一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

喷嘴装置的制作方法

2022-04-14 02:31:06 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种装置,包括:管,包括内部宽度和在端部处的开口,其中所述内部宽度在0.1毫米(mm)到0.8mm之间,并且所述开口具有在1.0微米(μm)到5.0μm之间的宽度;机电致动器,与所述管接触并且被配置为将机械运动传递到所述管中,其中所述机械运动至少包括在40千赫(khz)到100khz之间的第一频率分量和频率高于所述第一频率分量的第二频率分量;本体,包括:第一本体壁和第二本体壁,其中所述第一本体壁在第一方向上延伸,所述第二本体壁在不同于所述第一方向的第二方向上延伸,并且所述管的第一部分穿过所述第二本体壁中的开口,其中所述管的内部和所述本体的内部被配置为接纳熔融靶材料,并且所述靶材料在处于等离子体状态时发射极紫外(euv)光;以及支撑结构,包括:第一支撑部分和第二支撑部分,其中所述第一支撑部分被配置为附接到所述第一本体壁,并且所述管的第二部分被配置为当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时穿过所述第二支撑部分。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二支撑部分是限定支撑开口的端壁,并且所述管的所述第二部分被配置为当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时穿过所述支撑开口。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述支撑开口包括倒角开口,并且当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述管的所述第二部分的外表面被所述倒角开口捕获。4.根据权利要求2所述的装置,其中所述第二支撑部分还包括:调节机构,所述调节机构被配置为控制所述管与所述第二支撑部分之间的机械耦合。5.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一支撑部分从第一端延伸,所述第一端被配置为附接到所述第一本体壁,并且所述第一支撑部分包括从所述第一端延伸的多个段,所述多个段包括刚性尖头和至少一个柔性尖头。6.根据权利要求5所述的装置,其中所述调节机构穿过所述刚性尖头,并且所述调节机构被配置为定位所述第二支撑部分,从而控制所述管与所述第二支撑部分之间的机械耦合。7.根据权利要求5所述的装置,其中开口位于所述多个段中的每个段之间。8.根据权利要求4所述的装置,其中所述调节机构与所述第一支撑部分和所述端壁物理接触,并且所述调节机构移动所述端壁,以控制所述管与所述第二支撑之间的所述机械耦合。9.根据权利要求2所述的装置,其中所述端壁包括第一材料,并且所述装置还包括围绕所述支撑开口的第二材料的套圈,并且所述第二材料比所述第一材料软。10.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一材料包括金属,并且所述第二材料包括聚合物。11.根据权利要求10所述的装置,其中所述聚合物包括聚酰亚胺树脂、聚醚醚酮、聚苯并咪唑树脂或聚四氟乙烯。12.根据权利要求11所述的装置,其中所述第一材料包括金属,并且所述第二材料包括粘合剂材料。13.根据权利要求12所述的装置,其中所述粘合剂材料包括双马来酰亚胺树脂、或氰酸
酯基树脂。14.根据权利要求2所述的装置,还包括灌封化合物,并且其中,当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述第一支撑部分和所述端壁限定包含所述灌封化合物的内部支撑区域。15.根据权利要求14所述的装置,其中所述管穿过所述第二支撑部分中的所述支撑开口,并且所述第二支撑部分不与所述管机械接触。16.根据权利要求15所述的装置,其中所述第二支撑部分被配置为,保护所述灌封化合物免受从所述等离子体发射的euv光的影响,所述等离子体由所述靶材料形成。17.根据权利要求14所述的装置,其中所述灌封化合物没有完全填充所述内部支撑区域。18.根据权利要求17所述的装置,其中所述灌封化合物占据所述内部支撑区域的、与所述端壁相比更靠近所述本体的第一部分,并且所述内部支撑区域的、与所述本体相比更靠近所述端壁的第二部分不包括任何灌封化合物。19.根据权利要求18所述的装置,其中所述灌封化合物包括粘合剂。20.根据权利要求19所述的装置,其中所述粘合剂包括以下中的至少一种:基于双马来酰亚胺的粘合剂、基于苯并恶嗪的粘合剂、基于氰酸酯的粘合剂、室温硫化(rtv)粘合剂、或高温环氧树脂粘合剂。21.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑部分包括刚性材料。22.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑部分包括金属。23.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑部分包括柔性材料。24.根据权利要求1所述的装置,其中所述支撑结构位于所述本体与所述机电致动器之间。25.根据权利要求1所述的装置,其中当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述机电致动器被所述第一支撑部分围绕。26.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑部分被配置为附接到所述第一本体壁的外部。27.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二频率分量是所述第一频率分量的谐波或由所述机电致动器施加到所述管的另一频率的谐波。28.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一支撑部分包括一个或多个开口,所述一个或多个开口沿着所述第一支撑部分的一侧、在所述第一支撑部分的第一端与所述第一支撑部分的第二端之间延伸。29.一种装置,包括:管;本体,包括:第一本体壁和第二本体壁,其中所述第一本体壁在第一方向上延伸,所述第二本体壁在不同于所述第一方向的第二方向上延伸,并且所述管的第一部分穿过所述第二本体壁中的开口;以及支撑结构,包括:第一支撑部分和第二支撑部分,其中所述第一支撑部分被配置为附接到所述第一本体壁,并且当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述管的第二部分穿过所述第二支撑部分。
30.一种用于极紫外光源的装置,所述装置包括:管,包括具有从第一端延伸到第二端的长度的侧壁;致动器,机械耦合到所述侧壁的外部;本体,包括:第一本体壁和第二本体壁;以及配件,设置在所述本体的端部处,所述配件包括通道,其中所述侧壁的第一部分被保持在所述第二本体壁中的开口处,所述侧壁的第二部分被设置在所述通道中,所述致动器位于所述配件与所述管的所述第二端之间,并且所述侧壁的所述长度的大约一半被所述本体围绕。31.根据权利要求30所述的装置,其中所述侧壁的所述长度的一半以上被所述本体围绕。32.一种用于极紫外光(euv)源的装置,所述装置包括:管,包括从第一端延伸到第二端的侧壁;致动器,机械耦合到所述侧壁的外部;本体,包括:第一本体壁和第二本体壁;以及配件,设置在所述本体的端部处,所述配件包括通道和套圈,其中所述侧壁的一部分在所述通道中,并且所述套圈位于所述侧壁的所述部分与所述配件之间。33.根据权利要求32所述的装置,还包括金属线,所述金属线具有聚合物材料层,所述聚合物材料层被连接到所述配件并且环绕所述侧壁的外部,所述线被配置为减少所述管的振动。34.根据权利要求33所述的装置,其中所述聚合物材料层在所述金属线上形成涂层。35.根据权利要求33所述的装置,还包括支撑结构,所述支撑结构包括:第一支撑部分和第二支撑部分,其中所述第一支撑部分被配置为附接到所述第一本体壁,并且当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述管穿过所述第二支撑部分。36.根据权利要求35所述的装置,其中所述第二支撑部分被配置为保护所述聚合物层免受所述euv光源中的等离子体的影响。37.根据权利要求36所述的装置,其中所述第二支撑部分不与所述管机械接触。38.根据权利要求32所述的装置,其中所述套圈延伸超出所述配件。39.一种用于靶材料供应系统的支撑结构,所述支撑结构包括:第一支撑部分;以及第二支撑部分,其中所述第一支撑部分被配置为附接到所述靶材料供应系统的第一本体壁,并且当所述第一支撑部分被附接到所述第一本体壁时,所述靶材料供应系统的管穿过所述第二支撑部分。40.根据权利要求39所述的支撑结构,其中所述靶材料供应系统被配置为耦合到极紫外光源的真空室。

技术总结
一种装置包括:管;具有第一本体壁和第二本体壁的本体;以及具有第一支撑部分和第二支撑部分的支撑结构。第一本体壁在第一方向上延伸,第二本体壁在不同于第一方向的第二方向上延伸,管的第一部分穿过第二本体壁中的开口,第一支撑部分被配置为附接到第一本体壁,并且管的第二部分被配置为:当第一支撑部分附接到第一本体壁时,穿过第二支撑部分。管的内部和本体的内部被配置为接纳熔融靶材料,并且靶材料在处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光。料在处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光。料在处于等离子体状态时发射极紫外(EUV)光。


技术研发人员:G
受保护的技术使用者:ASML荷兰有限公司
技术研发日:2020.09.04
技术公布日:2022/4/12
再多了解一些

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