辐射线透过抑制薄膜、以及使用了该辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器和拍摄装置的制作方法

1.本发明涉及：辐射线透过抑制薄膜、以及使用了该辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器和拍摄装置。


背景技术：

2.随着拍摄技术和远程控制技术的发展，在高辐射线环境下的拍摄和视频记录已被实用化。例如，在核电设施、外太空或医疗现场，需要这种拍摄和视频记录的情况增多。然而，在这样的高辐射线环境下，存在由于辐射线的影响而拍摄装置的寿命缩短的问题。进而，由于作为通常的辐射线屏蔽材料的铅等是不透明的，因此不适合作为拍摄装置的保护构件。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2013-000006号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.本发明是为了解决上述现有的课题而完成的，其主要目的在于，提供可以保护拍摄装置免受辐射线影响的辐射线透过抑制薄膜而不会对该拍摄装置的拍摄性能产生不良影响。
8.用于解决问题的方案
9.根据本发明的一个方面，提供一种辐射线透过抑制薄膜，其包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜，该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积为500以上。
10.在1个实施方式中，上述辐射线透过抑制薄膜的透光率为80％以上。
11.在1个实施方式中，还包含层叠于上述聚乙烯醇系树脂薄膜的一侧或两侧的保护薄膜。
12.在1个实施方式中，上述保护薄膜包含选自纤维素系树脂、环烯烃系树脂和丙烯酸系树脂中的至少1种树脂。
13.根据本发明的另一方面，提供一种辐射线透过抑制滤波器，其具有：上述辐射线透过抑制薄膜、及保持该辐射线透过抑制薄膜的支架。
14.在1个实施方式中，上述辐射线透过抑制滤波器包含2张以上的上述辐射线透过抑制薄膜。
15.根据本发明的另一方面，提供一种拍摄装置，其可拆卸地安装有上述辐射线透过抑制滤波器。
16.发明的效果
17.根据基于本发明的实施方式的辐射线透过抑制薄膜，能够发挥由于硼酸中存在的硼原子而吸收中子射线的功能。另外，硼酸可以在水溶液中生成四羟基硼酸根阴离子而与聚乙烯醇(pva)系树脂形成氢键，因此根据基于本发明的实施方式的辐射线透过抑制薄膜，在具有简单的构成的同时能够稳定地发挥该功能。进而，通过采用与能发挥吸收β射线的功能的保护薄膜的层叠结构，从而能够实现具有期望的辐射线透过抑制功能的薄膜。其结果，基于本发明的实施方式的辐射线透过抑制薄膜可以适宜地用作在高辐射线环境下使用的拍摄装置的保护构件。
附图说明
18.图1是基于本发明的1个实施方式的辐射线透过抑制薄膜的截面示意图。
19.图2是说明基于本发明的1个实施方式的辐射线透过抑制滤波器安装在拍摄装置上的示意性分解立体图。
20.图3是示出实施例和比较例的辐射线透过抑制薄膜中的pva系树脂薄膜的厚度跟硼酸含量的乘积、与中子射线透过率(相对值)的关系的图。
具体实施方式
21.以下对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限定于这些实施方式。
22.a.辐射线透过抑制薄膜
23.基于本发明的实施方式的辐射线透过抑制薄膜包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜。该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积代表性地为500以上。在1个实施方式中，该辐射线透过抑制薄膜的透光率为80％以上。
24.a-1.辐射线透过抑制薄膜的整体构成
25.图1是基于本发明的1个实施方式的辐射线透过抑制薄膜的截面示意图。图示例的辐射线透过抑制薄膜100包含：含有硼酸的pva系树脂薄膜10、层叠于含有硼酸的pva系树脂薄膜10的一面的第1保护薄膜20、及层叠于另一面的第2保护薄膜30。第1保护薄膜20和/或第2保护薄膜30可以根据目的等而省略。
26.上述第1保护薄膜20和第2保护薄膜30可以分别通过粘接层(例如，粘合剂层、粘接剂层)层叠于pva系树脂薄膜10，或者，也可以不通过粘接层而密合地层叠于pva系树脂薄膜10。
27.上述pva系树脂薄膜10可以是如图示例那样的单层(单层薄膜)，也可以具有多个pva系树脂薄膜的层叠结构。对于所层叠的pva系树脂薄膜的张数，只要pva系树脂薄膜中的硼酸含量与厚度具有期望的关系就没有特别限制。
28.上述辐射线透过抑制薄膜的透光率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。基于本发明的实施方式的辐射线透过抑制薄膜能够兼顾这样的高透光率与期望的辐射线透过抑制功能，因此可以适宜地用作在高辐射线环境下使用的拍摄装置的保护构件。透光率例如可以使用紫外可见分光光度计(日本分光公司制v-7100、大冢电子公司制lpf-200等)进行测定。
29.a-2.含有硼酸的pva系树脂薄膜
30.作为形成上述pva系树脂薄膜的pva系树脂，可以采用任意适合的树脂。例如可列举出聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可以通过将聚乙酸乙烯酯皂化而得到。乙烯-乙烯醇共聚物可以通过将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化而得到。pva系树脂的皂化度通常为85摩尔％～100摩尔％，优选为95.0摩尔％～99.95摩尔％、进一步优选为99.0摩尔％～99.93摩尔％。皂化度可以依据jis k 6726-1994而求出。通过使用这种皂化度的pva系树脂，从而可使耐久性优异。皂化度过高时，有发生凝胶化的担心。
31.pva系树脂的平均聚合度可以根据目的进行适宜选择。平均聚合度通常为1000～10000，优选为1200～5000、进一步优选为1500～4500。需要说明的是，平均聚合度可以依据jis k 6726-1994而求出。
32.上述pva系树脂薄膜中的硼酸含量优选为10重量％以上，更优选为12重量％～35重量％，进一步优选为15重量％～30重量％。硼酸含量若为这样的范围，则能够实现期望的辐射线(特别是，中子射线)透过抑制功能。硼酸含量(重量％)可以利用由衰减全反射光谱(atr)测定计算出的硼酸量指数而确定。
33.(硼酸量指数)＝(硼酸峰665cm-1
的强度)/(参照峰2941cm-1
的强度)
34.(硼酸含量)＝(硼酸量指数)
×
a b
35.此处，“a”和“b”均为测定已知试样而可得到的常数，该值因测定装置而异。
36.上述pva系树脂薄膜的厚度优选为5μm以上，更优选为10μm～100μm，进一步优选为20μm～70μm。该厚度过薄时，辐射线(特别是中子射线)透过抑制功能有时不充分。该厚度若为这样的范围，则能够抑制硼酸含量在厚度方向上的不均匀，作为结果，能够容易地实现期望的辐射线透过抑制功能。需要说明的是，pva系树脂薄膜具有多个pva系树脂薄膜的层叠结构时，上述厚度是指各pva系树脂薄膜的厚度。
37.上述pva系树脂薄膜中的硼酸含量[单位：重量％]与该pva系树脂薄膜的厚度(具有多个pva系树脂薄膜的层叠结构时为各薄膜的总计厚度)[单位：μm]的乘积代表性地为500以上，优选为3000以上，更优选为5000以上，进一步优选为7000以上。pva系树脂薄膜满足这样的硼酸含量与薄膜厚度的关系时，可以适宜地得到期望的辐射线透过抑制功能。
[0038]
上述pva系树脂薄膜的透光率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。pva系树脂薄膜的透光率若为上述范围，则可以得到兼顾了高透光率与期望的辐射线透过抑制功能的辐射线透过抑制薄膜。
[0039]
上述pva系树脂薄膜可以进一步包含碘，也可以不包含。根据不包含碘的pva系树脂薄膜，能够容易地得到期望的透光率。
[0040]
a-3.含有硼酸的pva系树脂薄膜的制造方法
[0041]
上述pva系树脂薄膜例如可以利用如下方法制作：在pva系树脂薄膜中导入硼酸的方法、将包含pva系树脂和硼酸的树脂溶液进行薄膜成型的方法等，从而制作。从防止pva系树脂变为结块、得到均匀性高的树脂薄膜的观点出发，优选在pva系树脂薄膜中导入硼酸的方法。用于导入硼酸的pva系树脂薄膜可以是单层的薄膜，可以是多个薄膜的层叠体，也可以是树脂基材与涂布形成于其表面的pva系树脂层的层叠体。
[0042]
在上述pva系树脂薄膜中导入硼酸的方法代表性地包括使pva系树脂薄膜与硼酸水溶液接触而导入硼酸的硼酸导入工序，可以根据目的进一步包括清洗工序和/或干燥工序。与硼酸水溶液的接触优选通过将pva系树脂薄膜浸渍于硼酸水溶液中而进行。硼酸在水
溶液中生成四羟基硼酸根阴离子，因此通过上述接触(代表性地为浸渍)而与pva系树脂形成氢键，可以容易地导入pva系树脂薄膜中。
[0043]
上述硼酸水溶液的硼酸含量例如为1重量％以上，优选为3重量％～10重量％。硼酸水溶液的温度例如为20℃～45℃。另外，浸渍时间例如为10秒～300秒。
[0044]
在1个实施方式中，pva系树脂薄膜可以边浸渍在硼酸水溶液中边进行拉伸。通过进行拉伸，从而能够防止由pva系树脂薄膜的溶胀所产生的褶皱等不良、并且能够防止与保护薄膜贴合时的外观不良。
[0045]
上述拉伸代表性的是单轴拉伸。拉伸方向可以为薄膜的长度方向(md方向)，也可以为薄膜的宽度方向(td方向)。拉伸方法可以为干式拉伸，可以为湿式拉伸，也可以将它们组合。
[0046]
拉伸倍率可以例如为1.5倍～7.0倍、优选为2.0倍～6.0倍。
[0047]
清洗工序代表性的是通过将导入了硼酸的pva系树脂薄膜浸渍于清洗液中而进行。作为清洗液的代表例，可列举出纯水。
[0048]
清洗液的温度例如为5℃～50℃。浸渍时间例如为1秒～300秒。
[0049]
干燥工序可以利用任意适合的方法来进行。作为干燥方法，例如可列举出自然干燥、吹风干燥、减压干燥、加热干燥等。可优选使用加热干燥。进行加热干燥时，加热温度例如为30℃～100℃。另外，干燥时间例如为20秒～10分钟。
[0050]
a-4.第1保护薄膜
[0051]
第1保护薄膜可以由任意适合的树脂薄膜构成。作为成为该薄膜的主要成分的材料的具体例，可列举出纤维素系树脂、环烯烃系树脂、丙烯酸系树脂、聚酯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚砜系树脂、聚砜系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚烯烃系树脂、乙酸酯系树脂等热塑性树脂。这些树脂优选为透明的。这些树脂可以单独使用，也可以组合使用。优选为纤维素系树脂、环烯烃系树脂、丙烯酸系树脂。原因在于，由于这些树脂薄膜作为第1保护薄膜良好地发挥作用，并且能够较高地保持上述pva系树脂薄膜与第1保护薄膜的粘接性，因此能够改善辐射线透过抑制薄膜的耐湿热性。进而，由于能够实现期望的辐射线(特别是，β射线)透过抑制功能。
[0052]
作为纤维素系树脂，可以采用任意适合的纤维素系树脂。作为具体例，可列举出以三乙酰纤维素(tac)、低级脂肪酸酯作为主要成分的纤维素系树脂。以低级脂肪酸酯作为主要成分的纤维素系树脂例如记载于日本特开2002-82225号公报的第0106～0112段。
[0053]
作为纤维素系树脂，也可以使用被乙酰基和丙酰基取代的纤维素系树脂。乙酰基的取代程度可以用“乙酰取代度(dsac)”表示，所述乙酰取代度(dsac)表示纤维素的重复单元中存在的3个羟基平均有多少被乙酰基取代。丙酰基的取代程度可以用“丙酰取代度(dspr)”表示，所述丙酰取代度(dspr)表示纤维素的重复单元中存在的3个羟基平均有多少被丙酰基取代。乙酰取代度(dsac)和丙酰取代度(dspr)可以利用日本特开2003-315538号公报的第0016～0019段中记载的方法(a.blumstein，j.asrar，r.b.blumstein，liq.cryst.ordered fluids4.311(1984)中记载的、应用了基于1h-nmr的纤维素乙酸酯的取代度的测定方法的测定方法)而求出。
[0054]
上述纤维素系树脂薄膜的乙酰取代度(dsac)和丙酰取代度(dspr)优选为2.0≤dsac dspr≤3.0。dsac dspr的下限值优选为2.3以上、更优选为2.6以上。dsac dspr的上限
值优选为2.9以下、更优选为2.8以下。
[0055]
上述纤维素系树脂薄膜的丙酰取代度(dspr)优选为1.0≤dspr≤3.0。dspr的下限值优选为2.0以上、更优选为2.5以上。dspr的上限值优选为2.9以下、更优选为2.8以下。
[0056]
上述纤维素系树脂薄膜更优选为乙酰取代度(dsac)和丙酰取代度(dspr)为2.0≤dsac dspr≤3.0、并且为1.0≤dspr≤3.0。
[0057]
上述被乙酰基和丙酰基取代的纤维素系树脂可以具有除乙酰基和丙酰基以外的其它取代基。作为其它取代基，例如可列举出丁酸酯基等酯基；烷基醚基、芳烷基醚基等醚基；等。
[0058]
作为取代为上述乙酰基和丙酰基的取代方法，可以采用任意适合的方法。例如，用强苛性钠溶液处理纤维素而制成碱性纤维素，通过规定量的乙酸酐与丙酸酐的混合物将其酰化。通过将酰基部分水解来调整取代度“dsac dspr”。
[0059]
作为环烯烃系树脂，可以采用任意适合的环烯烃系树脂。环烯烃系树脂代表性的是可以将降冰片烯系单体作为聚合单元进行聚合。作为该降冰片烯系单体，例如可列举出降冰片烯、及其烷基和/或亚烷基取代物、例如5-甲基-2-降冰片烯、5-二甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丁基-2-降冰片烯、5-亚乙基-2-降冰片烯等、它们的卤素等极性基团取代物；双环戊二烯、2,3-二氢双环戊二烯等；二甲醇八氢萘、其烷基和/或亚烷基取代物、和卤素等极性基团取代物、例如6-甲基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-乙基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-亚乙基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-氯-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-氰基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-吡啶基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘、6-甲氧基羰基-1,4:5,8-二甲桥-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氢萘等；环戊二烯的3～4聚体、例如4,9:5,8-二甲桥-3a,4,4a,5,8,8a,9,9a-八氢-1h-苯并茚、4,11：5,10：6,9-三甲桥-3a,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a,11,11a-十二氢-1h-环戊蒽等。环烯烃系树脂也可以是降冰片烯系单体与其它单体的共聚物。
[0060]
作为丙烯酸系树脂，可以采用任意适合的(甲基)丙烯酸系树脂。例如可列举出聚甲基丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物(ms树脂等)、具有脂环族烃基的聚合物(例如，甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环己酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸降冰片酯共聚物等)。优选列举出聚(甲基)丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸c
1-6
烷基酯。更优选列举出以甲基丙烯酸甲酯作为主要成分(50～100重量％、优选为70～100重量％)的甲基丙烯酸甲酯系树脂。需要说明的是，本说明书中“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
[0061]
作为(甲基)丙烯酸系树脂的具体例，例如可列举出mitsubishi rayon co.,ltd.制的acrypet vh、acrypet vrl20a、通过分子内交联、分子内环化反应而得到的高tg(甲基)丙烯酸系树脂(例如，具有戊二酸酐结构的(甲基)丙烯酸系树脂、具有内酯环结构的(甲基)丙烯酸系树脂)。
[0062]
作为具有戊二酸酐结构的(甲基)丙烯酸系树脂，可列举出日本特开2006-283013号公报、日本特开2006-335902号公报、日本特开2006-274118号公报等中记载的具有戊二酸酐结构的(甲基)丙烯酸系树脂。
[0063]
作为具有内酯环结构的(甲基)丙烯酸系树脂，可列举出日本特开2000-230016号公报、日本特开2001-151814号公报、日本特开2002-120326号公报、日本特开2002-254544号公报、日本特开2005-146084号公报等中记载的具有内酯环结构的(甲基)丙烯酸系树脂。
[0064]
第1保护薄膜的厚度优选为15μm以上，更优选为20μm～80μm，进一步优选为30μm～60μm。第1保护薄膜的厚度若为这样的范围，则能够实现期望的辐射线(特别是，β射线)透过抑制功能，并且能够用于小型的拍摄装置。
[0065]
a-5.第2保护薄膜
[0066]
对于第2保护薄膜的具体的构成，如关于第1保护薄膜的上述a-4项目中说明所述。第2保护薄膜可以是与第1保护薄膜相同的构成，也可以是不同的构成。
[0067]
b.辐射线透过抑制滤波器
[0068]
上述a项目中记载的辐射线透过抑制薄膜可以通过装入辐射线透过抑制滤波器中来使用。因此，本发明的实施方式也包括辐射线透过抑制滤波器。图2是说明基于本发明的1个实施方式的辐射线透过抑制滤波器安装在拍摄装置上的示意性分解立体图。图示例的辐射线透过抑制滤波器200具有：辐射线透过抑制薄膜100、及保持辐射线透过抑制薄膜100的支架110。辐射线透过抑制薄膜如上述a项目所述。支架可以采用任意适合的构成。在1个实施方式中，辐射线透过抑制滤波器可以包含2张以上的辐射线透过抑制薄膜。该情况下，辐射线透过抑制滤波器可以用1个支架保持2张以上的辐射线透过抑制薄膜，也可以构成为组合了分别保持了1张或2张以上的辐射线透过抑制薄膜的多个支架。
[0069]
c.拍摄装置
[0070]
包含上述a项目中记载的辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器可以安装于拍摄装置中而使用。因此，本发明的实施方式也包括拍摄装置。拍摄装置代表性的是照相机装置。如图2所示，辐射线透过抑制滤波器200可拆卸地安装于拍摄装置(代表性地，照相机装置的透镜的顶端部)300上。辐射线透过抑制滤波器中包含的辐射线透过抑制薄膜具有上述那样的规定的透光率，因此即使将辐射线透过抑制滤波器安装于拍摄装置上也能进行拍摄。也可以将多个辐射线透过抑制滤波器安装于拍摄装置上。
[0071]
实施例
[0072]
以下通过实施例对本发明进行具体地说明，但本发明不限定于这些实施例。
[0073]
[实施例1]
[0074]
边将厚度75μm的pva薄膜(kuraray co.,ltd.制、制品名：vf-ps750、聚合度：约2400、皂化度：99.9％)浸渍于硼酸含量3重量％、液温40℃的浴中60秒，边以2.3倍的拉伸倍率进行拉伸，得到包含硼酸的pva薄膜。得到的pva薄膜的厚度为47μm。通过pva水溶液将三乙酰纤维素(tac)薄膜(厚度40μm)贴合于得到的pva薄膜的两侧，制作了辐射线透过抑制薄膜1。
[0075]
得到的辐射线透过抑制薄膜1供于以下的评价。将结果示于表1。
[0076]
《硼酸含量》
[0077]
对于实施例1中得到的辐射线透过抑制薄膜1，使用傅里叶变换红外光谱仪(ft-ir)(perkin elmer公司制、商品名“spectrum2000”)，通过衰减全反射光谱(atr)测定而测定了硼酸峰(665cm-1
)的强度和参照峰(2941cm-1
)的强度。由得到的硼酸峰强度和参照峰强度根据下式计算出硼酸量指数，进而，由计算出的硼酸量指数根据下式确定了硼酸含量。
[0078]
(硼酸量指数)＝(硼酸峰665cm-1
的强度)/(参照峰2941cm-1
的强度)
[0079]
(硼酸含量)＝(硼酸量指数)
×
6.6 0.5
[0080]
此处，“6.6”和“0.5”均是基于通过使用上述傅里叶变换红外光谱仪(ft-ir)(perkin elmer公司制、商品名“spectrum2000”)对已知试样进行测定而制作的标准曲线所得到的常数。
[0081]
《透光率》
[0082]
使用大冢电子公司制、制品名“lpf-200”，测定了辐射线透过抑制薄膜1的总透光率。
[0083]
《中子射线透过率》
[0084]
中子射线的照射使用近畿大学原子力研究所拥有的核反应堆(utr-kinki)进行。首先，在作为感光原材料的成像板(fujifilm corporation制、bas-ip-nd-2025)粘贴作为评价对象的样品的辐射线透过抑制薄膜1，对样品照射中子射线。接着通过图像解析装置(ge healthcare公司制、amersham typhoon scanner)扫描照射到感光原材料上的中子照射量并进行定量化。将各样品粘贴部的照射量表示为将样品非粘贴部(参考例)的照射量设为100时的相对值。
[0085]
[实施例2]
[0086]
通过丙烯酸系粘合剂(厚度：20μm)将实施例1中制作的辐射线透过抑制薄膜层叠5张，制作了辐射线透过抑制薄膜2。对于得到的辐射线透过抑制薄膜2，与实施例1同样地，测定了透光率和中子射线透过率。将评价结果示于表1。
[0087]
[实施例3]
[0088]
通过丙烯酸系粘合剂(厚度：20μm)将实施例1中制作的辐射线透过抑制薄膜层叠10张，制作了辐射线透过抑制薄膜3。对于得到的辐射线透过抑制薄膜3，与实施例1同样地，测定了透光率和中子射线透过率。将评价结果示于表1。
[0089]
[比较例1]
[0090]
通过pva水溶液将2张tac薄膜(厚度40μm)贴合而得到tac层叠体。通过丙烯酸系粘合剂(厚度：20μm)层叠5张该tac层叠体，制作了辐射线透过抑制薄膜c1。对于得到的辐射线透过抑制薄膜c1，与实施例1同样地，测定了透光率和中子射线透过率。将评价结果示于表1。
[0091]
[表1]
[0092]
[0093]
图3示出：实施例和比较例中得到的辐射线透过抑制薄膜的pva系树脂薄膜的厚度跟硼酸含量的乘积、与中子射线透过率(相对值)的关系。
[0094]
如表1和图3所示，确认了辐射线透过抑制薄膜的pva系树脂薄膜的厚度与硼酸含量的乘积为500以上时抑制了中子射线的透过。
[0095]
产业上的可利用性
[0096]
本发明的辐射线透过抑制薄膜可适宜地用作核电设施、外太空或医疗现场等在高辐射线环境下使用的拍摄装置的保护构件。
[0097]
附图标记说明
[0098]
10 pva系树脂薄膜
[0099]
20 第1保护薄膜
[0100]
30 第2保护薄膜
[0101]
100 辐射线透过抑制薄膜
[0102]
110 支架
[0103]
200 辐射线透过抑制滤波器
[0104]
300 拍摄装置