射线照相探测仪的制作方法

1.本文中公开的主题涉及与医学成像设施中的x-射线系统一起使用的数字射线照相（dr）探测仪。


背景技术：

2.已经广泛部署了便携式数字射线照相探测仪以提高诊断射线照相的成像生产率、图像质量和易用性。特别地，可在诸如重症监护病房的地方中进行移动或床边射线照相成像，使得患者不需要从他们的重症监护环境转移。这种类型的成像过程最好由便携式探测仪提供，其重量轻且持久耐用，从而提高易用性和可靠性。
3.目前的数字射线照相探测仪通常包括非晶硅tft/光电二极管图像传感器阵列，该阵列采用类似于用于扁平面板显示器的那些半导体工艺的半导体工艺在玻璃上制造。闪烁体（scintillator）与图像传感器阵列连同用于信号读出和处理的所需电子器件组合在内部核芯板上，该核芯板包含在耐用的外壳中，以创建便携式dr探测仪。
4.图1是根据一个实施例的数字射线照相（dr）成像系统10的透视视图，它可包括一般为曲面或平面的dr探测仪40（以平面实施例示出，并且为了清楚地描述，没有外壳）、配置成生成射线照相能量（x-射线辐射）的x-射线源14、以及配置成显示由dr探测仪40捕获的图像的数字监视器或电子显示器26。dr探测仪40可包括按电子可寻址的行和列排列的探测仪单元22（光电传感器）的二维阵列12。dr探测仪40可布置成接收在由x-射线源14发射的射线照相能量曝光（exposure）或射线照相能量脉冲期间穿过受试者20的x-射线16。如图1中所示，射线照相成像系统10可使用发射准直（collimated）x-射线16（例如，x-射线束）的x-射线源14，准直x-射线16有选择地瞄准并穿过受试者20的预先选定的区域18。根据受试者20的内部结构，x-射线束16可沿其多个射线不同程度地衰减，这衰减的射线通过光敏探测仪单元22的阵列12探测。曲面或平面dr探测仪40尽可能相对于由x-射线源14发射的所述多个射线16中的基本上中心的射线17呈垂直关系布置。在曲面阵列实施例中，源14可以是中心布置的，以使得更大百分比或全部的光敏探测仪单元垂直于从中心布置的源14的进来的x-射线地布置。各个光敏单元（像素）22的阵列12可根据它们按列和行的位置进行电子寻址（扫描）。如本文中所使用，术语“列”和“行”是指光敏单元22的垂直和水平排列，并且为了清楚地描述，将假设，行水平地延伸，并且列垂直地延伸。但是，列和行的方位是任意的，并且并不限制本文中公开的任何实施例的范围。此外，尽管在图1的描述中可将术语“受试者”图示为人类患者，但是当在本文中使用该术语时，dr成像系统的受试者可以是人类、动物、无生命物体或其一部分。
5.在一个示例性实施例中，可通过电子扫描电路28一次对光敏单元22的行进行一次或多次扫描，以使得可将来自阵列12的曝光数据传送到电子读出电路30。每个光敏单元22可独立地存储与在单元中接收和吸收的衰减的射线照相辐射或x-射线的强度或能级成比例的电荷。因此，每个光敏单元在读出时提供限定射线照相图像24的像素的信息，例如亮度级或由该像素吸收的能量的量，所述信息可通过图像处理电子器件34被数字解码并被传送
以通过数字监视器26进行显示以便由用户查看。电子偏置电路32电连接到二维探测仪阵列12，以便向光敏单元22中的每个提供偏置电压。
6.偏置电路32、扫描电路28和读出电路30中的每个电路都可通过连接的电缆33（有线）与采集控制和图像处理单元34通信，或者dr探测仪40与采集控制和图像处理单元34可配备有无线发射器和接收器，以便无线地35将射线照相图像数据传送到采集控制和图像处理单元34。采集控制和图像处理单元34可包括处理器和电子存储器（未示出），以例如通过使用编程指令来控制如本文中所描述的dr探测仪40的操作（包括电路28、30和32的控制）并且以存储和处理图像数据。采集控制和图像处理单元34还可用于在射线照相曝光期间控制x-射线源14的激活，以便控制x-射线管电流大小，并且因此控制x-射线束16中的x-射线的积分通量（fluence），和/或控制x-射线管电压，并且因此控制x-射线束16中的x-射线的能级。采集控制和图像处理单元34功能的部分或全部可驻留在机载处理系统36中的探测仪40中，与独立的采集控制和图像处理系统34的功能类似，机载处理系统36可包括处理器和电子存储器，以通过使用编程指令来控制如本文中所描述的dr探测仪40的操作（包括电路28、30和32的控制）并且以存储和处理图像数据的。图像处理系统可执行如本文中所描述的图像采集和图像处置功能。图像处理系统36可基于从采集控制和图像处理单元34传送的指令或其它命令控制机载探测仪40上的图像传输、图像处理和图像校正，并从中传送校正后的数字图像数据。备选地，采集控制和图像处理单元34可从探测仪40接收原始图像数据并对图像数据进行处理并加以存储，或者它可将原始的未经处理的图像数据存储在本地存储器或远程可访问的存储器中。
7.关于dr探测仪40的直接探测实施例，光敏单元22可各自包括对x-射线敏感的传感元件，即，它吸收x-射线并生成与吸收的x-射线能量的大小成比例的量的电荷载流子。开关元件可配置成被选择性地激活以读出对应的x-射线传感元件的电荷级。关于dr探测仪40的间接探测实施例，光敏单元22可各自包括：对可见光谱中的光射线敏感的传感元件，即，它吸收光射线并生成与吸收的光能量的大小成比例的量的电荷载流子，以及开关元件，其被选择性地激活以读取对应的传感元件的电荷级。可在光敏传感元件上设置闪烁体或波长转换器，以便将入射的x-射线射线照相能量转换为可见光能量。因此，在本文中公开的实施例中，应注意，dr探测仪40（或图3中的dr探测仪300或图4中的dr探测仪400）可包括间接或直接类型的dr探测仪。
[0008] 在传感阵列12中使用的传感元件的示例包括各种类型的光电转换设备（例如光电传感器），诸如光电二极管（p-n或pin二极管）、光电电容器（mis）、光电晶体管或光电导体。用于信号读出的开关元件的示例包括a-si tft、氧化物tft、mos晶体管、双极晶体管和其它p-n结组件。
[0009]
图2是dr探测仪40的二维阵列12的一部分的示意图240。光电传感器单元的阵列212的操作可与上文描述的光电传感器阵列12一致，它可包括多个氢化非晶硅（a-si:h）n-i-p光电二极管270和形成为场效应晶体管（fet）的薄膜晶体管（tft）271，每个tft 271具有栅极（g）、源极（s）和漏极（d）端子。在诸如多层dr探测仪（图4的400）的本文中公开的dr探测仪40的实施例中，光电传感器单元的二维阵列12可形成在与dr探测仪结构的相邻层毗邻的设备层中，这些相邻层可包括刚性玻璃层或柔性聚酰亚胺层或包括无任何相邻刚性层的碳纤维的层。多个栅极驱动器电路228可电连接到多条栅极线283，这些栅极线283控制施加到
tft 271的栅极的电压；多个读出电路230可电连接到数据线284；并且多条偏置线285可电连接到偏置线总线或可变偏置参考电压线232，所述偏置线总线或可变偏置参考电压线232控制施加到光电二极管270的电压。电荷放大器286可电连接到数据线284以从中接收信号。来自电荷放大器286的输出可电连接到复用器287（诸如模拟复用器），然后连接到模拟-数字转换器（adc）288，或者它们可直接连接到adc，以便以期望的速率流式传输出数字射线照相图像数据。在一个实施例中，图2的示意图可表示dr探测仪40的一部分，诸如基于a-si:h的间接扁平面板、弯曲面板或柔性面板成像仪。
[0010]
通过闪烁体将入射的x-射线或x-射线光子16转换为光学光子或光射线，这些光射线随后在撞击a-si:h n-i-p光电二极管270时被转换为电子-空穴对或电荷。在一个实施例中，在本文中可等效地称为像素的示例性探测仪单元222可包括光电二极管270，其阳极电连接到偏置线285，并且其阴极电连接到tft 271的漏极（d）。偏置参考电压线232可控制在每个探测仪单元222处的光电二极管270的偏置电压。每个光电二极管270的电荷容量是它的偏置电压和它的电容的函数。一般来说，可对偏置线285施加反向偏置电压（例如，负电压）以跨越每个光电二极管270的pn结创建电场（并且因此创建耗尽区），从而增强它由入射光射线生成的电荷的收集效率。可通过光电二极管来集成由光电传感器单元的阵列212表示的图像信号，同时例如通过经由栅极驱动器电路228使栅极线283维持在负电压来使它们的相关联的tft 272保持处于非导通（关闭）状态。可通过借助于栅极驱动器电路228将tft 271的行按顺序切换到导通（开启）状态来读出光电传感器单元阵列212。当例如通过对对应的栅极线283施加正电压而使像素22的某一行切换到导通状态时，来自这些像素中的光电二极管的收集的电荷可沿数据线284传递，并通过外部电荷放大器电路286集成。然后，可使该行切换回到非导通状态，并对每一行重复这个过程，直到已经读出整个光电传感器单元阵列212为止。使用诸如复用器287的并行-串行转换器将集成的信号输出从外部电荷放大器286传递到模拟-数字转换器（adc）288，这些设备共同组成读出电路230。
[0011]
随后可通过图像处理系统34处理此数字图像信息，以便得到数字图像，然后可对该数字图像进行数字存储并立即显示在监视器26上，或者可在稍后的时间通过访问包含存储的图像的数字电子存储器来显示该数字图像。具有如参考图2所描述的成像阵列的扁平面板dr探测仪40能够进行单发的（例如，静态的、射线照相的）和连续的（例如，荧光镜的）图像采集。
[0012]
图3示出了根据本文中公开的dr探测仪40的实施例的示例性现有技术的一般为矩形、平面、便携式无线dr探测仪300的透视视图。dr探测仪300可包括柔性基板，以允许dr探测仪沿弯曲方位捕获射线照相图像。柔性基板可以沿某个永久弯曲方位制造，或者它可在其整个使用寿命内保持柔性，以便根据需要提供沿两个或三个维度的可调整的曲率。dr探测仪300可包括环绕包含dr探测仪300的柔性光电传感器阵列部分22的多层结构或核芯的类似地柔性外壳部分314。dr探测仪300的外壳部分314可包括环绕dr探测仪300的内部体积的连续的、刚性或柔性的不透x-射线的材料或如本文中同义地使用的不透射线的材料。外壳部分314可包括在顶面321和底面322之间延伸并且相对于顶面和底面321、322基本上正交排列的四条柔性边318。底面322可以与这四条边相连续并设置在dr探测仪300的顶面321的对面。顶面321包括附连到外壳部分314的顶盖312，顶盖312与外壳部分314一起基本上将核芯围在dr探测仪300的内部体积中。顶盖312可附连到外壳314以在其间形成密封，并且它
可由穿过x-射线16而其没有显著衰减的材料制成，即，x-射线透射材料或如本文中同义地使用的射线可透过的材料，诸如碳纤维、碳纤维嵌入塑料、聚合物、弹性体和其它塑料基材料。
[0013]
参考图4，以示意图的形式图示dr探测仪300（图3）的示例性实施例沿截面4-4截取的示例性横截面视图。出于空间参考的目的，如本文中所使用，可将dr探测仪400的一个主要表面或面称为顶面451，并且可将dr探测仪400的第二主要表面或面称为底面452。核芯层或片可设置在由外壳314和顶盖312围住的内部体积450内，并且可包括位于示意性地示为设备层402的曲面或平面二维成像传感器阵列12上方的柔性曲面或平面闪烁体层404。闪烁体层404可直接位于（例如，直接连接到）基本上平面的顶盖312下方，并且成像阵列402可直接位于闪烁体404下方。备选地，可在闪烁体层404和顶盖312之间布置柔性层406以作为核芯分层结构的一部分，从而允许核芯分层结构的可调曲率和/或提供减震。可选择柔性层406以便为顶盖312和闪烁体404两者提供一定量的柔性支撑，并且柔性层406可包括泡沫橡胶类型的材料。刚刚描述的包括多层核芯结构的层的每个层一般均可以矩形形状形成，并且可由正交排列并且与外壳314的边318的内面并行设置的边限定，如参考图3所描述。
[0014]
基板层420可设置在成像阵列402下方，诸如在一个实施例中的刚性玻璃层或包括聚酰亚胺或碳纤维的柔性基板，可在该柔性基板上形成光电传感器的阵列402以允许阵列的可调曲率，并且基板层420可包括核芯分层结构的另一个层。在基板层420下方，可使用诸如铅的不透射线的屏蔽层418作为x-射线阻挡层，以帮助防止穿过基板层420的x-射线的散射以及阻挡从内部体积450中的其它表面反射的x-射线。可相邻于成像阵列402形成包括扫描电路28、读出电路30、偏置电路32和处理系统36（均如图1中所示）的读出电子器件，或者如所示的，可以以电连接到印刷电路板（pcb）424、425的集成电路（ic）的形式将读出电子器件设置在框架支撑构件416下方。成像阵列402可通过柔性连接器428电连接到读出电子器件424（ic），柔性连接器428可包括称为覆晶薄膜（cof）连接器的多个柔性密封导体。
[0015]
x-射线通量可沿由示例性x-射线束16所表示的方向穿过射线可透过的顶面板盖312，并冲击闪烁体404，在闪烁体404中，通过高能x-射线16或光子的激励使闪烁体404作为可见光射线发射更低能量的光子，然后在成像阵列402的光电传感器中接收这些光子。框架支撑构件416可将核芯分层结构连接到外壳314，并且可通过在框架支撑梁422和外壳314之间设置弹性垫（未示出）来进一步作为减震器操作。紧固件410可用于将顶盖312附连到外壳314，并在它们在其中接触的区域430中在顶盖312和外壳314之间创建密封。在一个实施例中，可沿dr探测仪400的边318附连外部缓冲器412以提供额外的减震。
[0016]
最近，已经开发了使得能够将图像传感器阵列制造到诸如聚酰亚胺的耐用薄基板上的工艺。这种高度耐用的基板使得能够使用重量更轻的备选外壳组件，因为减少了对玻璃保护的需要。
[0017]
提供以上论述仅仅是为了一般背景信息，而不是旨在被用作帮助确定所要求保护的权利的主题的范围。


技术实现要素：

[0018]
一种数字射线照相探测仪包括具有光敏单元的二维阵列的平面多层核芯。具有唯一一个开口侧以及上半部分和下半部分的外罩使用配置成对外罩或外壳的侧面提供撞击
吸收的三面缓冲器接合在一起。导热端盖覆盖住外罩的唯一一个开口侧。
[0019]
在一个实施例中，一种dr探测仪包括平面多层核芯，该平面多层核芯包括光敏单元的二维阵列的平面多层核芯。由接合在一起的上、下壳体组成的矩形外壳环绕多层核芯，并且沿dr探测仪的宽度留下唯一一个开口侧。端盖覆盖住外罩的唯一一个开口侧。
[0020]
在一个实施例中，以上半部分和下半部分形式的碳纤维外壳通过被联锁缓冲器覆盖并固定在一起的围绕外周的接缝接合。上半部分与底部半部分一样厚或更厚，这可通过单个上半部分或通过将两个或更多个部分层压在一起来实现。导热端盖安装在外罩的第四个开口侧上，以便使外罩完整并散热。共同地，外罩为探测仪面板组装形成了一个保护性的、耐流体的结构装箱。
[0021]
在一个实施例中，将探测仪面板组装层压到上半部分的内表面以用于支撑。此层压配置比单个组件更坚硬。通过在上半部分和传感器面板组装之间添加轻质核芯材料以增加分离距离和/或在传感器面板中组装下方添加坚硬材料以用于保护，还可进一步提高刚度。可将传感器面板电子器件的全部或部分限制到层压结构。在层压结构下方，使用诸如泡沫的高强度、轻质材料来支撑施加到探测仪上的负载。在电子器件的区域切口（cutout）中，将坚硬材料与轻质材料集成在一起，以便将负载从电子器件重定向（即，桥接）到周围区域。外罩的侧面和下半部分由更薄的材料构成，充当减震元件，以便进一步提高耐用性。
[0022]
本发明的目的是提供一种重量轻、耐用的dr外壳和核芯板组装，其利用由非玻璃基板图像传感器面板提供的益处。另外，包括一种提供电磁兼容性和易于组装的方法。
[0023]
对本发明的此简短描述仅仅旨在提供本文中根据一个或多个说明性实施例公开的主题的简要概述，而不是充当用于解释权利要求或限定或限制本发明的范围的指导，本发明的范围只由随附的权利要求限定。提供该简短描述以以简化的形式介绍将在下文在具体实施方式中进一步描述的概念的说明性选择。此简短描述不旨在标识要求所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不是旨在被用作帮助确定所要求保护的主题的范围。所要求保护的主题不限于解决背景技术中提到的任何或所有缺点的实现方式。
附图说明
[0024]
为了能够理解本发明的特征的方式，可通过参考某些实施例来对本发明进行详细描述，这些实施例中的一些实施例在所附附图中图示。但是，要注意的是，附图只图示本发明的某些实施例，并且因此不应被视为是限制本发明的范围，因为本发明的范围涵盖其它同样有效的实施例。附图不一定按比例绘制，而是一般将重点放在图示本发明的某些实施例的特征上。在附图中，遍及各个视图，使用相同的数字来指示相同的部分。因此，为了进一步理解本发明，结合附图阅读，可对以下详细描述做出参考，在附图中：图1是示例性x-射线系统的示意性透视视图；图2是射线照相探测仪中的光电传感器阵列的示意图；图3是示例性dr探测仪的透视图；图4是示例性dr探测仪的横截面图；图5是示例性dr探测仪组装的分解视图；图6是倒置示出的具有组件层的上壳体的透视视图，组件层被层压到上壳体；图7图示了具有联锁缓冲器设计的dr探测仪的侧边横截面；
图8是具有填充了印刷电路板和相关电子器件的泡沫核芯底座的内部探测仪组装；图9示出了图8的内部探测仪组装的部分上的保形粘合剂释放层；图10示出了切除多层传感器层压结构的部分的横截面；图11示出了dr探测仪部分横截面；图12更详细地示出了dr探测仪层的分解视图；图13示出了具有备选的玻璃基板实施例的dr探测仪部分横截面；以及图14示出了对于玻璃基板实施例具有附加加强层的多层核芯的分解视图。
具体实施方式
[0025]
本技术要求于2019年8月12日以bogumil等人的名义提交的并且名称为radiographic detector的美国专利申请序列号62/885,423的优先权，该专利申请由此以全文引用的方式并入到本文。
[0026]
参考图5，一种发明的用于dr探测仪500的组装的组件的分解视图包括使用u-形或三面缓冲器503固定到下壳体502的上壳体501。缓冲器503啮合上壳体501和下壳体502的凸缘边（图7），以将它们固定在一起。在凸缘边之间和缓冲器503的内表面上还使用粘合剂。当接合在一起时，上壳体501和下壳体502沿壳体的宽度留下一个开口，这是因为上、下壳体边501a、502a分别不会折叠，并且因此不会彼此接触。上、下壳体501、502围住多层核芯505，多层核芯505包括光电传感器的二维阵列、闪烁体、支撑基板以及用于读出由光电传感器捕获的射线照相图像数据的支撑电子器件。上、下壳体510、502可由碳纤维或类似材料制成。如图5中所示，多层核芯嵌入在核芯泡沫底座702（图7）中。通过在其中布置端盖504来闭合沿壳体的宽度的开口。通过放置在形成于下壳体502中的电池盒506中的电池来给dr探测仪供电。通过在下壳体502的外部底表面中形成凹槽来将电池盒506布置在下壳体502中。
[0027]
参考图6，示出上壳体501的透视视图，其中上壳体501与多层核芯505以及附连到其的额外组件翻转颠倒。在一个实施例中，如果使用铅片1003（图12），则使用粘合剂将l-形接地板602附连到铅片上；或者，在另一个实施例中，如果使用加强构件1302（图14），则使用粘合剂将l-形接地板602附连到具有粘合剂的加强构件上；或者，在另一个实施例中，如果既不使用加强构件1302也不使用铅片1003，则使用粘合剂将l-形接地板602直接附连到多层核芯505（图12）上。接地板602沿dr探测仪500的两个垂直外周边延伸，并且可由铝或其它合适的导体制成。栅极驱动器集成电路603沿其一条边电附连到接地板602，并且读出集成电路（roics）604沿l-形接地板602的相邻垂直边电附连到接地板602。导热垫605附连到roics 604，并且热耦合到roics 604。端盖504在布置在接合后的壳体501、502的开口端中时热啮合导热垫605，以便充当用于roics 604生成的热量的散热器。
[0028]
图7图示了dr探测仪500的一条边的横截面视图，其示出缓冲器503到上壳体501的凸缘边501b和到下壳体502的凸缘边502b的啮合。从图7的角度看，上、下壳体501、502的垂直侧壁部分分别水平地延伸到缓冲器503中，以便分别形成凸缘边501b、502b。缓冲器503通过对凸缘边501b、502b的压缩力分别将上、下壳体501、502两者固定在一起，并且另外，粘合剂701设置在上、下凸缘边501b、502b之间、缓冲器503与上、下凸缘边501b、502b之间以及缓冲器503与上、下壳体501、502之间。如将在本文中所描述的，多层核芯505嵌入在核芯泡沫
底座702中，核芯泡沫底座702设置在dr探测仪500的内部区域中。缓冲器503可由弹性材料、塑料、橡胶或其它合适的耐撞击材料制成以减震，但是应当是适当刚性的，以便将上、下壳体501、502夹持在一起。
[0029] 图8是dr探测仪500的核芯泡沫底座702和其它内部电子组件的透视视图，其包括用于容纳dr探测仪500的组件的有形状的凹处806、切口809、挖槽（pocket）808和有限线路802，并且其占据了上、下壳体501、502之间的dr探测仪500的内部的大部分体积。凹处806可用于为带状电缆804的折叠807提供空间，由此经由覆晶薄膜连接器810在roics 604和pcb主控制电路系统801之间提供数据和电通信以及其它通信；挖槽808可用于例如为电池提供空间；有线线路802可各自用于在其中压入电线803以便将电线固定在dr探测仪500内的位置中。pcb主控制电路系统801的组件布置在切口809的边内。
[0030]
图9是与图8类似、但是沿图8的组装的外周放置有保形粘合剂释放层、薄膜、片或胶带901的透视视图。释放层901覆盖roics 604、覆晶薄膜连接器810和dr探测仪内部组装的一部分。释放层901防止渗漏或泄漏的粘合剂接触dr探测仪500的被释放层901覆盖的部分。释放层901还充当牺牲层，当在维修过程设备分离上、下壳体501、502时，可剥离牺牲层。释放层901还通过防止过量的粘合剂或胶水接触上壳体501而有助于出于维修目的而分离上、下壳体501、502。
[0031]
图10是为了图示某些描述的组件的布置而没有核芯泡沫底座702的dr探测仪500的一部分的横截面剖视图。图11是从垂直于图10的视图的视图的角度示出图10的组件的相对布置的组装好的dr探测仪500的一条边附近的横截面视图。粘附到上壳体501的内表面的是碳纤维加强构件1005，其增强上壳体501以抵抗由放置在其上面的重量引起的变形。在一个实施例中，上壳体501制造成具有约1.5 mm至约2 mm厚度的更厚结构，而不是将加强构件1005粘附在其上。上壳体501的其它部分（即，靠近凸缘边的侧壁区域）和下壳体502可以具有上壳体501的厚度的一半的厚度。缓冲层（泡沫）1001布置在加强构件1005下方。多层核芯505布置在缓冲层1001下方，缓冲层1001包括闪烁体层、光电传感器层和基板（诸如聚酰亚胺基板）。可选的、非常薄的密拉（mylar）薄膜片1002和导电接地片1006可布置在缓冲层1001和多层核芯505之间。如果包括，则密拉薄膜片1002可粘附到缓冲层1001，其中导电片1006在下方。可选的铅（pb）层1003可布置在多层核芯505的基板层下方。接地板602放置在可选的铅（pb）层1003下方（如果使用铅层1003的话），否则抵靠在多层核芯505的基板层上。使用支柱（post）1007将roics 604（图10）附连到接地板602；使用支柱1007将栅极驱动器ic 603类似地附连到接地板602。泡沫支撑物1004可布置在多层核芯505和热垫605（图10）之间。热垫605与安装在覆晶薄膜导体810上的发热ic芯片1008热接触。覆晶薄膜导体810与多层核芯505和roics 604两者中的光电传感器电子器件进行电通信，并包裹中间层，如图10中所示。核芯泡沫底座702（图11）支撑如所示的组装的部分，包括roics 604（在图10中没有示出的核芯泡沫底座702）和栅极驱动器pcb 603（图11）。
[0032]
图12以分解视图示出了本文中描述的若干个组装组件。除了接地板602和核芯泡沫底座702之外，使用粘合剂1201将沿图12的左侧枚举的每个单独的功能层附连到相邻层。将上壳体501粘附到碳纤维加强板1005，碳纤维加强板1005粘附到缓冲层（泡沫）1001，缓冲层（泡沫）1001粘附到可选的、非常薄的导电接地片1002，导电接地片1002粘附到多层核芯505，多层核芯505粘附到可选的铅（pb）片1003，铅片1003粘附到l-形接地板602，l-形接地
板602由核芯泡沫底座702支撑。如图12中所示，从图12的角度看，碳纤维桥架结构1201布置在核芯泡沫底座上的凹处中，以便提供硬度并防止直接布置在碳纤维桥架1201正下方的pcb主控801上的超额负载。如关于图6所描述，从图12的角度看，核芯泡沫底座702沿一条边1202塑形，以便符合并支撑附连到接地板602的下侧的栅极驱动器集成电路603（未示出）。
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图13和图14基本上分别对应于图11和图12，并且因此，在这些图中将不再重复相同组件的枚举。图13和图14图示了玻璃基板1301作为多层核芯505的一部分的可选使用，而不是如图11中所示的聚酰亚胺基板。由于玻璃基板比聚酰亚胺基板更脆，所以将额外的加强构件1302布置在多层核芯505下方，然而，此加强构件1302可以可选性地与其它基板（诸如聚酰亚胺）一起使用。加强构件1302可由碳纤维复合材料或其它坚固且坚硬的材料制成。加强构件1302还可在其上包括接地的薄导电层。然后，将接地板602粘附到此加强构件1302上。
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如本文中所描述，包括泡沫核芯底座702、缓冲层1005、泡沫支撑物1004的任何泡沫层组件都可由轻质低密度泡沫制成。适合于如本文中所描述的使用的泡沫材料的示例包括由总部位于saudi arabia的riyadh的sabic生产的ultem
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泡沫，这是一种可热成型的聚醚酰亚胺热塑泡沫，其具有约60 kg/m3的密度。另一种合适的泡沫是由在usa的kentucky的walton的zotefoams生产的zotek
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泡沫，这是一种由可热成型的聚偏二氟乙烯制成的闭孔泡沫，其具有约74 kg/m3的密度。
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