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等离子体观察口的制作方法

2022-04-09 03:34:30 来源:中国专利 TAG:

等离子体观察口
相关申请
1.pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本技术要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。


背景技术:

2.半导体处理工具通常包括半导体处理室,其可以配备有气流部件和射频发生器以及被配置为允许等离子体在处理室内被激励和维持的电极。这种等离子体通常在室内的半导体晶片所在位置的正上方区域中产生。
3.在一些这样的设备中,观察口包括在室的壁中以允许外部观察者,例如设备操作员,观察室内部并观察等离子体(或室内部的其他方面)。


技术实现要素:

4.本说明书中描述的主题的一个或多个实施方案的细节在附图和以下描述中阐述。其他特征、方面和优点将根据所述描述、附图和权利要求中变得显而易见。
5.在一些实施方案中,可提供一种装置,其包括:限定孔的框架;定位于所述框架附近的蓝宝石窗,其尺寸大于所述孔,并且当沿垂直于所述蓝宝石窗的最大表面的方向观察时与所述孔完全重叠。所述装置还可包括玻璃窗和聚合物窗。所述玻璃窗可置于所述蓝宝石窗和所述聚合物窗之间。
6.在一些实施方案中,该装置还可包括置于蓝宝石窗口和框架之间的第一弹性o形环。在一些另外的此类实施方案中,该装置还可包括置于玻璃窗和聚合物窗之间的第二弹性o形环。
7.在一些实施方案中,玻璃窗可由硼硅酸盐玻璃或钠钙玻璃制成。
8.在一些实施方案中,玻璃窗可具有按重量计,70%的二氧化硅、11.5%的氧化硼、9.5%的氧化钠、7.5%的氧化钾、1%的氧化钡以及其余部分的组成,所述其余部分包含氧化钛、氧化钙、以及任何杂质。
9.在一些实施方案中,schott n-bk7玻璃或其等效物可用于玻璃窗。
10.在一些实施方案中,框架可包括跨越孔的穿孔网,该穿孔网具有直径尺寸约为4毫米或更小的通孔图案。
11.在一些实施方案中,通孔可布置成六边形格子图案。
12.在一些实施方案中,穿孔网可置于蓝宝石窗和玻璃窗之间。
13.在一些实施方案中,框架可由铝合金制成,并且框架与蓝宝石窗口相邻的一侧上的至少一个表面可具有硬质阳极氧化涂层。
14.在一些实施方案中,聚合物窗可以由聚碳酸酯材料制成。
15.在一些实施方案中,当沿着垂直于蓝宝石窗的最大表面的方向观察时,聚合物窗可完全重叠该框架。
16.在一些实施方案中,聚合物窗可使用诸如星形螺钉(诸如梅花头(torx-head)螺钉)、防篡改星形螺钉、扳手头螺钉、单向螺钉、或其它防篡改螺钉之类的紧固件相对于所述框架保持在合适位置。
17.在一些实施方案中,该装置还可包括壁,其具有尺寸被设定成接纳所述框架的插孔。在此类实施方案中,框架可设置在插孔中并且插孔可以包括内部凸缘,内部凸缘可以限定开口,并且蓝宝石窗的尺寸可大于开口。该装置还可包括弹性o形环,该o形环置于蓝宝石窗和内部凸缘之间。
18.在一些此类实施方案中,弹性o形环可被压缩在内部凸缘和蓝宝石窗之间。
19.在一些另外的此类实施方案中,该装置还可包括半导体处理室,并且该壁可以是该半导体处理室的壁。
20.在一些其他实施方案中,该装置还可包括射频(rf)发生器和rf电极。在此类实施方案中,rf发生器可电连接到rf电极并且被配置为使用rf电极在半导体处理室内产生等离子体。此外,在此类实施方案中的通孔可定位在壁中,使得视线通过蓝宝石窗、玻璃窗和聚合物窗到达半导体处理室中的位置,在该位置rf发生器和rf电极被配置成产生等离子体。
21.在一些实施方案中,可提供一种半导体处理工具,其包括:半导体处理室,所述半导体处理室具有外壁;射频(rf)发生器;位于半导体处理室内的rf电极;以及等离子观察口。等离子体观察口可包括:限定孔的框架,定位于所述框架附近的蓝宝石窗,其尺寸大于孔,并且当沿垂直于所述蓝宝石窗的最大表面的方向观察时与所述孔完全重叠,玻璃窗和聚合物窗。在此类实施方案中,玻璃窗可置于蓝宝石窗和聚合物窗之间。
22.本说明书中描述的主题的一个或多个实施方案的细节在附图和以下描述中阐述。其他特征、方面和优点将根据所述描述、附图和权利要求而变得显而易见。请注意,以下附图的相对尺寸可能未按比例绘制。
附图说明
23.本文所公开的各种实施方案是以示例而并非以限制的方式在附图的图中进行说明,其中相同的附图标记指类似元件。
24.图1描绘了设置在墙壁的一部分中的示例性等离子体观察口的等距视图。
25.图2描绘了图1的示例性等离子体观察口的等距分解图。
26.图3描绘了图2的示例性等离子体观察口的侧剖视图。
27.图4描绘了图1的示例性等离子体观察口的侧剖视图。
28.图5描绘了安装有如图1所示的等离子体观察口的半导体处理室的示意图。
29.图1至4在每个图中均按比例绘制,但是不同图的比例可能会有所不同。
具体实施方式
30.在以下描述中,阐述了许多具体细节以提供对本概念的透彻理解。本概念可在不具有某些或所有这些具体细节的情况下实施。在其他情况下,并未详细描述众所周知的处理操作,以免不必要地模糊所描述的概念。尽管一些概念是将结合特定实施方案而进行描述,但应当理解的是,这些实施方案并非意在进行限制。
31.在本技术中,术语“半导体晶片”、“晶片”、“衬底”、“晶片衬底”等能够互换使用。在
半导体设备工业中使用的晶片或衬底通常具有200mm、或300mm、或450mm的直径,但也可以是非圆形的和其他尺寸。除了半导体晶片外,其他可利用本发明的工件包括各种制品,例如印刷电路板、磁性记录介质、磁性记录感测器、镜、光学元件、微机械设备等。
32.如上所述,在一些半导体处理室中,等离子体观察口可以包括在室的侧壁(或其他壁)中,以使得能在半导体处理操作期间对处理室的内部进行视觉检查。特别地,这样的等离子体观察口可以被定位和配置成使得例如技术人员或工艺工程师之类的人员可以观察处理室内部以便目视检查处理室内部并评估容纳在室内的等离子体是否具有预期的外观。特别地,本文所讨论的等离子体观察口可特别适用于高温处理室,例如,在半导体处理操作期间用于支撑晶片的基座可以达到600℃至700℃的温度的室,在这样的处理操作期间在晶片上分配气体的喷头可以达到300℃至360℃的温度,例如350℃,并且在处理室内产生的等离子体可以达到约4500℃的温度。由于如此高的内部温度,以及可能由处理室内产生的等离子体释放的紫外线辐射的影响,等离子体观察口可能表现出使其不适合使用的增加的温度影响。
33.例如,半导体处理工具通常需要遵守某些性能要求,这些性能要求中的一些控制半导体处理工具的某些部分在正常处理操作期间可能达到的可接受的温度限度。例如,半导体处理工具的金属外表面可能要求不超过65℃,而半导体处理工具的塑料外表面可能要求不超过85℃。两个温度限度(可称为“触摸安全”或“安全触摸”温度限度)都被选择成使得用身体部位接触此类外表面的人在能够将身体部位从接触中撤出之前不会遭受皮肤灼伤,例如,人体接触长达5秒仍安全的温度。金属表面由于金属的较高热导率并且因此进入人体皮肤的热传递率更高,因而具有比塑料表面更低的阈值温度。例如,在85℃下触摸金属表面5秒钟可能会使足够的热能从金属表面传导到皮肤,从而可能发生灼伤,而在相同温度下触摸塑料表面相同的时间间隔可能由于塑料的导热率较低而不会导致足够的热能传导到皮肤中,从而不会导致灼伤。
34.在高温半导体处理室中,例如上述那些处理室中,产生的热量可能显著多于通常在半导体处理室内产生的典型热量。结果,用于这种处理室的等离子体观察口可能会经历比正常加热效应更大的加热效应,从而可能导致等离子体观察口的一个或多个部分达到可能导致等离子体观察口的部分失效和/或超过允许的安全触摸温度的温度。
35.本文提供了新的等离子体观察口设计,其可提供优异的耐高温热环境性。例如,图1描绘了设置在墙壁的一部分中的这种增强的示例等离子体观察口的等距视图。图1中提供的视图是从处理室的外部向内看到的视图,其中等离子体观察口100安装在处理室的壁102中。
36.图2描绘了图1的示例性等离子体观察口的等距分解图。可以看出,等离子体观察口100可以包括框架110,该框架110可以用于支撑间隔开配置的多个窗。例如,等离子体观察口100可以包括蓝宝石窗108、玻璃窗106和聚合物窗104,其中玻璃窗106置于蓝宝石窗108和聚合物窗104之间。
37.蓝宝石窗108可以定位为用作处理室内的处理气体环境与等离子体观察口的其余窗之间的屏障。蓝宝石(氧化铝)窗108例如可以提供耐化学腐蚀的透明表面,该表面可以保护例如玻璃窗106免受化学侵蚀,例如免受可能存在于处理室中的含氟处理气体的化学侵蚀。其他类型的材料也可以用于蓝宝石窗,包括例如铝镁氧化物(al2mgo4,也称为尖晶石,其
可以以光学透明的形式提供)。一般而言,窗108可以由在可见光谱中通常是透光的任何耐氟的、高温稳定的材料制成。在一些情况下,此类材料还可以在紫外光谱中至少部分地不透光(其可以包括显著降低的透射率但不是完全不透光)。例如,蓝宝石通常可以在至少80%的可见光谱(380nm至740nm)中透射80-90%的光,但这种透射率可能会随着紫外光谱中的波长而迅速降低,例如在300nm波长时为80%,200nm波长时为60%,150nm波长时为40%,在100nm波长的紫外光谱的底端时小于10%。蓝宝石还具有抗热冲击性,能够承受在650℃或更高的温度下的长时间暴露,并且具有化学惰性。在一些实施方案中,可以使用具有类似特性的其他材料,例如,具有一种或多种或两种或多种这样的特性,或这些特性的值与这些值相差在
±
10%或
±
20%内的材料。耐氟材料是指暴露于含氟环境时通常呈化学惰性的材料;这种材料在很长时间跨度内可能会发生一些降解,但它们通常能够在长时间(例如数年)暴露于氟环境中保留下来,而不会出现明显的降解。
38.例如,玻璃窗106可以是硼硅酸盐玻璃,例如schott n-bk7玻璃或其等价物,例如具有按重量计70%的二氧化硅、11.5%的氧化硼、9.5%的氧化钠、7.5%的氧化钾、1%的氧化钡,以及其余部分(该其余部分包括氧化钛、氧化钙和任何杂质)的组成的玻璃;另一种替代方案是钠钙玻璃。可以使用提供有效uv过滤同时提供对可见光的高透射率的各种其他合适的等效物。例如,可见光谱中的n-bk7玻璃透光率(对于3mm厚的窗)在350nm至2000nm波长范围内可能为约90%,但在325nm波长时可能迅速下降至80%,在300nm波长时为40%,在275nm时低于25%。n-bk7玻璃通常还可在高达约500℃的温度下保持稳定。在一些实施方案中可以使用具有类似特性的其他材料,例如,具有一种或多种或两种或更多种这样的特性,或这些特性的值与这些值相差在
±
10%或
±
20%内的材料。玻璃窗106可以用作紫外线过滤器,从而屏蔽在处理操作期间可能由等离子体释放的紫外线辐射。这种紫外线辐射可能导致对聚合物窗104的过度加热。具体而言,蓝宝石窗108可能使得大量紫外线辐射能穿过其透射,从而导致聚合物窗104接收大量紫外线辐射,这可能导致聚合物窗104的局部加热。聚合物窗的这种局部加热可以通过使用置于聚合物窗104和蓝宝石窗108之间的玻璃窗106来减少或减轻。硼硅酸盐玻璃,例如n-bk7,可能具有350nm至2000nm的最佳透射范围,在约270nm以下下降到不到20%。紫外线辐射的波长范围通常从400nm降至10nm,因此玻璃窗106如果由诸如bk7之类的玻璃制成,则可以起到屏蔽大量紫外线辐射的作用,从而降低传递到聚合物窗104的热能的量。
39.聚合物窗104可以用于多种用途。例如,聚合物窗104可以起到保护玻璃窗106和/或蓝宝石窗108免受撞击或其他潜在损坏的作用,可以提供可以透视的透明屏障,可以起到覆盖本来会暴露的金属框架110的作用,并且还可以为紫外线辐射提供最后一层屏蔽或过滤,从而保护操作员免受紫外线照射。因此,等离子体观察口的暴露于潜在人体接触的部分可以是聚合物窗104,其可以达到比金属框架110更高的触摸安全温度。聚合物窗可以由多种透明塑料中的任何一种制成,所述透明塑料包括例如聚碳酸酯、丙烯腈丁二烯苯乙烯、丙烯酸、苯乙烯甲基丙烯酸甲酯等。在一些实施方案中,聚合物窗104的尺寸可以设置为使得当沿垂直于聚合物窗104的平面(例如,聚合物窗104的主表面)的方向观察时与框架110完全重叠,从而确保不存在框架110可能暴露于人类触摸的部分。这样的聚合物窗可以由通常而言对可见光透光、对紫外光不透光并且与例如玻璃窗106的热导率相比具有相对低的热导率(例如,比玻璃窗106的热导率低50%、40%、30%、20%或更少)的材料制成。例如,一些
聚碳酸酯可以在可见光谱中提供80-90%之间的透射率并且对390nm波长范围和更低波长中提供的透光率为零,同时,与硼硅酸盐玻璃的热导率为~1.1w/mk相比,具有约0.2w/mk的热导率(《硼硅酸盐玻璃的20%)。降低的热导率可以降低来自聚合物窗的热量可以传递到可能与之接触的人的真皮的速率,从而为人提供足够的时间来退出与聚合物窗的接触而不会遭受灼伤。在一些情况下,窗108、窗106和窗104在本文中可以分别称为第一窗、第二窗和第三窗。
40.等离子体观察口100的各种窗中的一些可以使用各种o形环或类似的弹性体结构保持在合适位置和/或密封。例如,玻璃窗106可以通过第一o形环112轻轻压靠在框架110上。蓝宝石窗108进而可以通过第二o形环114抵靠在框架110上密封。第三o形环116可以设置在蓝宝石窗108的另一侧以允许蓝宝石窗108抵靠在例如半导体处理室的壁上密封。在一些实施方案中,第二o形环114也可用于将蓝宝石窗108加载抵靠在第三o形环116上而不导致与硬表面的接触。多个紧固件118可以穿过框架中的孔插入并且用于将框架固定到半导体处理室的壁中的适当尺寸的凹槽中。类似地,例如,聚合物窗104可以通过使用第二紧固件120固定在适当的位置。在一些实施方案中,用于将聚合物窗104固定在适当位置的紧固件可以是防篡改或防盗紧固件,或者至少是不太常见类型的紧固件,例如星点螺钉,例如梅花头(torx-head)螺钉,其可以被选择成该使其更难以拆卸等离子体观察口组件,从而降低以下风险:用户可能移除聚合物窗和玻璃窗,然后在没有玻璃窗的情况下重新组装等离子体观察口组件,从而失去玻璃窗的紫外线过滤功能。另外,在一些实施方案中,框架110可以具有可以跨越框架110的孔的穿孔网124。穿孔网124可以起到防止rf辐射从处理室逸出的作用,例如,很像法拉第笼。在一些实施方案中,例如如图所示,穿孔网124可以在蓝宝石窗108和玻璃窗106之间;在其他实施方案中,穿孔网124可以替代地位于玻璃窗106和聚合物窗104之间。
41.图3描绘了图2的示例性等离子体观察口的侧剖视图。如图3所示,框架110可以包括多个特征,包括供紧固件118穿过以允许框架110用螺栓固定到半导体处理室的壁中的插孔中的通孔,可以用作观察者可以通过其观察等离子体观察口100的开口的孔126,可以接收o形环(例如图3中的第二o形环114)的o形环槽或密封盖,以及可用于使包括在等离子体观察口100中的各种窗中的一些或全部居中并对其进行支撑的各种壁架和台阶。如前所述,其中框架可以包括的特征之一是穿孔网124,其可以具有穿过它的通孔122的图案。在所示示例中,图案是六边形或三角形格子图案(其中图案中的项目的中心可以定义正六边形的顶点的图案),但是可以使用其他孔图案(如果需要,孔也可以使用不同于圆形孔的形状)。
42.聚合物窗104可以设计成使得其具有用于每个紧固件118的间隙孔,以使得紧固件118能紧固而不必担心聚合物窗104会受到紧固件118的过度压缩,该过度压缩可能导致聚合物窗破裂或以其他方式失效。这允许紧固件118被扭转到以下水平:确保例如第二o形环114和第三o形环116被压缩到足以在等离子体观察口100周围提供足够的真空密封水平,使得大气气体不会被吸入处理室中。此外,通过将紧固件118完全插入聚合物窗104中,大大降低了人意外接触紧固件118的机会;这样的紧固件118可能不处于触摸安全温度,因此这降低了烧伤的风险。在一些实施方案中,聚合物窗可以在组件的其余部分安装在半导体处理室的壁中之后安装,并且用于紧固件118的聚合物窗中的孔可以是在安装时完全覆盖紧固件的盲孔,从而完全屏蔽它们与用户的接触。第一o形环112可用于将玻璃窗106保持在适当
位置,但不一定形成真空密封。也可以使用其他合适类型的固定装置以将玻璃窗106保持在适当位置;所描绘的o形环只是这样做的相对便宜的解决方案的一个示例。
43.在一些实施方案中,框架110可以具有一个或多个涂层表面,例如,使用硬质阳极化。例如,在一些实施方案中,框架的围绕或邻近蓝宝石窗的部分(或框架的可能与处理室内的大气接触的其他部分)可以涂有硬质阳极氧化涂层。这种涂层可以保护框架110免受化学侵蚀。
44.图4描绘了图1的示例性等离子体观察口的侧截面图。图4与图5基本相同,不同的是显示等离子体观察口100安装在墙壁102中的插孔142中。可以看出,插孔142可具有可限定开口的内部凸缘;开口的尺寸通常可以设定成与框架110的孔126大致相同,并且内部凸缘可以接触第三o形环116并且通过充当第三o形圈116的压缩表面来为蓝宝石窗108提供密封界面的部分。
45.图5描绘了安装有如图1所示的等离子体观察口的半导体处理室的示意图。在图5中,示出了具有壁102的半导体处理室128,其中安装有等离子体观察口100。处理室128还可以包括基座130,该基座130可以在喷头132下方支撑晶片134,喷头132可以充当与射频发生器136连接的电极。可以控制射频发生器136,例如,通过控制器控制,以向喷头132/电极提供功率,同时使喷头向晶片134上方的空间提供处理气体,以使等离子体140被激发。可以通过等离子体观察口100观察等离子体140。
46.虽然可以有多种不同的尺寸和纵横比用于落入本公开范围内的等离子体观察口的各种元件,但来自上述讨论的示例性等离子体观察口100的尺寸被设置为安装在10cm直径的插孔内;因此,聚合物窗104的尺寸被设定为在直径上比框架的最外边缘稍大,直径为10.6cm,并且可以为大约5.7mm厚。玻璃窗106例如可以是约7.5cm的直径和约4mm的厚度,而蓝宝石窗108可以是约8.2cm的直径和3.3mm的厚度。孔126可以具有约70mm的直径,并且聚合物窗104和玻璃窗106之间以及玻璃窗106和蓝宝石窗108之间的间隙可以分别为约3mm和10mm。穿孔网124中的通孔122可以具有约4mm或更小的直径。同样,应当理解,提供这样的尺寸仅仅是为了提供对示例实施方案的更完整描述,但是具有其他尺寸特征的其他实施方案也被认为在本公开的范围内。
47.包括如本文所述的等离子体观察口的半导体处理工具可以包括控制器,该控制器控制工具的各个方面,例如,射频发生器的激活、控制气体供应的阀的激活、用于放置和移除晶片的机械手等等。控制器可以是系统的一部分,该系统可以包括半导体处理设备,半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”,其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型,控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理,以及影响半导体处理的各种参数,例如处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
48.概括地说,控制器可以定义为电子器件,电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路
可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如,软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令,单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中,操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分,以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
49.在一些实施方案中,控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如,控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分,其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准,改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中,远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面,然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中,控制器接收数据形式的指令,其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解,参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型,控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此,如上所述,控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路,其组合以控制在室上的处理。
50.示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
51.如上所述,根据将由工具执行的一个或多个处理步骤,控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。
52.如本文所使用的术语“晶片”可指半导体晶片或衬底或其他类似类型的晶片或衬底。如本文所用的术语,晶片站可以指代半导体处理工具中的任何位置,在各种晶片处理操作或晶片转移操作中的任何一个期间可以将晶片放置在该位置中。晶片支撑件在本文中用于指代配置为接收和支撑半导体晶片的晶片站中的任何结构,例如基座、静电卡盘、晶片支撑架等。
53.除非另有说明,否则本文对“基本上”、“大约”等的引用可以理解为是指与所述值相差在
±
10%内的值或关系。例如,基本上彼此垂直的两个表面可以是真正垂直的,即彼此成90
°
、彼此成89
°
或91
°
,或甚至彼此成80
°
或100
°

54.还应理解,本文中序数标号的任何使用,例如(a)、(b)、(c)、...,仅用于组织目的,
并非旨在对每一序数标号相关联的项目传达任何特定的顺序或重要性。尽管如此,可能会有序数标号相关联的某些项目可能本就需要特定顺序的情况,例如,“(a)获取有关x的信息,(b)基于有关x的信息确定y,以及(c)获取有关z的信息”;在此示例中,(a)需在(b)之前被执行,因为(b)依赖于(a)-(c)中所获取的信息,然而可在(a)和/或(b)中任一者之前或之后执行。
55.应当理解的是,例如词句“对于该一或更多<项目>中的每一<项目>”或“每一<项目>的(of each《item》)”中(如果用于本文中)词语“每一”的使用,应理解为包括单个项目组及多个项目组两者,即,使用词语“对...每一者(for

each)”的含义是,在程序语言中使用其来指称所指全部项目群中的每一项目。例如,如果所指的项目群是单个项目,则“每一”将仅指该单个项目(尽管事实上“每一”的字典定义经常是定义为指“两个或更多事物中的每一者”),并不意味必须有这些项目中的至少两者。类似地,当所选项目可具有一或更多子项目并对这些子项目中的一者作出选择时,应理解的是,在所选项目具有一个且只有一个子项目的情况中,选择该一个子项目本来就是选择该项目本身。
56.还应理解,提及总体上被配置为执行多种功能的多个控制器,旨在涵盖这些控制器中仅有一者配置成执行所公开或讨论的所有功能的情况,以及各种控制器各自执行所讨论功能的子部分的情况。
57.对本公开中所述实施方案的各种修改对本领域技术人员而言是显而易见的,且本文中所定义的一般原理在不背离本发明的精神或范围下可应用于其他实施方案。因此,权利要求不是用于限制于本文所呈现的实施方案,而是应被赋予符合本文所公开的本公开、原理及新颖特征的最宽广范围。
58.在分开的实施方案背景下描述了在本说明书中的某些特征也可以在单个实施方案中以组合形式实施。相反,在单一实施方案背景下描述的各种特征也可分开在多个实施方案中或以任何合适的子组合来实施。此外,虽然上文可能将特征描述为以某些组合作用并且甚至最初是如此主张,但来自所主张的组合的一或更多特征在一些情况中可从该组合中删去,且所主张的组合可以针对子组合或子组合的变化。
再多了解一些

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