流体处置系统和光刻设备的制作方法

流体处置系统和光刻设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术主张2019年9月13日提交的欧洲申请19197225.6的优先权，其通过引用全文并入本文。
技术领域
3.本发明涉及一种用于润湿衬底的流体处置系统和方法。本发明也涉及光刻设备。


背景技术：

4.光刻设备是一种被构造成将所需图案应用于衬底上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(ic)。例如，光刻设备可将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描实施图案而同时平行于或反向平行于此方向来同步地扫描实施衬底来照射每个目标部分。
5.随着半导体制造过程的持续进步，电路元件的尺寸已持续不断地减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量几十年来一直在稳步地增加，所遵循的趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律，半导体行业一直在追求能够创建越来越小特性的技术。为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365纳米(i线)、248纳米、193纳米和13.5纳米。
6.可以通过在曝光期间在实施衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现较小特征的分辨率的进一步提高。浸没流体的效应是使得能够对较小特征进行成像，这是因为曝光辐射在流体中相比于在气体中将具有更短的波长。浸没流体的效应也可以被视为增加所述系统的有效数值孔径(na)并且也增加焦深。
7.浸没流体可以由流体处置结构而被限制至所述光刻设备的所述投影系统与所述衬底之间的局部区域。所述衬底与受限制的浸没液体之间的快速相对移动可能使所述浸没流体从所述局部区域泄漏。这种泄漏是不期望的并且可能引起所述衬底上的缺陷。所述衬底相对于所述投影系统而被步进或扫描的速度因而是有限的。这限制了所述光刻设备的吞吐量。


技术实现要素：

8.本发明的目的在于提供一种其中采取措施以提高吞吐量的流体处置系统和方法。
9.根据本发明，提供了一种流体处置系统，所述流体处置系统用于润湿衬底的表面的由辐射束照射的区域，所述流体处置系统包括：第一装置，所述第一装置被配置成将第一液体限制在所述第一装置的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的第一空间中，所述第一装置具有形成在其中的孔以供使所述辐射束传递通过以穿过所述第一液体来照射所述
区域，所述第一装置包括被配置成向所述第一空间提供所述第一液体的至少一个第一液体供应构件、以及被配置成从所述第一空间移除液体的至少一个提取构件；和第二装置，所述第二装置包括被配置成向所述第二装置的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的第二空间提供第二液体的至少一个第二液体供应构件，其中在所述衬底的所述表面上在所述第二液体与所述第一液体之间存在间隙，其中，所述流体处置系统被配置成向所述第二空间提供所述第二液体而不从所述第二空间移除任何液体，以至少在所述区域上形成液体层，并且被配置成将所述第一液体和所述第二液体同时提供于所述衬底的所述表面上。
10.根据本发明，也提供了一种如本文中所披露的对衬底的区域进行润湿的方法。
11.根据本发明，也提供了一种如本文中所披露的光刻设备。
12.下面参考附图详细描述了本发明的其他实施例、特征和优点，以及本发明的各个实施例、特征和优点的结构和操作。
附图说明
13.现在将参考随附附图仅作为示例来描述本发明的实施例，在随附附图中对应的附图标记指示对应的部件，并且在附图中：
14.图1描绘了光刻设备的示意性概略图：
15.图2a、图2b和图2c各自描绘了两个不同版本的流体处置系统的横截面，其中在各自版本的左侧和右侧上图示可围绕整个圆周延伸的不同特征；
16.图3a、图3b和图3c各自描绘了本发明的实施例的系统的横截面，其中两个不同版本的流体处置系统具有在左侧和右侧上所图示的可围绕整个圆周延伸的不同特征；和
17.图4a、图4b、图4c和图4d各自描绘了本发明的实施例的系统的横截面，其中两个不同版本的流体处置系统具有在左侧和右侧上所图示的可围绕整个圆周延伸的不同特征。
18.附图中所示的特征不一定按比例绘制，并且所描绘的大小和/或布置不是限制性的。应当理解，附图包括对于本发明可能不是必需的可选特征。此外，并非在每个附图中都描绘了所述设备的所有特征，且这些附图可能仅示出了与描述特定特征相关的一些部件。
具体实施方式
19.在本文档中，术语“辐射”和“光束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波长)。
20.本文中使用的术语“掩膜版”、“掩模”或“图案形成装置”可被广义地解释为指可用于向入射辐射束赋予经图案化横截面的通用图案形成装置，所述经图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可用于此情境。除了经典的掩模(透射式或反射式掩模、二元掩模、相移掩模、混合掩模等)之外，其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程lcd阵列。
21.图1示意性地描绘了光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(也被称作照射器)il，其被配置成调节辐射束b(例如，uv辐射或duv辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)mt，其被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)ma，且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置ma的第一定位装置pm；衬底支撑件(例如，衬底台)wt，其被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w，且连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底支撑件
wt的第二定位装置pw；和投影系统(例如，折射投影透镜系统)ps，其被配置成将由图案形成装置ma赋予至辐射束b的图案投影至衬底w的目标部分c(例如，包括一个或更多个管芯)上。
22.在操作中，照射系统il例如经由束传输系统bd从辐射源so接收辐射束b。照射系统il可包括用于导向、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式和/或其他类型的光学部件，或其任何组合。照射器il可用以调节辐射束b，以在图案形成装置ma的平面处在其横截面中具有所需空间和角强度分布。
23.本文中所使用的术语“投影系统”ps应被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、折射反射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统，或其任何组合，视情况而定，适用于所使用的曝光辐射，和/或其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用。可认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用均与更一般术语“投影系统”ps同义。
24.光刻设备属于如下类型：衬底的至少一部分可由具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统ps与衬底w之间的浸没空间11，这也被称作浸没光刻。以引用方式并入本公开中的us6,952,253中给出关于浸没技术的更多信息。
25.光刻设备可以是具有两个或更多个衬底支撑件wt(又名“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，可并行地使用衬底支撑件wt，和/或可对位于衬底支撑件wt中之一上的衬底w进行准备衬底w的后续曝光的步骤，而同时将另一衬底支撑件wt上的另一衬底w用于在另一衬底w上曝光图案。
26.除了衬底支撑件wt以外，光刻设备可包括测量平台(附图中未描绘)。测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可布置成测量投影系统ps的性质或辐射束b的性质。测量平台可保持多个传感器。清洁装置可被布置用以清洁光刻设备的一部分，例如投影系统ps的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。测量平台可在衬底支撑件wt远离投影系统ps时在投影系统ps下方移动。
27.在操作中，辐射束b入射到被保持在掩模支撑件mt上的图案形成装置(例如掩模ma)上，且由图案形成装置ma上存在的图案(设计布局)图案化。在已穿越整个掩模ma的情况下，辐射束b传递通过投影系统ps，投影系统ps将所述束聚焦至衬底w的目标部分c上。借助于第二定位装置pw和位置测量系统if，可准确地移动衬底支撑件wt，例如以便在聚焦且对准的位置处在辐射束b的路径中定位不同目标部分c。相似地，第一定位装置pm和可能另一位置传感器(其未在图1中明确地描绘)可用以相对于辐射束b的路径来准确地定位图案形成装置ma。可使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置ma和衬底w。尽管如所图示的衬底对准标记p1、p2占据专用目标部分，但所述衬底对准标记p1、p2可位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记p1、p2位于目标部分c之间时，衬底对准标记p1、p2被称为划道对准标记。
28.为了清楚阐明本发明，使用笛卡尔(cartesian)坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。所述三个轴中的每个与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转被称作rx旋转。围绕y轴的旋转被称作ry旋转。围绕z轴的旋转被称作rz旋转。x轴和y轴限定水平平面，而z轴在竖直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明，而仅用于说明。替代地，另一种座标系(诸如圆柱形坐标系)可用于阐明本发明。笛卡尔坐标系的定向可以不同，例如，使得z轴具有沿水平平面的分量。
29.浸没技术已经被引入至光刻系统中以能实现更小特征的改进的分辨率。在浸没光
刻设备中，具有相对高折射率的浸没液体的液体层被插置在介于设备的投影系统ps(通过该投影系统，经图案化的光束被投影到衬底w)与衬底w之间的所述浸没空间11中。浸没液体覆盖了衬底w的在投影系统ps的最终元件下的至少部分。因而，衬底w的正在经历曝光的至少部分被浸没于浸没液体中。
30.在商用浸没光刻中，浸没液体是水。通常，水是高纯度的蒸馏水，诸如通常用于半导体制造厂中的超纯水(upw)。在浸没系统中，upw常常被提纯且其可在作为浸没液体而供应至浸没空间11之前经历附加的处理步骤。除了水之外，也可使用具有高折射率的其他液体作为所述浸没液体，例如：烃(诸如氟代烃)；和/或水溶液。此外，已设想将除了液体的以外的其他流体用于浸没光刻。
31.在此说明书中，将在说明中提及局部化浸没，其中浸没液体在使用中被限制在介于所述最终元件100与面对所述最终元件100的表面之间的所述浸没空间11。面对表面是衬底w的表面，或与衬底w的表面共面的支撑平台(或衬底支撑件wt)的表面。(请注意，在下文中对于衬底w的表面也另外或替代地指的是衬底支撑件的表面，除非另外明确说明，反之亦然)。投影系统ps与衬底支撑件wt之间的流体处置结构12用以将浸没液体局限于浸没空间11。由浸没液体填充的所述浸没空间11在平面上小于衬底w的顶部表面，且所述浸没空间11相对于投影系统ps保持基本上静止，同时衬底w和衬底支撑件wt在下面移动。
32.已设想了其他浸没系统，诸如非限制浸没系统(所谓的“全湿润式”浸没系统)和浴器浸没系统。在非限制浸没系统中，浸没液覆盖的范围大于最终元件100下方的表面。在浸没空间11外部的液体是作为薄液体膜而存在。液体可覆盖衬底w的整个表面，或甚至衬底w和与衬底w共面的衬底支撑件wt。在浴器式系统中，衬底w被完全浸没于浸没液体的浴器中。
33.流体处置结构12是以下结构：其将浸没液体供应至浸没空间11、从所述浸没空间11移除浸没液体，且由此将浸没液体局限于浸没空间11。其包括作为流体供应系统的部分的多个特征。公开号为wo99/49504的pct专利申请中披露的布置是早期的流体处置结构，其包括管道，所述管道供应浸没液体至浸没空间11，或从所述浸没空间11回收浸没液体，且其依赖于投影系统ps下方的平台的相对运动而操作。在最新近设计中，流体处置结构沿着介于投影系统ps的最终元件100与衬底支撑件wt或衬底w之间的所述浸没空间11的边界的至少一部分延伸，以便部分地限定所述浸没空间11。
34.流体处置结构12可具有一系列不同功能。每个功能可来源于使得流体处置结构12能够实现所述功能的对应特征。流体处置结构12可由许多不同术语来指代，每个术语指代一功能，诸如阻挡构件、密封构件、流体供应系统、流体移除系统、液体限制结构，等等。
35.作为阻挡构件，流体处置结构12是对来自所述浸没空间11的浸没液体的流动的阻挡。作为液体限制结构，所述结构将浸没液体局限于所述浸没空间11。作为密封构件，流体处置结构12的密封特征形成密封以将浸没液体局限于所述浸没空间11。密封特征可包括来自所述密封构件的表面中的开口的附加气体流(诸如气刀)。
36.在实施例中，流体处置结构12可供应浸没流体，且因此是流体供应系统。
37.在实施例中，流体处置结构12可至少部分地限制浸没流体，且由此是流体限制系统。
38.在实施例中，流体处置结构12可提供对浸没流体的阻挡，且由此是阻挡构件，诸如流体限制结构。
39.在实施例中，流体处置结构12可创建或使用气体流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。
40.气体流可形成密封以限制浸没流体，因此，流体处置结构12可被称作密封构件；此密封构件可以是流体限制结构。
41.在实施例中，浸没液体用作浸没流体。在该情况下，流体处置结构12可以是液体处置系统。在参考前述描述的情况下，在此段中针对相对于流体所限定的特征的提及可被理解为包括相对于液体所限定的特征。
42.光刻设备具有投影系统ps。在衬底w的曝光期间，投影系统ps将经图案化的辐射束投影至衬底w上。为了到达衬底w，辐射束b的路径从投影系统ps通过浸没液体，所述浸没液体由位于投影系统ps与衬底w之间的流体处置结构12限制。投影系统ps具有与浸没液体接触的透镜元件，其是在束的路径中的最末元件。与浸没液体接触的此透镜元件可被称作“最末透镜元件”或“最终元件”。最终元件100至少部分地由流体处置结构12围绕。流体处置结构12可将浸没液体局限于最终元件100下方和所述面对表面上方。
43.图2a、图2b和图2c示出了可能存在于流体处置系统的变型中的不同特征。除非以不同方式描述，否则设计可以共享与图2a、图2b和图2c相同的特征中一些特征。本文中所描述的特征可以如图所示或根据需要单独地或组合地选择。附图描绘了不同版本的流体处置系统，其中在左侧和右侧上图示的可围绕整个圆周延伸的不同特征。因而，例如，所述流体处置系统可以具有围绕整个圆周延伸的多个相同的特征。例如，所述流体处置系统可仅具有图2a的左侧中的特征，或图2a的右侧中的特征，或图2b的左侧中的特征，或图2b的右侧中的特征，或图2c的左侧中的特征，或图2c的右侧中的特征。替代地，所述流体处置系统可被设置有来自这些附图的围绕圆周的不同部位处的特征的任意组合。所述流体处置系统可以包括如在下面的变型中所描述的所述流体处置结构12。
44.图2a示出了围绕所述最终元件100的底部表面的流体处置结构12。最终元件100具有倒置式截头圆锥形形状。所述截头圆锥形形状具有平坦底部表面和圆锥形表面。所述截头锥形状从平坦表面突伸并且具有底部平坦表面。所述底部平坦表面是辐射束b可以通过的最终元件100的底部表面的光学活性部分。所述最终元件100可具有涂层30。所述流体处置结构12围绕所述截头圆锥形形状的至少部分。所述流体处置结构12具有内部表面，其朝向所述截头圆锥形形状的圆锥形表面。所述内部表面和圆锥形表面可具有互补形状。流体处置结构12的顶部表面可以是基本上平坦的。所述流体处置结构12可围绕所述最终元件100的截头圆锥形形状而装配。流体处置结构12的底部表面可以是基本上平坦的，并且在使用中，所述底部表面可平行于衬底w和/或衬底支撑件wt的面对表面。因而，所述流体处置结构12的所述底部表面可以被称为面对所述衬底w的表面的表面(即，与所述衬底w的表面面对的表面)。所述底部表面与所述面对表面之间的距离可以在30到500微米的范围内，理想地在80至200微米的范围内。
45.相比于最终元件100，流体处置结构12更靠近和衬底支撑件wt和衬底w的所述面对表面延伸。因此，在流体处置结构12的内部表面、截头圆锥形部分的平坦表面以及所述面对表面之间限定了浸没空间11。在使用期间，所述浸没空间11填充有浸没液体。浸没液体填充介于最终元件100和流体处置结构12之间的互补表面之间的缓冲空间的至少部分，在一实施例中填充介于互补内部表面与圆锥形表面之间的空间的至少部分。
46.浸没液体通过形成于流体处置结构12的表面中的开口而供应至所述浸没空间11。可通过流体处置结构12的内部表面中的供应开口20来供应所述浸没液体。替代地或者另外地，从形成于所述流体处置结构12的所述底部表面中的下方供应开口23来供应所述浸没液体。下方供应开口23可以围绕辐射束b的路径，并且其可以由呈阵列的一系列开口或者单个狭缝形成。所述浸没液体被供应以填充所述浸没空间11，使得在投影系统ps下方通过所述浸没空间11的流动是层流。另外地，从所述下方供应开口23供应所述浸没液体还防止气泡进入所述浸没空间11。浸没液体的这种供应可充当液体密封。
47.可从形成于内部表面中的回收开口21回收所述浸没液体。通过回收开口21的浸没液体的回收可以通过施加负压来实现；通过回收开口21的回收是浸没液体流动通过所述浸没空间11的速度的结果；或者回收可以是两者的结果。当以平面图进行观察时，回收开口21可以位于供应开口20的相对侧上。另外地或替代地，可通过位于流体处置结构12的顶部表面上的溢流回收件24回收浸没液体。供应开口20和回收开口21可以调换它们的功能(即液体的流动方向相反)。这允许根据流体处置结构12和衬底w的相对运动来改变流动方向。
48.另外地或替代地，可通过形成于流体处置结构12的底部表面中的回收开口25从流体处置结构12下方回收所述浸没液体。回收开口25可用于将浸没液体的弯液面33保持至流体处置结构12。所述弯液面33形成于流体处置结构12与所述面对表面之间，且所述弯液面33充当所述液体空间与气体外部环境之间的边界。所述回收开口25可以是多孔板，多孔板可以在单相流中回收所述浸没液体。所述底部表面中的回收开口可以是一系列钉扎开口32，通过所述钉扎开口回收所述浸没液体。所述钉扎开口32可以回收两相流的所述浸没液体。
49.可选地，气刀开口26相对于流体处置结构12的内部表面径向向外。可通过气刀开口26以提高的速度供应气体以辅助将浸没液体限制于所述浸没空间11中。所供应的气体可以被加湿，并且其可实质上可以包含二氧化碳。用于回收通过气刀开口26而供应的气体的气体回收开口28是从气刀开口26径向向外。
50.在所述流体处置结构12的所述底部表面中(即，所述流体处置结构12的面对所述衬底w的表面中)可存在其他开口，例如对大气或对气体源或对真空敞开的开口。这种可选的其他开口50的示例在图2a的右侧以虚线示出。如所示出的，其他开口50可以是由双箭头所指示的供应或提取构件。例如，如果被配置为供应装置，则所述其他开口50可如利用任何供应构件而被连接至液体供应装置或气体供应装置。替代地，如果被配置为提取装置，则所述其他开口50可用于提取流体，并且可例如被连接至大气或连接至气体源或真空。例如，至少一个其他开口50可存在于气刀开口26与气体回收开口28之间，和/或钉扎开口32与气刀开口26之间。
51.图2a的左侧和右侧的所述流体处置结构12的两个不同版本钉扎所述弯液面33。由于所述钉扎开口32的固定位置，图2a右侧上的所述流体处置结构12的版本可将所述弯液面33钉扎在相对于所述最终元件100基本上固定的位置处。图2a左侧上的所述流体处置结构12的版本可将所述弯液面33钉扎在所述回收开口25下方，且因而所述弯液面33可以沿着所述回收开口25的长度和/或宽度移动。对于待在曝光的情况下被引导至所述衬底w的完整侧的所述辐射束b，支撑所述衬底w的衬底支撑件wt被相对于所述投影系统ps而移动。为了最大化由所述光刻设备曝光的所述衬底w的输出，尽可能快地移动所述衬底支撑件wt(并且因
此移动衬底w)。然而，存在临界相对速度(常常被称作临界扫描速度)，所述流体处置结构12与所述衬底w之间的所述弯液面33超过所述临界相对速度时会变得不稳定。不稳定的弯液面具有损失浸没液体(例如呈一个或更多个小滴形式)的较大风险。此外，不稳定的弯液面具有导致在所述浸没液体中包括气泡的较大风险，尤其是当受限的浸没液体跨越所述衬底w的边缘时。
52.所述衬底w的表面上存在的小滴可以施加热负荷并且可能是缺陷源。小滴可能蒸发从而留下干燥的污渍，小滴可能移动从而传输诸如粒子之类的污染物，小滴可能与浸没液体的较大主体碰撞从而将气体气泡引入至较大主体中，并且小滴可能蒸发从而向其所位于的表面施加热负荷。如果所述表面与所述光刻设备的部件相对于正在被成像的衬底w的定位相关联，则这种热负荷可能是变形的起因和/或定位误差的来源。在表面上形成小滴因此是不期望的。为了避免形成这种小滴，所述衬底支撑件wt的速度因而被限制至所述弯液面33维持稳定的临界扫描速度。这限制了所述光刻设备的吞吐量。
53.图2b在其左侧上和在其右侧上示出所述流体处置结构12的两个不同版本，其允许所述弯液面33相对于所述最终元件100的移动。所述弯液面33可以在移动的衬底w的方向上移动。这降低所述弯液面33与移动的衬底w之间的相对速度，从而可以导致经改善的稳定性和降低的所述弯液面33破裂的风险。所述弯液面33破裂时的所述衬底w速度被增大，以便允许衬底w在所述投影系统ps下方的较快移动。因而提高了吞吐量。
54.图2b中所示的与图2a共有的特征共享相同的附图标记。所述流体处置结构12具有内部表面，所述内部表面与所述截头圆锥形形状的圆锥形表面互补。所述流体处置结构12的所述底部表面比截头圆锥形形状的底部平坦表面更接近所述面对表面。
55.通过形成于流体处置结构12的内部表面中的供应开口34将浸没液体供应至所述浸没空间11。供应开口34朝向内部表面的底部而定位，可能位于截头圆锥形形状的底部表面下方。供应开口34定位在所述内部表面周围，围绕辐射束b的路径而间隔开。
56.通过所述流体处置结构12的所述底部表面中的回收开口25从所述浸没空间11中回收浸没液体。当所述面对表面在流体处置结构12下方移动，所述弯液面33可以在回收开口25的表面上沿着与所述面对表面的移动相同的方向而迁移。回收开口25可以由多孔构件形成。可单相回收浸没液体。所述浸没液体可以呈两相流而被回收。两相流在流体处置结构12内的腔室35中被接收，在该腔室35中两相流被分离成液体和气体。通过单独的通道36、38从腔室35回收所述液体和气体。
57.流体处置结构12的所述底部表面的内部周边39延伸远离所述内部表面而进入所述浸没空间11以形成板40。内部周边39形成小孔，其大小可设定为与辐射束b的形状和大小相匹配。板40可用于隔离其两侧处的浸没液体。所供应的浸没液体朝向所述孔向内流动，通过内部孔，然后在板40下方径向向外流向所述回收开口25周围。
58.所述流体处置结构12可以呈两部分，如图2b的右侧所示：内部部件12a和外部部件12b。内部部件12a和外部部件12b可以在平行于所述面对表面的平面相对彼此移动。内部部件12a可以具有供应开口34且其可具有溢流回收件24。外部部件12b可以具有板40和回收开口25。内部部件12a可以具有中间回收件42，其用于回收在内部部件12a与外部部件12b之间流动的浸没液体。
59.图2b的两个不同版本的流体处置结构因而允许所述弯液面33沿与所述衬底w相同
的方向移动，从而能够实现所述光刻设备的较快的扫描速度以及增加的吞吐量。然而，所述弯液面33在图2b左侧的所述流体处置结构12中的所述回收开口25的表面上的迁移速度可能是较慢的。图2b右侧的流体处置结构12通过相对于所述内部部件12a和所述最终元件100移动所述外部部件12b来允许较快地移动所述弯液面33。然而，这可能难以控制所述中间回收件42以便确保在所述内部部件12a与所述外部部件12b之间提供足够的浸没液体来防止它们之间的接触。
60.图2c在其左侧和右侧示出了两个不同版本的流体处置结构12，其可用于将所述浸没液体的弯液面33钉扎至所述流体处置结构12，如上文关于图2a和/或图2b所描述的那样。图2c中所示的与图2a和/或图2b共有的特征共享相同的附图标记。
61.所述流体处置结构12具有与截头圆锥形状的圆锥表面互补的内部表面。所述流体处置结构12的所述底部表面比截头圆锥形形状的所述底部平坦表面更接近所述面对表面。通过形成在所述流体处置结构12的表面中的开口传输所述浸没液体而将所述浸没液体供应至所述浸没空间11。可以通过所述流体结构12的所述内部表面中的供应开口34来供应所述浸没液体。替代地或另外地，可以通过所述流体结构12的所述内部表面中的供应开口20来供应所述浸没液体。替代地或另外地，通过下方供应开口23供应所述浸没液体。可经由提取构件回收所述浸没液体，例如，如下所描述，经由形成在所述流体处置结构12的所述内部表面中的回收开口21，和/或所述流体处置结构12的表面中的溢流回收件24和/或一个或多个开口来回收所述浸没液体。
62.图2c左侧和右侧的两种不同形式的流体处置结构12钉扎所述弯液面33。图2c右侧上的版本的流体处置结构12可将所述弯液面33钉扎在相对于所述最终元件100基本上固定的位置处，由于所述回收开口32a的固定位置。图2c左侧上的版本的流体处置结构12可将所述弯液面33钉扎在所述回收开口25下方，且因而所述弯液面33可以沿着所述回收开口25的长度和/或宽度移动。
63.如上文关于图2b所描述的，流体处置结构12的所述底部表面的内部周边可远离所述内部表面延伸入所述浸没空间11以形成如左侧所示的板40。如上所描述，这可形成小孔，并且可隔离任意一侧处的所述浸没液体和/或使得浸没液体朝向所述孔向内流动，通过内部的孔，且然后在所述板40的下方朝向回收开口25周围径向向外流动。尽管在图2c的左侧示出了这些特征，但是可选地，这些特征可与示出的其它特征组合。优选地，如左侧所示，通过形成在所述流体处置结构12的所述内部表面中的供应开口34来将浸没液体供应到所述浸没空间11。所述供应开口34朝向所述内部表面的底部而定位，可能位于所述截头圆锥形状的所述底部表面下方。所述供应开口34可围绕所述内部表面定位，并且围绕所述辐射束b的路径而间隔开。替代地或另外地，可以通过所述流体结构12的所述内部表面中的供应开口20来供应所述浸没液体。替代地或另外地，通过所述下方供应开口23来供应所述浸没液体。虽然供应开口34是优选的液体供应件，但是可以设置供应开口34、供应开口20和/或下方供应开口23的任何组合。
64.如图2c的左侧所示，流体处置系统可以包括如上所描述的流体处置结构12和第三装置300。所述流体处置结构12可以具有提取构件，诸如回收开口25和液体供应开口(诸如所述下方供应开口23)。应当理解，所述流体处置结构12可包括与所述第三装置300组合的、如关于图2a的左侧、图2a的右侧、图2b的左侧、图2b的右侧或(如下所描述的)图2c的右侧所
披露的任何配置。
65.所述第三装置300可被另外称为液滴捕集器。所述第三装置300被设置成在所述流体处置结构12已经在所述表面上方移动经过之后减少在所述衬底w的表面上出现液体。所述第三装置300可包括液体供应构件301和至少一个提取构件302。所述至少一个提取构件302可以被形成为呈在平面上围绕所述至少一个供应构件301的形状。所述至少一个第三液体供应构件301可被配置成向介于所述第三装置300的至少一部分与所述衬底w的表面之间的空间311提供第三液体。所述第三装置300可被配置成经由至少一个提取构件302回收至少一些液体。所述第三装置300可用于将留在所述衬底w的表面上的任何液体与所述第三空间311中的液体合并，且然后使用所述第三装置300来提取液体，使得减少残留在所述衬底w的所述表面上的液体的量。
66.在图2c中，所述第三装置300被示出为一种与所述流体处置结构12分离开的装置。所述第三装置300可被定位成与所述流体处置结构12相邻。可选地，所述第三装置300可以是所述流体处置结构12的一部分，即与所述流体处置结构12集成为一体。
67.所述第三装置300可被配置成向第三空间311提供与由所述流体处置结构12所提供的液体分离开的液体。
68.替代地或另外地，所述流体处置结构12可具有如图2c的右侧所示的部件。更具体地，所述流体处置结构12可包括形成在所述流体处置结构12的所述表面上的至少一个液体供应构件、两个提取构件(例如，回收开口32a和32b)以及两个气体供应构件(例如，气体供应开口27a和27b)。所述至少一个液体供应构件可以与如上所描述的在所述流体处置结构12的所述底部表面中的所述下方供应开口23、或如关于图2b的左侧所描述的形成在所述流体处置结构12的所述内部表面上的供应开口20或液体供应开口34相同。所述液体供应构件、所述提取构件和所述气体供应构件可以被形成在所述流体处置结构12的所述表面上。具体地，这些部件可以被形成在所述流体处置结构12的面对所述衬底w的表面上，即所述流体处置结构12的所述底部表面。
69.两个提取构件中的至少一个提取构件可以包括其中的多孔材料37。所述多孔材料37可以被设置于开口(例如，回收开口32a)内，所述流体处置结构12通过所述开口从所述流体处置结构12的下方提取流体并且可以回收呈单相流的所述浸没液体。所述两个提取构件中的另一个提取构件(例如，回收开口32b)可作为双相提取器来回收所述浸没流体。
70.具体地，所述流体处置结构12可包括所述液体供应构件(例如，下方供应开口23)、以及在所述液体供应构件的径向外部的第一提取构件(例如，回收开口32a)、在所述第一提取构件的径向外部的第一气体供应构件(例如，气体供应开口27a)、在所述第一气体供应构件的径向外部的第二提取构件(例如，回收开口32b)、以及在所述第二提取构件的径向外部的第二气体供应构件(例如，气体供应开口27b)。类似于图2a，其他开口可存在于如先前所描述的所述流体处置结构12的所述底部表面中(关于所述流体处置结构12)，所述其它开口例如对大气或对气体源或对真空敞开的开口。
71.例如，可以在所述流体处置结构12的所述底部表面中设置至少一个其他开口(未示出)。所述其他开口是可选的。所述其他开口可被布置在如上述的布置中所描述的所述第一提取构件(例如，回收开口32a)与所述第一气体供应构件(例如，气体供应开口27a)之间。替代地或另外地，所述其他开口可被布置在如上述布置中所描述的所述第二提取构件(例
如，回收开口32b)和所述第二气体供应构件(例如，气体供应开口27b)之间。所述其他开口可以与以上描述的其他开口50相同。
72.可选地，所述流体处置结构12包括凹部29。所述凹部29可以被设置在所述回收开口32a与回收开口32b之间，或气体供应开口27a与回收开口32b之间。所述凹部29的形状可以是围绕所述流体处置结构12为均一的，并且可以可选地包含倾斜表面。在所述凹部29设置在所述回收开口32a与回收开口32b之间的情况下，所述气体供应开口27b可被设置在如图2c中所示的倾斜表面上。在所述凹部29设置于所述供应开口27a与回收开口32b之间的情况下，所述气体供应开口27b可被设置于所述倾斜表面上、或所述流体处置结构12的所述底部表面的与所述衬底w的所述表面平行的部分上。可选地，所述凹部29的形状可围绕所述流体处置结构12的圆周而变化。凹部29的形状可以变化以改变从所述气体供应构件所供应的气体对位于所述流体处置结构12下方的流体产生的影响。
73.图2a至图2c示出了可以用作所述流体处置系统的一部分的不同配置的示例。应当理解，上文提供的示例提及了特定的提取构件和回收构件，但不必使用确切类型的提取构件和/或回收构件。在某些情况下，使用不同术语来指示构件的位置，但是可提供相同功能性的特征。上文所提及的所述提取构件的示例包括回收开口21、溢流回收件24、回收开口25(可能包括多孔板和/或腔室35)、气体回收开口28、钉扎开口32、回收开口32a、回收开口32b和/或中间回收件42。上文所提及的所述供应构件的示例包括供应开口20、下方供应开口23、气刀开口26、气体供应开口27a、气体供应开口27b、和/或供应开口34。通常，用于提取/回收流体、液体或气体的提取构件能够与分别用于提取/回收流体、液体或气体的其它示例中的至少任一个互换。类似地，用于供应流体、液体或气体的供应构件能够与分别用于供应流体、液体或气体的其他示例中的至少任一个互换。所述提取构件可通过被连接到将流体、液体或气体吸入所述提取构件中的负压来从空间提取/回收流体、液体或气体。所述供应构件可以通过被连接到相关的供应件来向所述空间供应流体、液体或气体。
74.尽管的图2a、2b和2c的上述流体处置结构12提供了用以从所述衬底w的所述表面移除所述浸没液体的措施，但是所述浸没流体的泄漏仍可能发生和/或可存在对于临界相对速度的限制。如所描述的，可由于所述衬底w的所述表面上的液体液滴而产生各种缺陷，并且特别是小液滴将导致水印缺陷，从而降低产率。
75.更具体地，液滴可能蒸发从而留下干燥的污渍，所述液滴可能移动而传输污染物(诸如颗粒)，所述液滴可能与浸没液体的较大主体发生碰撞从而将气泡引入较大主体中，并且液滴可能蒸发，从而将热负荷施加到液滴所位于的表面上。如果所述表面与所述光刻设备的部件相对于正在被成像的衬底w的定位相关联，则这种热负荷可能是变形的起因和/或是定位误差的来源。来自所述衬底w上的抗蚀剂表面的化合物可能泄漏到液滴中，而泄漏的化合物可能随着所述液滴蒸发而被浓缩以形成固体残留物。当浓度达到饱和时，可能在所述衬底的所述表面上形成固体残留物。所述固体残留物和所述化合物两者可能扩散到所述抗蚀剂层中，并且可通过形成水印缺陷来破坏受照射区域。出于至少这些原因，不希望在所述衬底w的所述表面上存在液滴。更具体地，小液滴至中液滴可能需要尤其关注，这是因为这种大小会导致已知会引起上文所提及不利影响的所述液滴的蒸发。此外，应当注意，随着技术进步，可在单个衬底上对附加层进行图案化，因而增加了在任何单个衬底w上发生这种缺陷的可能性。
76.为了防止或减少水损失，且因而减少这种液滴的形成，则所述衬底支撑件wt的速度可被限于使所述弯液面33保持稳定的临界扫描速度。因为所述衬底w以较慢的速率产生，则这限制了所述光刻设备的吞吐量。以上描述的系统也具有在合适位置处的回收机构(诸如气刀开口26)，以从所述衬底w的所述表面移除液体，以便移除所述浸没液体来减少留下的液滴。已经发现，利用浸没系统(例如通过使用关于图2a和/或2b和/或2c所描述的所述流体处置结构12)，通过在照射之后移除全部液体来干燥所述衬底w，则可减少在浸没之后在所述衬底w的所述表面上的液滴的发生率。然而，仍然可能形成一些液滴，并且如果可能的话，对于临界扫描速度的限制在理想情况下将会是较高的。
77.本发明的发明人已经认识到，代替在使用浸没液体进行曝光之后保持所述衬底尽可能干燥，润湿所述衬底提供了一种解决水印缺陷的替代方式。有利地，润湿所述衬底w可以减少或防止以上描述的水印缺陷，并且因而提高产率。另外地，水印缺陷可不再取决于其他的曝光后步骤。而且，润湿所述衬底w通常比干燥所述衬底w更容易得多。干燥所述衬底w需要以严格地受控制的时间间隔进行特定控制，而润湿所述衬底w则较简单并且花费较少时间。
78.润湿所述衬底w可以用将如下文所描述的各种方式实现。将参考图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d来描述本发明的实施例，图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d示出了设备的一部分的横截面。针对这些附图中的与图2a、图2b和图2c共有的特征使用了相同的附图标记。已经关于图2a、图2b和2c图所描述的特征不再被进一步描述，但是关于图2a、图2b和图2c所描述的任何特征都可以与图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d中所示出的特征相组合。
79.本实施例提供了一种用于润湿所述衬底w的表面的区域的流体处置系统。另外地，实施例提供了一种如本文中所描述的用于润湿所述衬底w的所述表面的所述区域的方法。所述区域可以与如上所描述的至少一个目标部分c相同。
80.所述流体处置系统包括第一装置112和第二装置200。如下文进一步详细描述的，所述第一装置112被配置成向所述衬底w提供第一液体，并且第二装置200被配置成向所述衬底w提供第二液体。所述第一液体和所述第二液体被提供为使得所述第一液体和所述第二液体在所述衬底w的所述表面上是彼此分离开的。
81.所述方法包括向第一空间111提供第一液体。可以使用使用第一装置112向所述第一空间111提供所述第一液体。所述第一装置112可以是如以上的任何实施例和/或变型中所描述的所述流体处置结构12，例如关于图2a和/或2b和/或2c的左侧和/或右侧所示出和/或所描述的流体处置结构12。
82.所述第一装置112被配置成将所述第一液体限制到所述第一空间111。所述第一装置112具有形成在其中的孔10，以供辐射束b贯穿通过来照射对所述衬底w的区域。所述孔10限定待填充所述第一液体的所述第一空间111。所述第一装置112包括至少一个第一液体供应构件以向所述第一空间111提供所述第一液体。所述至少一个第一液体供应构件可以是如上所描述的供应开口20、供应开口34、和/或下侧开口23。
83.所述第一空间111可以位于所述第一装置112的至少一部分与所述衬底w的所述表面之间。因而，所述第一空间111可以与以上描述的所述浸没空间11相同。所述第一空间111中的所述第一液体可形成于所述衬底w的所述表面的第一区域上，即所述第一区域可以是
所述衬底w的所述表面的与所述第一液体接触的区域。如果所述衬底相对于所述第一装置112移动，则所述衬底w的与所述第一液体接触的所述第一区域将移动(或反之亦然)。当由所述第二液体形成液体层时，则所述第二区域可以大于所述第一区域。
84.如所描述的，所述第一空间111可以在所述最终元件100与面对所述最终元件100的表面之间。所述面对表面是衬底w的表面或者所述支撑平台(或衬底支撑件wt)的与所述衬底w的所述表面共面的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则下文中对所述衬底w的表面的提及也另外或替代地指代所述衬底支撑件wt的表面；反之亦然)。
85.所述第一空间111可由所述第一装置112和所述衬底w限定。因而，如在上述变型中，所述第一空间111可由所述衬底w上方的所述第一装置112形成。所述第一空间111可进一步由所述投影系统ps的所述最终元件100限定。所述第一空间111可被填充有所述第一液体。如上文关于所述流体处置结构12所描述的，所述液体可以被限制到所述第一空间111。具体地，所述第一液体(即浸没液体)可由至少一个液体供应构件提供至介于所述最终元件100、和所述第一装置112、以及所述衬底w之间的空间中。如先前所描述，可以通过控制液体的供应并且通过使用至少一个提取构件从所述空间中移除所述第一液体来约束即限制第一液体。因而，所述第一液体可以被限制到所述第一空间111。所述至少一个液体供应构件可以是能够供应液体的任何合适的供应构件，例如下方供应开口23。所述至少一个提取构件可以是能够提取液体的任何构件，例如钉扎开口32。
86.所述第一装置112具有形成在其中的孔10，以供辐射束b贯穿通过以穿过第一液体来照射所述衬底w的所述表面的区域。在照射该区域期间，所述衬底w的受照射的所述区域将处于所述第一区域内。
87.所述方法可包括通过使所述辐射束b传递穿过所述第一装置112的所述孔10并且穿过所述第一空间111中的所述第一液体来照射所述衬底w的所述区域。因而，当对所述衬底w进行图案化时，所述辐射束b可以从所述最终元件100传递穿过填充有所述第一液体的孔10，以照射所述衬底w的在所述最终元件100下方的区域。
88.由所述第二装置200提供所述第二液体。更具体地，所述第二装置200包括被配置成提供所述第二液体的至少一个第二液体供应构件201。所述方法还包括向第二空间211提供第二液体。所述第二空间211可被形成于提供所述第二液体的所述第二装置200与面对所述第二装置200的表面之间。所述面对表面是所述衬底w的表面、或者所述支撑平台(或衬底支撑件wt)的与所述衬底w的所述表面共面的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则下文中对所述衬底w的所述表面的提及也另外或替代地指代所述衬底支撑件wt的表面；且反之亦然)。
89.所述第二空间211中的所述第二液体可被形成在所述衬底w的所述表面的第二区域上，即所述第二区域可以是所述衬底w的所述表面的与所述第二液体接触的区域。如果所述衬底w相对于所述第二装置200移动，则所述衬底w的与所述第二液体接触的所述第二区域将移动(或反之亦然)。当更多的第二液体被提供到所述第二空间211时，所述液体将在所述衬底w的所述表面上方扩散开，并且所述第二区域的大小将增加。
90.所述第二空间211可被填充有第二液体。然而，所述第二装置200与所述衬底w之间的整个空间可不必完全充满液体。例如，可将所述第二液体提供在所述第二空间211中的所述衬底w的所述表面上，而不接触所述第二装置200的底部。例如，可通过将所述第二液体喷
射于所述衬底w的所述表面上来将所述第二液体提供到所述第二空间211。
91.所述第二液体和所述第一液体在所述衬底w的所述表面上是彼此分离开的。换言之，在所述第一空间111中的所述第一液体与所述第二空间211中的所述第二液体之间存在间隙g。所述间隙g被形成于所述衬底w的所述表面上。这意思是所述第一液体和所述第二液体彼此不直接接触。因而，所述衬底w的所述表面上的提供第二液体的所述第二区域与所述衬底w的所述表面上的提供第一液体的的所述第一区域是彼此分离开的。
92.提供所述第二液体以在所述衬底w的所述表面上形成液体层。更具体地，向所述第二空间211提供所述第二液体而不从所述第二空间211移除任何液体，以在所述衬底w的受照射区域上形成所述液体层。可以按任何合适的速率将所述第二液体提供到所述第二空间211。例如，可以按与以上所描述的任何其他液体供应的速率相同或相似的速率和/或本领域中已知的速率来提供所述第二液体。应当理解，这可以例如取决于所述流体处置系统与所述衬底w之间的相对速度而变化。通常，可以按约0.05升/分钟至0.5升/分钟，或者优选为0.1升/分钟至0.3升/分钟的速率将液体提供至所述第二空间211。优选地，将液体提供至所述第二空间211的速率可以是大约0.2升/分钟。由于提供至所述第二空间211的第二液体的量随时间增加，则在所述衬底w的所述受照射区域上形成液体层。以这种方式，使用所述第二装置200来润湿所述衬底w的区域，且更具体地润湿所述衬底w的所述受照射区域。
93.所述流体处置系统被配置成在所述衬底的所述表面上同时提供所述第一液体和所述第二液体。这意味着所述第一装置112和所述第二装置200被配置成同时提供液体。所述衬底w可相对于所述流体处置系统被移动(或反之亦然)。因而，当存在相对移动时，在特定点处(例如待照射的区域)，所述区域被所述第一液体覆盖，然后被照射，然后所述第一液体相对于所述受照射区域而被移动并且所述区域开始干燥，这导致了如所论述的问题。然后可提供所述第二液体来润湿所述区域。同时提供所述液体意味着一旦移除所述第一液体，则可以非常快速地将所述第二液体提供到任何特定点。
94.所述第二液体被用于形成液体层，所述液体层大于当所述衬底w相对于所述第一装置112被移动时可能留下的任何小液滴。所述液体层不会像较小的液滴那样蒸发和损坏衬底w。即使所述液体层分裂以形成大液滴，这些较大的液滴也不会像以上描述的较小的液滴那样蒸发和导致损伤。
95.所述液体层的优点在于，可在留在所述表面上的液滴损坏所述衬底w的所述表面之前，将这些液滴合并入所述液体层中。例如，可将所述第一液体的已经从所述第一空间111分离并且被留在所述衬底w的所述表面的任何液滴合并入所述液体层中。这可减少水印缺陷的发生。
96.以这种方式润湿所述衬底w的所述受照射区域可比使用已知技术对所述衬底w的所述表面进行干燥更快。因而，本方法在减少或避免水印相关的缺陷方面更有效。另外地，与针对用以干燥所述表面而不是润湿所述表面的干燥单元所需的控制相比，用以将所述第二液体供应到所述衬底w的所述表面的控制可能是要求更低的。
97.所述第二装置200可以是所述第一装置112的一部分、或者被定位成与所述第一装置112相邻。所述第二装置200可位于其他部位。例如，所述第二装置200可位于所述衬底w的所述表面上的任何液体的边缘处，即其中所述第二装置200可用于对原本将会变干燥并且可能出现水印问题的所述衬底w的所述表面进行润湿的位置。所述第二装置200可被固定并
且可设置在衬底轨道的任何部分中。所述第二装置200可被设置于在照射之后可将所述第二液体提供到所述衬底w的所述表面的任何部位。
98.如所描述的，在相关区域已经通过所述第一装置112下方之后，没有液体从所述第二空间211被移除并且在所述衬底w上方形成所述液体层，且具体地在所述衬底w的所述表面的受照射部分上形成所述液体层。所述第二装置200可不包括用于移除液体的任何机构。因而，所述第二装置200可用于将所述第二液体供应至所述第二空间211而不移除任何液体。
99.如图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d所示，形成在所述衬底w上的所述液体层具有厚度t。优选地，所述液体层具有至少大约10μm的厚度，或优选地至少大约20μm，或更优选至少大约30μm的厚度。所述厚度t可以是与介于所述第二装置200的底部表面与所述面对表面之间的距离大致相同的。此距离可以是与介于所述第一装置112与所述面对表面之间的距离大致相同的。所述第一装置112的底部与所述面对表面之间的距离可在30微米至500微米的范围内，理想地在80微米至200微米的范围内，因此这也可以是所述液体层的厚度t。在所述第二装置200已经相对于受照射的润湿区域被移动之后，所述衬底w的所述表面上的所述液体层可能分裂成液滴。由于液体的量的增加，这些液滴将通常是相对较大的，且因而仍将减少以上论述的问题。因而，所述厚度t可以是形成于所述衬底w的所述表面上的多个大液滴的平均厚度。所述厚度t可以是全部大液滴和被分裂成液滴之前的层的平均值，即，由所述第二装置200所提供在所述衬底w的所述表面上的全部所述第二液体的平均厚度。
100.所述方法还可包括相对于所述流体处置系统移动所述衬底w。具体地，所述衬底w可被移动并且所述流体处置系统可处于固定位置。然而，这不是必需的，并且所述流体处置系统可被移动、而同时所述衬底w处于固定位置，或者所述流体处置系统和所述衬底w两者都可以被移动以提供相对移动。
101.所述衬底w可相对于所述流体处置系统被移动，使得在由所述辐射束b进行照射之后，所述第二空间211位于至少所述衬底w的所述受照射区域上方。因而，所述第二区域(即，所述衬底的与所述第二液体接触的区域)将随着所述衬底w与所述流体处置系统之间的相对移动而变化。所述第一空间111可被定位于所述区域上方(所述区域可以是以上所描述的目标部分c中的一个目标部分)。此时，所述区域是所述第一区域的一部分。可通过将所述辐射束b传递穿过所述第一空间111中的所述第一液体到达所述区域，来照射所述区域。在照射之后，可相对于所述流体处置系统来移动所述衬底w，使得所述第二液体被定位于所述受照射区域上方。因而，在照射之后，所述受照射区域是所述第二区域的一部分。以这种方式，可提供所述第二流体来形成所述衬底w的已被照射的部分的液体层。
102.理想地，所述受照射区域在照射后不久即被润湿。具体地，在所述区域已经被照射之后，很可能将移动所述衬底w，使得将所述第一装置112定位在所述衬底w的所述表面的不同部分上方来照射下一部分(其可以是以上所描述的目标部分c中的另一个目标部分)。当所述第一装置112被移动到所述衬底w的不同部分时，所述第一空间111中的所述第一液体也移动到所述衬底w的其他部分。如所描述的，这可能在所述衬底w的所述表面上留下液滴，尤其是在所述衬底w的所述受照射区域上方留下液滴。所述第二空间211中的所述第二液体可被提供于所述受照射区域上方以合并在所述表面上留下的液滴并且限制所述液滴的不
利影响。通常，这进行得越快，则所述表面上的所述液滴对所述衬底w的影响将越小。
103.因而，在从所述衬底w的区域(即，所述受照射区域)移除所述第一液体的特定时间段内，在所述区域上方移动所述第二液体是有益的。如果所述第二装置200相对于所述第一装置112处于固定位置，则所述第一液体和所述第二液体在特定点上经过之间的时间间隔将取决于所述衬底w与所述流体处置系统之间的相对速度。优选地，在小于约20秒内、或优选在小于约15秒内、或优选在小于约10秒内、或优选在小于约5秒内，在所述区域上方移动所述第二液体。优选地，在小于约2秒内在所述受照射区域上方移动所述第二液体。优选地，流体处置系统被配置成在以上所描述的时间内在所述受照射区域上方提供所述第二液体。可根据所述第一空间111的边缘处的所述弯液面33何时从在所述区域上方移动直至所述第二液体的边缘在所述区域上方，来确定时间。
104.如上所描述，所述第一空间111与所述第二空间211是分离开的空间。换言之，所述第一空间111的液体与所述第二空间211的液体没有被合并。因而，在所述第一空间111的所述第一液体与所述第二空间211的所述第二液体之间存在间隙g。所述间隙g可以由于所述第一液体供应构件(例如，20、23或34)与所述至少一个第二液体供应构件201之间的距离而形成。可以由用于移除介于所述第一空间111中的所述第一液体与所述第二空间211中的所述第二液体之间的流体的提取构件的任何组合，来维持所述间隙g。
105.如所描述的，没有从所述第二空间211中移除所述第二液体。因而，所述第二空间211中的所述第二液体将随着时间而扩散并且将不会由用于提供所述第二液体的所述第二装置200移除。然而，应当注意，优选地在照射所述衬底w的所述区域之后使用所述液体层。因而，所述第二空间211优选地被形成在所述第一装置112的尾部边缘处。换言之，衬底w可在所述第一装置112的下方被移动并且受照射，且然后在所述第二装置200的下方被移动以被润湿，使得所述第一液体的从所述第一空间111残留的液滴可被合并入所述第二空间211中。这在图3a至图4d的每一个图中被示出。
106.应当理解，可围绕整个所述第一装置112来设置所述第二装置200。替代地，可仅在所述第一装置112的一部分处设置所述第二装置200。所述第二装置200可受控制以仅将液体提供于所述第一装置112的尾侧处(或可被定位在尾部边缘处)。因而，在所述区域受照射之后，所述第二液体可仅被提供到所述第二空间211。以这种方式，由于所述衬底w与所述第二装置200之间的相对移动，和/或由于用于回收/提取所述第一液体的任何提取构件，则所述间隙g可被维持。
107.当在所述尾部边缘处设置了所述至少一个第二液体供应构件201时，则所述衬底w可如图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d中的箭头所示般相对于所述第一装置112和所述第二装置200而被移动。例如，当所述衬底w沿箭头a移动时，如在这些附图的任何一个附图中的右侧所示的所述至少一个第二液体供应构件201位于尾侧上，并且因而，可用于将所述第二液体提供于与所述第一空间111分离开的所述第二空间211中。当所述衬底w沿箭头b被移动时，则如在这些附图的任何一个附图中的左侧所示的所述至少一个第二液体供应构件201位于尾侧上，并且因而可被用于将所述第二液体提供于与所述第一空间111分离开的所述第二空间211中。所述至少一个第二液体供应构件201可被配置成当所述衬底w如图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d中所示的相对于所述第二装置200被移动时提供第二液体。
108.优选地，所述第一液体和/或所述第二液体是水。水可以是高纯度的蒸馏水，诸如半导体制造厂中常用的超纯水(upw)。所述upw可被纯化，并且所述upw在被供应到所述第一空间111和/或所述第二空间211之前可经受额外的处理步骤。除了水之外，可以使用具有高折射率的其他液体，例如：碳氢化合物(诸如氟代烃)；和/或水溶液。所述第二液体可与所述第一液体相同，或者可以不同。所述第二液体被提供以用于防止(或至少减少)在所述衬底w的所述表面上发生液滴变干燥。因而，所述第二液体的折射率并不重要。
109.所述至少一个第二液体供应构件201可包括至少一个喷射喷嘴。所述至少一个第二液体供应构件201可由至少一个开口、或多个开口形成，或者更具体地由呈阵列形式的一系列开口形成。所述第二液体供应构件201可包括多个喷嘴，且更具体地包括一系列喷射喷嘴。因而，所述第二液体供应构件201可由用于将所述第二液体喷射入所述第二空间211中的多个出口形成。
110.所述流体处置系统的所述第一装置112可具有任何合适的配置，例如，上文的流体处置结构12的任何变型中所描述的配置。具体地，所述第二装置200可被设置为与图2a、图2b和/或图2c中的任何一个图的所述流体处置结构12组合为所述第一装置12。这在图3a至图4d中被示出。在图3a、图3b和图3c中，相对于所述第一装置112另外地设置所述第二装置200，所述第一装置112与所述第二装置分离开并且所述第一装置112包括上文关于图2a、图2b和图2c所描述的特征。
111.更具体地，所述流体处置系统可包括第三装置300。包括所述第三装置300在内的所述流体处置系统可另外包括具有如关于图2a、2b或图2c中的任何一个图的所述流体处置结构12所描述的特征的所述第一装置112。具体地，所述第一装置112可具有如关于图2c的左侧的所述流体处置结构12所描述的特征。所述第三装置300可包括关于图2c的左侧所描述的至少一个第三液体供应构件301和至少一个提取构件302。在图3c中，所述第三装置300被示出为与所述第一装置112和所述第二装置200两者分离开。如图3c中所示，所述第三装置300可被定位成与所述第一装置112相邻。如图3c中所示，所述第三装置300可被定位成与所述第二装置200相邻。如图4d中所示，所述第三装置300可连接至所述第一装置112、所述第二装置200、或所述第一装置112与所述第二装置200两者，即所述第三装置300可以是所述第一装置112、所述第二装置200、或所述第一装置112与所述第二装置200两者的一部分。
112.另外地或替代地，所述第一装置112可被配置成如关于图2c的右侧所描述的。因而，所述第一装置112可包括至少一个液体供应构件(例如，下方供应开口23或供应开口20、34)、两个提取构件(即，回收开口32a、32b)和至少两个气体供应构件(例如，气体供应开口27a、27b)。所述至少一个液体供应构件、两个提取构件以及两个气体供应构件可被形成于所述第一装置112的面对所述衬底w的所述表面的表面上。这意味着所述提取构件以及气体和/或液体供应构件可各自具有形成于所述第一装置112的面对所述衬底w的表面(即所述第一装置112的所述底部表面)上的开口。因而，所述提取构件可从介于所述第一装置112与所述衬底w之间的空间提取流体。所述气体和/或液体供应构件可将流体供应至介于所述第一装置112与所述衬底w之间的空间。
113.如图3c的右侧所示，两个提取构件中的至少一个提取构件(例如，回收开口32a)可包括其中的多孔材料37并且回收呈单相流的所述浸没流体。两个提取构件中的另一个提取构件(例如，回收开口32b)可作为双相提取器来回收所述浸没流体。类似地，如先前所描述
(关于所述第一装置112和/或所述流体处置结构12)，可在所述第一装置112的所述底部表面中存在例如对大气或气体源或真空敞开的其他开口。另外地或替代地，如关于图2c所描述的，所述第一装置112的面对所述衬底w的表面可包括凹部29。
114.可选地，所述第一装置112可被配置为如关于图2a所描述的。更具体地，所述第一装置112可包括至少两个提取构件(例如，回收开口21、气体回收开口28、钉扎开口32和/或回收开口25)和至少一个流体供应构件(例如，气刀开口26)。液体供应构件(例如，下方供应开口23或供应开口20、34)、所述至少两个提取构件和气体供应构件可被形成在所述第一装置112的与所述衬底w或所述最终元件100的表面面对的表面上。在平面图中，所述至少两个提取构件中的第一提取构件(例如，气体回收开口28)可以在所述气体供应构件(例如，气刀开口26)的径向外部。因而，所述至少两个提取构件中的第一提取构件可以相对于所述第一装置112的中心点而在所述气体供应构件的外部。所述第一装置112的所述中心点可以是所述辐射束传递穿过的点。优选地，所述气体供应构件在所述至少两个提取构件中的第二提取构件(即钉扎开口32)的径向外部。优选地，至少一个提取构件中的第二提取构件在所述液体供应构件(例如，下方供应开口23)的径向外部。所述至少两个提取构件中的至少一个提取构件(例如，回收开口21和/或钉扎开口32)可作为双相提取器来回收所述浸没流体。此配置被示出于图3a的左侧和右侧。
115.所述至少两个提取构件中的至少一个提取构件可包括其中的多孔材料并且回收呈单相流的所述浸没流体。可将所述多孔材料设置在径向上最内部的提取构件中。例如，可将提取构件中的第一提取构件(例如，回收开口25)形成为如上所描述的、以及如图3a的左侧所示的多孔板。
116.另外地或替代地，所述第一装置112可如关于图2b所描述的而被配置。更具体地，如图3b的左侧所示，所述第一装置112的至少一个提取构件可包括位于所述第一装置112的面对所述衬底w表面的表面中的腔室35。多孔材料可在所述腔室35的边缘处形成回收开口25。所述多孔材料可在所述第一装置112的面对所述衬底w的表面上形成所述腔室35的边缘。所述提取构件可包括被配置成从所述腔室35提取液体的第一通道36以及被配置成从所述腔室35提取气体的第二通道38。
117.另外地或替代地，所述第一装置112可如关于图2b的流体处置结构12右侧所描述的而进行配置。更具体地，所述第一装置112可包括如图3b所示的内部部分112a和外部部分112b。所述第一装置112的至少一个液体供应构件(例如，供应开口34)可被形成于所述内部部件12a上。所述内部部件12a可包括第一提取构件(例如，中间回收件42)，并且所述外部部分可包括第二提取构件(例如，回收开口25)。如所描述的，所述外部部分112b和所述内部部分112a可相对于彼此移动。
118.所述外部部分112b可包括定位于所述内部部分112a与所述衬底w之间的板40。所述板40可被配置成隔离所述板40的任一侧上的第一液体。所述内部部分112a的面对所述板40的表面可包括所述第一提取构件(例如，所述中间回收件42)。所述板40的面对所述衬底w的表面可包括所述第二提取构件(例如，回收开口25)。所述第一提取构件和/或所述第二提取构件可包括被配置成回收呈单相流的液体的多孔材料。图3b示出所述第一提取构件和所述第二提取构件两者均包括所述多孔材料，然而这不是必须的，并且提取构件中的仅一个包括多孔材料、或者提取构件中的两者均不包括多孔材料。
119.在图3a、图3b和图3c中，所述第二装置200被示出为单独的实体，即没有被直接连接到所述第一装置112。所述第二装置200可相对于所述流体处置系统的其他部件(诸如第一装置112)处于固定位置。替代地，所述第二装置200可相对于所述流体处置系统的其他部件(诸如所述第一装置112)而被移动。如图3a、图3b和图3c所示，所述第二装置200可被定位成与所述第一装置112相邻。因而，所述第二装置200可位于所述第一装置112的附近，并且在所述第一装置112与所述第二装置200之间没有其他部件。
120.替代地，如图4a、图4b、图4c和图4d所示，所述第二装置200可被连接至所述第一装置112，或者可以是所述第一装置112的一部分。图4a、图4b、图4c和图4d的所述第一装置112包括上文关于图2a、图2b和图2c(以及图3a、图3b和图3c)所描述的特征。
121.图3a、图3b、图3c、图4a、图4b、图4c和图4d旨在提供图2a、图2b和图2c中所示的变型，其中添加了所述第二装置200，所述第二装置200包括至少一个第二供应构件201。只要所述第二装置200被配置成形成液体层，即被配置成向所述第二空间211提供第二液体而不从所述第二空间211移除任何液体，则所述第二装置200就可被设置成与各种其他液体供应构件和液体移除构件相结合。换言之，所述流体处置系统包括如在以上所描述的任何变型或实施例中所描述的第一装置112、与其相结合的如在以上所描述的任何变型或实施例中的第二装置200、可选地与其相结合的任何其他部件或机构(诸如所述第三装置300)。
122.本发明可提供一种光刻设备。所述光刻设备可具有如上所描述的所述光刻设备的任何/所有其他特征或部件。例如，所述光刻设备可以可选地包括源so、照射系统il、投影系统ps、衬底台wt等中的至少一个或更多个。
123.具体地，所述光刻设备可包括所述投影系统，所述投影系统被配置成将所述辐射束朝向所述衬底w的所述表面的所述区域投影。所述光刻设备还可包括如上述实施例和变型中的任一个中所描述的所述流体处置系统。
124.所述光刻设备可包括一种机构，所述机构被配置成在由所述辐射束进行的照射之后相对于所述流体处置系统移动所述衬底w以定位至少一个第二液体供应构件201，来在所述衬底w的受照射区域上方提供所述第二液体。因而，所述机构可用于控制所述衬底w的位置(或替代地，控制所述流体处置系统的位置)。所述机构可以是或可以包括被构造成保持所述衬底w的衬底支撑件(例如衬底台)wt、和/或被配置成准确地定位所述衬底支撑件wt的第二定位装置pw。
125.尽管在本文中可以具体提及在ic制造中使用光刻设备，但是应当理解，本文所描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和探测模式、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头，等等。
126.在情境允许的情况下，可以用硬件、固件、软件或其任何组合的方式来实施本发明的实施例。本发明的实施例也可以由储存在机器可读介质上的指令实施，所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈能够由机器(例如，计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)；随机存取存储器(ram)；磁性储存介质；光学存储器介质；闪存装置；电气、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)，等等。另外，固件、软件、例程、指令可以在本发明中被描述为执行某些动作。然而，应了解，这样的描述仅仅是出于方便起见，并且这些动作事实上由于计算装置、处理器、控制器、或执行固件、软件、例程、指令等等
的其它装置而产生，且导致执行这种操作可以使得致动器或其它装置与实体世界交互。
127.尽管在本文中可以在光刻设备的情境中具体提及本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他设备中使用。本发明的实施例可形成掩模检查设备、量测设备、或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图形装置)之类对象的任何设备的一部分。这些设备通常称为光刻工具。这种光刻工具可以使用环境(非真空)条件。
128.尽管上面可能已经具体提及了本发明的实施例在光学光刻的情境中的使用，但是应当理解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻。
129.虽然上文已描述本发明的具体实施例，但应了解，可以用与所描述方式不同的其他方式来实践本发明。以上描述旨在是说明性的，而非限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，可在不脱离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，对所描述的发明进行修改。