部dr的例子。然而，在实施方式中，也可以将残留于第二供给流路73的第二液体l2强制性地排出至排放部dr。
108.例如，通过在阀81与第二供给流路73之间添加抽吸器、推出器等，并使该抽吸器、推出器等动作，能够将残留于第二供给流路73的第二液体l2强制性地排出至排放部dr。
109.接着，参照图6，对喷嘴41a中的各部分的适当的尺寸进行说明。图6是表示实施方式的处理液喷嘴的结构的图。
110.在以下的说明中，如图6所示，将第一供给流路71的内径设为da，将释放流路72的内径设为db，将第二供给流路73的内径设为dc，将释放口74的口径设为dd。此外，在释放流路72中，将从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度设为la，将从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度设为lb。
111.在实施方式中，从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连
接部的长度la优选为释放口74的口径dd以上的长度。由此，能够抑制第二液体l2、混合液m中含有的泡沫b逆流至振动体62的附近。
112.因此，依照实施方式，能够进一步抑制因泡沫b而在喷嘴41a的内部发生振动体62的破损。此外，释放口74的口径dd本身没有特别限定，能够根据晶片w的清洗处理所需的混合液m的释放流量而适当设定。
113.另外，第一供给流路71的内径da、第二供给流路73的内径dc也没有特别限定，能够配合晶片w的清洗处理所需的第一液体l1和第二液体l2的供给流量而适当设定。
114.例如，在第一液体l1与第二液体l2的混合比为2：1的情况下，可以将内径da与内径dc的比设定为2：1，也可以将内径da与内径dc设定为相同的值。
115.另外，在实施方式中，从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度lb优选为释放口74的口径dd以上的长度。由此，能够确保足够将第一液体l1和第二液体l2混合的流路的长度。
116.另外，在实施方式中，在第一液体l1的粘度比第二液体l2的粘度大的情况下，从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度lb优选比从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la长。
117.像这样，在第二液体l2为低粘度的情况下，通过将长度lb的值设定得较大，能够确保释放口74附近的混合液m有足够的表面张力。因此，依照实施方式，能够抑制混合液m从释放口74垂落。此外，在第二液体l2为高粘度的情况下，也可以将长度lb的值设定得较小。
118.另外，在实施方式中，在第一液体l1的流量比第二液体l2的流量小的情况下，从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la优选比从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度lb长。
119.像这样，在第一液体l1的流量比第二液体l2的流量小的情况下，通过将长度la的值设定得较大，能够抑制第二液体l2逆流至第一供给流路71。
120.另外，在第一液体l1的流量比第二液体l2的流量大的情况下，第二液体l2逆流到第一供给流路71的可能性小。
121.另外，在实施方式中，第一液体l1的供给压力优选比第二液体l2的供给压力大。由此，即使在从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la被设定得较短的情况下，也能够抑制第二液体l2逆流至第一供给流路71。
122.另外，在实施方式中，在将第一液体l1与第二液体l2混合时产生反应热的情况下，从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la优选比从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度lb长。
123.这样，在将第一液体l1和第二液体l2混合时产生反应热的情况下，通过将长度la的值设定得较大，能够抑制在混合液m中产生的反应热传递到振动体62。
124.因此，依照实施方式，能够抑制因混合液m中产生的反应热而对振动体62与振子61的接合面等造成损伤。
125.另外，在实施方式中，与振动体62直接接触的第一液体l1的温度自身也可以为低温(例如是室温以下)。由此，能够抑制对振动体62与振子61的接合面等造成损伤。
126.另外，在实施方式中，释放流路72的内径db优选与释放口74的口径dd相等。由此，能够使在释放流路72中流动的第一液体l1、混合液m的压力损失为最小限度，因此能够高效
地释放混合液m。
127.另外，释放流路72的内径db不限于与释放口74的口径dd相等的情况。图7是表示实施方式的变形例的处理液喷嘴的结构的图。如图7所示，在该变形例中，释放流路72中的上游侧的内径db1比释放口74的口径dd大。即，在该变形例中，释放流路72中的上游侧的内径db1比与释放口74相连的下游侧的内径db2大。
128.由此，能够与晶片w的清洗处理所需的混合液m(参照图3)的释放流量相匹配地适当设定释放口74的口径dd，并且能够将尺寸大于该口径dd的振动体62设置在释放流路72的上游侧。
129.由此，依照变形例，能够将更高功率的超声波s(参照图3)施加到混合液m，因此能够利用更高的清洗力对晶片w进行清洗。
130.另外，在变形例中，优选在释放流路72中，在内径从db变化为dc的部位设置锥形部72a。由此，能够抑制从振动体62传递的超声波s碰到释放流路72的内壁而直接弹回振动体62。
131.另外，在至此说明的实施方式中，示出了将2种液体混合来生成混合液m的例子，但也可以将3种以上的液体混合来生成混合液m。例如，也可以使用氨水作为第一液体l1，使用过氧化氢水作为第二液体l2，使用diw作为第三液体来生成混合液m。
132.在还混合第三液体而生成混合液m的情况下，供给该第三液体的第三供给流路优选连接在第一供给流路71、或者与释放流路72中的比与第二供给流路73连接的连接部靠上游侧的位置。
133.另外，在图3的例子中，示出了将释放流路62以大致铅垂的朝向对晶片w释放混合液m的例子，但也可以将释放流路62以倾斜的朝向对晶片w释放混合液。由此，能够抑制在晶片w上弹回的混合液m附着于喷嘴41a而导致喷嘴41a被污染。
134.而且，在该情况下，控制部18优选控制喷嘴41a的位置，在晶片w的清洗处理的前半部分，以面向晶片w的旋转方向的朝向释放混合液m，并且在清洗处理的后半部分，以沿着晶片w的旋转方向的朝向释放混合液m。
135.由此，在清洗处理的前半部分，能够进一步延长晶片w上的超声波s的滞留时间，因此能够高效地除去化学稳定性高的膜。此外，在清洗处理的后半部分，能够缩短晶片w上的超声波s的滞留时间，因此能够抑制对膜剥离后的晶片w的表面的损伤。
136.《垂液抑制机构的详细情况》
137.接下来，参照图8～图10，对实施方式的各种垂液抑制机构的详细情况进行说明。图8是表示实施方式的伪分配槽82的结构的图。以下说明的伪分配槽82是垂液抑制机构的一例。
138.伪分配槽82设置在处理单元16(参照图2)中的腔室20(图2)的内部，配置在喷嘴41a的待机位置的下方。伪分配槽82在用于排除与喷嘴41a连接的各流路内的气泡、异物等的伪分配处理时，接收从喷嘴41a释放的混合液m，将接收到的混合液m排出到排放部dr。
139.另外，实施方式的伪分配槽82除了具有接收从喷嘴41a释放的混合液m的功能以外，还具有对附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m的液滴进行吸引的吸引嘴83。
140.使该吸引嘴83工作，吸引附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m的液滴，由此能够抑制混合液m从释放口74垂落。
141.另外，控制部18优选在利用基片处理部30对晶片w进行清洗处理之前，利用吸引嘴83对吸附于喷嘴41a的释放口74的混合液m进行吸引，其中该喷嘴41a在伪分配槽82待机。
142.由此，在使喷嘴41a移动到进行清洗处理之前的晶片w的上方时，能够抑制混合液m错误地垂落到晶片w上。
143.另外，在图8的例子中，示出了吸引嘴83设置于伪分配槽82的例子，但设置吸引嘴83的部位不限于伪分配槽82。图9是表示实施方式的另一变形例的处理液喷嘴的结构的图。
144.如图9所示，也可以以在喷嘴41a的释放口74附近设置吸引口的方式，将上述吸引嘴83设置于臂42a。由此，即使在喷嘴41a没有在待机位置待机的状态下，也能够抑制混合液m从释放口74垂落。
145.例如，在图9的例子中，优选在清洗处理结束而喷嘴41a返回待机位置时使吸引嘴83工作，吸引附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m的液滴。
146.图10是表示实施方式的变形例的伪分配槽82的结构的图。如图10所示，变形例的伪分配槽82除了具有接收从喷嘴41a释放的混合液m的功能以外，还具有对附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m的液滴进行鼓风的鼓风部84。
147.使该吸引嘴83工作，对附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m的液滴进行鼓风，由此能够抑制混合液m从释放口74垂落。
148.另外，控制部18优选在利用基片处理部30对晶片w进行清洗处理之前，利用鼓风部84对附着于喷嘴41a的释放口74的混合液m进行鼓风，其中，该喷嘴41a在伪分配槽82待机。
149.由此，在使喷嘴41a移动到进行清洗处理之前的晶片w的上方时，能够抑制混合液m错误地垂落到晶片w上。此外，被鼓风部84吹动的混合液m的液滴被伪分配槽82接收，而被排出到排放部dr。
150.实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)具有超声波施加部60、第一供给流路71、释放流路72和第二供给流路73。超声波施加部60具有产生超声波s的振子61和与振子61接合的振动体62。第一供给流路71对与超声波施加部60的振动体62接触的位置供给第一液体l1。释放流路72将由超声波施加部60施加了超声波s的第一液体l1供给到释放口74。第二供给流路73连接在释放流路72的比超声波施加部60靠下游侧的位置，对释放流路72供给第二液体l2。由此，能够抑制因施加于混合液m的超声波s和混合液m中含有的气泡b而在喷嘴41a的内部发生振动体62的破损。
151.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，第一液体l1具有强酸性或强碱性，第二液体l2具有发泡性。由此，即使在晶片w形成有牺牲膜等化学稳定性高的膜的情况下，也能够利用较高的清洗力除去该化学稳定性高的膜。
152.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，在释放流路72中，从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la为释放口74的口径dd以上的长度。由此，能够进一步抑制因泡沫b而在喷嘴41a的内部发生振动体62的破损。
153.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，在释放流路72中，从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度lb为释放口74的口径dd以上的长度。由此，能够确保用于将第一液体l1和第二液体l2混合所需的足够的流路长度。
154.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，释放流路72的内径db与释放口74的口径dd相等。由此，能够使在释放流路72中流动的第一液体l1、混合液m的压力损失为最小
限度，因此能够高效地释放混合液m。
155.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，释放流路72中的上游侧的内径db1比释放口74的口径dd大。由此，能够进一步对混合液m施加高功率的超声波s，因此能够利用更高的清洗力对晶片w进行清洗。
156.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，在第一液体l1的粘度比第二液体l2的粘度大的情况下，长度lb比长度la长。该长度lb是释放流路72中的从与第二供给流路73连接的连接部至释放口74的长度，长度la是释放流路72中的从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度。由此，能够抑制混合液m从释放口74垂落。
157.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，在第一液体l1的流量比第二液体l2的流量小的情况下，长度la比长度lb长。由此，能够抑制第二液体l2逆流至第一供给流路71。
158.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，第一液体l1的供给压力比第二液体l2的供给压力大。由此，即使在从与第一供给流路71连接的连接部至与第二供给流路73连接的连接部的长度la被设定得较短的情况下，也能够抑制第二液体l2逆流至第一供给流路71。
159.另外，在实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)中，在将第一液体l1与第二液体l2混合时产生反应热的情况下，长度la比长度lb长。由此，能够抑制因混合液m中产生的反应热而对振动体62与振子61的接合面等造成损伤。
160.另外，实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)还具有供给第三液体的第三供给流路，该第三供给流路连接在第一供给流路71、或者释放流路72中的比与第二供给流路73连接的连接部靠上游侧的位置。由此，能够利用将3种液体混合而成的混合液m实施清洗处理。
161.另外，实施方式的处理液喷嘴(喷嘴41a)还具有对从释放口74释放的混合液m进行除电的除电部。由此，在晶片w的带电、电弧成为问题的情况下，能够在利用混合液m实施清洗处理时抑制晶片w的带电、电弧的产生。
162.实施方式的清洗装置(基片处理系统1)具有上述记载的处理液喷嘴(喷嘴41a)和保持基片(晶片w)并使其旋转的基片处理部30。由此，能够实现抑制在喷嘴41a的内部发生振动体62的破损的清洗装置。
163.另外，实施方式的清洗装置(基片处理系统1)还具有设置于处理液喷嘴(喷嘴41a)的待机位置的伪分配槽82。伪分配槽82具有对附着于释放口74的液体(混合液m)进行吸引的吸引嘴83。由此，能够抑制混合液m从释放口74垂落。
164.另外，实施方式的清洗装置(基片处理系统1)还具有对各部分进行控制的控制部18。控制部18在利用基片处理部30对基片(晶片w)进行处理之前，利用吸引嘴83对附着于处理液喷嘴(喷嘴41a)的释放口74的液体(混合液m)进行吸引，其中，该处理液喷嘴在伪分配槽82待机。由此，在使喷嘴41a移动到进行清洗处理之前的晶片w的上方时，能够抑制混合液m错误地垂落到晶片w上。
165.另外，实施方式的清洗装置(基片处理系统1)还具有设置于处理液喷嘴(喷嘴41a)的待机位置的伪分配槽82。伪分配槽82具有对附着于释放口74的液体(混合液m)进行鼓风的鼓风部84。由此，能够抑制混合液m从释放口74垂落。
166.另外，实施方式的清洗装置(基片处理系统1)还具有对各部分进行控制的控制部
18。控制部18在利用基片处理部30对基片(晶片w)进行处理之前，利用鼓风部84对附着于处理液喷嘴(喷嘴41a)的释放口74的液体(混合液m)进行鼓风，其中，该处理液喷嘴在伪分配槽82待机。由此，在使喷嘴41a移动到进行清洗处理之前的晶片w的上方时，能够抑制混合液m错误地垂落到晶片w上。
167.以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。例如，在上述的实施方式中，给出了在晶片w的清洗处理中应用喷嘴41a的例子，但应用喷嘴41a的处理不限于晶片w的清洗处理，能够在各种液处理中应用喷嘴41a。
168.本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不应认为是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求及其思想的情况下以各种方式进行省略、置换、变更。