一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺的制作方法

技术特征：
1.一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述碳化硅陶瓷真空浇筑工艺包括以下步骤：s1：配料称量；s2：反应料混合和装炉；s3：炼制；s4：化学处理；s5：脱水干燥；s6：浇筑准备；s7：进行浇筑；s8：检测；s9：入库。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s1配料称量包括以下步骤：s101：回炉料的准备，sic＞75%，sio2 si＜15%，固定碳＜6%，杂质＜4%；s102：焙烧料的准备，焙烧料包括焦炭、木屑和食盐，以100t计，焦炭0~45kg，木屑35~55l，食盐3%~5%；s103：保温料的准备，保温料的焦炭与石英比为0.6。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s2反应料混合包括以下步骤：第一步：在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到约炉芯到炉底的二分之一高度，在其上面铺一层非晶形料，然后继续加配料至炉芯水平；第二步：炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷，炉芯上部铺放混好的配料；第三步：炉芯上部铺放混好的配料同时也放非品质料或生产未反应料，炉子装好后形成中间高、两边低的状态。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s3炼制包括以下步骤：s301：通电升温合成；s302：浇水冷却；s303：破碎处理。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s4化学处理包括以下步骤：第一步：硫酸酸洗，除去合成料中的含铁、铝、钙和镁杂质；第二步：沉淀池沉淀，沉淀后的污水进行污水中和后排出；第三步：沉渣处理，沉渣进行水洗过筛后重新作为保温料进行二次炼制。6.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s5脱水干燥过程后控制水分为2%~3%。7.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s6浇筑准备包括以下步骤：
第一步：进行材料的预热和计量；第二步：嵌件，进行预处理，嵌件涂覆粘结剂或半导电橡胶；第三步：脱气，填料抽空干燥，固态环氧树脂熔化抽真空，固化剂抽真空，先将填料和环氧树脂一次混合抽真空，然后与固化剂混合。8.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s7进行浇筑包括以下步骤：第一步：前固化，浇注料在固化炉中固化成型，固化度至80%以上；第二步：脱模装模，保持适当温度将产品卸模并快速装入下一模；第三步：后固化，脱模后的产品集中固化，提高固化度，释放内应力；第四步：后处理，清理产品浇口，合模缝及其它缺陷。9.根据权利要求1所述的一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺，其特征在于：所述s8检测包括以下步骤：第一步：质量检测，检测成品表面是否存在气孔、缩孔缩痕、裂纹和杂质；第二步：进行问题溯源和修正。

技术总结
本发明涉及碳化硅陶瓷生产技术领域，尤其涉及一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺。包括S1：配料称量；碳化硅是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦、木屑和食盐作为原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，通过炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷，炉芯上部铺放混好的配料，炉芯上部铺放混好的配料同时也放非品质料或生产未反应料，炉子装好后形成中间高、两边低的状态，提高炉内反应效果，脱模后的产品集中固化，提高固化度，释放内应力，第四步为后处理，清理产品浇口，合模缝及其它缺陷。模缝及其它缺陷。模缝及其它缺陷。


技术研发人员：徐方园 杨建 郑鹏 谈成
受保护的技术使用者：扬州中卓泵业有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/4/22