1.本发明涉及电路保护领域，尤其是指用于电路保护的熔断器结构。
背景技术：
2.常规的热熔熔断器，一般包括壳体、熔体、内帽、外帽和触刀。熔体穿设在壳体中，熔体两端与穿设在壳体端部的内帽固定连接，触刀与内帽导电固定连接，然后通过外帽将内帽、触刀压设固定在壳体端部。传统的熔断器结构，在触刀与内帽间形成接触电阻，使熔断器的整体电阻变大。如何降低熔断器的整体电阻，是一直研发需解决的技术问题。
技术实现要素：
3.本发明的目的是提供一种熔断器，通过改变熔体结构和简化结构，使熔断器的零部件减小，降低了各个零部件间的接触电阻，实现熔断器整体电阻降低的目的。
4.为实现上述目的，本发明提供的技术方案是一种挡圈固定式熔断器结构，包括壳体、至少一根熔体、外帽，包括挡圈，所述挡圈卡设在所述熔体位于壳体两端处对其支撑，外帽压设在所述壳体端部，所述熔体两端穿过所述外帽位于所述壳体外部，所述挡圈封闭外帽。
5.优选地，位于壳体内部的熔体部分与位于壳体外部的熔体部分为一体连接。
6.优选地，在熔体上开设有卡槽，所述挡圈卡设在所述卡槽内。
7.优选地，所述挡圈为具有缺口的圆片状结构，所述挡圈的缺口位于熔体的卡槽处。
8.优选地，位于壳体外部的熔体两端为平板状结构。
9.本发明的熔断器结构，将熔体的两端作为熔断器的连接端，省去了另外成型触刀结构。由于熔体与其两端为一体连接时，节省了触刀结构与熔体导电连接的工序；采用挡圈卡设在熔体上对熔体提供支撑，同时封闭外帽，节省了内帽结构和内帽装配工序。本发明的熔断器结构，由于没有了内帽与熔体的接触电阻，降低了熔断器整体的电阻；简化了熔断器结构，在保证品质的同时，缩减了加工时间，降低了生产成本。
附图说明
10.图1是熔断器结构外观结构示意图。
11.图2是熔断器剖面结构示意图。
12.图3是熔体、挡圈、外帽配合的结构示意图。
13.图4是熔体、壳体、挡圈、外帽配合的结构示意图。
14.图5是挡圈结构示意图。
具体实施方式
15.针对上述技术方案，现举较佳实施例并结合图示进行具体说明。参看图1至图5，熔断器，包括外壳1、熔体2、挡圈3、外帽4，其中：
16.壳体1，材质为绝缘材质，在壳体1的两端分别压设有外帽4。
17.熔体2，材质为导电材质，在本实施例中，其形状为为长条片状结构，为两条熔体并联连接。熔体并联连接的两端为连接端21，分别通过焊接、导电胶等方式连接在一体。并联后的熔体的连接端厚度增大，强度及刚度增强。当熔体并联后、或单根熔体时连接端处的强度不能满足要求时，熔体连接端可以与熔体本体为分体式制作，通过焊接方式连接为一体，或采用异形料制作，使连接端处厚度及强度大于熔体本体厚度及强度。
18.在熔体连接端21位于壳体端部的两侧相对位置处分别开设有卡槽。在熔体位于壳体外部的连接端上开设有透孔22，可方便与外部连接固定。
19.挡圈3，材质为绝缘材质。形状为片状结构，其形状外帽内壁形状、壳体端部形状相匹配。在本实施例中，为圆片状结构。在挡圈3上开设有缺口31，缺口31的宽度与熔体端部两侧相对位置处的两卡槽间的熔体宽度相同，或略小于该处熔体宽度。以保证挡圈3缺口处卡设在熔体的卡槽上时，挡圈3与熔体结构紧密，不会形成相对位移。通过挡圈，对熔体2提供支撑。
20.外帽4，其材质为绝缘材质。在其上开设有供熔体连接端穿过的长条状的透孔41。
21.组装时，先将熔体一端卡设好挡圈，然后将熔体另一端穿设过壳体内部，使另一端伸出壳体另一端外部，然后在熔体上卡设好另外的挡圈，进行一端的外帽压设作业，然后填充灭弧介质，再压设另外一端的外帽，封闭壳体。组装好后，挡圈位于壳体端部与外帽内面之间。
技术特征：
1.一种挡圈固定式熔断器结构，包括壳体、至少一根熔体、外帽，其特征在于，包括挡圈，所述挡圈卡设在所述熔体位于壳体两端处对其支撑，外帽压设在所述壳体端部，所述熔体两端穿过所述外帽位于所述壳体外部，所述挡圈封闭外帽。2.根据权利要求1所述的挡圈固定式熔断器结构，其特征在于，位于壳体内部的熔体部分与位于壳体外部的熔体部分为一体连接。3.根据权利要求1所述的挡圈固定式熔断器结构，其特征在于，在熔体上开设有卡槽，所述挡圈卡设在所述卡槽内。4.根据权利要求3所述的挡圈固定式熔断器结构，其特征在于，所述挡圈为具有缺口的圆片状结构，所述挡圈的缺口位于熔体的卡槽处。5.根据权利要求1所述的挡圈固定式熔断器结构，其特征在于，位于壳体外部的熔体两端为平板状结构。
技术总结
一种挡圈固定式熔断器结构，包括壳体、至少一根熔体、外帽，包括挡圈，所述挡圈卡设在所述熔体位于壳体两端处对其支撑，外帽压设在所述壳体端部，所述熔体两端穿过所述外帽位于所述壳体外部，所述挡圈封闭外帽。本发明的熔断器结构，由于没有了内帽与熔体的接触电阻，降低了熔断器整体的电阻；简化了熔断器结构，在保证品质的同时，缩减了加工时间，降低了生产成本。成本。成本。
技术研发人员：李应红 段陇霞
受保护的技术使用者：西安中熔电气股份有限公司
技术研发日：2021.11.24
技术公布日：2022/4/21
再多了解一些
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