基于激光器测试的温度校准方法、仪器及系统与流程

1.本技术涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种基于激光器测试的温度校准方法、仪器及系统。


背景技术：

2.为了确保芯片的质量和可靠性，在芯片制造出来后往往需要通过老化测试筛出早期失效的芯片，芯片的老化测试往往采用高温功率进行芯片的老化，芯片老化过程中的温度应力和电应力是老化测试的关键指标，必须保证该数据真实可靠。
3.在瓷质基板上芯片贴装（coc）封装阶段，进行激光器芯片老化测试时，由于激光器芯片尺寸很小，传统的测温探头都要比激光器芯片本身大而无法直接对激光器芯片测温，因此，在老化过程中往往通过测试夹具的温度来间接监控激光器芯片老化测试过程中的温度，但是由于老化测试过程中，激光器芯片本身就是一个加电的发热体，热量会从激光器芯片向夹具传递，夹具和激光器芯片之间会存在一定的温差，因此需要将夹具温度测量值进行校准，补偿这个温差。
4.夹具和激光器芯片之间的温差受到夹具材质、激光器芯片基底材质、夹具温度等许多因素影响，采用理论推导和经验所得到的数据并不可靠。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种基于激光器测试的温度校准方法、仪器及系统，本技术实施例的温度校准方法便于提高老化测试时，待测激光器芯片的温度测量的准确性。
6.一方面，本技术提供一种基于激光器测试的温度校准方法，应用于温度校准仪器，所述温度校准仪器的温控端口与夹具内部的发热元件电连接，所述夹具夹持待测激光器芯片，所述待测激光器芯片的预设位置放置有特制合金物件，所述方法包括：获取所述待测激光器芯片的待校准的测试温度，所述待校准的温度为所述待测激光器芯片进行测试时预先设置的需要达到的测试温度，所述待校准的测试温度与所述特制合金物件的熔点与相同；通过所述温控端口输出温控信息至所述夹具内部的发热元件，以加热所述夹具；检测所述特制合金物件是否熔化；当检测到所述特制合金物件熔化，获取所述夹具的当前温度；通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差，所述待校准的温差为所述待测激光器芯片达到所述测试温度时，所述夹具和所述待测激光器芯片的温差。
7.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器的检测端口与测试探针电连接，所述测试探针的针尖悬放于所述特制合金物件上方预设距离；所述检测所述特制合金物件是否熔化，包括：通过所述检测端口检测所述测试探针上是否存在电平信号；若检测到所述测试探针上存在电平信号，则判定所述特制合金物件熔化；若检测到所述测试探针上不存在电平信号，则判定所述特制合金物件未熔化。本技术实施例充分利用了金属合金固液相转化的特点，金属合金转变为液态后会在表面张力作用下形成球状液滴，通过测试探针与液滴接触获得电平信号来感知金属合金固液相转变。
8.在本技术一些实施方案中，通过所述温控端口输出温控信息至所述夹具内部的发热元件之前，所述方法还包括：获取加热的配置策略；根据所述配置策略生成温控信息。
9.在本技术一些实施方案中，正极加电探针与所述待测激光器芯片的正极接触，负极加电探针与所述待测激光器芯片的负极接触，正极加电探针和负极加电探针分别与所述温度校准仪器的芯片驱动端口电连接；在所述检测所述特制合金物件是否熔化之前，所述方法还包括：通过所述芯片驱动端口控制所述正极加电探针和所述负极加电探针对所述待测激光器芯片施加预设驱动电流。本技术实施例对待测激光器芯片施加驱动电流，进一步模拟待测试芯片在该电流下的测试环境，从而使得所计算出的温差更加准确。
10.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器的校准端口与夹具内部的存储芯片电连接；在所述通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差之后，所述方法还包括：生成校准数据，所述校准数据包括以下至少一项：所述待校准的温差、所述待校准的测试温度、所述待测激光器芯片的型号、所述预设驱动电流，以及所述夹具的当前温度；通过所述校准端口将所述校准数据传输至夹具，以供夹具的存储芯片存储所述校准数据。本技术实施例能够实现校准数据的自动录入，以便于在待测激光器芯片进行老化测试时，从老化测试所使用的夹具中直接调取数据，进行校准。
11.另一方面，本技术提供一种基于激光器测试的温度校准仪器，所述温度校准仪器包括：获取模块，用于获取待测激光器芯片的待校准的测试温度；其中，所述待测激光器芯片的预设位置放置有特制合金物件，所述待校准的温度为所述待测激光器芯片进行测试时预先设置的需要达到的测试温度，所述待校准的测试温度与所述特制合金物件的熔点与相同；温控模块，用于通过所述温度校准仪器的温控端口输出温控信息至夹具内部的发热元件，以加热所述夹具；其中，所述温度校准仪器的温控端口用于与所述夹具内部的发热元件电连接，所述夹具用于夹持所述待测激光器芯片；检测模块，用于检测所述特制合金物件是否熔化；记录模块，用于当检测到所述特制合金物件熔化，获取所述夹具的当前温度；校准模块，用于通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差，所述待校准的温差为所述待测激光器芯片达到所述测试温度时，所述夹具和所述待测激光器芯片的温差。
12.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器还包括：驱动模块，用于通过所述温度校准仪器的芯片驱动端口控制所述正极加电探针和所述负极加电探针对所述芯片施加预设驱动电流，其中，所述温度校准仪器的芯片驱动端口用于分别与正极加电探针以及负极加电探针电连接，所述正极加电探针与所述待测激光器芯片的正极接触，所述负极加电探针与所述待测激光器芯片的负极接触。
13.在本技术一些实施方案中，检测模块用于通过所述温度校准仪器的检测端口检测所述测试探针上是否存在电平信号；若检测到所述测试探针上存在电平信号，则判定所述特制合金物件熔化；若检测到所述测试探针上不存在电平信号，则判定所述特制合金物件未熔化；其中，所述检测端口用于与测试探针连接，所述测试探针的针尖悬放于所述特制合金物件上方预设距离。
14.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器还包括：校准装置，用于生成校准数据，所述校准数据包括以下至少一项：所述待校准的温差、所述待校准的测试温度、所述待测激光器芯片的型号、所述预设驱动电流，以及所述夹具的当前温度，并通过所述温度校准仪器
的校准端口将所述校准数据传输至夹具，以供夹具的存储芯片存储所述校准数据；其中，所述校准端口用于与所述夹具内部的存储芯片电连接。
15.本技术实施例使用夹具夹持待测激光器芯片，以模拟测试过程中待测激光器芯片所处的测试环境，将特制合金物件放置在芯片的预设位置，让特制合金物件与芯片接触，从而使得特制合金物件融化时待测激光器芯片的温度等于特制合金物件的熔点，由于特制合金物件的熔点为待校准的测试温度，因此，当特制合金物件融化时，表明待测激光器芯片达到该测试温度，因此，通过当前夹具的温度和特制合金物件的熔点即可得到待校准的温差，从而准确得到待测激光器芯片在实际进行测试的测试环境下时，需要对夹具补偿的温差，提高老化测试时，对激光器芯片温度监控的准确性。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术实施例提供的各探针相对于待测激光器芯片的局部连接示意图；图2是本技术实施例中提供的基于激光器测试的温度校准方法中的温度校准仪器、夹具，和各探针的连接示意图；图3是本技术实施例中基于激光器测试的温度校准方法的一个实施例流程示意图；图4是本技术实施例中基于激光器测试的温度校准仪器的示意图；图5是本技术实施例中基于激光器测试的温度校准仪器上集成的单片机的结构示意图。
具体实施方式
18.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
19.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
20.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任
何技术人员能够实现和使用本技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本技术。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本技术的描述变得晦涩。因此，本技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
21.需要说明的是，本技术实施例方法由于是在温度校准仪器中执行，各温度校准仪器的处理对象均以数据或信息的形式存在，例如时间，实质为时间信息，可以理解的是，后续实施例中若提及尺寸、数量、位置等，均为对应的数据存在，以便电子设备进行处理，具体此处不作赘述。
22.本技术实施例提供一种温度校准方法、仪器及系统，以下分别进行详细说明。
23.首先，本技术实施例中提供一种基于激光器测试的温度校准方法，该温度校准方法的执行主体为温度校准仪器，温度校准仪器的温控端口与夹具内部的发热元件电连接，所述夹具夹持待测激光器芯片，所述待测激光器芯片的预设位置放置有特制合金物件，温度校准方法包括：获取所述待测激光器芯片的待校准的测试温度，所述待校准的温度为所述待测激光器芯片进行测试时预先设置的需要达到的测试温度，所述待校准的测试温度与所述特制合金物件的熔点与相同；通过温控端口输出温控信息至所述夹具内部的发热元件，以加热所述夹具；检测所述特制合金物件是否熔化；当检测到所述特制合金物件熔化，获取所述夹具的当前温度；通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差，所述待校准的温差为所述待测激光器芯片达到所述测试温度时，所述夹具和所述待测激光器芯片的温差。
24.本技术实施例使用夹具夹持待测激光器芯片，以模拟测试过程中待测激光器芯片所处的测试环境，将特制合金物件放置在芯片的预设位置，让特制合金物件与芯片接触，从而使得特制合金物件融化时待测激光器芯片的温度等于特制合金物件的熔点，由于特制合金物件的熔点为待校准的测试温度，因此，当特制合金物件融化时，表明待测激光器芯片达到该测试温度，通过当前夹具的温度和特制合金物件的熔点即可得到待校准的温差，从而准确得到待测激光器芯片在实际进行测试的测试环境下时，需要对夹具补偿的温差。
25.如图1至图2所示，图1为夹具夹持待测激光器芯片时，各探针相对于待测激光器芯片的局部连接示意图，图2为本技术实施例的温度校准方法中的温度校准仪器与夹具、各探针的连接示意图。
26.本技术实施例可在显微镜下操作，本技术实施例的温度校准仪器10的温控端口13与夹具3内部的发热元件7连接，将待测激光器芯片1安装到夹具3上，将特制合金物件2夹到芯片的预设位置，预设位置也可称作测温点。测温点可为待测激光器芯片的基底的负极pad位。
27.为了便于温度校准仪器得到夹具3的温度，还可将用于测量夹具3的温度的温控探头8连接至温度校准仪器10的温控端口13。
28.特制合金物件2的熔点与待校准的测试温度相同，待校准的测试温度为对待测激光器芯片进行测试时预先设置的待测激光器芯片需要达到的温度，例如进行的测试具体为老化测试，若老化测试时设定激光器芯片需要达到的测试温度为50度，因此，可设计特制合金物件2，使其熔点为50度。
29.特制合金物件2可为微小的合金圆片。具体地，可设计一种专用模具，利用该模具可以将该熔点的合金颗粒压成微小的合金圆片。
30.进行上述连接后，温度校准仪器可进入温度校准流程，可参照图3所示，图3为本技术实施例中温度校准方法的一个实施例流程示意图，该温度校准方法包括：步骤301，获取待测激光器芯片的待校准的测试温度。
31.用户可在提供的可视化界面上对待校准的测试温度进行配置，也可在温度校准仪器的软件编写过程中，将测试温度写在软件的逻辑中，本实施例对待校准的测试温度的获取方式不进行限定。
32.步骤302，通过温控端口输出温控信息至夹具内部的发热元件，以加热夹具。
33.在一些实施例中，在将温控信息传输至夹具3内部的发热元件7之前，温度校准仪器10可获取加热的配置策略；根据配置策略生成温控信息。以便满足对夹具3的温控需求。
34.示例性的，加热的配置策略中可包括：设定的温度初始值和步进值。例如，开启自动校准后，温度校准仪器10会按设定的初始值和步进值逐步升高温度，每升高一个温度值会稳定一段时间。
35.在一些实施例中，可以通过比例积分微分（proportional integral differential，pid）算法对温度进行控制。通过pid算法以便于完成对温度的精准控制。
36.在一些实施例中，在温度校准方法中，还可以提供正极加电探针4，以及负极加电探针5，调整探针台使得正极加电探针4与所述待测激光器芯片1的正极接触，负极加电探针5与待测激光器芯片1的负极接触，正极加电探针4和负极加电探针5分别与温度校准仪器10的芯片驱动端口11电连接，温度校准仪器10通过芯片驱动端口11控制正极加电探针和所述负极加电探针对待测激光器芯片施加预设驱动电流，以对待测激光器芯片提供恒流或恒压驱动。在老化测试过程中，对待测激光器芯片施加的驱动电流的电流值可与该预设驱动电流相同，以模拟更真实地测试环境，排除芯片驱动电流对待校准的温差的影响，提高所得到的待校准的温差的准确性。
37.值得一提的是，负极加电探针需要避开特制合金物件2所放置的预设位置。
38.在一些实施例中，在温度校准方法中，还可以提供测试探针6，测试探针6的针尖悬放于特制合金物件2上方预设距离，温度校准仪器10的检测端口12与测试探针6电连接。预设距离可以为10微米左右，在特制合金物件熔化时，测试探针6可以与熔化后的特制合金物件2接触的距离均可作为预设距离，本实施例不对此进行限定。
39.在调整测试探针6的位置时，可采用轻触再脱离的方式，例如调整测试探针6，使测试探针6的针尖悬于合金圆片上方约10微米，当负极加电探针5与测试探针6之间不导通时表明测试探针与特制合金物件2，如合金圆片脱离接触。
40.步骤303，检测特制合金物件是否熔化。
41.在一些实施例中，通过所述检测端口12检测所述测试探针6上是否存在电平信号；若检测到所述测试探针6上存在电平信号，则判定所述特制合金物件2熔化；若检测到所述测试探针6上不存在电平信号，则判定所述特制合金物件2未熔化。
42.当测温点温度达到特制合金物件2，如合金圆片的熔点时，合金圆片会熔融成液态并在表面张力的作用下形成一个液球，此时测试探针6会与液球接触，测试探针6与待测激光器芯片的负极加电探针5导通，此时温度校准仪器的检测端口12会检测到低电平信号。
43.本技术实施例利用的金属合金固液相转变的性质，金属合金转变为液态后会在表面张力作用下形成球状液滴，通过测试探针与液滴接触获得低电平来感知金属合金固液相转变。
44.检测到低电平信号后，即，检测到特制合金物件熔化后，可执行步骤304。
45.步骤304，当检测到特制合金物件熔化，获取夹具的当前温度。
46.夹具的当前温度可以通过温控探头8获取，如果存在热敏电阻，也可通过热敏电阻获取。
47.特制合金物件2熔化时，代表测温点，即待测激光器芯片1上放置有特制合金物件2的预设位置的温度达到了熔点，表明待测激光器芯片1此时的温度与特制合金物件2的熔点相同。
48.本技术实施例通过金属合金在熔点发生固液相转变来感知待测激光器芯片是否达到指定的待校准的测试温度。
49.获取夹具的当前温度之后，可执行步骤305。
50.步骤305，通过当前温度和特制合金物件的熔点，得到待校准的温差。
51.其中，待校准的温差为待测激光器芯片达到测试温度时，夹具和待测激光器芯片的温差。
52.在一些实施例中，温度校准仪器还包括：校准端口14，校准端口14可以与夹具内部的存储芯片9电连接。在所述通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差之后：生成校准数据，所述校准数据包括以下至少一项：所述待校准的温差、所述待测激光器芯片的型号、所述预设驱动电流，以及所述夹具的当前温度；将所述校准数据传输至夹具，以供夹具的存储芯片存储所述校准数据。本技术实施例能够实现校准数据的自动录入，以便于在待测激光器芯片进行老化测试时直接从夹具调取相关数据。
53.示例性的，在温度校准仪器10上可选择添加校准数据或者覆盖校准数据，然后将当前的校准数据，如待测激光器芯片的型号、待校准的温差、待校准的测试温度、加电的预设驱动电流、夹具的当前温度等信息写入到夹具内部的存储芯片，当进行老化测试时，老化设备可以通过夹具内部存储芯片9直接调取夹具3内部的校准数据。
54.其中，夹具存储待校准的温差、待校准的测试温度、夹具的当前温度中任的任意两个数据即可实现老化测试时的温度校准。
55.本技术实施例中温度校准仪器可为一体集成仪器，以实现自动驱动和自动校准，该温度校准仪器可以包括pid算法支持的温度控制电路，以生成温控信息、一个或多个恒流恒压驱动源，以对芯片提供预设驱动电流、一个或多个输入输出io端口，以传输各中数、一个或多个带电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read only memory，eeprom)接口及控制电路，通过eeprom接口及控制电路连接夹具内部的存储芯片（eeprom），以便于将校准数据自动录入到夹具，方便老化测试中的老化设备调取相关数据。
56.由于待测激光器芯片受到自身尺寸限制，传统的热敏电阻不能测试微小区域的温度，本技术实施例通过金属合金熔融的间接获取芯片与测试夹具之间的温差，通过校准夹具温度间接实现芯片老化温度精确控制。
57.对于夹具的温度控制，由于探针位置差异、探针的装配还有探针本身的精度，测试电路的误差，都会导致老化测试和温度校准中的温度产生偏差，而本技术实施例的温度校
准方法可以和用于进行老化测试的设备复用同一套加热的配置策略，以及温度控制系统，这样可以更进一步模拟老化测试的测试环境，消除温度控制的误差，而且本技术实施例通过特制合金物件的熔点反应芯片的老化测试时的测试温度，能够排除其他因素对温度测量的干扰。
58.本技术实施例采用了集成式的温度校准仪器可实现全过程自动控制，也可以通过多个仪表搭建类似的环境，且相比于将夹具放到热红外成像仪下，利用热红外成像方式测量待测激光器芯片的温度，本技术实施例所用设备投入成本较小。
59.也就是说，本技术实施例通过特制合金物件在熔点发生固液相转变来感知芯片是否达到待校准的测试温度，以实现温度的校准，便于提高老化测试时待测激光器芯片温度测量的精度，另外，通过本技术实施例能够减小温度测量的设备投入成本。
60.本技术实施例还提供一种基于激光器测试的温度校准仪器，可参照图4所示，本技术实施例的基于激光器测试的温度校准仪器包括：获取模块401，用于获取待测激光器芯片的待校准的测试温度；其中，所述待测激光器芯片的预设位置放置有特制合金物件，所述待校准的温度为所述待测激光器芯片进行测试时预先设置的需要达到的测试温度，所述待校准的测试温度与所述特制合金物件的熔点与相同；温控模块402，用于通过温度校准仪器的温控端口输出温控信息至夹具内部的发热元件，以加热所述夹具；其中，所述温度校准仪器的温控端口用于与所述夹具内部的发热元件连接，所述夹具用于夹持所述待测激光器芯片；检测模块403，用于检测特制合金物件是否熔化；记录模块404，用于当检测到所述特制合金物件熔化，获取所述夹具的当前温度；校准模块405，用于通过所述当前温度和所述特制合金物件的熔点，得到待校准的温差，所述待校准的温差为所述待测激光器芯片达到所述测试温度时，所述夹具和所述待测激光器芯片的温差。
61.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器还包括：驱动模块，用于通过所述温度校准仪器的芯片驱动端口控制所述正极加电探针和所述负极加电探针对所述芯片施加预设驱动电流，其中，所述温度校准仪器的芯片驱动端口用于分别与正极加电探针以及负极加电探针电连接，所述正极加电探针与所述待测激光器芯片的正极接触，所述负极加电探针与所述待测激光器芯片的负极接触。
62.在本技术一些实施方案中，检测模块403进一步用于通过所述温度校准仪器的检测端口检测所述测试探针上是否存在电平信号；若检测到所述测试探针上存在电平信号，则判定所述特制合金物件熔化；若检测到所述测试探针上不存在电平信号，则判定所述特制合金物件未熔化；其中，所述检测端口用于与测试探针连接，所述测试探针的针尖悬放于所述特制合金物件上方预设距离。
63.在本技术一些实施方案中，温度校准仪器还包括：校准装置，用于生成校准数据，所述校准数据包括以下至少一项：所述待校准的温差、所述待校准的测试温度、所述待测激光器芯片的型号、所述预设驱动电流，以及所述夹具的当前温度，并通过所述温度校准仪器的校准端口将所述校准数据传输至夹具，以供夹具的存储芯片存储所述校准数据；其中，所述校准端口用于与所述夹具内部的存储芯片电连接。
64.本技术实施例还提供了一种温度校准系统，温度校准系统包括上述实施例中的温度校准仪，以及特制合金物件和夹具。
65.本技术实施例还提供一种单片机，可参照图5所示，基于激光器测试的温度校准仪器中安装有该单片机，该单片机包括：一个或多个处理器501；存储器502；以及一个或多个应用程序，其中所述一个或多个应用程序被存储于所述存储器中，并配置为由所述处理器执行上述温度校准方法实施例中任一实施例中所述的温度校准方法中的步骤。
66.其中，存储器和处理器采用总线方式连接，总线可以包括任意数量的互联的总线和桥，总线将一个或多个处理器和存储器的各种电路连接在一起。总线还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路连接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口在总线和收发机之间提供接口。收发机可以是一个元件，也可以是多个元件，比如多个接收器和发送器，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。
67.处理器负责管理总线和通常的处理，还可以提供各种功能，包括定时，外围接口，电压调节、电源管理以及其他控制功能。而存储器可以被用于存储处理器在执行操作时所使用的数据。
68.本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。
69.为此，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，该存储介质可以包括：只读存储器（rom，read only memory）、随机存取记忆体（ram，random access memory）等。其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器进行加载，以执行本技术实施例所提供的任一种温度校准方法中的步骤。
70.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
71.具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
72.以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
73.以上对本技术实施例所提供的一种温度校准方法、仪器、系统、单片机和存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。