用于套刻精度测量的标记系统及量测方法与流程

技术特征：
1.一种用于套刻精度测量的标记系统，其特征在于，所述系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；所述第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，所述第二套刻标记包括多个方型标记；其中，所述十字型限定出四个空间，所述四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述两个条型标记的长度均为100nm～200nm。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述方型标记的的尺寸为50nm～100nm。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述至少三个空间中设置的方型标记围绕所述第一套刻标记的中心且沿水平方向和垂直方向对称设置。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记和所述第二套刻标记位于划片槽上。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一套刻标记和所述第二套刻标记位于芯片内。7.一种套刻精度量测方法，其特征在于，所述方法包括：在光刻版图中设置如上述权利要求1～6任一项所述的用于套刻精度测量的标记系统，并通过光刻工艺将所述用于套刻精度测量的标记系统中的第一套刻标记和第二套刻标记分别转移至晶圆上；利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度，包括：利用所述量测设备测量沿水平方向对称设置的两个方型标记分别与所述第一套刻标记之间的第一水平距离和第二水平距离；根据所述第一水平距离和第二水平距离确定所述第一图案层和所述第二图案层之间在水平方向上的水平偏移量；将所述水平偏移量确定为所述第一图案层和所述第二图案层的套刻精度。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述利用量测设备测量晶圆上第一图案层和第二图案层之间的套刻精度，包括：利用所述量测设备测量沿垂直方向对称设置的两个方型标记分别与所述第一套刻标记之间的第一垂直距离和第二垂直距离；根据所述第一垂直距离和第二垂直距离确定所述第一图案层和所述第二图案层之间在垂直方向上的垂直偏移量；将所述垂直偏移量确定为所述第一图案层和所述第二图案层的套刻精度。10.根据权利要求7～9任一项所述的量测方法，其特征在于，所述测量设备为sem扫描电子显微镜。

技术总结
本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。之间的套刻精度。之间的套刻精度。


技术研发人员：梁时元 贺晓彬 刘金彪 李亭亭
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.09.24
技术公布日：2022/3/29