三维存储器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上交替堆叠绝缘层和牺牲层，以形成具有台阶区域的叠层结构；在所述台阶区域的每个台阶上形成凸起结构，各个所述凸起结构与其上方相邻台阶之间存在第一接触孔，并包括中心绝缘层以及包围所述中心绝缘层的连接牺牲层；在所述第一接触孔内以及每个所述凸起结构上方沉积第二绝缘层；形成覆盖所述第二绝缘层的填充介质层和贯穿所述填充介质层及所述叠层结构并延伸至所述衬底的多个虚拟沟道结构；以及去除所述牺牲层和所述连接牺牲层，形成栅极间隙和回字形连接间隙，其中，所述连接间隙位于所述虚拟沟道结构、所述第二绝缘层、所述绝缘层与所述中心绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述栅极间隙和所述连接间隙内填充导电材料，形成栅极层和连接层；以及形成贯穿所述填充介质层和所述第二绝缘层并与所述连接层电连接的导电触点。3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述牺牲层和所述连接牺牲层的步骤包括：形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的栅线缝隙，并经由所述栅线缝隙去除所述牺牲层和所述连接牺牲层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成栅极层和连接层之前，所述方法还包括：在所述栅线缝隙的内壁、所述栅极间隙的内壁以及所述连接间隙的内壁分别依次形成高介电常数层和粘接层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述导电触点的底部位于所述连接层、所述中心绝缘层或者所述粘接层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述台阶区域的每个台阶上形成凸起结构的步骤包括：对所述台阶区域的所述绝缘层进行处理，形成第一绝缘层并在所述叠层结构上方形成第一牺牲层；在每个所述台阶的端部形成至少贯穿所述第一牺牲层的第一接触孔；经由所述第一接触孔，对每个所述台阶上的所述第一绝缘层进行刻蚀形成凹槽和中心绝缘层；在所述凹槽内部、所述第一接触孔的内壁以及每个所述台阶上沉积第二牺牲层；以及去除所述第二牺牲层位于所述第一接触孔的内壁以及所述叠层结构上方的部分。7.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述虚拟沟道结构分别位于每个所述台阶的端部，且与所述台阶一一对应。8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法还包括：去除所述栅线缝隙侧壁上的所述粘合层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：在去除所述栅线缝隙侧壁上的所述粘合层后，对所述栅线缝隙进行填充，以形成栅线缝隙结构。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道孔；以及在所述沟道孔的内壁上依次形成功能层和沟道层，并在所述沟道孔内填充绝缘材料，
以形成沟道结构。11.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：衬底；叠层结构，设置于所述衬底的一侧，并包括具有交替堆叠绝缘层和栅极层的台阶区域；以及外围接触结构，包括位于所述台阶区域的每个台阶的端部并与所述栅极层连接的回字形连接结构，其中，所述回字形连接结构包括中心绝缘层以及包围所述中心绝缘层的连接层。12.根据权利要求11所述的三维存储器，其中，所述外围接触结构还包括：位于所述回字形连接结构上方的第二绝缘层以及覆盖所述第二绝缘层的填充介质层。13.根据权利要求12所述的三维存储器，其中，所述外围接触结构还包括：贯穿所述填充介质层及所述叠层结构并延伸至所述衬底的多个虚拟沟道结构。14.根据权利要求13所述的三维存储器，其中，所述外围接触结构还包括：位于所述虚拟沟道结构之间、贯穿所述填充介质层和所述第二绝缘层并与所述连接层电连接的导电触点。15.根据权利要求14所述的三维存储器，其中，所述回字形连接结构还包括：位于所述中心绝缘层与所述连接层之间的高介电常数层和粘接层，其中，所述粘接层与所述中心绝缘层接触。16.根据权利要求15所述的三维存储器，其中，所述导电触点的底部位于所述连接层、所述中心绝缘层或者所述粘接层。17.根据权利要求13所述的三维存储器，其中，所述多个虚拟沟道结构分别位于每个所述台阶的端部，且与所述台阶一一对应。18.根据权利要求11所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的栅线缝隙结构。19.根据权利要求11所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：沟道结构，贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底，并包括绝缘芯部以及依次围绕所述绝缘芯部的沟道层和功能层。

技术总结
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上交替堆叠绝缘层和牺牲层，以形成具有台阶区域的叠层结构；在台阶区域的每个台阶上形成凸起结构，各个凸起结构与其上方相邻台阶之间存在第一接触孔，并包括中心绝缘层以及包围中心绝缘层的连接牺牲层；在第一接触孔内以及每个凸起结构上方沉积第二绝缘层；形成覆盖第二绝缘层的填充介质层和贯穿填充介质层及叠层结构并延伸至衬底的多个虚拟沟道结构；以及去除牺牲层和连接牺牲层形成栅极间隙和回字形连接间隙，其中连接间隙位于虚拟沟道结构、第二绝缘层、绝缘层与中心绝缘层之间。心绝缘层之间。心绝缘层之间。


技术研发人员：张坤 吴林春
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/4/5