光检测器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外swir的波长范围内的光；第一半导体层，设置在所述光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在所述第一半导体层上，并且包括相对于所述第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在所述光吸收层的第二表面上，其中，所述第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到swir的波长范围内的光透射通过。2.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述光吸收层包括in、ga、al和p中的至少一种以及as。3.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个包括in、ga、al和as中的至少一种以及p。4.根据权利要求3所述的光检测器件，其中，所述抗反射层包括in、ga、al和p中的至少一种以及as。5.根据权利要求4所述的光检测器件，其中，所述抗反射层还包括掺杂剂。6.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述第一半导体层的厚度为10nm至300nm。7.根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述抗反射层具有等于或大于1nm的厚度。8.一种光检测器件阵列，包括多个根据权利要求1所述的光检测器件，其中，所述多个光检测器件被一维或二维地布置。9.一种光检测系统，包括：光源；以及至少一个光检测器件，被配置为检测由所述光源发射并从物体反射的光，其中，所述至少一个光检测器件中的每一个包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外swir的波长范围内的光；第一半导体层，设置在所述光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在所述第一半导体层上，并且包括相对于所述第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在所述光吸收层的第二表面上，其中，所述第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到swir的波长范围内的光透射通过。10.一种制造光检测器件的方法，所述方法包括：在基板上依次形成抗反射层、第一半导体层、光吸收层、第二半导体层和电极；将所述电极附着到电路基板；以及通过蚀刻去除所述基板，其中，所述第一半导体层形成为小于500nm的厚度，并且所述抗反射层包括相对于所述第一半导体层具有蚀刻选择性的材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述光吸收层包括in、ga、al和p中的至少一种以及as，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个包括in、ga、al和as中的至少一种以及p。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述抗反射层包括in、ga、al和p中的至少一种以及as。13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一半导体层的厚度为10nm至300nm。14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述抗反射层具有等于或大于1nm的厚度。15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基板包括inp基板。16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基板包括si基板、ge基板或gaas基板。17.一种制造光检测器件的方法，所述方法包括：在基板上依次形成抗反射层、第一半导体层、光吸收层和第二半导体层；将所述第二半导体层接合到支撑基板；以及通过蚀刻去除所述基板，其中，所述第一半导体层形成为小于500nm的厚度，并且所述抗反射层包括相对于所述第一半导体层具有蚀刻选择性的材料。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：通过依次蚀刻所述抗反射层、所述第一半导体层、所述光吸收层和所述第二半导体层来形成台面结构；以及形成电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层的电极。19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二半导体层通过晶片接合而接合到所述支撑基板。20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基板包括inp基板、si基板、ge基板或gaas基板。

技术总结
一种光检测器件，包括：光吸收层，被配置为吸收从可见光到短波红外(SWIR)的波长范围内的光；第一半导体层，设置在光吸收层的第一表面上；抗反射层，设置在第一半导体层上，并且包括相对于第一半导体层具有蚀刻选择性的材料；以及第二半导体层，设置在光吸收层的第二表面上，第一半导体层具有小于500nm的厚度，以被配置为允许在从可见光到SWIR的波长范围内的光透射通过。透射通过。透射通过。


技术研发人员：朴昌泳 李相勋
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.03.04
技术公布日：2022/4/15