电学失效分析方法及相关装置与流程

1.本发明实施例涉及集成电路领域，具体涉及一种电学失效分析方法及相关装置。


背景技术：

2.电学失效分析(efa)是最为常规的捕捉芯片缺陷的方式，其中扫描链诊断(scan诊断)又是目前针对复杂大型芯片最为常见的分析方式，扫描链诊断(scan诊断)按照测试频率的差异又分为低频测试(dc-scan)和高频测试(ac-scan)两大类，伴随着制造工艺向深微米的递进，芯片工作频率逐渐加快，高阻性通路的阻性问题导致的高速功能异常变得越发普遍，原有低频测试(dc-scan)通过的芯片在高工作频率下会出现各种问题，因此，在原有低频测试(dc-scan)已无法捕捉所有缺陷的背景下，高频测试(ac-scan)得以广泛运用，低频测试(dc-scan)测试项目逐渐减少。
3.然而，即使如此，在测试结果中，低频失效(dc-scan)主导的die(晶粒)数量仍然较大，从而导致低频测试(dc-scan)失效数据占主导，淹没高频测试(ac-scan)失效数据，使得高频测试(ac-scan)失效数据在电学失效分析时所起的作用无法准确体现，影响高频测试(ac-scan)电学失效分析的准确性。
4.因此，如何提高高频测试电学失效分析的准确性，就成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术实施例提供的电学失效分析方法，可以保证在电学失效分析时，高频测试失效数据不会被低频测试失效数据所淹没，提高高频测试电学失效分析的准确性。
6.为实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案。
7.第一方面，本技术实施例提供一种电学失效分析方法，包括：
8.获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；
9.根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；
10.获取当前高频主导失效权重值；
11.根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
12.第二方面，本技术实施例提供一种电学失效分析装置，包括：
13.失效日志获取模块，适于获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；
14.失效晶粒确定模块，适于根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；
15.高频主导失效权重值获取模块，适于获取当前高频主导失效权重值；
16.最大失效影响层获取模块，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
17.第三方面，本技术实施例提供一种存储介质，所述存储介质存储有适于电学失效分析的程序，以实现如第一方面所述的电学失效分析方法。
18.第四方面，本技术实施例提供一种电子设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储有程序，所述处理器调用所述程序，以执行如第一方面所述的电学失效分析方法。
19.本技术实施例提供的电学失效分析方法，在进行电学失效分析时，首先获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；然后根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；接着获取当前高频主导失效权重值；最后根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，并进一步根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足预定偏差阈值，从而获取到与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
20.这样，本技术实施例提供的电学失效分析方法，根据晶圆的各个失效晶粒的失效日志确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，实现将各个高频主导失效数据和各个低频主导失效数据区分开来，然后根据晶圆的各个所述结构层的设计尺寸、以及各个高频主导失效晶粒的失效尺寸结合当前高频主导失效权重值进行权重调整后、和不进行权重调整的各个低频主导失效晶粒的失效尺寸，获取到失效偏差值，这样，各个低频主导失效晶粒的失效尺寸的加入，可以保证在做电学失效分析时所需要的数据量，同时可以在获取失效偏差值时，通过当前高频主导失效权重值，提高高频失效尺寸的权重，再结合预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，使高频主导失效数据突显出来，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，进而通过获取最大失效偏差值，得到与所述最大失效偏差值相对应的最大失效影响层，得到准确地造成晶粒失效的结构层。可以看出，本技术实施例所提供的电学失效分析方法，可以利用低频测试主导失效数据保证数据量的足够，并且还可以使高频测试主导失效数据突显出来，而不会被低频测试失效数据所淹没，充分显示高频测试失效数据的影响，提高高频测试电学失效分析的准确性。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
22.图1为现有技术中高频测试失效数据被淹没的说明示意图；
23.图2为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的流程示意图；
24.图3为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种失效日志的获取流程示意图；
25.图4为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的失效晶粒分类示意图；
26.图5为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的失效偏差值的获取流程示意图；
27.图6为本技术实施例提供的电学失效分析装置框图。
具体实施方式
28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
29.结合前述论述可知，在电学失效分析时，高频测试(ac-scan)失效数据会被淹没，使得高频测试(ac-scan)失效数据在电学失效分析时所起的作用无法准确体现，影响高频测试(ac-scan)电学失效分析的准确性。
30.请参考图1，图1为现有技术中高频测试失效数据被淹没的说明示意图。
31.如图中所示，其中m1、m3、k2、g1仅为结构层示例，当高频测试失效数据未被淹没时(只有高频失效数据时，即图1中的中间表格)，结构层g1的失效尺寸最大(100)，g1的失效比例也最大，相应的，g1的失效偏差值也最大，通过数据分析，可以看出，结构层g1失效的概率最大，也就是结构层g1是造成晶粒失效的主要原因。
32.而当低频失效数据加入时(高频失效数据、低频失效数据都包括时，即图中最下方的表格)，如图中可知，总失效尺寸中，变成了结构层m3的失效尺寸最大(142)，m3的总失效比例也最大，相应的，m3的总失效偏差值也最大，通过数据分析，变成了结构层m3失效的概率最大，也就是结构层m3是造成晶粒失效的主要原因。
33.可见，由于低频失效数据的加入，使得高频失效数据被淹没，使得高频测试失效数据在电学失效分析时所起的作用降低，无法准确体现，影响了高频测试电学失效分析的准确性。
34.为此，本技术实施例提供了一种电学失效分析方法，请参考图2，图2为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的流程示意图。
35.如图中所示，本技术实施例所提供电学失效分析方法，包括如下步骤：
36.步骤s20：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志。
37.容易理解的是，在做失效分析之前，首先要利用晶圆测试的测试项目，对晶圆进行测试，根据测试结果，得到晶圆的各个失效晶粒，然后获取到晶圆的各个失效晶粒的失效日
志，用于失效分析。
38.在具体的实施例中，可以利用ate测试机台对晶圆进行测试，并且进行失效日志收集，可以利用各种eda失效分析工具对失效日志进行分析，本技术并不限定晶圆测试、失效日志收集以及失效日志分析的工具使用，在不同的实施例中可以采用适合的工具完成上述工作。
39.伴随着对量产晶圆测试模式升级以及对测试时间优化的需求，在现有的晶圆测试项目中，会逐渐精简低频测试(dc-scan)的测试项目，将一些测试项目从原有的低频测试(dc-scan)测试项目中删除，因此，在一种具体的实施例中，本技术可以按照现有的晶圆测试项目，获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志。
40.但由于低频测试(dc-scan)的测试项目被删除，引起低频测试的测试数据不足，有可能导致某些低频测试失效的晶粒被错误归类为高频测试失效的晶粒，进而影响了高频测试电学失效分析的准确性，因此，为了保证对失效晶粒归类的准确性，本技术实施例还提供另一种电学失效分析方法，请参考图3，图3为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种失效日志的获取流程示意图，由图中可知，本技术实施例所提供的电学失效分析方法的获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志的步骤可以包括：
41.步骤s30：利用晶圆测试的测试项目，对所述晶圆进行测试，获取各个失效晶粒和所述各个失效晶粒的第一失效日志，所述测试项目中的低频测试项目少于高频测试项目。
42.首先利用现有的晶圆测试的测试项目，对所述晶圆进行测试，获取各个失效晶粒和所述各个失效晶粒的第一失效日志，因为现有的晶圆测试的测试项目中有一些低频测试(dc-scan)的测试项目被删除，因此，测试项目中的低频测试项目少于高频测试项目。
43.步骤s31：补充所述低频测试项目。
44.因为低频测试(dc-scan)的测试项目被删除，引起低频测试的测试数据不足，有可能导致某些低频测试失效的晶粒被错误归类为高频测试失效的晶粒，所以，为了不影响高频测试电学失效分析的准确性，可以补充低频测试(dc-scan)的测试项目。
45.在一种具体的实施例中，补充所述低频测试项目的步骤包括：按照所述高频测试项目补充所述低频测试项目。
46.这样，不仅可以使低频测试项目更加完备，而且对于低频测试项目的补充也比较简单，从而可以很简单地实现测试结果更加准确，保证电学失效分析的准确性。
47.步骤s32：根据补充的所述低频测试项目对所述各个失效晶粒进行第二测试，获取所述各个失效晶粒的第二失效日志。
48.完成低频测试项目的补充之后，再根据补充的低频测试项目对前述获取的各个失效晶粒进行第二测试，从而可以获取各个失效晶粒的第二失效日志。
49.步骤s33：根据所述第一失效日志和所述第二失效日志获取所述各个失效晶粒的失效日志。
50.得到各个失效晶粒的第一失效日志和第二失效日志之后，将第一失效日志和第二失效日志合并起来，即为所需的各个失效晶粒的失效日志。
51.这样，首先根据现有低频测试项目获取到各个失效晶粒的第一失效日志，然后对低频测试项目进行补充，根据补充的低频测试项目获取各个失效晶粒的第二失效日志，最后得到的各个失效晶粒的失效日志，一方面，可以使低频测试项目更加完备，避免由于低频
测试项目的缺失而造成的错误，进一步保证高频测试电学失效分析的准确性；另一方面，仅对得到的失效晶粒进行补充的低频测试项目的测试，可以在满足测试准确性的基础上，减少测试所需的工作量。
52.当然，在另一种具体实施方式中，为了保证对失效晶粒归类的准确性，还可以在测试之前对低频测试项目进行补充，然后再进行晶圆测试，从而也可以保证低频测试项目的完备性，进而避免由于低频测试项目的缺失而造成的错误，提高高频测试电学失效分析的准确性。
53.从而，基于上述方法，就可以得到晶圆的各个失效晶粒的失效日志，并继续进行电学失效分析。
54.为此，请继续参考图2，步骤s21：根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒。
55.在获取了各个失效晶粒的失效日志之后，根据各个失效日志中的高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，在一种具体的实施例中，可以利用编写好的软件脚本，实现将各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒标记区分开来，保证区分的准确性的同时，提高高频主导失效晶粒和低频主导失效晶粒的获取效率。
56.在一种具体的实施例中，为了方便实现高频主导失效晶粒和低频主导失效晶粒的确定，根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒的步骤可以包括：
57.当所述失效晶粒的所述低频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为低频主导失效晶粒；当所述失效晶粒的所述低频测试结果为通过，但所述失效晶粒的所述高频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为高频主导失效晶粒。
58.在具体的测试过程中，如果某个晶粒的低频测试失败，那么这个晶粒的高频测试也会失败，但此时晶粒测试失败的主要原因是低频测试失败，所以，可以根据失效晶粒的各个所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，对失效晶粒进行分类标记，当测试结果为低频测试失败时，可以将失效晶粒确定标注为低频主导失效晶粒，当测试结果为低频测试通过、但高频测试失败时，可以将失效晶粒确定标注为高频主导失效晶粒。
59.请参考图4，图4为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的失效晶粒分类示意图。
60.在一种具体的实施例中，如图中所示，首先对晶圆进行测试，其中高频测试项目和低频测试项目相同，然后，根据测试结果对失效晶粒进行分类，如果某个晶粒的低频测试失败，那么这个晶粒的高频测试也会失败，因此，当测试结果为低频测试失败时，可以将该失效晶粒确定标注为低频主导失效晶粒c，当测试结果为低频测试通过、但高频测试失败时，可以将失效晶粒确定标注为高频主导失效晶粒b，需要说明的是，图4仅为失效晶粒分类方法示例，本技术并不限制失效晶粒分类的方法，在不同的实施例中，可以采用其它适当的分类方法。
61.通过对失效晶粒进行分类，可以容易的区分失效晶粒的失效原因，也可以为本技术后续实施步骤的完成提供基础。
62.步骤s22：获取当前高频主导失效权重值。
63.在确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒后，获取当前高频主导失效权重值，可以在后续计算失效偏差值时，为各个高频主导失效晶粒的各个失效日志中各个结构层的高频失效尺寸增加权重，使高频测试失效数据突显出来，不被低频测试失效数据淹没，从而提高高频测试(ac-scan)电学失效分析的准确性。
64.本技术并不限制当前高频主导失效权重值的获取方式，在不同的实施例中，可以采用不同的当前高频主导失效权重值的获取方法。
65.步骤s23：根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值。
66.在获取了晶圆的各个失效晶粒的失效日志、并且根据失效晶粒的各个失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定了各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒、以及获取了当前高频主导失效权重值之后，就可以根据各个高频主导失效晶粒的失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个低频主导失效晶粒的失效日志中各个结构层的低频失效尺寸、当前高频主导失效权重值和晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，其中晶圆结构层与晶粒的结构层相同。
67.请参考图5，图5为本技术实施例提供的电学失效分析方法的一种可选的失效偏差值的获取流程示意图。
68.如图中所示，获取各个所述结构层的失效偏差值的步骤包括：
69.步骤s50：根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例。
70.为了获取晶圆的各个结构层的失效尺寸比例，首先要根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，然后根据各个结构层失效尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例。
71.而获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸的步骤具体可以包括：
72.获取各个所述高频主导失效晶粒的同一所述结构层的高频失效尺寸之和，得到各个结构层高频失效尺寸，获取各个所述低频主导失效晶粒的同一所述结构层的低频失效尺寸之和，得到各个结构层低频失效尺寸；
73.根据各个所述结构层高频失效尺寸和所述当前高频主导失效权重值，获取各个结构层高频失效权重尺寸；
74.根据同一结构层的所述结构层高频失效权重尺寸和所述结构层低频失效尺寸，获取结构层失效尺寸，得到各个结构层的结构层失效尺寸。
75.为清楚说明上述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例的获取步骤，现举例说明：以结构层m1-m3层为例进行说明，其中结构层m1-m3层仅为示例，在不同的实施例中，可以用其它适合的结构层表示。
76.1)、获取各个所述高频主导失效晶粒的同一所述结构层的高频失效尺寸之和，得到各个结构层高频失效尺寸，即：根据失效日志中各个失效晶粒的高频失效尺寸，按照以下
公式，计算各个结构层高频失效尺寸。
[0077][0078]
公式所得结果即为m1结构层高频失效尺寸，其中scan_ac_main即某个高频主导失效晶粒的失效尺寸，通过将m1结构层各个高频主导失效晶粒的失效尺寸进行求和，就可以得到m1结构层高频失效尺寸，容易理解的是，基于相同的方法，就可以计算出m2、m3结构层的高频失效尺寸。
[0079]
2)、获取各个所述低频主导失效晶粒的同一所述结构层的低频失效尺寸之和，得到各个结构层低频失效尺寸，即：根据失效日志中各个失效晶粒的低频失效尺寸，按照以下公式，计算各个结构层低频失效尺寸。
[0080][0081]
公式所得结果即为m1结构层低频失效尺寸，其中scan_dc_main即某个低频主导失效晶粒的失效尺寸，通过将m1结构层各个低频主导失效晶粒的失效尺寸进行求和，就可以得到m1结构层低频失效尺寸，容易理解的是，基于相同的方法，就可以计算出m2、m3结构层的低频失效尺寸。
[0082]
3)、假设当前高频主导失效权重值为α，根据各个所述结构层高频失效尺寸和所述当前高频主导失效权重值，获取各个结构层高频失效权重尺寸，即按照以下公式，计算各个结构层高频失效权重尺寸：
[0083][0084]
公式所得结果即为m1结构层高频失效权重尺寸，基于相同的方法，就可以计算出m2、m3结构层的高频失效权重尺寸。
[0085]
4)、根据同一结构层的所述结构层高频失效权重尺寸和所述结构层低频失效尺寸，获取结构层失效尺寸，得到各个结构层的结构层失效尺寸，即按照以下公式，计算各个结构层的结构层失效尺寸：
[0086][0087]
公式中，f1即为晶圆m1结构层的结构层失效尺寸，同样可以计算出晶圆m2、m3结构层的结构层失效尺寸f2、f3。
[0088][0089][0090]
可见，获取到的晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸中包含了当前高频主导失效权重值，这样就可以获得增加了权重的各个结构层高频失效权重尺寸，进而可以使高频测试失效数据突显出来，不被低频测试失效数据淹没。
[0091]
5)、获取晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，然后根据各个结构层失效尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例，即按照以下公式，计算所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例：
[0092]
f1_p＝(f1/(f1 f2 f3))*100％
[0093]
f2_p＝(f2/(f1 f2 f3))*100％
[0094]
f3_p＝(f3/(f1 f2 f3))*100％
[0095]
这样，通过晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，就得到了晶圆的各个结构层的失效尺寸比例，为进一步计算各个结构层的失效偏差值提供了基础。
[0096]
步骤s51：根据所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的设计尺寸比例。
[0097]
假设晶圆m1-m3结构层的设计尺寸为d1-d3，那么各个结构层的设计尺寸比例为：
[0098]
d1_p＝(d1/(d1 d2 d3))*100％
[0099]
d2_p＝(d2/(d1 d2 d3))*100％
[0100]
d3_p＝(d3/(d1 d2 d3))*100％
[0101]
步骤s52：根据同一结构层的所述失效尺寸比例和所述设计尺寸比例，获取所述结构层的所述失效偏差值，得到各个所述失效偏差值，即结构层m1-m3的失效偏差值gap1-gap3为：
[0102]
gap1＝f1_p-d1_p
[0103]
gap2＝f2_p-d2_p
[0104]
gap3＝f3_p-d3_p
[0105]
可见，根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，最终可以获取各个结构层的失效偏差值，进而可以根据各个结构层的失效偏差值对晶圆各个结构层的失效情况进行进一步的分析，从而获得所需要高质量的高频测试电学失效分析结果。
[0106]
得到失效偏差值后，进一步执行步骤s24：判断是否至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，若否，执行步骤s25，若是，执行步骤s26。
[0107]
得到各个结构层的失效偏差值后，判断失效偏差值是否满足预定偏差阈值。
[0108]
其中预定偏差阈值可采用实际的失效分析工具中预定的阈值要求，例如eda失效分析工具中ye工具结合实际验证来看预定偏差阈值为10％以上为佳，本技术并不限制预定偏差阈值的取值，在不同的实施例中，采用不同的失效分析工具，可以选取适合的预定偏差阈值。
[0109]
当满足预定偏差阈值时，说明可以根据失效偏差值确定最大失效影响层，否则，需要继续调整当前高频主导失效权重值，即执行步骤s25。
[0110]
步骤s25：根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，并继续执行步骤s23。
[0111]
通过调整当前高频主导失效权重值，继续执行步骤s23，得到不同的各个结构层高频失效权重尺寸，进而得到不同的晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，进一步计算各个结构层的失效尺寸比例。
[0112]
具体地，当前高频主导失效权重值的调整可以根据失效偏差值和预定偏差阈值的关系调整，当各个失效偏差值和预定偏差阈值差距较大时，可以使得调整后的当前高频主导失效权重值与初步确定的当前高频主导失效权重值差距大一些，当至少一个失效偏差值和预定偏差阈值差距较小时，也可以使调整的幅度小一些。
[0113]
步骤s26：获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
[0114]
当至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值时，就可以获取最大的失效偏差值，以及与最大的失效偏差值对应的最大失效影响层。
[0115]
容易理解的是，最大失效影响层即为最大的失效偏差值所对应的结构层，即对失效造成最大影响的结构层，从而可以对该结构层的进一步进行更细致的分析。
[0116]
这样，在获取了各个所述结构层的失效偏差值之后，可以根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
[0117]
在一种具体的实施例中，为了方便进行当前高频主导失效权重值的获取和调整，所述获取当前高频主导失效权重值的步骤包括：
[0118]
在预定高频主导失效权重值范围内，随机选择高频主导失效权重值作为所述当前高频主导失效权重值；
[0119]
所述根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值的步骤可以包括：
[0120]
当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，增大所述当前高频主导失效权重值。
[0121]
在一种具体的实施例中，预定高频主导失效权重值范围可以为1-10，本技术也并不限制高频主导失效权重值的范围，在不同的实施例中，可以采用其它适合的高频主导失效权重值的范围。
[0122]
为清楚的说明调整所述当前高频主导失效权重值的步骤，继续结合上文中的例子，以预定高频主导失效权重值范围为1-10、预定偏差阈值为10％为例进行说明。
[0123]
首先，在预定高频主导失效权重值范围1-10内，随机选择高频主导失效权重值作为所述当前高频主导失效权重值，然后根据失效偏差值的计算公式调整f1-f3中的当前高频主导失效权重值α，当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，增大所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，此时就可以获取到与所述最大失效偏差值相对应的最大失效影响层，而该最大失效影响层即为高频测试失效所对应的最大失效影响层。
[0124]
可见，通过前述对当前高频主导失效权重值的调整方式，可以较为快速地为各个结构层的高频失效尺寸增加权重，使高频测试失效数据更快地突显出来，由此可以准确的获取高频测试失效所对应最大失效影响层，从而进一步的根据所获取的最大失效影响层获取高质量的高频测试电学失效分析结果。
[0125]
在另一种具体的实施例中，为了方便进行当前高频主导失效权重值的获取和调整，所述获取当前高频主导失效权重值的步骤包括：
[0126]
确定预定高频主导失效权重值范围内的最小值为所述当前高频主导失效权重值；
[0127]
所述根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值的步骤包括：
[0128]
当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，按照预定增量，增大所述当前高频主导失效权重值。
[0129]
继续结合上文中的例子，以预定高频主导失效权重值范围为1-10、预定偏差阈值
为10％为例进行说明。
[0130]
首先，在预定高频主导失效权重值范围1-10内，选取预定高频主导失效权重值范围内的最小值1为所述当前高频主导失效权重值，然后根据失效偏差值的计算公式调整f1-f3中的当前高频主导失效权重值α，当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，按照预定增量，增大所述当前高频主导失效权重值。
[0131]
在不同的实施例中，可以按照不同的预定增量来增大当前高频主导失效权重值，例如在一种具体的实施例中，可以采用预定增量为0.1来逐步增大当前高频主导失效权重值，直至一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，此时就可以获取到与所述失效偏差值相对应的最大失效影响层，而该最大失效影响层即为高频测试失效所对应最大失效影响层。
[0132]
在另一种具体的实施例中，可以采用较大的例如大于5的预定增量来增大当前高频主导失效权重值，此时由于采用了较大的预定增量，因此有可能得到的各个失效偏差值中，已经有至少一个结构层的失效偏差值满足所述预定偏差阈值，此时就可以获取到与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
[0133]
可见，采取不同的调整方法，可以使得当前高频主导失效权重值调整方法更加灵活多样，并且，如果采用较大的预定增量来增大当前高频主导失效权重值，有可能一次性就获取到至少一个结构层的失效偏差值满足所述预定偏差阈值，使得失效偏差值的获取更为简便、快捷，也由此可以更快的获取到最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层，从而可以更快的根据所获取的最大失效影响层获取高质量的高频测试电学失效分析结果。
[0134]
综上所述，本技术实施例提供的电学失效分析方法，根据晶圆的各个失效晶粒的失效日志确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，实现将各个高频主导失效数据和各个低频主导失效数据区分开来，然后根据晶圆的各个所述结构层的设计尺寸、以及各个高频主导失效晶粒的失效尺寸结合当前高频主导失效权重值进行权重调整后、和不进行权重调整的各个低频主导失效晶粒的失效尺寸，获取到失效偏差值，这样，各个低频主导失效晶粒的失效尺寸的加入，可以保证在做电学失效分析时所需要的数据量，同时可以在获取失效偏差值时，通过当前高频主导失效权重值，提高高频失效尺寸的权重，再结合预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，使高频主导失效数据突显出来，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，进而通过获取最大失效偏差值，得到与所述最大失效偏差值相对应的最大失效影响层，得到准确地造成晶粒失效的结构层。可以看出，本技术实施例所提供的电学失效分析方法，可以利用低频测试主导失效数据保证数据量的足够，并且还可以使高频测试主导失效数据突显出来，而不会被低频测试失效数据所淹没，充分显示高频测试失效数据的影响，提高高频测试电学失效分析的准确性。
[0135]
本技术实施例还提供一种电学失效分析装置，下面对本技术实施例提供的电学失效分析装置进行介绍，下文描述的电学失效分析装置可以认为是，电子设备(如：pc)为分别实现本技术实施例提供的电学失效分析方法所需设置的功能模块架构。下文描述的电学失效分析装置的内容，可与上文描述的电学失效分析方法的内容相互对应参照。
[0136]
在一种具体的实施例中，请参考图6，图6为本技术实施例提供的电学失效分析装置框图，该装置可以包括：
[0137]
失效日志获取模块60，适于获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；
[0138]
失效晶粒确定模块61，适于根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；
[0139]
高频主导失效权重值获取模块62，适于获取当前高频主导失效权重值；
[0140]
最大失效影响层获取模块63，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。
[0141]
在一些实施例中，失效日志获取模块60包括：
[0142]
第一失效日志获取单元，适于利用晶圆测试的测试项目，对所述晶圆进行测试，获取各个失效晶粒和所述各个失效晶粒的第一失效日志，所述测试项目中的低频测试项目少于高频测试项目；
[0143]
补充单元，适于补充所述低频测试项目；
[0144]
第二失效日志获取单元，适于根据补充的所述低频测试项目对所述各个失效晶粒进行第二测试，获取所述各个失效晶粒的第二失效日志；
[0145]
失效日志获取单元，适于根据所述第一失效日志和所述第二失效日志获取所述各个失效晶粒的失效日志。
[0146]
在进一步的一些实施例中，补充单元，适于补充所述低频测试项目包括：
[0147]
按照所述高频测试项目补充所述低频测试项目。
[0148]
在一些实施例中，失效晶粒确定模块61，适于根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，包括：
[0149]
当所述失效晶粒的所述低频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为低频主导失效晶粒；
[0150]
当所述失效晶粒的所述低频测试结果为通过，但所述失效晶粒的所述高频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为高频主导失效晶粒。
[0151]
在一些实施例中，最大失效影响层获取模块63，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，包括：
[0152]
根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例；
[0153]
根据所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的设计尺寸比例；
[0154]
根据同一结构层的所述失效尺寸比例和所述设计尺寸比例，获取所述结构层的所述失效偏差值，得到各个所述失效偏差值。
[0155]
在进一步的一些实施例中，最大失效影响层获取模块63，适于根据各个所述高频
主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例，包括：
[0156]
根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸；
[0157]
根据各个结构层失效尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例。
[0158]
在进一步的一些实施例中，最大失效影响层获取模块63，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，包括：
[0159]
获取各个所述高频主导失效晶粒的同一所述结构层的高频失效尺寸之和，得到各个结构层高频失效尺寸，获取各个所述低频主导失效晶粒的同一所述结构层的低频失效尺寸之和，得到各个结构层低频失效尺寸；
[0160]
根据各个所述结构层高频失效尺寸和所述当前高频主导失效权重值，获取各个结构层高频失效权重尺寸；
[0161]
根据同一结构层的所述结构层高频失效权重尺寸和所述结构层低频失效尺寸，获取结构层失效尺寸，得到各个结构层的结构层失效尺寸。
[0162]
在一些实施例中，高频主导失效权重值获取模块62，适于获取当前高频主导失效权重值，包括：
[0163]
在预定高频主导失效权重值范围内，随机选择高频主导失效权重值作为所述当前高频主导失效权重值；
[0164]
所述最大失效影响层获取模块63，适于根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，包括：
[0165]
当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，增大所述当前高频主导失效权重值。
[0166]
在一些实施例中，高频主导失效权重值获取模块62，适于获取当前高频主导失效权重值，包括：
[0167]
确定预定高频主导失效权重值范围内的最小值为所述当前高频主导失效权重值；
[0168]
所述最大失效影响层获取模块63，适于根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，包括：
[0169]
当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，按照预定增量，增大所述当前高频主导失效权重值。
[0170]
可以看出，本技术实施例提供的电学失效分析装置，根据晶圆的各个失效晶粒的失效日志确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，实现将各个高频主导失效数据和各个低频主导失效数据区分开来，然后根据晶圆的各个所述结构层的设计尺寸、以及各个高频主导失效晶粒的失效尺寸结合当前高频主导失效权重值进行权重调整后、和不进行权重调整的各个低频主导失效晶粒的失效尺寸，获取到失效偏差值，这样，各个低频主导失效晶粒的失效尺寸的加入，可以保证在做电学失效分析时所需要的数据量，同时可以
在获取失效偏差值时，通过当前高频主导失效权重值，提高高频失效尺寸的权重，再结合预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，使高频主导失效数据突显出来，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，进而通过获取最大失效偏差值，得到与所述最大失效偏差值相对应的最大失效影响层，得到准确地造成晶粒失效的结构层。本技术实施例所提供的电学失效分析装置，可以利用低频测试主导失效数据保证数据量的足够，并且还可以使高频主导失效数据突显出来，而不会被低频测试失效数据所淹没，充分显示高频测试失效数据的影响，提高高频测试电学失效分析的准确性。
[0171]
本技术实施例提供一种存储介质，存储介质存储有适于电学失效分析的程序，以实现如前所述的电学失效分析方法。
[0172]
本技术实施例提供一种电子设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储有程序，所述处理器调用所述程序，以执行如前所述的电学失效分析方法。
[0173]
本技术实施例提供的存储介质和电子设备，根据晶圆的各个失效晶粒的失效日志确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，实现将各个高频主导失效数据和各个低频主导失效数据区分开来，然后根据晶圆的各个所述结构层的设计尺寸、以及各个高频主导失效晶粒的失效尺寸结合当前高频主导失效权重值进行权重调整后、和不进行权重调整的各个低频主导失效晶粒的失效尺寸，获取到失效偏差值，这样，各个低频主导失效晶粒的失效尺寸的加入，可以保证在做电学失效分析时所需要的数据量，同时可以在获取失效偏差值时，通过当前高频主导失效权重值，提高高频失效尺寸的权重，再结合预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，使高频主导失效数据突显出来，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，进而通过获取最大失效偏差值，得到与所述最大失效偏差值相对应的最大失效影响层，得到准确地造成晶粒失效的结构层。本技术实施例所提供的存储介质和电子设备，可以利用低频测试主导失效数据保证数据量的足够，并且还可以使高频主导失效数据突显出来，而不会被低频测试失效数据所淹没，充分显示高频测试失效数据的影响，提高高频测试电学失效分析的准确性。
[0174]
虽然本技术实施例披露如上，但本技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。