显示面板及其驱动方法、显示装置与流程

显示面板及其驱动方法、显示装置
【技术领域】
1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其驱动方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板包括电连接的像素电路和发光元件，像素电路用于向发光元件传输驱动电流，以驱动发光元件发光。
3.目前，为提高显示面板的亮度均一性，通常需要对像素电路中驱动晶体管的阈值电压进行补偿。但现有技术中阈值电压的检测精度较低，进而导致补偿精度不高。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及其驱动方法、显示装置，用以提高驱动晶体管的阈值电压的检测精度。
5.一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区，所述显示区包括发光元件以及与所述发光元件连接的像素电路，其中，所述像素电路包括：
6.驱动晶体管，电连接在第一固定电位信号线与所述发光元件的第一极之间；
7.数据写入模块，电连接在数据线与所述驱动晶体管的栅极之间；
8.检测模块，电连接在所述发光元件的第一极与检测信号线之间；
9.存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极电连接；
10.充电控制模块，包括第一电容和控制单元，所述第一电容电连接在所述存储电容的第二极板与所述发光元件的第一极之间，所述控制单元分别与所述第一电容的第一极板和所述第一电容的第二极板电连接，用于控制所述第一电容在检测时段充电，在补偿时段不充电。
11.另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的驱动方法，应用于上述显示面板，所述显示面板的工作过程包括检测时段和补偿时段，所述驱动方法包括：
12.在所述检测时段，所述数据写入模块向所述驱动晶体管的栅极写入数据电压，所述控制单元控制所述第一电容充电，所述检测模块对所述驱动晶体管的阈值电压进行抓取；
13.在所述补偿时段，所述数据写入模块向所述驱动晶体管的栅极写入数据电压，所述控制单元控制所述第一电容不充电。
14.再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
15.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
16.本发明实施例通过在像素电路中增设充电控制模块，一方面，可以在检测时段内将新增的第一电容串联到像素电路中，与存储电容串联形成等效电容，根据电容串联计算公式可知，二者串联后所形成的等效电容的电容值要小于单个存储电容的电容值，因此，相较于现有技术，本发明实施例减小了检测时段内所需进行充电的电容大小，进而缩短了从充电起始到对电容完全充满所需的时间。即使检测时间较短，也仍能使得检测模块所采集
到的发光元件第一极的电压为电容完全充满时所对应的电压，提高阈值电压的检测精度，尤其是提高以较高刷新率驱动的显示面板的阈值检测精度，进而提高补偿效果。另一方面，还可以在补偿时段控制新增的第一电容不工作，避免第一电容对像素电路工作产生影响，保证像素电路的正常工作时的电容需求。
【附图说明】
17.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
18.图1为现有技术中像素电路的一种结构示意图；
19.图2为现有技术中像素电路的另一种结构示意图；
20.图3为现有技术中存储电容的一种充电示意图；
21.图4为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图；
22.图5为本发明实施例所提供的像素电路的一种结构示意图；
23.图6为本发明实施例所提供的像素电路的另一种结构示意图；
24.图7为图5对应的一种时序图；
25.图8为本发明实施例所提供的像素电路的再一种结构示意图；
26.图9为图8对应的一种时序图；
27.图10为图8对应的另一种时序图；
28.图11为本发明实施例所提供的像素电路的又一种结构示意图；
29.图12为图11对应的一种时序图；
30.图13为图11对应的另一种时序图；
31.图14为本发明实施例所提供的像素电路的又一种结构示意图；
32.图15为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
【具体实施方式】
33.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
34.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
35.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
36.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
37.为对本发明实施例所提供的技术方案进行更加清楚的阐述，本发明首先对现有像素电路的结构以及现有技术中存在的问题进行说明：
38.现有显示面板中的像素电路具体可以采用图1所示的2t1c结构，如图1所示，图1为现有技术中像素电路的一种结构示意图，像素电路包括驱动晶体管m0'、数据写入晶体管m1'和存储电容cst'。
39.在像素电路的工作过程中，数据写入晶体管m1'首先响应第一扫描信号线scan1'提供的第一扫描信号，将数据线data'提供的数据电压v
data
'写入驱动晶体管m0'的栅极，控制驱动晶体管m0'导通。可以理解的是，写入的数据电压v
data
'不同，驱动晶体管m0'的导通程度也不同。然后，电源信号线vdd'提供的电源信号经由导通的驱动晶体管m0'传输至发光元件d'的阳极，对存储电容cst'进行充电，直至将发光元件d'的阳极电位充电至v
data
'-vth'，驱动晶体管m0'截止，其中，vth'为驱动晶体管m0'的阈值电压。
40.在显示面板的工艺制程中，受到温度变化的影响，不同像素电路中驱动晶体管m0'的阈值电压vth'存在差异，这就导致在同一数据电压v
data
'下不同发光元件d'的发光亮度不同，进而影响了显示面板的亮度均一性。
41.为此，现有技术在像素电路中进一步增设了检测晶体管，通过利用检测晶体管对驱动晶体管m0'的阈值电压进行检测，进而实现对阈值电压的补偿。如图2所示，图2为现有技术中像素电路的另一种结构示意图，像素电路还包括检测晶体管m2'，检测晶体管m2'响应第二扫描信号线scan2'提供的第二扫描信号，将发光元件d'的阳极电位传输至检测信号线vsen'中，实现对发光元件d'的阳极电位vd'的侦测。由于数据电压v
data
'是已知的，因此可以通过vd'-v
data
'获知驱动晶体管m0'的阈值电压vth'，进而再根据检测到的阈值电压vth'对像素电路进行外部补偿。
42.然而，数据电压v
data
'写入驱动晶体管m0'的栅极后，如图3所示，图3为现有技术中存储电容的一种充电示意图，随着充电时间t的增加，存储电容cst'的充电速率v逐渐变慢，尤其是在充电的最后阶段，也就是在驱动晶体管m0'截止前的一段时间，存储电容cst'的充电更为缓慢。如此一来，当检测时间变短时，可能就会出现存储电容cst'还未充满就将所采集到的阳极电位vd'视为了v
data
'-vth'的情况，进而导致所获取的阈值电压不准确，补偿效果不佳。尤其是随着显示面板刷新频率的越来越高，每一帧内像素电路的检测时间更短，因而阈值检测精度更差。
43.为解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，可有效提高驱动晶体管的阈值电压的检测精度。
44.如图4所示，图4为本发明实施例所提供的显示面板的一种结构示意图，显示面板包括显示区1，显示区1为显示面板中用于进行画面显示的区域，也被称作aa(active area)区。显示区1包括发光元件d以及与发光元件d连接的像素电路3。
45.如图5所示，图5为本发明实施例所提供的像素电路的一种结构示意图，像素电路3包括驱动晶体管m0、数据写入模块4、检测模块5和存储电容cst。其中，驱动晶体管m0电连接在第一固定电位信号线v1与发光元件d的第一极之间；数据写入模块4电连接在数据线data与驱动晶体管m0的栅极之间，用于在检测时段和补偿时段向驱动晶体管m0的栅极写入数据电压；检测模块5电连接在发光元件d的第一极与检测信号线vsen之间，用于在检测时段对驱动晶体管m0的阈值电压进行抓取；存储电容cst的第一极板与驱动晶体管m0的栅极电连接。
46.像素电路3还包括充电控制模块6，充电控制模块6包括第一电容c1和控制单元7，
第一电容c1电连接在存储电容cst的第二极板与发光元件d的第一极之间，控制单元7分别与第一电容c1的第一极板和第一电容c1的第二极板电连接，用于控制第一电容c1在检测时段充电，在补偿时段不充电。
47.具体地，显示面板的工作过程包括检测时段和补偿时段。
48.在检测时段，数据写入模块4将数据线data所提供的数据电压写入驱动晶体管m0的栅极，控制驱动晶体管m0导通，在该时段，控制单元7控制第一电容c1充电，此时，第一固定电位信号线v1所提供的第一固定电位信号对第一电容c1与存储电容cst串联所形成的等效电容进行充电，然后利用检测模块5采集发光元件d的第一极的电压，根据所采集到的电压，获取驱动晶体管m0的阈值电压。
49.在补偿时段，数据写入模块4将数据线data所提供的补偿后的数据电压写入驱动晶体管m0的栅极，控制驱动晶体管m0导通，在该时段，控制单元7控制第一电容c1不充电，此时，第一固定电位信号仅对存储电容cst进行充电。
50.由上可见，本发明实施例通过在像素电路3中增设充电控制模块6，一方面，可以在检测时段内将新增的第一电容c1串联到像素电路3中，使其与存储电容cst串联，根据电容串联计算公式可知，二者串联后所形成的等效电容的电容值要小于单个存储电容cst的电容值，因此，相较于现有技术，本发明实施例减小了检测时段内所需进行充电的电容大小，进而缩短了从充电起始到对电容完全充满所需的时间。即使检测时间较短，也仍能使得检测模块5所采集到的发光元件d的第一极的电压为电容完全充满时所对应的电压，提高阈值电压的检测精度，尤其是提高以较高刷新率驱动的显示面板的阈值检测精度，进而提高补偿效果。另一方面，还可以在补偿时段控制新增的第一电容c1不工作，避免第一电容c1对像素电路3工作产生影响，保证像素电路3的正常工作时的电容需求。
51.综上，本发明实施例利用充电控制模块6实现了在检测时段和补偿时段设置不同的充电电容值，在提高检测时段阈值检测精度的同时，又能保证补偿时段像素电路正常工作时的电容需求。
52.此外，还需要说明的是，在本发明实施例中，再次参见图5，第一固定电位信号线v1可以为正性电源信号线vdd，此时，发光元件d的第一极为发光元件d的阳极，发光单元d的第二极为发光单元d的阴极，发光元件d的阴极与负性电源信号线vss电连接。或者，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的像素电路的另一种结构示意图，第一固定电位信号线v1也可以为负性电源信号线vss，此时，发光元件d的第一极为发光元件d的阴极，发光单元d的第二极为发光单元d的阳极，发光元件d的阳极与正性电源信号线vdd电连接。可以理解的是，上述两种结构的像素电路3的工作原理相同，仅是同一灰阶亮度所需的数据电压不同。
53.进一步地，根据电容串联计算公式可知，检测时段第一电容c1与存储电容cst串联形成的等效电容的电容值其中，c1为第一电容c1的电容值，cst为存储电容cst的电容值。在本发明实施例中，为进一步减小检测时段内所需充电的电容大小，进而更大程度地缩短电容充满所需要的时间，可以使第一电容c1的电容值小于或等于存储电容cst的电容值，此时，等效电容的电容值小于或等于相较于存储电容cst大幅减小。
54.此外，当第一电容c1的电容值小于存储电容cst的电容值时，除可以显著减小检测时段内所需充电的电容大小以外，相较于存储电容cst，第一电容c1可以具有更小的极板正
对面积，因而可以减小第一电容c1在像素电路3中占用的空间，进而减小像素电路3整体空间，提高显示面板的像素密度。
55.当第一电容c1的电容值等于存储电容cst的电容值时，除可以显著减小检测时段内所需充电的电容大小以外，第一电容c1的极板正对面积、极板间距、极板材料等参数均可以与存储电容cst设置为相同，因而可以简化第一电容c1的设计复杂度。
56.在一种可行的实施方式中，再次参见图5和图6，控制单元7包括控制晶体管m1，控制晶体管m1的第一极与第一电容c1的第一极板电连接，控制晶体管m1的第二极与第一电容c1的第二极板电连接。控制晶体管m1用于在检测时段内截止，在补偿时段内导通。
57.在检测时段，控制晶体管m1截止，控制晶体管m1不会对第一电容c1的正常充电产生影响，因而可以保证第一电容c1与存储电容cst串联形成一个电容值更小的等效电容。而在补偿时段，控制晶体管m1导通，将第一电容c1短路，进而可以使第一电容c1在该时段内无法工作，实现仅对存储电容cst的充电。
58.在一种可行的实施方式中，再次参见图5和图6，检测模块5包括检测晶体管m2，检测晶体管m2的栅极与第一扫描信号线scan1电连接，检测晶体管m2的第一极与发光元件d的第一极电连接，检测晶体管m2的第二极与检测信号线vsen电连接。控制晶体管m1的栅极与第一扫描信号线scan1电连接，且控制晶体管m1与检测晶体管m2的晶体管类型相反。
59.以控制晶体管m1为p型晶体管、检测晶体管m2为n型晶体管为例，结合图7所示的时序图，在检测时段t1，第一扫描信号线scan1提供高电平，控制检测晶体管m2导通、控制晶体管m1截止，控制晶体管m1控制第一电容c1与存储电容cst串联，形成一个电容值更小的等效电容，检测晶体管m2将发光元件d的第一极的电位传输至检测信号线vsen，实现对阈值电压的检测。在补偿时段t2，第一扫描信号线scan1提供低电平，控制检测晶体管m2截止、控制晶体管m1导通，控制晶体管m1导通后将第一电容c1短路，使第一电容c1无法充电，进而使该时段仅对存储电容cst进行充电，保证像素电路3的正常工作时的电容需求。
60.在上述结构中，控制晶体管m1与检测晶体管m2电连接至相同的扫描信号线，一方面无需为控制晶体管m1设置额外的驱动信号线，减少显示面板中的布线，另一方面控制晶体管m1的截止与检测晶体管m2的导通同步进行，控制方式更为简单。
61.需要说明的是，本发明实施例均以检测晶体管m2为n型晶体管为例进行的说明，可以理解的是，检测晶体管m2也可以为p型晶体管。若检测晶体管m2为p型晶体管，当控制晶体管m1与检测晶体管m2的晶体管类型相反时，控制晶体管m1为n型晶体管。可以理解的是，无论检测晶体管m2为n型晶体管还是为p型晶体管，在同一时段内检测晶体管m2的工作状态是相同的，仅是与其相连的第一扫描信号线scan1所提供的电平状态不同。
62.在一种可行的实施方式中，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的像素电路的再一种结构示意图，检测模块5包括检测晶体管m2，检测晶体管m2的栅极与第一扫描信号线scan1电连接，检测晶体管m2的第一极与发光元件d的第一极电连接，检测晶体管m2的第二极与检测信号线vsen电连接。控制晶体管m1的栅极与第二扫描信号线电连接。
63.在该种设置方式中，控制晶体管m1和检测晶体管m2分别与不同的扫描信号线电连接，因此，控制晶体管m1的截止和检测晶体管m2的导通可以同步进行，也可以不同步进行，对控制晶体管m1和检测晶体管m2的工作状态的把控更加灵活。
64.以检测晶体管m2为n型晶体管、控制晶体管m1为p型晶体管为例，当控制晶体管m1
的截止和检测晶体管m2的导通同步进行时，如图9所示，图9为图8对应的一种时序图，第一扫描信号线scan1在整个检测时段t1内均提供高电平，以控制检测晶体管m2在整个检测时段t1内导通，第二扫描信号也在整个检测时段t1内均提供高电平，以控制控制晶体管m1在整个检测时段t1内截止。
65.当控制晶体管m1的截止和检测晶体管m2的导通不同步进行时，如图10所示，图10为图8对应的另一种时序图，检测时段t1包括数据写入子时段t11和阈值抓取子时段t12，其中，数据写入模块4在数据写入子时段t11将数据电压写入驱动晶m0的栅极。在数据写入子时段t11，第一扫描信号线scan1提供低电平以控制检测晶体管m2截止，第二扫描信号线提供高电平以控制控制晶体管m1截止，在阈值抓取子时段t12，第一扫描信号线scan1提供高电平以控制检测晶体管m2导通，第二扫描信号线继续提供高电平以控制控制晶体管m1继续截止。在该种驱动方式中，检测晶体管m2仅在阈值抓取子时段t12导通，此时传输至检测信号线vsen的电压更趋金于电容充满后发光元件d的第一极的电压，该电压更接近为v
data-vth，此时所获取到的阈值电压更加精确。
66.当控制晶体管m1和检测晶体管m2分别与不同的扫描信号线电连接时，进一步地，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的像素电路的又一种结构示意图，控制晶体管m1可以与检测晶体管m2的晶体管类型相同，此时，控制晶体管m1与检测晶体管m2中膜层的工艺制程相同，显示面板的工艺制程更简单。
67.以控制晶体管m1与检测晶体管m2的均为n型晶体管为例，如图12所示，图12为图11对应的一种时序图，第一扫描信号线scan1在整个检测时段t1内提供高电平以控制检测晶体管m2导通，第二扫描信号线在整个检测时段t1内提供低电平以控制控制晶体管m1截止。或者，为进一步提高阈值检测精度，如图13所示，图13为图11对应的另一种时序图，第一扫描信号线scan1也可以仅在阈值补偿子时段t21提供高电平，以控制检测晶体管m2仅在阈值补偿子时段t21导通。
68.需要说明的是，在本发明其它可选的实施例中，当控制晶体管m1和检测晶体管m2分别与不同的扫描信号线电连接时，控制晶体管m1与检测晶体管m2的晶体管类型也可以相反，例如，再次参见图8，检测晶体管m2为n型晶体管，控制晶体管m1为p型晶体管，或者，检测晶体管m2为p型晶体管，控制晶体管m1为n型晶体管。
69.在一种可行的实施方式中，如图14所示，图14为本发明实施例所提供的像素电路的又一种结构示意图，控制单元7包括并联设置的至少两个控制晶体管m1，至少两个控制晶体管m1的栅极电连接，至少两个控制晶体管m1的第一极均与第一电容c1的第一极板电连接，至少两个控制晶体管m1的第二极均与第一电容c1的第二极板电连接。控制晶体管m1用于在检测时段t1截止，在补偿时段t2导通。
70.通过在控制单元7中并联设置多个控制晶体管m1，可以提高控制单元7对第一电容c充电状态控制的可靠性。例如，在补偿时段t2，当某个控制晶体管m1损坏而无法导通时，仍可利用其它导通的控制晶体管m1将第一电容c1短路。
71.在一种可行的实施方式中，再次参见图5，数据写入模块4包括数据写入晶体管，数据写入晶体管的栅极与第三扫描信号线scan3电连接，数据写入晶体管的第一极与数据线data电连接，数据写入晶体管的第二极与驱动晶体管m0的栅极电连接，数据写入晶体管用于在检测时段t1和补偿时段t2响应第三扫描信号线scan3提供的第三扫描信号，将数据线
data提供的数据电压写入驱动晶体管m0的栅极。
72.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的驱动方法，该驱动方法应用于上述显示面板。结合图4～图7，显示面板的工作过程包括检测时段t1和补偿时段t2，驱动方法包括：
73.在检测时段t1，数据写入模块4向驱动晶体管m0的栅极写入数据电压，控制单元7控制第一电容c1充电，检测模块5对驱动晶体管m0的阈值电压进行抓取。
74.在补偿时段t2，数据写入模块4向驱动晶体管m0的栅极写入数据电压，控制单元7控制第一电容c1不充电。需要说明的是，在该时段，数据写入模块4所写入的数据电压为阈值补偿后的数据电压。
75.其中，检测时段t1和补偿时段t2内数据写入模块4、检测模块5和充电控制模块6的具体工作原理已在上述实施例中进行说明，此处不再赘述。
76.在本发明实施例中，一方面，在检测时段t1，控制单元7控制第一电容c1充电，使第一电容c1与存储电容cst串联形成等效电容，减小检测时段t1内所需充电的电容大小，进而缩短了从充电起始到对电容完全充满所需的时间，使检测模块5所采集到的发光元件d第一极的电压为电容完全充满时所对应的电压，进而提高阈值电压的检测精度。另一方面，在补偿时段t2，控制单元7控制不工作，还可避免第一电容c1对像素电路3工作产生影响，保证像素电路3的正常工作时的电容需求。
77.在一种可行的实施方式中，再次结合图5和图7，控制单元7包括控制晶体管m1，控制晶体管m1的第一极与第一电容c1的第一极板电连接，控制晶体管m1的第二极与第一电容c1的第二极板电连接。
78.基于此，在检测时段t1，控制单元7控制第一电容c1充电的过程包括：在检测时段t1，控制晶体管m1截止，此时，控制晶体管m1不会对第一电容c1的正常充电产生影响，因而可以保证第一电容c1与存储电容cst串联形成一个电容值更小的等效电容。在补偿时段t2，控制单元7控制第一电容c1不充电的过程包括：控制晶体管m1导通，使第一电容c1短路，进而使第一电容c1在该时段内无法工作，实现仅对存储电容cst的充电。
79.进一步地，结合图8和图9，检测模块5包括检测晶体管m2，检测晶体管m2的栅极与第一扫描信号线scan1电连接，检测晶体管m2的第一极与发光元件d的第一极电连接，检测晶体管m2的第二极与检测信号线vsen电连接。控制晶体管m1的栅极与第二扫描信号线电连接。
80.基于此，检测时段t1包括数据写入子时段t11和阈值抓取子时段t12。在数据写入子时段t11，控制晶体管m1在第二扫描信号的作用下截止，检测晶体管m2在第一扫描信号的作用下截止。在阈值抓取子时段t12，控制晶体管m1在第二扫描信号的作用下截止，检测晶体管m2在第一扫描信号的作用下导通。
81.在上述驱动方式中，控制晶体管m1的截止和检测晶体管m2的导通不同步进行，检测晶体管m2仅在阈值抓取子时段t12导通，此时传输至检测信号线vsen的电压为电容充满后发光元件d的第一极的电压，该电压更接近为v
data-vth，此时所获取到的阈值电压更加精确。
82.或者，结合图5和图7，检测模块5包括检测晶体管m2，检测晶体管m2的栅极与第一扫描信号线scan1电连接，检测晶体管m2的第一极与发光元件d的第一极电连接，检测晶体
管m2的第二极与检测信号线vsen电连接。控制晶体管m1与检测晶体管m2的晶体管类型相反，控制晶体管m1的栅极与第一扫描信号线scan1电连接。
83.基于此，检测时段t1包括数据写入子时段t11和阈值抓取子时段t12。在数据写入子时段t11，控制晶体管m1在第一扫描信号的作用下截止，检测晶体管m2在第一扫描信号的作用下导通。在阈值抓取子时段t12，控制晶体管m1在第一扫描信号的作用下截止，检测晶体管m2在第一扫描信号的作用下导通。
84.在上述驱动方式中，控制晶体管m1与检测晶体管m2电连接至相同的扫描信号线，一方面无需为控制晶体管m1设置额外的驱动信号线，减少显示面板中的布线，另一方面控制晶体管m1的截止与检测晶体管m2的导通同步进行，控制方式更为简单。
85.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置包括上述显示面板。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图15所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
86.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
87.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。