用于在膜应用中二氧化硅结垢抑制的二氧化硅抑垢剂组合物及方法与流程

技术特征：
1.抑垢剂(antisealant)组合物，所述组合物包含：二氧化硅抑制剂组合物；和分散剂组合物。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂组合物包含有机磷酸、膦酸酯基化合物或羧酸磺化共聚物。3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述有机磷酸是1-羟基次乙基-1,1-二膦酸。4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂以约5-40%活性物的浓度存在。5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述分散剂组合物包含磺化丙烯酸聚合物。6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述磺化丙烯酸聚合物包含由下式表征的重复单元：其中n的范围约为1-100；并且z是h、na、k、ca或nil。7.根据权利要求6所述的组合物，其中n约为1-20。8.根据权利要求6所述的组合物，其中z在c、d和e处可以是相同或不同的。9.根据权利要求6所述的组合物，其中c:d:e的摩尔比的范围约为20:10:1至1:1:20。10.根据权利要求6所述的组合物，其中所述磺化丙烯酸聚合物的分子量的范围是约10000至约30000。11.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂组合物与所述分散剂组合物的浓度比约为1:2。12.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂组合物与所述分散剂组合物的浓度比约为1:1.6。13.根据权利要求1所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂和所述分散剂组合物是共混在一起的。14.抑垢剂组合物，所述组合物包含：(
ⅰ
)二氧化硅抑制剂组合物和(
ⅱ
)磺化/硫酸化丙烯酸聚合物或三元共聚物的共混物，其中所述二氧化硅抑制剂组合物包含1-羟基次乙基-1,1-二膦酸。15.根据权利要求14所述的组合物，其中所述磺化丙烯酸聚合物或三元共聚物包含由下式表征的重复单元：
其中n的范围约为1-100；并且z是h、na、k、ca或nh4。16.根据权利要求14所述的组合物，其中所述二氧化硅抑制剂和所述分散剂组合物在约25℃下共混在一起。17.用于在膜系统中抑制垢形成的方法，所述方法包含：提供抑垢剂组合物，所述抑垢剂组合物包含二氧化硅抑制剂和分散剂；和将所述抑垢剂组合物加入到水系统的水流中。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述二氧化硅抑制剂包含有机磷酸、膦酸酯基化合物或羧酸磺化共聚物。19.根据权利要求17所述的方法，其中所述分散剂是磺化丙烯酸聚合物或三元共聚物。20.根据权利要求17所述的方法，其中所述抑垢剂组合物是所述二氧化硅抑制剂和所述分散剂的共混物。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述二氧化硅抑制剂包含1-羟基次乙基-1,1-二膦酸，且所述分散剂是磺化/硫酸化丙烯酸聚合物或三元共聚物。22.根据权利要求19所述的方法，其中所述磺化丙烯酸聚合物或三元共聚物包含由下式表征的重复单元：其中n的范围约为1-100；并且z是h、na、k、ca或nh4。23.根据权利要求17所述的方法，其中所述水流包含至少300 ppm的二氧化硅含量。24.根据权利要求17所述的方法，其中所述水流包含约300 ppm至约350 ppm的二氧化硅含量。25.根据权利要求17所述的方法，其中所述水流包含至少7的ph。26.根据权利要求17所述的方法，其中所述水流包含约7.5的ph。27.根据权利要求17所述的方法，其中所述水流具有约7.5的ph以及至少300 ppm的二
氧化硅含量。28.根据权利要求17所述的方法，其中所述水系统包含反渗透膜或纳米过滤膜。29.根据权利要求17所述的方法，其中所述抑垢剂组合物以约1 ppm至约100 ppm的量加入到所述水流中。30.根据权利要求29所述的方法，其中所述抑垢剂组合物以约3 ppm至约30 ppm的量加入到所述水流中。

技术总结
抑垢剂组合物，所述组合物具有二氧化硅抑制剂组合物和分散剂组合物。用于在膜系统中抑制垢形成的方法，所述方法提供抑垢剂组合物，所述抑垢剂组合物具有二氧化硅抑制剂和分散剂，并将所述抑垢剂组合物加入到水系统的水流中。中。中。


技术研发人员：张兴鹏 叶冬颖 J
受保护的技术使用者：BL科技公司
技术研发日：2020.08.18
技术公布日：2022/4/12