蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法与流程

1.及显示领域，具体涉及一种蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法。


背景技术：

2.有机发光显示面板(oled)已经广泛用于生活之中，在有机发光显示面的生产过程中需要用到蒸镀工艺，例如红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件中的各种发光材料需要通过蒸镀工艺形成，在蒸镀工艺中用到蒸镀装置，将基板设置于蒸镀装置中，蒸镀装置内上到下依次磁板、基板、光罩，磁板吸附光罩，将基板夹持在磁板和光罩之间。
3.然而，基板由于厚度较薄，会发生弯曲，使得基板中部下垂，光罩夹持基板和从基板上分离时都会刮伤、划伤基板上的膜层结构。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法，可以解决在现有技术的蒸镀工艺中由于基板弯曲和下垂，导致的光罩刮伤、划伤基板上的膜层结构的技术问题。
5.本技术实施例提供了一种蒸镀装置，包括外壳、位于所述外壳内的容纳腔，以及设置于所述容纳腔内的：
6.磁板；
7.基板设置部，设置于所述磁板下方，所述基板设置部包括多个基板夹持件，所述基板夹持件对应于所述磁板的侧端设置；
8.弯曲测试部，设置于所述基板设置部的下方，所述弯曲测试部包括对应设置于一所述基板夹持件下方的光发射器，以及对应设置于另一所述基板夹持件下方的光接收器，所述光发射器和所述光接收器在同一平面相对的设置。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，当基板设置于所述基板设置部上时，所述基板夹持件固定所述基板的边缘，所述光发射器发出测试光，所述光接收器接收所述测试光，所述弯曲测试部根据所述测试光在所述光发射器和所述光接收器之间的传播时间，来判定所述基板的弯曲程度是否超出预设弯曲值。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述测试光为激光。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，当所述测试光的传递时间大于预设阈值时间时，所述基板的弯曲程度超出预设弯曲值，所述预设阈值时间满足如下公式：
12.t＝l/c；
13.其中，t为预设阈值时间，l为所述光发射器和所述光接收器之间的距离，c为所述测试光在所述容纳腔的气氛中的传播速度。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述容纳腔的气氛为真空状态或空气状态。
15.相应的，本技术实施例还提供了一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法，采用上述任一项所述的蒸镀装置，所述基板弯曲调节方法包括如下步骤：
16.步骤s100：将基板设置于所述容纳腔内，所述基板固定设置于所述夹持件上；
17.步骤s200：启动所述弯曲测试部，所述光发射器发出测试光，所述光接收器接收所述测试光；
18.步骤s300：所述弯曲测试部根据所述测试光在所述光发射器和所述光接收器之间的传播时间，来判定所述基板的弯曲程度是否超出预设弯曲值。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述基板弯曲调节方法还包括如下步骤：
20.步骤s400：当所述基板的弯曲程度超出预设弯曲值时，调整所述磁板上的磁力参数。
21.可选的，在本技术的一些实施例中，所述基板弯曲调节方法还包括如下步骤：
22.步骤s500：将光罩设置于所述基板下方，所述磁板磁力吸附所述光罩，所述基板位于所述磁板和所述光罩之间。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述磁板包括多个磁力片，在所述步骤s400中，通过调整所述磁力片的位置来调整设置所述光罩后的基板的弯曲程度。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，所述基板弯曲调节方法还包括如下步骤：
25.步骤s600：再次开启所述弯曲测试部，所述光发射器发出所述测试光，当所述光接收器接不能收到所述测试光时，继续调整所述磁板的磁力参数，直至所述光接收器接收到所述测试光。
26.本技术实施例中，本技术实施例提供了一种蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法，蒸镀装置包括设置于容纳腔内的：磁板；基板设置部，设置于磁板下方，基板设置部包括多个对应于磁板的侧端设置的多个基板夹持件；弯曲测试部，设置于对应的基板夹持件的下方，弯曲测试部包括对应设置于一基板夹持件下方的光发射器，以及对应设置于另一基板夹持件下方的光接收器，光发射器和光接收器在同一平面相对的设置。通过设置弯曲测试部，利用光发射器发出测试光，光接收器接收测试光，测试基板的弯曲和下垂是否超出预设弯曲值，当基板的弯曲和下垂超出预设弯曲值时，调整磁力参数，减小设置光罩后对基板的刮伤、划伤，从而可以改善和避免光罩刮伤、划伤基板上的膜层结构。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置100的第一种结构示意图；
29.图2是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置100中设置基板后的第一种示意图；
30.图3是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置100中设置基板后的第二种示意图；
31.图4是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置100中设置光罩后的示意图；
32.图5是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的第一种流程步骤示意图；
33.图6是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的第二种流程步骤示意图；
34.图7是本技术一实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的简化过程示意图。
具体实施方式
35.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
36.本技术实施例提供了一种蒸镀装置，蒸镀装置包括外壳、位于所述外壳内的容纳腔，以及设置于所述容纳腔内的：磁板；基板设置部，设置于磁板下方，基板设置部包括多个基板夹持件，基板夹持件对应于磁板的侧端设置；弯曲测试部，设置于基板设置部的下方，弯曲测试部包括对应设置于一基板夹持件下方的光发射器，以及对应设置于另一基板夹持件下方的光接收器，光发射器和光接收器在同一平面相对的设置。
37.本技术实施例提供一种蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
38.实施例一、
39.请参阅图1、图2、图3、图4，图1为本技术实施例提供的一种蒸镀装置100的第一种结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种蒸镀装置100中设置基板后的第一种示意图；图3为本技术实施例提供的一种蒸镀装置100中设置基板后的第二种示意图；图4为本技术实施例提供的一种蒸镀装置100中设置光罩后的示意图。
40.本技术实施例提供了一种蒸镀装置100，蒸镀装置100包括外壳101、位于外壳101内的容纳腔102，以及设置于容纳腔102内的磁板11、基板设置部12、弯曲测试部13，基板设置部12设置于磁板11下方，基板设置部12包括多个基板夹持件121，基板夹持件121对应于磁板11的侧端设置；弯曲测试部13设置于基板设置部12的下方，弯曲测试部13包括对应设置于一基板夹持件121下方的光发射器131，以及对应设置于另一基板夹持件121下方的光接收器132，光发射器131和光接收器132在同一平面相对的设置。
41.具体的，磁板11包括多个磁力片111，当基板21和光罩22设置于磁板11下方时，基板21位于磁板11和光罩22之间，磁板产生磁力吸附光罩22，光罩22托举基板21，而使基板21处于平整状态。
42.具体的，在一些情况中，磁板产生磁力吸附光罩22，光罩22托举基板21，使得磁板11、基板21、光罩22依次紧密接触。
43.在一些实施例中，当基板21设置于基板设置部12上时，基板夹持件121固定基板21的边缘，光发射器131发出测试光133，光接收器132接收测试光133，弯曲测试部13根据测试光133在光发射器131和光接收器132之间的传播时间，来判定基板21的弯曲程度是否超出预设弯曲值d。
44.具体的，如图2所示，预设弯曲值d可以为测试光133所在水平面，与基板21边缘靠
近弯曲测试部13的表面所在水平面的距离。
45.具体的，图2示意了基板21的弯曲程度超出预设弯曲值d，图3示意了基板21的弯曲程度没有超出预设弯曲值d。
46.在一些实施例中，测试光133为激光，激光具有很好的直线传输特性，可以提高基板21的弯曲程度的测试准确性。
47.具体的，测试光133为激光，那么光发射器131为激光发射器，光接收器131为激光接收器，激光的发射和接收可以为现有技术中任一项的发射器和接收器，在此不再赘述。
48.在一些实施例中，当测试光133的传递时间大于预设阈值时间t时，基板21的弯曲程度超出预设弯曲值d，预设阈值时间满足如下公式：
49.t＝l/c；
50.其中，t为预设阈值时间，l为光发射器和光接收器之间的距离，c为测试光在容纳腔的气氛中的传播速度。
51.具体的，当基板21的弯曲和下垂超出预设弯曲值d时，测试光133经过基板21，会延缓测试光133的传播时间，增大预设阈值时间t。
52.在一些实施例中，容纳腔102的气氛为真空状态或空气状态。
53.需要说明的是，在图4中，设置光罩22后，磁板11、基板21、光罩22这三者可以是接触设置的，图4中未图示接触设置，但不影响对本技术发明精神的理解。
54.在本实施例中，通过设置弯曲测试部13，利用光发射器131发出测试光133，光接收器132接收测试光133，测试基板21的弯曲和下垂是否超出预设弯曲值d，当基板21的弯曲和下垂超出预设弯曲值d时，可以调整磁力参数，减小设置光罩22后对基板21的刮伤、划伤，从而可以改善和避免光罩22刮伤、划伤基板21上的膜层结构。
55.实施例二、
56.请参阅图5、图6，图5为本技术实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的第一种流程步骤示意图；图6为本技术实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的第二种流程步骤示意图；图7为本技术实施例提供的一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法的简化过程示意图。
57.本实施例提供了一种蒸镀装置中的基板弯曲调节方法，采用如权利要求上述实施例中任一项的蒸镀装置100，基板弯曲调节方法包括步骤：步骤s100、步骤s200、步骤s300。
58.步骤s100：将基板21设置于容纳腔102内，基板21固定设置于夹持件121上。
59.步骤s200：启动弯曲测试部13，光发射器131发出测试光133，光接收器132接收测试光133。
60.步骤s300：弯曲测试部13根据测试光133在光发射器131和光接收器132之间的传播时间，来判定基板21的弯曲程度是否超出预设弯曲值d。
61.在一些实施例中，基板弯曲调节方法还包括步骤s400。
62.步骤s400：当基板21的弯曲程度超出预设弯曲值d时，调整磁板11上的磁力参数。
63.在一些实施例中，基板弯曲调节方法还包括步骤s500。
64.步骤s500：将光罩22设置于基板21下方，磁板11磁力吸附光罩22，基板21位于磁板11和光罩22之间。
65.在一些实施例中，磁板11包括多个磁力片111，在步骤s400中，通过调整磁力片111
的位置来调整设置光罩22后的基板21的弯曲程度。
66.在一些实施例中，基板弯曲调节方法还包括步骤s600。
67.步骤s600：再次开启弯曲测试部13，光发射器131发出测试光133，当光接收器132不能接收到测试光133时，继续调整磁板11的磁力参数，直至光接收器132接收到测试光133。
68.具体的，在步骤s600之前，还未设置光罩22，通过弯曲测试部13测试基板21的弯曲程度，判定基板21的弯曲程度是否超过预设弯曲值d，如果基板21的弯曲程度超过预设弯曲值d，则调整磁板11的磁力参数，减小设置光罩22后的基板21的弯曲程度，防止设置光罩22时刮伤、划伤基板21的表面膜层，以及防止撤离光罩22时刮伤、划伤基板21的表面膜层。
69.具体的，在步骤s600中，已经设置光罩22，光罩22托举着基板21，通过弯曲测试部13测试基板21和光罩22的弯曲程度，判定基板21和光罩22的弯曲程度是否超过预设弯曲值d，如果基板21和光罩22的弯曲程度超过预设弯曲值d，光罩22会遮挡测试光133，光接收器132不能接收到测试光133，则继续调整磁板11的磁力参数，减小基板21和光罩22的弯曲程度，直至光接收器132接收到测试光133，此时基板21和光罩22的弯曲程度小于预设弯曲值d。
70.如图7所示，本技术实施例中，基板弯曲调节方法的简化过程包括：基板21弯曲程度测试；判断基板21弯曲程度是否超过预设弯曲值d；当基板21弯曲程度超过预设弯曲值d时，将磁板11的磁力参数调整，以减小设置光罩22后的基板21的弯曲程度。
71.以上对本技术实施例所提供的一种蒸镀装置、蒸镀装置中的基板弯曲调节方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。