电学失效分析方法及相关装置与流程

技术特征：
1.一种电学失效分析方法，其特征在于，包括：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；获取当前高频主导失效权重值；根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。2.如权利要求1所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志的步骤包括：利用晶圆测试的测试项目，对所述晶圆进行测试，获取各个失效晶粒和所述各个失效晶粒的第一失效日志，所述测试项目中的低频测试项目少于高频测试项目；补充所述低频测试项目；根据补充的所述低频测试项目对所述各个失效晶粒进行第二测试，获取所述各个失效晶粒的第二失效日志；根据所述第一失效日志和所述第二失效日志获取所述各个失效晶粒的失效日志。3.如权利要求2所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述补充所述低频测试项目的步骤包括：按照所述高频测试项目补充所述低频测试项目。4.如权利要求1所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒的步骤包括：当所述失效晶粒的所述低频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为低频主导失效晶粒；当所述失效晶粒的所述低频测试结果为通过，但所述失效晶粒的所述高频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为高频主导失效晶粒。5.如权利要求1所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值的步骤包括：根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例；根据所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的设计尺寸比例；根据同一结构层的所述失效尺寸比例和所述设计尺寸比例，获取所述结构层的所述失效偏差值，得到各个所述失效偏差值。
6.如权利要求5所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例的步骤包括：根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸；根据各个结构层失效尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例。7.如权利要求6所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸的步骤包括：获取各个所述高频主导失效晶粒的同一所述结构层的高频失效尺寸之和，得到各个结构层高频失效尺寸，获取各个所述低频主导失效晶粒的同一所述结构层的低频失效尺寸之和，得到各个结构层低频失效尺寸；根据各个所述结构层高频失效尺寸和所述当前高频主导失效权重值，获取各个结构层高频失效权重尺寸；根据同一结构层的所述结构层高频失效权重尺寸和所述结构层低频失效尺寸，获取结构层失效尺寸，得到各个结构层的结构层失效尺寸。8.如权利要求1-7任一项所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述获取当前高频主导失效权重值的步骤包括：在预定高频主导失效权重值范围内，随机选择高频主导失效权重值作为所述当前高频主导失效权重值；所述根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值的步骤包括：当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，增大所述当前高频主导失效权重值。9.如权利要求1-7任一项所述的电学失效分析方法，其特征在于，所述获取当前高频主导失效权重值的步骤包括：确定预定高频主导失效权重值范围内的最小值为所述当前高频主导失效权重值；所述根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值的步骤包括：当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，按照预定增量，增大所述当前高频主导失效权重值。10.一种电学失效分析装置，其特征在于，包括：失效日志获取模块，适于获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；失效晶粒确定模块，适于根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；高频主导失效权重值获取模块，适于获取当前高频主导失效权重值；最大失效影响层获取模块，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各
个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，直至至少一个所述结构层的所述失效偏差值满足所述预定偏差阈值，获取与最大的所述失效偏差值相对应的最大失效影响层。11.如权利要求10所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述失效日志获取模块包括：第一失效日志获取单元，适于利用晶圆测试的测试项目，对所述晶圆进行测试，获取各个失效晶粒和所述各个失效晶粒的第一失效日志，所述测试项目中的低频测试项目少于高频测试项目；补充单元，适于补充所述低频测试项目；第二失效日志获取单元，适于根据补充的所述低频测试项目对所述各个失效晶粒进行第二测试，获取所述各个失效晶粒的第二失效日志；失效日志获取单元，适于根据所述第一失效日志和所述第二失效日志获取所述各个失效晶粒的失效日志。12.如权利要求11所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述补充单元，适于补充所述低频测试项目包括：按照所述高频测试项目补充所述低频测试项目。13.如权利要求10所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述失效晶粒确定模块，适于根据各个所述失效晶粒的所述失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒，包括：当所述失效晶粒的所述低频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为低频主导失效晶粒；当所述失效晶粒的所述低频测试结果为通过，但所述失效晶粒的所述高频测试结果为失败时，确定所述失效晶粒为高频主导失效晶粒。14.如权利要求10所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述失效偏差值获取模块，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的所述失效日志中各个结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的所述失效日志中各个所述结构层的低频失效尺寸、所述当前高频主导失效权重值和所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取各个所述结构层的失效偏差值，包括：根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例；根据所述晶圆的各个所述结构层的设计尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的设计尺寸比例；根据同一结构层的所述失效尺寸比例和所述设计尺寸比例，获取所述结构层的所述失效偏差值，得到各个所述失效偏差值。15.如权利要求14所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述失效偏差值获取模块，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主
导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例，包括：根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸；根据各个结构层失效尺寸，获取所述晶圆的各个结构层的失效尺寸比例。16.如权利要求15所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述失效偏差值获取模块，适于根据各个所述高频主导失效晶粒的各个所述结构层的高频失效尺寸、各个所述低频主导失效晶粒的各个所述结构层的低频失效尺寸和当前高频主导失效权重值，获取所述晶圆的各个所述结构层的结构层失效尺寸，包括：获取各个所述高频主导失效晶粒的同一所述结构层的高频失效尺寸之和，得到各个结构层高频失效尺寸，获取各个所述低频主导失效晶粒的同一所述结构层的低频失效尺寸之和，得到各个结构层低频失效尺寸；根据各个所述结构层高频失效尺寸和所述当前高频主导失效权重值，获取各个结构层高频失效权重尺寸；根据同一结构层的所述结构层高频失效权重尺寸和所述结构层低频失效尺寸，获取结构层失效尺寸，得到各个结构层的结构层失效尺寸。17.如权利要求10所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述高频主导失效权重值获取模块，适于获取当前高频主导失效权重值，包括：在预定高频主导失效权重值范围内，随机选择高频主导失效权重值作为所述当前高频主导失效权重值；所述失效偏差值获取模块，适于根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，包括：当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，增大所述当前高频主导失效权重值。18.如权利要求10所述的电学失效分析装置，其特征在于，所述高频主导失效权重值获取模块，适于获取当前高频主导失效权重值，包括：确定预定高频主导失效权重值范围内的最小值为所述当前高频主导失效权重值；所述失效偏差值获取模块，适于根据所述失效偏差值和预定偏差阈值，调整所述当前高频主导失效权重值，包括：当所述失效偏差值小于所述预定偏差阈值时，按照预定增量，增大所述当前高频主导失效权重值。19.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有适于电学失效分析的程序，以实现如权利要求1-9任一项所述的电学失效分析方法。20.一种电子设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器；所述存储器存储有程序，所述处理器调用所述程序，以执行如权利要求1-9任一项所述的电学失效分析方法。

技术总结
本申请提供一种电学失效分析方法，包括：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；根据失效晶粒的失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；获取当前高频主导失效权重值；根据各个高频主导失效晶粒的各个结构层的高频失效尺寸、各个低频主导失效晶粒的各个结构层的低频失效尺寸、当前高频主导失效权重值和晶圆的各个结构层的设计尺寸，获取各个结构层的失效偏差值，根据失效偏差值和预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，获取与最大的失效偏差值相对应的最大失效影响层。本申请实施例所提供的电学失效分析方法，可以提高电学失效分析的准确性。学失效分析的准确性。学失效分析的准确性。


技术研发人员：林健
受保护的技术使用者：成都海光微电子技术有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/4/5