掩模修复装置的制作方法

掩模修复装置
1.本技术要求于2020年9月18日提交的第10-2020-0120539号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容以其整体通过引用并入本文。
技术领域
2.本公开在此涉及一种掩模修复装置和使用该掩模修复装置的掩模修复方法。


背景技术：

3.与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器(“oled”)一般具有优异的亮度和视角特性并且不需要单独的光源单元，作为下一代平板显示器已经吸引许多关注。由于oled不需要单独的光源，因此oled可制造为在重量和厚度上减小。此外，oled具有诸如低功耗、高亮度和高反应速度的特性。
4.oled包括多个发光元件，每个发光元件包括阳极、发光层和阴极。当来自阳极和阴极的空穴和电子注入发光层时形成激子，并且当激子转变为基态时，发光元件发光。当制造发光元件时，将掩模设置在基板上方，并且通过掩模的开口将用于形成发光层的有机材料提供在基板上。


技术实现要素：

5.本公开提供一种用于容易地移除有缺陷的单元格掩模(cell mask)的掩模修复装置和使用该掩模修复装置的掩模修复方法。
6.本发明构思的实施例提供一种掩模修复装置，包括：激光器，朝向设置在掩模框架上的开口片与设置在所述开口片上的单元格掩模之间的焊接部分发射激光束；固定部件，设置在所述开口片下方以固定所述开口片；以及抽吸部件，邻近于所述激光器，其中所述单元格掩模通过所述激光束与所述开口片分离。
7.在本发明构思的实施例中，一种掩模修复方法包括：将用于固定开口片的固定部件设置在掩模框架中限定的第一开口部分中，其中所述掩模框架设置在所述开口片下方；通过朝向与所述开口片和设置在所述开口片上的有缺陷的单元格掩模之间的焊接部分重叠的移除部分发射激光束来移除有缺陷的单元格掩模的所述移除部分；通过向所述焊接部分发射激光束来移除所述焊接部分；使所述有缺陷的单元格掩模与所述开口片分离；并将正常单元格掩模连接到所述开口片。
附图说明
8.包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
9.图1是根据本发明构思的实施例的掩模修复装置和待修复的掩模的立体图；
10.图2是图1中示出的掩模的平面图；
11.图3是沿着图1中示出的线i-i'截取的截面图；
12.图4是图3中示出的一个单元格掩模和与该单元格掩模重叠的开口片的截面图；
13.图5是图4中示出的单元格掩模和开口片的平面图；
14.图6至图13是用于解释使用图1中示出的掩模修复装置的掩模修复方法的视图；
15.图14是用于解释根据本发明构思的另一实施例的掩模修复方法的视图；
16.图15是通过使用图1中示出的掩模制造的显示面板的平面图；
17.图16是示意性地示出图15中示出的像素中的一个的截面的视图；以及
18.图17是用于解释其中使用图1中示出的掩模的沉积工艺的视图。
具体实施方式
19.在说明书中，应当理解，当一元件(或区域、层、部分等)被称为在说明书中的另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，该元件可直接设置在上述另一元件上、连接或联接到上述另一元件，或者可在它们之间设置居间元件。
20.相同的附图标记始终表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效描述技术内容而夸大元件的厚度、比率和尺寸。应当理解，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可被称为第二元件、部件、区域、层或区段。
21.本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并非旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”、“某一”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非内容另有明确说明。“至少一个”不应被解释为限制“一”或“某一”。“或”意味着“和/或”。术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。
22.应当理解，尽管本文可使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。除非上下文另有明确说明，否则单数形式包括复数形式。
23.此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”和“上部”的术语可用于描述附图中示出的部件的关系。这些术语具有相对概念，并且基于附图中指示的方向进行描述。
24.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被理解为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来理解，除非在本文中明确地如此定义。
25.应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合。
26.本文使用的“约”或“大约”包括所陈述的值，并且意指在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可表示在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的
±
30％、20％、10％或5％内。在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施例。
27.图1是根据本发明构思的实施例的掩模修复装置和待修复的掩模的立体图。
28.参照图1，根据本发明构思的实施例的掩模修复装置mra可包括固定部件fxp、激光器lar、抽吸部件ssp和多个传送单元mov。可通过固定部件fxp、激光器lar和抽吸部件ssp修复掩模msk，并且稍后将详细描述掩模msk的修复操作。
29.在实施例中，例如，掩模msk可用于形成显示设备的发光元件。掩模msk可包括掩模框架mf、开口片ops和多个单元格掩模cmk。单元格掩模cmk可被限定为沉积掩模。
30.掩模框架mf可具有四边形形状，其具有在第一方向dr1上延伸的侧表面以及在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的侧表面。掩模框架mf可具有四边形框架形状，但是根据本发明的掩模框架mf的形状不限于此。
31.掩模框架mf中限定第一开口部分op1。第一开口部分op1可具有四边形形状，但是根据本发明的第一开口部分op1的形状不限于此。在掩模框架mf的限定第一开口部分op1的内表面is的相对侧的掩模框架mf的外表面os可被限定为掩模框架mf的边缘。
32.掩模框架mf可包括金属材料。例如，掩模框架mf可包括因瓦合金或不锈钢。
33.在下文中，第三方向dr3被限定为与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面交叉的方向。基本上，第三方向dr3可与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面垂直地交叉。在本说明书中，“当在平面图中观察时”的含义可表示当在第三方向dr3上观察时的状态。第三方向dr3也可被称为元件的厚度方向。
34.开口片ops可设置在掩模框架mf上。开口片ops可具有由第一方向dr1和第二方向dr2限定的主表面平面。开口片ops可具有四边形形状，其具有在第一方向dr1上延伸的侧表面和在第二方向dr2上延伸的侧表面，但是根据本发明的开口片ops的形状不限于此。
35.开口片ops可通过焊接工艺焊接到掩模框架mf。例如，开口片ops的邻近于开口片ops的边缘的部分可通过激光焊接连接到掩模框架mf。开口片ops可由掩模框架mf支撑。
36.多个第二开口部分op2可限定在开口片ops中。第二开口部分op2可在第一方向dr1和第二方向dr2上布置。当在平面图中观察时，第二开口部分op2可与第一开口部分op1重叠。第二开口部分op2中的每个可具有四边形形状，但是根据本发明的第二开口部分op2的形状不限于此。
37.关于第三方向dr3，开口片ops具有的厚度可小于掩模框架mf的厚度。例如，开口片ops可具有约100微米(μm)至约200微米(μm)的厚度。开口片ops可包括金属材料。例如，开口片ops可包括因瓦合金或不锈钢。
38.单元格掩模cmk可设置在开口片ops上。单元格掩模cmk中的每个可具有由第一方向dr1和第二方向dr2限定的主表面平面。单元格掩模cmk中的每个可具有四边形形状，其具有在第一方向dr1上延伸的侧表面和在第二方向dr2上延伸的侧表面，但是根据本发明的单元格掩模cmk的形状不限于此。
39.单元格掩模cmk可通过焊接工艺连接到开口片ops。例如，单元格掩模cmk的邻近于单元格掩模cmk边缘的部分可通过激光焊接连接到开口片ops。单元格掩模cmk可由开口片ops支撑。
40.单元格掩模cmk可在第一方向dr1和第二方向dr2上布置。单元格掩模cmk可设置为分别对应于第二开口部分op2。例如，单元格掩模cmk中的每个可设置在多个第二开口部分
op2中的对应的第二开口部分op2上。因此，当在平面图中观察时，单元格掩模cmk中的每个可设置为在平面图中与多个第二开口部分op2中的对应的第二开口部分op2重叠。
41.单元格掩模cmk的每个中可限定单元格区域(cell area)cea。当在平面图中观察时，单元格掩模cmk中的每个的单元格区域cea可设置为与多个第二开口部分op2中的对应的第二开口部分op2重叠。单元格区域cea可具有与第二开口部分op2的形状对应的形状。例如，单元格区域cea中的每个可具有四边形形状。
42.单元格掩模cmk的每个中可限定多个第三开口部分op3。特别地，单元格掩模cmk的单元格区域cea的每个中可限定多个第三开口部分op3。第三开口部分op3可在第一方向dr1和第二方向dr2上布置。当在平面图中观察时，第三开口部分op3可与第二开口部分op2重叠。例如，第三开口部分op3中的每个可具有四边形形状，但是根据本发明的第三开口部分op3的形状不限于此。
43.关于第三方向dr3，单元格掩模cmk中的每个具有的厚度可小于开口片ops的厚度。例如，单元格掩模cmk中的每个可具有约10微米(μm)至约25微米(μm)的厚度。单元格掩模cmk可包括金属材料。例如，单元格掩模cmk可包括因瓦合金或不锈钢。单元格掩模cmk可由开口片ops支撑。
44.固定部件fxp可设置在开口片ops下方。固定部件fxp可设置在第一开口部分op1中。固定部件fxp可固定开口片ops。稍后将详细描述固定部件fxp的结构。
45.激光器lar可产生激光束并将所产生的激光束发射到单元格掩模cmk中的有缺陷的单元格掩模。可通过激光器lar使有缺陷的单元格掩模与开口片ops分离。稍后将详细描述激光器lar的操作。
46.抽吸部件ssp可产生抽吸力。抽吸部件ssp可抽吸并移除当激光器lar照射有缺陷的单元格掩模时产生的颗粒。传送单元mov可移除与开口片ops分离的有缺陷的单元格掩模。稍后将详细描述抽吸部件ssp和传送单元mov的操作。
47.图2是图1中示出的掩模的平面图。
48.参照图2，当在平面图中观察时，开口片ops的边缘可设置在掩模框架mf的外表面os与掩模框架mf的内表面is之间。当在平面图中观察时，限定在开口片ops中的第二开口部分op2可与第一开口部分op1重叠。
49.当在平面图中观察时，单元格掩模cmk可与第一开口部分op1重叠。单元格掩模cmk的单元格区域cea可与第一开口部分op1重叠。
50.当在平面图中观察时，单元格掩模cmk可分别与第二开口部分op2重叠。单元格掩模cmk的单元格区域cea可分别与第二开口部分op2重叠。当在平面图中观察时，限定在单元格区域cea的每个中的第三开口部分op3可与多个第二开口部分op2中的对应的第二开口部分op2重叠。
51.图3是沿图1中示出的线i-i'截取的截面图。
52.参照图3，开口片ops可设置在掩模框架mf上并连接到掩模框架mf，使得第二开口部分op2在平面图中与第一开口部分op1重叠。多个第一焊接部分wp1可设置在开口片ops与掩模框架mf之间。开口片ops可通过第一焊接部分wp1连接到掩模框架mf。
53.将激光束发射到开口片ops与掩模框架mf之间的第一焊接部分wp1，并且通过该激光焊接，开口片ops和掩模框架mf可联接到彼此。
54.单元格掩模cmk可设置在开口片ops上并连接到开口片ops，使得单元格区域cea在平面图中分别与第二开口部分op2重叠。多个第二焊接部分wp2可设置在单元格掩模cmk与开口片ops之间。单元格掩模cmk可通过第二焊接部分wp2连接到开口片ops。
55.将激光束发射到开口片ops与单元格掩模cmk之间的第二焊接部分wp2，并且通过该激光焊接，开口片ops和单元格掩模cmk可联接到彼此。
56.在开口片ops下方，固定部件fxp可设置在掩模框架mf中限定的第一开口部分op1中。固定部件fxp可支撑开口片ops。特别地，固定部件fxp可支撑开口片ops，以防止开口片ops向下偏转。
57.固定部件fxp可稳定地支撑开口片ops，以防止开口片ops移动。例如，固定部件fxp可产生静电力以固定开口片ops。
58.固定部件fxp可包括静电卡盘esc和设置在静电卡盘esc上的绝缘层inl。绝缘层inl可设置在静电卡盘esc与开口片ops之间。绝缘层inl可使开口片ops与静电卡盘esc绝缘。静电卡盘esc可产生静电力。
59.静电卡盘esc可包括多个第一电极el1和多个第二电极el2。第一电极el1和第二电极el2可在第一方向dr1上交替设置。第一电极el1和第二电极el2可接收具有不同极性的电压。第一电极el1可连接到电源ps的具有正极性的第一端子，并且第二电极el2可连接到电源ps的具有负极性的第二端子。
60.当电源ps的电压施加到第一电极el1和第二电极el2时，第一电极el1可具有正极性，并且第二电极el2可具有负极性。然而，这是作为示例来描述的。在另一实施例中，第一电极el1可具有负极性，并且第二电极el2可具有正极性。
61.具有不同极性的第一电极el1和第二电极el2可产生静电力。开口片ops可通过从静电卡盘esc产生的静电力固定到静电卡盘esc。开口片ops可通过由静电力引起的吸引力附着并固定到绝缘层inl的顶表面。
62.静电卡盘esc作为示例示出，但是本发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，例如，代替静电卡盘esc，固定部件fxp可包括磁体。在这种情况下，开口片ops可通过从磁体产生的磁力固定。
63.激光器lar可设置在单元格掩模cmk上方。激光器lar可设置在单元格掩模cmk中的有缺陷的单元格掩模上方。下面将在图6中描述有缺陷的单元格掩模的示例性形状。激光器lar可产生激光束并将激光束发射到有缺陷的单元格掩模。其操作将在稍后详细描述。例如，激光器lar可包括绿色激光器、飞秒激光器和皮秒激光器中的一种。
64.抽吸部件ssp可设置在单元格掩模cmk上方。抽吸部件ssp可邻近于激光器lar。抽吸部件ssp可邻近于激光器lar并产生预定的抽吸力。
65.图4是图3中示出的一个单元格掩模以及与该单元格掩模重叠的开口片的截面图。图5是图4中示出的单元格掩模和开口片的平面图。
66.参照图4和图5，当在平面图中观察时，形成在开口片ops与单元格掩模cmk之间的第二焊接部分wp2可邻近于单元格掩模cmk的边缘。当在平面图中观察时，第二焊接部分wp2可设置在单元格掩模cmk的边缘与单元格掩模cmk的单元格区域cea的边界之间。也就是说，第二焊接部分wp2可设置在第三开口部分op3的外侧。
67.当在平面图中观察时，第二焊接部分wp2可沿着单元格掩模cmk的边缘布置。第二
焊接部分wp2可沿着单元格掩模cmk的边缘彼此间隔开。第二焊接部分wp2可布置为点型。
68.通过第二焊接部分wp2，单元格掩模cmk和开口片ops可连接到彼此。也就是说，单元格掩模cmk和开口片ops可部分地连接。
69.图6至图13是用于解释使用图1中示出的掩模修复装置的掩模修复方法的视图。
70.参照图6，单元格掩模cmk可包括有缺陷的单元格掩模b_cmk。例如，在单元格掩模cmk中，异物fm可能存在于第三开口部分op3中。此外，第三开口部分op3可能没有正常地形成，并且突起prt可形成在第三开口部分op3中。也就是说，具有的第三开口部分的形状不同于正常的第三开口部分op3的形状的单元格掩模可被限定为有缺陷的单元格掩模b_cmk。
71.当使用有缺陷的单元格掩模b_cmk时，可能无法正常地制造发光元件。根据本发明构思的实施例的掩模修复装置mra可用于移除有缺陷的单元格掩模b_cmk。
72.激光器lar可产生激光束lb。激光束lb可朝向第二焊接部分wp2发射。
73.参照图7，激光器lar中产生的激光束lb可发射到第二焊接部分wp2和有缺陷的单元格掩模b_cmk的在第二焊接部分wp2上的部分。可通过激光束lb移除第二焊接部分wp2和有缺陷的单元格掩模b_cmk的在第二焊接部分wp2上的部分。有缺陷的单元格掩模b_cmk的在第二焊接部分wp2上且与第二焊接部分wp2重叠的部分在下文中被称为移除部分。
74.抽吸部件ssp可设置为邻近于激光器lar并产生抽吸力。当激光束lb移除有缺陷的单元格掩模b_cmk的移除部分和第二焊接部分wp2时，会产生颗粒pt。颗粒pt可被抽吸到抽吸部件ssp中并被移除。
75.图8是示出单元格掩模的用激光束照射的部分的视图。
76.图8示意性地示出了对应于图5的平面图。图8中示出的单元格掩模cmk可以是有缺陷的单元格掩模。
77.参照图8，当在平面图中观察时，可在单元格掩模cmk中限定与第二焊接部分wp2重叠的移除部分rmp。移除部分rmp中的每个可被限定为四边形的点型，但是根据本发明的移除部分rmp的形状不限于此。激光束lb可发射到移除部分rmp和第二焊接部分wp2。可通过激光束lb移除单元格掩模cmk的移除部分rmp和第二焊接部分wp2。
78.可通过激光束lb顺序地移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2。将激光束lb发射到第h个移除部分rmp和第h个第二焊接部分wp2，因此，可移除第h个移除部分rmp和第h个第二焊接部分wp2。随后，将激光束lb发射到第(h 1)个移除部分rmp和第(h 1)个第二焊接部分wp2，因此，可移除第(h 1)个移除部分rmp和第(h 1)个第二焊接部分wp2。这里，h是自然数。第(h 1)个移除部分rmp邻近于第h个移除部分rmp。
79.例如，当h为1时，通过激光束lb移除第一个移除部分rmp_1和第一个第二焊接部分wp2_1，然后通过激光束lb移除第二个移除部分rmp_2和第二个第二焊接部分wp2_2。在图8中，移除的顺序是顺时针的(参见实线箭头的方向)。然而，这是作为示例来描述的，并且在本发明构思的另一实施例中，可以以随机的顺序移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2。
80.每个移除部分rmp被示意性地示出为具有比每个第二焊接部分wp2更大的面积，但是本发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，每个移除部分rmp可被限定为具有与每个第二焊接部分wp2相同的面积。
81.图9和图10是示意性地示出发射到图8中示出的一个移除部分和一个第二焊接部分的激光束的移动方向的视图。
82.参照图9，激光束lb可在第一方向dr1上往复运动并且被发射到移除部分rmp。激光器lar可在第一方向dr1上往复运动并将激光束lb发射到移除部分rmp。激光束lb可在第一方向dr1上往复运动同时在第二方向dr2上移动，并且被发射到移除部分rmp。
83.参照图10，随后，激光束lb可在第二方向dr2上往复运动并且被发射到移除部分rmp。激光器lar可在第二方向dr2上往复运动并将激光束lb发射到移除部分rmp。激光束lb可在第二方向dr2上往复运动同时在第一方向dr1上移动，并且被发射到移除部分rmp。
84.参照图9和图10，激光束lb当在第一方向dr1和第二方向dr2上往复运动的同时可被发射到整个移除部分rmp。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，在另一实施例中，当激光束lb在第一方向dr1上往复运动的同时被充分地发射到整个移除部分rmp时，激光束lb可不在第二方向dr2上往复运动。
85.图11a至图11d是顺序地示出图8中示出的一个移除部分和一个第二焊接部分被激光束移除的状态的视图。
86.参照图11a，激光束lb可在第一方向dr1和第二方向dr2上往复运动的同时多次发射到移除部分rmp的整个区域。例如，当激光束lb通过在第一方向dr1和第二方向dr2上往复运动而向移除部分rmp的整个区域发射一次时，有缺陷的单元格掩模b_cmk可在深度方向上被移除第一深度dph(换句话说，“一次移除深度”)。
87.深度方向可以是第三方向dr3(即，厚度方向)。深度方向可以是从有缺陷的单元格掩模b_cmk的顶表面到底表面的方向。
88.有缺陷的单元格掩模b_cmk可在厚度方向上具有第一厚度th，且第一深度dph可小于第一厚度th。例如，第一厚度th可以是约10微米(μm)至约20微米(μm)，并且第一深度dph可以是约0.1微米(μm)至约5微米(μm)。
89.参照图11b，随后，将激光束lb再一次发射到移除部分rmp的整个区域，因此，单元格掩模cmk可被进一步移除第一深度dph。例如，示例性地描述了每发射一次激光束lb移除对应于第一深度dph的相同量，但是在另一实施例中，每发射一次激光束lb根据本发明被移除的深度可变化。
90.参照图11c和图11d，可将激光束lb反复地发射到移除部分rmp和第二焊接部分wp2，使得第二焊接部分wp2被移除(参见图11c)。在通过激光束lb移除移除部分rmp之后，可通过激光束lb移除第二焊接部分wp2(参见图11d)。
91.每发射激光束lb一次，反复地移除对应于第一深度dph的量，因此，可最终移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2。通过激光束lb移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2，因此，有缺陷的单元格掩模b_cmk可与开口片ops分离。
92.在通过增大激光束lb的能量一次移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2的情况下，移除部分rmp和第二焊接部分wp2无法被精确地移除。然而，在通过多次提供激光束lb来移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2的情况下，可更精确地移除移除部分rmp和第二焊接部分wp2。
93.当将激光束lb发射到第二焊接部分wp2以移除第二焊接部分wp2时，激光束lb可被发射到开口片ops的顶表面。当激光束lb被发射到开口片ops的顶表面时，由于激光束lb，可在开口片ops的与第二焊接部分wp2重叠的顶表面上形成氧化物层oxl。
94.氧化物层oxl可包括构成开口片ops的材料和氧化物。例如，在开口片ops的顶表面
上形成的氧化物层oxl中，因瓦合金与氧化物的比率为约1：1至约1：0.9。
95.参照图12，传送单元mov可设置在有缺陷的单元格掩模b_cmk上方。与开口片ops分离的有缺陷的单元格掩模b_cmk可通过传送单元mov传送。传送单元mov可邻近于有缺陷的单元格掩模b_cmk的边缘附着到有缺陷的单元格掩模b_cmk的顶表面。
96.传送单元mov可以以真空抽吸方法附着到有缺陷的单元格掩模b_cmk的顶表面。例如，尽管未示出，但是可在传送单元mov的底表面中限定真空抽吸孔，并且真空抽吸孔可在保持真空状态的同时产生抽吸力。有缺陷的单元格掩模b_cmk可通过从真空抽吸孔提供的抽吸力附着到传送单元mov的底表面。
97.有缺陷的单元格掩模b_cmk可与开口片ops分离，然后通过传送单元mov被传送到外部。传送到外部的有缺陷的单元格掩模b_cmk可被丢弃。
98.传送单元mov中的每个可包括第一部件pt1和位于第一部件pt1下方的第二部件pt2。第一部件pt1可比第二部件pt2更刚性。第二部件pt2可具有弹性。第二部件pt2可附着到有缺陷的单元格掩模b_cmk。例如，第一部件pt1可包括金属，并且第二部件pt2可包括橡胶。
99.参照图13，传送单元mov可传送正常单元格掩模n_cmk。在第二部件pt2包括刚性材料(诸如金属)的情况下，正常单元格掩模n_cmk的顶表面可能被第二部件pt2损坏。由于根据本发明构思的实施例的第二部件pt2包括弹性材料(诸如橡胶)，因此当第二部件pt2与正常单元格掩模n_cmk的顶表面接触时，正常单元格掩模n_cmk的顶表面不会被损坏。
100.正常单元格掩模n_cmk可通过传送单元mov提供在开口片ops上。正常单元格掩模n_cmk可设置在对应的第二开口部分op2上并连接到开口片ops。正常单元格掩模n_cmk可通过激光焊接连接到开口片ops。
101.因此，掩模修复装置mra用正常单元格掩模n_cmk替换有缺陷的单元格掩模b_cmk，因此，可容易地修复掩模msk。
102.图14是用于说明根据本发明构思的另一实施例的掩模修复方法的视图。
103.图14示意性地示出了对应于图8的平面图。图14中示出的单元格掩模cmk可以是有缺陷的单元格掩模。
104.参照图14，可在单元格掩模cmk中限定移除部分rmp'。也就是说，与图8中的每个移除部分rmp与一个第二焊接部分wp2重叠相比，本实施例中的每个移除部分rmp'具有杆状以与沿着单元格掩模cmk的一个边设置的多个或所有第二焊接部分wp2重叠。多个移除部分rmp'可分别限定在单元格掩模cmk的四个边上。激光束lb可被发射到移除部分rmp'中的每个。
105.移除部分rmp'中的每个和在平面图中与移除部分rmp'重叠的第二焊接部分wp2中的每个可通过激光束lb移除。也就是说，激光束lb被共同发射到沿着单元格掩模cmk的一个边布置的第二焊接部分wp2，因此，沿着单元格掩模cmk的一个边布置的第二焊接部分wp2可被一起全部移除。
106.图15是通过使用图1中示出的掩模制造的显示面板的平面图。
107.参照图15，显示面板dp可具有矩形形状，其具有在第二方向dr2上的长边(即，纵向边)并且具有在第一方向dr1上的短边(即，横向边)，但是根据本发明的显示面板dp的形状不限于此。显示面板dp可包括显示部分da和围绕显示部分da的非显示部分nda。
108.显示面板dp可以是发光型显示面板。显示面板dp可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板dp被描述为有机发光显示面板。
109.显示面板dp可包括多个像素px、多个扫描线sl1至slm、多个数据线dl1至dln、多个发光线el1至elm、第一控制线csl1和第二控制线csl2、第一电力线pl1和第二电力线pl2、连接线cnl以及多个焊盘pd。这里，m和n是自然数。
110.像素px可设置在显示部分da中。扫描驱动器sdv和发光驱动器edv可分别设置在非显示部分nda中邻近于显示面板dp的长边(即，纵向边)。数据驱动器ddv可设置在非显示部分nda中邻近于显示面板dp的短边(即，横向边)中的一个。当在平面图中观察时，数据驱动器ddv可邻近于显示面板dp的下端。
111.扫描线sl1至slm可在第一方向dr1上延伸并且连接到像素px和扫描驱动器sdv。数据线dl1至dln可在第二方向dr2上延伸并且连接到像素px和数据驱动器ddv。发光线el1至elm可在第一方向dr1上延伸并且连接到像素px和发光驱动器edv。
112.第一电力线pl1可在第二方向dr2上延伸并且设置在非显示部分nda中。第一电力线pl1可设置在显示部分da与发光驱动器edv之间，但是本发明构思的实施例不限于此。第一电力线pl1可设置在显示部分da与扫描驱动器sdv之间。
113.连接线cnl可在第一方向dr1上延伸并且在第二方向dr2上布置。连接线cnl可连接到第一电力线pl1和像素px。可通过彼此连接的第一电力线pl1和连接线cnl将第一电压施加到像素px。
114.第二电力线pl2可设置在非显示部分nda中。第二电力线pl2可沿着显示面板dp的长边(即，纵向边)和显示面板dp的其中未设置数据驱动器ddv的另一短边(即，横向边)延伸。第二电力线pl2可设置在扫描驱动器sdv和发光驱动器edv的外部。
115.虽然未示出，但是第二电力线pl2可朝向显示部分da延伸并且连接到像素px。可经由第二电力线pl2将电平比第一电压低的第二电压施加到像素px。
116.当在平面图中观察时，第一控制线csl1可连接到扫描驱动器sdv并且朝向显示面板dp的下端延伸。当在平面图中观察时，第二控制线csl2可连接到发光驱动器edv并且朝向显示面板dp的下端延伸。数据驱动器ddv可设置在第一控制线csl1与第二控制线csl2之间。
117.焊盘pd可设置在显示面板dp上。焊盘pd可设置为比数据驱动器ddv更靠近显示面板dp的下端。数据驱动器ddv、第一电力线pl1、第二电力线pl2、第一控制线csl1和第二控制线csl2可连接到焊盘pd。数据线dl1至dln可连接到数据驱动器ddv，并且数据驱动器ddv可连接到与数据线dl1至dln对应的焊盘pd。
118.图1中示出的单元格区域cea中的每个可对应于图15中示出的显示面板dp。一个显示面板dp的发光元件可由一个单元格区域cea形成。多个显示面板dp的发光元件可由单元格掩模cmk形成。
119.尽管未示出，但是可在印刷电路板上设置用于控制扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发光驱动器edv的操作的定时控制器以及用于产生第一电压和第二电压的电压生成单元。定时控制器和电压生成单元可经由印刷电路板连接到对应的焊盘pd。
120.扫描驱动器sdv产生多个扫描信号，并且扫描信号可通过扫描线sl1至slm施加到像素px。数据驱动器ddv产生多个数据电压，并且数据电压可通过数据线dl1至dln施加到像
素px。发光驱动器edv产生多个发光信号，并且发光信号可通过发光线el1至elm施加到像素px。
121.像素px可响应于扫描信号接收数据电压。像素px可响应于发光信号发射具有与数据电压对应的亮度的光，从而显示图像。可通过发光信号来控制像素px的发光时间。
122.图16是示意性地示出图15中示出的像素中的一个的截面的视图。
123.参照图16，像素px可设置在基础基板bs上，并且包括晶体管tr和发光元件oled。发光元件oled可包括第一电极ae、第二电极ce、空穴控制层hcl、电子控制层ecl和发光层eml。第一电极ae可以是阳极电极，并且第二电极ce可以是阴极电极。
124.晶体管tr和发光元件oled可设置在基础基板bs上。图中示意性地示出了一个晶体管tr，但是实质上，像素px可包括多个晶体管和至少一个电容器以驱动发光元件oled。
125.显示部分da可包括与像素px对应的发光部分pa和围绕发光部分pa的非发光部分npa。发光元件oled可设置在发光部分pa中。
126.基础基板bs可包括柔性塑料基板。例如，基础基板bs可包括透明聚酰亚胺(“pi”)。缓冲层bfl可设置在基础基板bs上，并且缓冲层bfl可以是无机层。
127.半导体图案设置在缓冲层bfl上。半导体图案可包括多晶硅。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且在另一实施例中，半导体图案可包括非晶硅或金属氧化物。
128.半导体图案可掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。半导体图案可包括高掺杂区和轻掺杂区。高掺杂区可具有比轻掺杂区高的导电率，并且基本上用作晶体管tr的源电极和漏电极。轻掺杂区可基本上对应于晶体管tr的有源区(active)(即，沟道)。
129.晶体管tr的源极s、有源区a和漏极d可提供在半导体图案中。第一绝缘层ins1可设置在半导体图案上。晶体管tr的栅极g可设置在第一绝缘层ins1上。第二绝缘层ins2可设置在栅极g上。第三绝缘层ins3可设置在第二绝缘层ins2上。
130.连接电极cne可设置在晶体管tr与发光元件oled之间，并将晶体管tr连接到发光元件oled。连接电极cne可包括第一连接电极cne1和第二连接电极cne2。
131.第一连接电极cne1可设置在第三绝缘层ins3上，并通过限定在第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3中的第一接触孔ch1连接到漏极d。第四绝缘层ins4可设置在第一连接电极cne1上。第五绝缘层ins5可设置在第四绝缘层ins4上。
132.第二连接电极cne2可设置在第五绝缘层ins5上。第二连接电极cne2可通过限定在第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5中的第二接触孔ch2连接到第一连接电极cne1。第六绝缘层ins6可设置在第二连接电极cne2上。第一绝缘层ins1至第六绝缘层ins6中的每个可以是无机层或有机层。
133.第一电极ae可设置在第六绝缘层ins6上。第一电极ae可通过限定在第六绝缘层ins6中的第三接触孔ch3连接到第二连接电极cne2。暴露第一电极ae的预定部分的像素限定层pdl可设置在第一电极ae和第六绝缘层ins6上。像素限定层pdl中可限定用于暴露第一电极ae的预定部分的开口部分px_op。
134.空穴控制层hcl可设置在第一电极ae和像素限定层pdl上。空穴控制层hcl可共同设置在发光部分pa和非发光部分npa中。空穴控制层hcl可包括空穴传输层和空穴注入层。
135.发光层eml可设置在空穴控制层hcl上。发光层eml可设置在与开口部分px_op对应的区域中。发光层eml可包括有机材料和/或无机材料。发光层eml可产生红光、绿光和蓝光
中的一种。
136.电子控制层ecl可设置在发光层eml和空穴控制层hcl上。电子控制层ecl可共同设置在发光部分pa和非发光部分npa中。电子控制层ecl可包括电子传输层和电子注入层。
137.第二电极ce可设置在电子控制层ecl上。第二电极ce可共同设置在像素px中。像素层pxl可被限定为从缓冲层bfl到发光元件oled的层。
138.薄膜封装层tfe可设置在发光元件oled上。薄膜封装层tfe可设置在第二电极ce上以覆盖像素px。薄膜封装层tfe可包括至少两个无机层和在无机层之间的有机层。无机层可保护像素px免受湿气/氧气的影响。有机层可保护像素px免受杂质(诸如灰尘颗粒)的影响。
139.可通过晶体管tr将第一电压施加到第一电极ae，并且可将具有的电平比第一电压的电平低的第二电压施加到第二电极ce。注入到发光层eml中的空穴和电子彼此联接以形成激子，并且当激子转变为基态时，发光元件oled可发光。
140.图17是用于解释其中使用图1中示出的掩模的沉积工艺的视图。
141.图17示意性地示出了单元格掩模cmk的一个第三开口部分op3。
142.参照图17，单元格掩模cmk可设置在基础基板bs上。空穴控制层hcl可设置在第一电极ae上，并且单元格掩模cmk可用于在空穴控制层hcl上形成发光层eml。
143.沉积材料dpm可经由限定在单元格掩模cmk中的第三开口部分op3提供在空穴控制层hcl上。发光层eml可由沉积材料dpm形成。
144.根据本发明构思的实施例，通过激光移除有缺陷的单元格掩模与开口片之间的焊接部分。因此，可容易地将有缺陷的单元格掩模从开口片移除，并且可将正常单元格掩模连接到开口片。
145.尽管已经描述了本公开的实施例，但是应当理解，在如所附权利要求中要求保护的本公开的精神和范围内，本领域普通技术人员可进行各种改变和修改。此外，本公开中公开的实施例不旨在限制本公开的技术构思，并且所附权利要求及其等同方案内的所有技术构思应被解释为包括在本公开的权利范围内。