一种声波谐振器

技术特征：
1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：支撑衬底(1)、单晶压电层(2)和图案化电极组件(3)；所述单晶压电层(2)位于所述支撑衬底(1)的上表面；所述图案化电极组件(3)位于所述单晶压电层(2)远离所述支撑衬底(1)的表面或嵌入所述单晶压电层(2)远离所述支撑衬底(1)的表面；所述图案化电极组件(3)用于连接第一信号源；所述第一信号源用于在所述声波谐振器的工作过程中，对所述图案化电极组件(3)输入第一电信号；所述图案化电极组件在接收到所述第一电信号的情况下，能够在所述声波谐振器内形成第一电场，以调节所述声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述单晶压电层(2)与所述支撑衬底(1)之间还形成有金属层(4)；所述金属层(4)用于连接第二信号源；所述第二信号源用于在所述声波谐振器的工作过程中，对所述金属层(4)输入第二电信号，所述金属层(4)在接收到所述第二电信号的情况下，能够在所述声波谐振器内形成第二电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一电场与所述第二电场的电场方向相垂直；所述第二信号源包括直流信号源或交流信号源。3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，在所述第一电信号和所述第二电信号为电压的情况下，所述第一电信号的电压范围为20-200v，所述第二电信号的电压范围为-2v-5v。4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述图案化电极组件(3)包括：第一母线电极区(31)、第二母线电极区(32)、第一叉指电极区(33)、第二叉指电极区(34)、第一反射电极区(35)和第二反射电极区(36)；第一叉指电极区(33)与第一母线电极区(31)电性连接，第二叉指电极区(34)与第二母线电极区(32)电性连接；第一母线电极区(31)与第一反射电极区(35)电性连接，第二母线电极区(32)与第二反射电极区(36)电性连接。5.根据权利要求4所述的声波谐振器，其特征在于，所述图案化电极组件(3)还包括第一电极区(37)和第二电极区(38)；所述第一电极区(37)位于所述第一反射电极区(35)远离所述第一母线电极区(31)的一侧；所述第二电极区(38)位于所述第二反射电极区(36)远离所述第二母线电极区(32)的一侧；所述第一电极区(37)和所述第二电极区(38)用于连接所述第一信号源，所述第一信号源用于对所述第一电极区(37)和所述第二电极区(38)分别输入所述第一电信号。6.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，还包括附加电荷层(5)，所述附加电荷层(5)位于所述金属层(4)与所述支撑衬底(1)之间、所述金属层(4)与所述单晶压电层(2)之间或所述单晶压电层(2)与所述图案化电极组件(3)之间。7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述支撑衬底(1)为高声速材料衬底或压电材料衬底。8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述单晶压电层(2)的材料包括铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、氮化铝、石英和氧化锌中的至少一种。
9.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，所述金属层(4)的材料包括金、铝、铬、钨、钛、铜、银和铂中的至少一种。10.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，所述单晶压电层的厚度为200-800nm；所述金属层的厚度为60-200nm。

技术总结
本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。的工作带宽。的工作带宽。


技术研发人员：欧欣 张丽萍 张师斌 郑鹏程 吴进波
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/4/15