一种像素电路及其工作方法、显示面板和显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种像素电路及其工作方法、显示面板和显示装置。


背景技术：

2.目前有机发光二极管(oled)虽然具有单像素可控、对比度高、节能等特点。但是基于材料特性，有机发光二极管在制备的过程中，存在基材玻璃不干净、空气中的灰尘，导致有机发光二极管制备完成后，在后期发光过程中会产生不亮点。例如，pmoled不亮点产生后，会在不亮点所在的行列上产生亮线，对显示效果产生严重的影响。
3.然而，现有的像素电路的不亮点检测时，精检测度较差、可靠性较差、功耗高。


技术实现要素：

4.因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的像素电路的不亮点检测时，精检测度较差、可靠性较差、功耗高的问题。
5.本发明提供一种像素电路，包括：阵列排布的若干电光单元，所述电光单元具有第一连接端和第二连接端；若干个行选通单元，若干个行选通单元分别与对应行的所述电光单元的第一连接端电学连接，所述若干个行选通单元适于通过反转对应行的所述第一连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压行扫描；若干个列选通单元，若干个列选通单元分别与对应列的所述电光单元的第二连接端电学连接，所述若干个列选通单元适于通过反转对应列的所述第二连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压列扫描；采样单元，所述采样单元适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与所述若干个行选通单元电学连接，或者，所述采样单元适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与所述若干个列选通单元电学连接；比较单元，所述比较单元与所述采样单元的输出端连接。
6.可选的，所述若干电光单元呈m行*n列排布，m为大于或等于1的整数，n为大于或等于1的整数；所述若干个行选通单元包括第一个行选通单元至第m个行选通单元，第k个行选通单元与第k行的电光单元的第一连接端电学连接，第k个行选通单元能反转第k行的电光单元的第一连接端的电位，k为大于或等于1的整数且小于或等于m的整数；所述若干个列选通单元包括第一个列选通单元至第个n列选通单元，第j个列选通单元与第j列的电光单元的第二连接端电学连接，第j个列选通单元能反转第j列的电光单元的第二连接端的电位，j为大于或等于1的整数且小于或等于n的整数；所述采样单元适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与第一个行选通单元至第m个行选通单元电学连接，或者，所述采样单元适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与第一个列选通单元至第个n列选通单元电学连接。
7.可选的，所述像素电路还包括：第一开关单元；所述第一开关单元与所述采样单元和所述若干个行选通单元连接，所述采样单元适于通过所述第一开关单元的导通与所述若
干个行选通单元电学连接；或者，所述第一开关单元与所述采样单元和所述若干个列选通单元连接，所述采样单元适于通过所述第一开关单元的导通与所述若干个列选通单元电学连接。
8.可选的，所述采样单元为电阻元件时，所述电阻元件与第一开关单元连接的一端作为所述采样单元的输出端。
9.可选的，第k个行选通单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第二晶体管和所述第一晶体管的导电类型相反，所述第一晶体管具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二晶体管具有第二栅极、第二源极和第二漏极；第k个行选通单元中的第一栅极和第二栅极并联；第k个行选通单元中的第一漏极和第二漏极、以及第k行的电光单元的第一连接端电学连接；第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第一源极接地电位；第j个列选通单元包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管的导电类型相反，所述第三晶体管具有第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第四晶体管具有第四栅极、第四源极和第四漏极；第j个列选通单元中的第三栅极和第四栅极并联；第j个列选通单元中的第三漏极和第四漏极、以及所述第j个列选通单元的第二连接端电连接。
10.可选的，所述第一连接端为阴极连接端，所述第二连接端为阳极连接端，第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第二源极与所述第一开关单元电学连接；所述第三源极接地电位；所述采样单元的第一端与所述第一开关单元连接，所述采样单元的第二端与第一电源端连接；所述像素电路还包括：第二开关单元，所述第二开关单元与第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极连接，所述第二开关单元还与第二电源端连接；所述第四源极适于通过第二开关单元的导通与第二电源端电连接。
11.可选的，所述像素电路还包括修复单元，所述修复单元适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
12.可选的，所述修复单元包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个行选通单元至第m个行选通单元的第二源极电连接，所述第三开关单元还与修复电压源电连接，所述第二源极适于通过第三开关单元的导通与修复电压源电连接，所述修复电压源的电位高于地电位。
13.可选的，所述第一连接端为阳极连接端，所述第二连接端为阴极连接端，第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极与所述第一开关单元电学连接；所述第三源极接地电位；所述采样单元的第一端与所述第一开关单元连接，所述采样单元的第二端与第一电源端连接。
14.可选的，所述像素电路还包括：第四开关单元，所述第四开关单元与第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第二源极连接，所述第四开关单元还与第四电源端连接；所述第二源极适于通过第四开关单元的导通与第四电源端电连接。
15.可选的，所述像素电路还包括修复单元，所述修复单元适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
16.可选的，所述修复单元包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个列选通单元至第n个列选通单元的第四源极电连接，所述第三开关单元还与修复电压源电连接，所述第四源极适于通过第三开关单元的导通与修复电压源电连接，所述修复电压源的电位高于地电位。
17.可选的，所述第一连接端为阴极连接端，所述第二连接端为阳极连接端，第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第三源极与所述第一开关单元电学连接；所述采样单元的第一端与所述第一开关单元连接，所述采样单元的第二端接地。
18.可选的，所述像素电路还包括：第二开关单元，所述第二开关单元与第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极连接，所述第二开关单元还与第二电源端连接；所述第四源极适于通过第二开关单元的导通与第二电源端电连接；第四开关单元，所述第四开关单元与第一个行选通单元至第m个行选通单元的第二源极电连接，所述第四开关单元与第四电源端电连接。
19.可选的，所述像素电路还包括修复单元，所述修复单元和所述第四开关单元适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
20.可选的，所述修复单元包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个列选通单元至第m个列选通单元的第三源极电连接，所述第三开关单元的一端接地，所述第三源极适于通过第三开关单元的导通与地电位连接。
21.可选的，所述比较单元适于将所述采样单元的输出端的电位与阈值电位比较，以确定不亮点像素的行位置和列位置。
22.可选的，所述像素电路还包括：控制单元，所述控制单元适于给所述若干个行选通单元施加行控制信号，所述控制单元还适于给所述若干个列选通单元施加列控制信号。
23.本发明还提供一种像素电路的工作方法，包括：所述若干个列选通单元对所述若干电光单元进行反向电压列扫描；所述若干个行选通单元对所述若干电光单元进行反向电压行扫描；所述比较单元在所述反向电压列扫描的过程中获取不亮点像素的列位置；所述比较单元在所述反向电压行扫描的过程中获取不亮点像素的行位置。
24.可选的，进行所述反向电压列扫描之后，进行所述反向电压行扫描；或者，进行所述反向电压行扫描之后，进行所述反向电压列扫描。
25.可选的，所述像素电路还包括修复单元；所述像素电路的工作方法还包括：采用所述修复单元给不亮点像素提供反向电流以修复不亮点像素。
26.可选的，所述像素电路的工作方法还包括：对所述像素电路发出开机信号；对所述像素电路发出开机信号之后，对所述电光单元进行正向电压行扫描以使所述电光单元点亮；对所述像素电路发出开机信号之后，且在对所述电光单元进行正向电压行扫描之前，进行所述反向电压列扫描的步骤和反向电压行扫描的步骤、以及修复不亮点像素的步骤。
27.本发明还提供一种显示面板，包括本发明的像素电路。
28.本发明还提供一种显示装置，包括：本发明的显示面板。
29.本发明的技术方案具有以下有益效果：
30.本发明技术方案提供的像素电路，包括若干个行选通单元和若干列选通单元，所述若干个行选通单元适于通过反转对应行的所述第一连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压行扫描，以获取不亮点像素的行位置，所述若干个列选通单元适于通过反转对应列的所述第二连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压列扫描，以获取不亮点像素的列位置。由于在获取不亮点像素的行位置和不亮点像素的列位置时，对所述电光单元进行反向电压的扫描，所有的电光单元不会发光，也就是能在黑屏状态下定位不亮点像素，不对用户显示定位不亮点像素的状态，提高了像素电路的可靠性，且黑屏状态下定位不
亮点像素使得功耗降低。其次，正常的电光单元的反向电阻较大，不亮点像素对应的电光单元的反向电阻较小，具有不亮点像素的行的总反向电阻与没有不亮点的行的总反向电阻相差较大，具有不亮点像素的列的总反向电阻与没有不亮点的列的总反向电阻相差较大，在反向电压行扫描的过程中从没有不亮点的一行电光单元扫描至具有不亮点像素的一行电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，在反向电压列扫描的过程中从没有不亮点的一列电光单元扫描至具有不亮点像素的一列电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，因此提高了检测不亮点像素的精度。
31.进一步，所述像素电路还包括：修复单元，所述修复单元适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素，通过给不亮点像素施加反向电流使得不亮点像素对应的电光单元的第一连接端和第二连接端之间的导电杂质熔断，相对于激光烧毁不亮点像素中的杂质的方法，本发明的像素电路提高了修复效率和修复质量。其次，在对不亮点像素得到修复时，所有的电光单元不会发光，也就是能在黑屏状态下修复不亮点像素，不对用户显示修复像素的状态，提高了像素电路的可靠性，且黑屏状态下修复不亮点像素使得功耗降低。
32.本发明技术方案提供的像素电路的工作方法，比较单元在反向电压列扫描的过程中获取不亮点像素的列位置；比较单元在反向电压行扫描的过程中获取不亮点像素的行位置。由于在获取不亮点像素的行位置和不亮点像素的列位置时，对所述电光单元进行反向电压的扫描，所有的电光单元不会发光，也就是能在黑屏状态下定位不亮点像素，不对用户显示定位不亮点像素的状态，提高提高了像素电路的可靠性，且黑屏状态下定位不亮点像素使得功耗降低。其次，正常的电光单元的反向电阻较大，不亮点像素对应的电光单元的反向电阻较小，具有不亮点像素的行的总反向电阻与没有不亮点的行的总反向电阻相差较大，具有不亮点像素的列的总反向电阻与没有不亮点的列的总反向电阻相差较大，在反向电压行扫描的过程中从没有不亮点的一行电光单元扫描至具有不亮点像素的一行电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，在反向电压列扫描的过程中从没有不亮点的一列电光单元扫描至具有不亮点像素的一列电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，因此提高了检测不亮点像素的精度。
33.本发明技术方案提供的显示面板，包括本发明的像素电路，具有上述优点。
34.本发明技术方案提供的显示装置，包括本发明的显示面板，具有上述优点。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1为本发明一实施例提供的像素电路的示意图；
37.图2为本发明另一实施例提供的像素电路的示意图；
38.图3为本发明又一实施例提供的像素电路的示意图。
具体实施方式
39.一种像素电路，包括：阵列排布的若干电光单元；若干个行选通单元和若干个列选
通单元；采样单元。
40.像素电路在定位不亮点像素的方法包括：通过行选通单元对所述若干电光单元进行正向电压行扫描、通过列选通单元对所述若干电光单元进行正向电压列扫描，以定位不亮点像素的行位置和列位置。
41.然而，上述像素电路在定位不亮点像素的行位置和列位置的过程中，电光单元会发光，对用户显示定位不亮点像素的状态，降低了像素电路的可靠性，且定位不亮点像素时电光单元会发光导致功耗较大。其次，电光单元的正向电阻较小，不亮点像素对应的电光单元的正向电阻较小，具有不亮点像素的行的总正向电阻与没有不亮点的行的总正向电阻相差较小，具有不亮点像素的列的总正向电阻与没有不亮点的列的总正向电阻相差较小，在正向电压行扫描的过程中从没有不亮点的一行电光单元扫描至具有不亮点像素的一行电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较小，在正向电压列扫描的过程中从没有不亮点的一列电光单元扫描至具有不亮点像素的一列电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较小，因此降低了检测不亮点像素的精度。
42.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
43.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
44.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电学连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
45.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
46.实施例1
47.本发明一实施例提供一种像素电路，参考图1，包括：
48.阵列排布的若干电光单元100，所述电光单元100具有第一连接端和第二连接端；
49.若干个行选通单元130，若干个行选通单元130分别与对应行的所述电光单元100的第一连接端电学连接，所述若干个行选通单元130适于通过反转对应行的所述第一连接端的电位对所述若干电光单元100进行反向电压行扫描；
50.若干个列选通单元140，若干个列选通单元140分别与对应列的所述电光单元100的第二连接端电学连接，所述若干个列选通单元140适于通过反转对应列的所述第二连接端的电位对所述若干电光单元100进行反向电压列扫描；
51.采样单元150，所述采样单元150适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与所述若干个行选通单元130电学连接。
52.比较单元160，所述比较单元160与所述采样单元150的输出端连接。
53.所述若干电光单元100呈m行*n列排布，m为大于或等于1的整数，n为大于或等于1的整数。本实施例中，m为大于或等于2的整数，n为大于或等于2的整数。
54.本实施例中，像素电路包括oled像素电路,所述电光单元100为有机发光二极管。
55.所述若干个行选通单元130在点亮扫描的过程中，电光单元100的两端施加正向电压以使电光单元100发光。
56.所述若干个行选通单元130包括第一个行选通单元至第m个行选通单元，第k个行选通单元与第k行的电光单元100的第一连接端电学连接，第k个行选通单元130能反转第k行的电光单元100的第一连接端的电位，k为大于或等于1的整数且小于或等于m的整数。
57.所述若干个列选通单元140包括第一个列选通单元至第个n列选通单元，第j个列选通单元与第j列的电光单元100的第二连接端电学连接，第j个列选通单元能反转第j列的电光单元100的第二连接端的电位，j为大于或等于1的整数且小于或等于n的整数。
58.本实施例中，所述像素电路还包括：若干行连接线110，若干行连接线110包括第一行连接线至第m行连接线；第k个行选通单元130与第k行连接线连接，第k行连接线与第k行的电光单元100的第一连接端连接。
59.本实施例中，所述像素电路还包括：若干列连接线120，若干列连接线120包括第一列连接线至第n列连接线；第j个列选通单元与第j列连接线连接，第j列连接线与第j列的电光单元100的第二连接端连接。
60.本实施例中，所述第一连接端为阴极连接端，所述第二连接端为阳极连接端。
61.本实施例中，所述采样单元150适于在所述反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与第一个行选通单元至第m个行选通单元电学连接。
62.所述像素电路还包括：第一开关单元210；所述第一开关单元210与所述采样单元150和所述若干个行选通单元130连接，所述采样单元150适于通过所述第一开关单元210的导通与所述若干个行选通单元130电学连接。本实施例中，所述第一开关单元210为p型场效应晶体管。
63.第k个行选通单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第二晶体管和所述第一晶体管的导电类型相反，所述第一晶体管具有第一栅极g1、第一源极s1和第一漏极d1，所述第二晶体管具有第二栅极g1、第二源极s1和第二漏极d2；第k个行选通单元中的第一栅极g1和第二栅极g2并联；第k个行选通单元中的第一漏极d1和第二漏极d2、以及第k行的电光单元100的第一连接端电学连接；第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第一源极s1接地电位。
64.所述第二晶体管和所述第一晶体管的导电类型相反，第二晶体管和所述第一晶体管包括场效应晶体管。本实施例中，第一晶体管为n型场效应晶体管时，第二晶体管为p型场效应晶体管。
65.第j个列选通单元包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管的导电类型相反，所述第三晶体管具有第三栅极g3、第三源极s3和第三漏极d3，所述第四晶体管具有第四栅极g4、第四源极s4和第四漏极d4；第j个列选通单元中的第三栅极g3和第四栅极g4并联；第j个列选通单元中的第三漏极d3和第四漏极d4、以及所述第j个列选通单元的第二连接端电连接。
66.所述第三晶体管和所述第四晶体管的导电类型相反，第三晶体管和所述第四晶体管包括场效应晶体管。本实施例中，第三晶体管为n型场效应晶体管时，第四晶体管为p型场效应晶体管。
67.需要说明的是，第二晶体管和所述第一晶体管、第三晶体管和所述第四晶体管还可以是其他的晶体管。
68.本实施例中，所述第一连接端为阴极连接端，所述第二连接端为阳极连接端，第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第二源极s2与所述第一开关单元210电学连接；所述采样单元150的第一端与所述第一开关单元210连接，所述采样单元150的第二端与第一电源端v1连接。本实施例中，第一电源端的电位为3伏～5.5伏。所述第三源极s3接地电位。
69.第一电源端端的电位根据比较单元的输入口和输出口的耐压值进行选择。
70.本实施例中，所述像素电路还包括：第二开关单元170，所述第二开关单元170与第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极s4连接，所述第二开关单元170还与第二电源端v2连接；所述第四源极s4适于通过第二开关单元170的导通与第二电源端v2电连接。本实施例中，第二电源端的电位为3伏～9伏。
71.本实施例中，所述第二开关单元170为p型场效应晶体管。
72.本实施例中，所述若干个行选通单元适于通过反转对应行的所述第一连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压行扫描，以获取不亮点像素的行位置，所述若干个列选通单元适于通过反转对应列的所述第二连接端的电位对所述若干电光单元进行反向电压列扫描，以获取不亮点像素的列位置。由于在获取不亮点像素的行位置和不亮点像素的列位置时，对所述电光单元进行反向电压的扫描，所有的电光单元不会发光，也就是能在黑屏状态下定位不亮点像素，不对用户显示定位不亮点像素的状态，提高了像素电路的可靠性，且黑屏状态下定位不亮点像素使得功耗降低。其次，正常的电光单元的反向电阻较大，不亮点像素对应的电光单元的反向电阻较小，具有不亮点像素的行的总反向电阻与没有不亮点的行的总反向电阻相差较大，具有不亮点像素的列的总反向电阻与没有不亮点的列的总反向电阻相差较大，在反向电压行扫描的过程中从没有不亮点的一行电光单元扫描至具有不亮点像素的一行电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，在反向电压列扫描的过程中从没有不亮点的一列电光单元扫描至具有不亮点像素的一列电光单元时，采样单元的输出端的电学信号的变化较大，因此提高了检测不亮点像素的精度。
73.所述比较单元160适于将所述采样单元150的输出端的电位与阈值电位比较，以确定不亮点像素的行位置和列位置。
74.本实施例中，所述像素电路还包括修复单元180，所述修复单元180适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
75.所述修复单元包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个行选通单元至第m个行选通单元的第二源极s2电连接，所述第三开关单元还与修复电压源v3电连接，所述第二源极s2适于通过第三开关单元的导通与修复电压源v3电连接。本实施例中，修复电压源的电位高于地电位。具体的，在一个实施例中，修复电压源的电位为3伏至12伏。
76.本实施例中，第三开关单元为p型场效应晶体管。
77.本实施例中，通过给不亮点像素施加反向电流使得不亮点像素对应的电光单元的第一连接端和第二连接端之间的导电杂质熔断，相对于激光烧毁不亮点像素中的杂质的方
法，本实施例的像素电路提高了修复效率和修复质量。其次，在对不亮点像素得到修复时，所有的电光单元不会发光，也就是能在黑屏状态下修复不亮点像素，不对用户显示修复像素的状态，提高了像素电路的可靠性，且黑屏状态下修复不亮点像素使得功耗降低。
78.在一个实施例中，修复电压源的电位大于第一电源端的电位。在一个具体的实施例中，修复电压源的电位大于第一电源端的电位且与第一电源端的差值大于等于3伏，这样使得更好的将不亮点像素对应的电光单元的第一连接端和第二连接端之间的导电杂质熔断。
79.所述像素电路还包括：控制单元190，所述控制单元190适于给所述若干个行选通单元施加行控制信号，所述控制单元190还适于给所述若干个列选通单元施加列控制信号。
80.实施例2
81.参考图2，本实施例于实施例1的区别在于：采样单元150a适于在反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与第一个列选通单元至第个n列选通单元电学连接；第一开关单元210a与采样单元150a和所述若干个列选通单元连接，所述采样单元150a适于通过所述第一开关单元210a的导通与所述若干个列选通单元电学连接；第一连接端为阳极连接端，第二连接端为阴极连接端，第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极s4与所述第一开关单元210a电学连接；所述第三源极s3接地电位；采样单元150a的第一端与第一开关单元210a连接，采样单元150a的第二端与第一电源端v1连接。像素电路还包括：第四开关单元200，所述第四开关单元200与第一个行选通单元至第m个行选通单元中的第二源极s2连接，第四开关单元200还与第四电源端v4连接；所述第二源极s2适于通过第四开关单元200的导通与第四电源端v4电连接。
82.在一个实施例中，第四电源端v4的电位为3伏～9伏。所述像素电路还包括修复单元180a，所述修复单元180a适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
83.所述修复单元包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个列选通单元至第n个列选通单元的第四源极s4电连接，所述第三开关单元还与修复电压源电连接，所述第四源极s4适于通过第三开关单元的导通与修复电压源电连接。所述修复电压源的电位高于地电位。修复电压源的电位参照前述实施例1的内容。
84.第一电源端v1的电位参照实施例1中的描述，不再详述。
85.第二电源端v2的电位参照实施例1中的描述，不再详述。
86.修复电压源的电位大于第一电源端的电位之间的关系参照前述实施例的内容，不再详述。
87.关于本实施例与前一实施例相同的内容，不再详述。
88.实施例3
89.参考图3，本实施例于实施例1的区别在于：采样单元150b适于在反向电压行扫描和反向电压列扫描的过程中与第一个列选通单元至第个n列选通单元电学连接；第一开关单元210b与采样单元150b和所述若干个列选通单元连接，所述采样单元150b适于通过所述第一开关单元150b的导通与所述若干个列选通单元电学连接；第一连接端为阴极连接端，第二连接端为阳极连接端，第一个列选通单元至第n个列选通单元中的第三源极s3与第一开关单元150b电学连接；采样单元150b的第一端与所述第一开关单元210b连接，采样单元150b的第二端接地。所述像素电路还包括：第二开关单元170b，所述第二开关单元170b与第
一个列选通单元至第n个列选通单元中的第四源极s4连接，所述第二开关单元170b还与第二电源端v2连接；所述第四源极s4适于通过第二开关单元170b的导通与第二电源端v2电连接；第四开关单元200b，所述第四开关单元200b与第一个行选通单元至第m个行选通单元的第二源极s2电连接，所述第四开关单元200b与第四电源端v4电连接。
90.在一个实施例中，所述第四电源端的电位为3伏～12伏。
91.在一个实施例中，第二电源端v2的电位为3伏～9伏。
92.所述像素电路还包括修复单元180b，所述修复单元180b和所述第四开关200b适于通过给不亮点像素提供反向电流而修复不亮点像素。
93.所述修复单元180b包括：第三开关单元，所述第三开关单元与第一个列选通单元至第m个列选通单元的第三源极s3电连接，所述第三开关单元的一端接地，所述第三源极s3适于通过第三开关单元的导通与地电位连接。
94.实施例4
95.本实施例提供一种像素电路的工作方法，包括：所述若干个列选通单元对所述若干电光单元进行反向电压列扫描；所述若干个行选通单元对所述若干电光单元进行反向电压行扫描；所述比较单元在所述反向电压列扫描的过程中获取不亮点像素的列位置；所述比较单元在所述反向电压行扫描的过程中获取不亮点像素的行位置。
96.在一个实施例中，进行所述反向电压列扫描之后，进行所述反向电压行扫描。在另一个实施例中，进行所述反向电压行扫描之后，进行所述反向电压列扫描。所述像素电路还包括修复单元；所述像素电路的工作方法还包括：采用所述修复单元给不亮点像素提供反向电流以修复不亮点像素。
97.在对电光单元100进行反向电压列扫描和反向电压行扫描的过程中，第二开关单元170断开，第三开关单元断开，第一开关单元210导通。
98.在一个实施例中，进行反向电压列扫描之后进行反向电压行扫描，具体的，进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制若干个行选通单元130中的第二晶体管均导通，所有的电光单元100的第一连接端电连接第一电源端v1，电光单元100的第一连接端处于高电平，控制单元190控制列选通单元140对电光单元100进行列扫描(逐列扫描)，当第j个列选通单元中的第三晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150获取到不同的电学信号并传输至比较单元160，比较单元160判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置；进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190控制不亮点像素所在列对应的列选通单元中的第三晶体管导通的情况下，控制单元190控制行选通单元逐行对电光单元100进行反向电压行扫描，当第k个行选通单元中的第二晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150获取到不同的电学信号并传输至比较单元160，比较单元160判断对不同行的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置。
99.在另一个实施例中，进行反向电压行扫描之后进行反向电压列扫描，具体的，进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190控制若干个列选通单元140中的第三晶体管均导通，所有的电光单元100的第二连接端接地电位，控制单元190控制行选通单元130对电光单元100逐行扫描，当第k个行选通单元中的第二晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描
到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150获取到不同的电学信号并传输至比较单元160，比较单元160判断对不同行的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置；进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制不亮点像素所在行对应的行选通单元中的第二晶体管导通的情况下，控制单元190控制列选通单元逐列对电光单元100进行反向电压列扫描，当第j个列选通单元中的第三晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150获取到不同的电学信号并传输至比较单元160，比较单元160判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置。
100.采用修复单元给不亮点像素提供反向电流以修复不亮点像素的过程中，第一开关单元210断开，第二开关单元170断开，第三开关单元导通。
101.所述像素电路的工作方法还包括：对所述像素电路发出开机信号；对所述像素电路发出开机信号之后，对所述电光单元进行正向电压行扫描以使所述电光单元点亮；对所述像素电路发出开机信号之后，且在对所述电光单元进行正向电压行扫描之前，进行所述反向电压列扫描的步骤和反向电压行扫描的步骤、以及修复不亮点像素的步骤。
102.在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，第二开关单元170导通，第三开关单元断开，第一开关单元210断开，控制单元190控制行选通单元130逐行扫描电光单元100，当行选通单元130扫描到第k行的电光单元100时，第k个行选通单元中的第一晶体管打开，第k行的电光单元100的第一连接端与地电位连接，其他行对应的行选通单元130中的第一晶体管关闭；在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，控制单元190控制第一个列选通单元至第m个列选通单元中的第四晶体管的栅极，选择任意几列对应的列选通单元中的第四晶体管导通，第j个列选通单元中的第四晶体管导通以将数据写入第j列的电光单元。
103.实施例5
104.本实施例还提供一种像素电路的工作方法，对应实施例2的像素电路。下面主要介绍本实施例的工作方法与实施例4的工作方法的区别，关于本实施例与实施例4中相同的内容，不再详述。
105.在对电光单元100进行反向电压列扫描和反向电压行扫描的过程中，第四开关单元200断开，第三开关单元断开，第一开关单元210a导通。
106.在一个实施例中，进行反向电压列扫描之后进行反向电压行扫描，具体的，进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制若干个行选通单元130中的第一晶体管均导通，所有的电光单元100的第一连接端电连接地电位，控制单元190控制列选通单元140对电光单元100进行列扫描(逐列扫描)，当第j个列选通单元中的第四晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150a获取到不同的电学信号并传输至比较单元160a，比较单元160a判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150a输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置；进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190控制不亮点像素所在列对应的列选通单元中的第四晶体管导通的情况下，控制单元190控制行选通单元逐行对电光单元100进行反向电压行扫描，当第k个行选通单元中的第一晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150a获取到不同的电学信号并传输至比较单元
160a，比较单元160a判断对不同行的电光单元100a进行反向电压扫描时的采样单元150a输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置。
107.在另一个实施例中，进行反向电压行扫描之后进行反向电压列扫描，具体的，进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190控制若干个列选通单元140中的第四晶体管均导通，所有的电光单元100的第二连接端接第一电源端，所有的电光单元100的第二连接端处于高电位，控制单元190控制行选通单元130对电光单元100逐行扫描，当第k个行选通单元中的第一晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150a获取到不同的电学信号并传输至比较单元160a，比较单元160a判断对不同行的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150a输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置；进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制不亮点像素所在行对应的行选通单元中的第一晶体管导通的情况下，控制单元190控制列选通单元逐列对电光单元100进行反向电压列扫描，当第j个列选通单元中的第四晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150a获取到不同的电学信号并传输至比较单元160a，比较单元160a判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150a输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置。
108.采用修复单元给不亮点像素提供反向电流以修复不亮点像素的过程中，第一开关单元210a断开，第三开关单元导通，第四开关单元200断开。
109.在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，第四开关单元200导通，第三开关单元断开，第一开关单元210a断开，控制单元190控制行选通单元130逐行扫描电光单元100；当行选通单元130扫描到第k行的电光单元100时，第k个行选通单元中的第二晶体管打开，第k行的电光单元100的第一连接端与第四电源端连接，其他行对应的行选通单元130中的第二晶体管关闭；在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，控制单元190控制第一个列选通单元至第m个列选通单元中的第三晶体管的栅极，选择任意几列对应的列选通单元中的第三晶体管导通，第j个列选通单元中的第三晶体管导通以将数据写入第j列的电光单元。
110.实施例6
111.本实施例还提供一种像素电路的工作方法，对应实施例3的像素电路。下面主要介绍本实施例的工作方法与实施例4的工作方法的区别，关于本实施例与实施例4中相同的内容，不再详述。
112.在对电光单元100进行反向电压列扫描和反向电压行扫描的过程中，第四开关单元200b和第一开关单元210b导通，第二开关单元170b断开，第三开关单元断开。
113.在一个实施例中，进行反向电压列扫描之后进行反向电压行扫描，具体的，进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制若干个行选通单元130中的第二晶体管均导通，所有的电光单元100的第一连接端电连接第四电源端v4，有的电光单元100的第一连接端处于高电位，控制单元190控制列选通单元140对电光单元100进行列扫描(逐列扫描)，当第j个列选通单元中的第三晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150b获取到不同的电学信号并传输至比较单元160b，比较单元160b判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150b输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置；进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190
控制不亮点像素所在列对应的列选通单元中的第三晶体管导通的情况下，控制单元190控制行选通单元逐行130对电光单元100进行反向电压行扫描，当第k个行选通单元中的第二晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150b获取到不同的电学信号并传输至比较单元160b，比较单元160b判断对不同行的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150b输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置。
114.在另一个实施例中，进行反向电压行扫描之后进行反向电压列扫描，具体的，进行反向电压行扫描的过程包括：控制单元190控制若干个列选通单元140中的第三晶体管均导通，所有的电光单元100的第二连接端接地电位，控制单元190控制行选通单元130对电光单元100逐行扫描，当第k个行选通单元中的第二晶体管导通时，第k行的电光单元100被扫描到，通过对不同行的电光单元100进行扫描，采样单元150b获取到不同的电学信号并传输至比较单元160b，比较单元160b判断对不同行的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150b输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的行位置；进行反向电压列扫描的过程包括：控制单元190控制不亮点像素所在行对应的行选通单元中的第二晶体管导通的情况下，控制单元190控制列选通单元逐列对电光单元100进行反向电压列扫描，当第j个列选通单元中的第三晶体管导通时，第j列的电光单元100被扫描到，通过对不同列的电光单元100进行扫描，采样单元150b获取到不同的电学信号并传输至比较单元160b，比较单元160b判断对不同列的电光单元100进行反向电压扫描时的采样单元150b输出的电学信号的大小，从而获取不亮点像素的列位置。
115.采用修复单元给不亮点像素提供反向电流以修复不亮点像素的过程中，第一开关单元210b断开，第二开关单元170b断开，第三开关单元导通和第四开关单元200b导通。
116.在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，第四开关单元200b断开，第三开关单元断开，第一开关单元210b断开，第二开关单元170b导通，控制单元190控制行选通单元130逐行扫描电光单元100；当行选通单元130扫描到第k行的电光单元100时，第k个行选通单元中的第一晶体管打开，第k行的电光单元100的第一连接端与地电位连接，其他行对应的行选通单元130中的第一晶体管关闭；在对电光单元100进行正向电压行扫描过程中，控制单元190控制第一个列选通单元至第m个列选通单元中的第四晶体管的栅极，选择任意几列对应的列选通单元中的第四晶体管导通，第j个列选通单元中的第四晶体管导通以将数据写入第j列的电光单元。
117.实施例7
118.本实施例提供一种显示面板，包括上述实施例的像素电路。
119.实施例8
120.本实施例提供一种显示装置，包括上述实施例的显示面板。
121.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。