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流体处置系统和光刻设备的制作方法

2022-04-27 03:18:22 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种流体处置系统,所述流体处置系统用于润湿衬底的表面的由辐射束照射的区域,所述流体处置系统包括:第一装置,所述第一装置被配置成将第一液体限制在所述第一装置的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的第一空间中,所述第一装置具有形成在第一装置中的孔以供使所述辐射束传递通过以穿过所述第一液体来照射所述区域,所述第一装置包括被配置成向所述第一空间提供所述第一液体的至少一个第一液体供应构件、以及被配置成从所述第一空间移除液体的至少一个提取构件;和第二装置,所述第二装置包括被配置成向所述第二装置的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的第二空间提供第二液体的至少一个第二液体供应构件,其中在所述衬底的所述表面上在所述第二液体与所述第一液体之间存在间隙,其中,所述流体处置系统被配置成向所述第二空间提供所述第二液体而不从所述第二空间移除任何液体,以至少在所述区域上形成液体层,并且被配置成将所述第一液体和所述第二液体同时提供于所述衬底的所述表面上。2.根据权利要求1所述的流体处置系统,其中,所述至少一个第二液体供应构件包括一系列喷射喷嘴,和/或还包括第三装置,所述第三装置包括至少一个第三液体供应构件和至少一个提取构件,所述至少一个第三液体供应构件被配置成向所述第三装置的至少一部分与所述衬底的所述表面之间的第三空间提供第三液体,其中所述第三装置被配置成经由所述至少一个提取构件来回收至少一些所述第三液体。3.根据权利要求2所述的流体处置系统,其中,所述第三装置是所述第一装置的一部分,或者定位成与所述第一装置相邻。4.根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统,其中,所述至少一个液体供应构件包括液体供应开口,所述液体供应开口形成在所述第一装置的内部表面上和/或形成在所述第一装置的与所述衬底的所述表面面对的表面上。5.根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统,其中,所述第一装置包括两个提取构件和两个气体供应构件,其中所述至少一个第一液体供应构件、所述两个提取构件和所述两个气体供应构件被形成在所述第一装置的与所述衬底的所述表面面对的表面上。6.根据权利要求5所述的流体处置系统,其中,所述提取构件中的第一提取构件位于所述第一液体供应构件的径向外部,所述两个气体供应构件中的第一气体供应构件位于所述提取构件中的第一提取构件的径向外部,所述提取构件中的所述第二提取构件位于所述两个气体供应构件中的所述第一气体供应构件的径向外部,所述两个气体供应构件中的第二气体供应构件位于所述两个提取构件中的第二提取构件的径向外部,和/或其中所述两个提取构件中的至少一个提取构件包括其中的多孔材料,和/或所述流体处置系统包括位于所述第一装置的底部表面中的至少一个其他开口,其中所述至少一个其他开口被布置在所述两个提取构件中的所述第一提取构件与所述两个气体供应构件中的所述第一气体供应构件之间,和/或被布置在所述两个提取构件中的所述第二提取构件与所述两个气体供应构件中的所述第二气体供应构件之间,和/或其中所述第一装置的所述表面包括凹部,并且可选地所述凹部具有倾斜表面。7.根据权利要求1至4中的任一项所述的流体处置系统,其中,所述第一装置包括至少两个提取构件和至少一个气体供应构件,其中所述液体供应构件、所述至少两个提取构件
和所述气体供应构件被形成于所述第一装置的与所述衬底的所述表面面对的表面上,或其中所述第一装置的至少一个提取构件包括位于所述第一装置的与所述衬底的所述表面面对的表面中的腔室、以及位于所述腔室内的多孔材料,并且所述至少一个提取构件包括被配置成从所述腔室提取液体的第一通道和被配置成从所述腔室提取气体的第二通道,或其中所述第一装置包括内部部分和外部部分,其中所述第一装置的所述至少一个液体供应构件被形成于所述内部部分上,并且其中所述内部部分包括第一提取构件并且所述外部部分包括第二提取构件。8.根据权利要求7所述的流体处置系统,其中,在平面图中,所述至少两个提取构件中的第一提取构件位于所述气体供应构件的径向外部,所述气体供应构件位于所述至少两个提取构件中的第二提取构件的径向外部,并且至少一个提取构件中的所述第二提取构件位于所述液体供应构件的径向外部,和/或其中所述至少两个提取构件中的至少一个提取构件包括位于其中的多孔材料。9.根据权利要求8所述的流体处置系统,包括位于所述第一装置的底部表面中的至少一个其他开口,其中所述至少一个其他开口被布置在所述两个提取构件中的第一提取构件与所述气体供应构件之间,和/或其中所述多孔材料被设置在径向上最向内的提取构件中。10.根据权利要求7所述的流体处置系统,其中,所述外部部分包括定位于所述内部部分与所述衬底之间的板,所述板被配置成隔离所述板的任一侧上的所述第一液体,并且其中所述内部部分的面对所述板的表面包括所述第一提取构件,并且所述板的面对所述衬底的表面包括所述第二提取构件。11.根据权利要求7或10所述的流体处置系统,其中,所述第一提取构件和/或所述第二提取构件包括被配置成回收呈单相流的所述第一液体的多孔材料。12.根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统,其中,所述第二装置是所述第一装置的一部分,或者被定位成与所述第一装置相邻。13.根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统,其中,在所述衬底的所述表面上由所述第二液体形成的区域大于在所述衬底的所述表面上由所述第一液体形成的区域。14.根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统,其中,所述第一液体和/或所述第二液体是水,和/或其中所述液体层具有至少约10μm的平均厚度,或更优选地具有至少约20μm的平均厚度。15.一种光刻设备,包括:投影系统,所述投影系统被配置成朝向衬底的表面的区域投影辐射束;根据前述权利要求中的任一项所述的流体处置系统;和机构,所述机构被配置成相对于所述流体处置系统移动所述衬底,或相对于所述衬底移动所述流体处置系统。

技术总结
流体处置系统,用于润湿衬底的表面的由辐射束照射的区域。所述流体处置系统包括第一装置(112),其被配置成将第一液体限制在该第一装置的至少一部分与衬底的表面之间的第一空间(111)中。该第一装置包括形成在其中的孔(10)以供使所述辐射束(B)传递通过以穿过第一液体照射该区域。该第一装置包括被配置成向第一空间提供第一液体的至少一个第一液体供应构件(20,23,34)、和被配置成从第一空间移除液体的至少一个提取构件(32)。流体处置系统还包括第二装置(200),其包括被配置成向该第二装置的至少一部分与衬底的表面之间的第二空间(211)提供第二液体的至少一个第二液体供应构件(201),其中在衬底的表面上在第二液体与第一液体之间存在间隙。流体处置系统被配置成向第二空间提供第二液体而不从第二空间移除任何液体以至少在该区域上形成液体层,且被配置成将第一液体和第二液体同时提供于衬底的表面上。面上。面上。


技术研发人员:T
受保护的技术使用者:ASML荷兰有限公司
技术研发日:2020.08.26
技术公布日:2022/4/26
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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