相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模与流程

1.本发明涉及一种可用于制造半导体集成电路等的相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模。


背景技术：

2.在用于半导体技术的光刻技术中，相移法被用作分辨率增强技术之一。相移法例如为使用在基板上形成了相移膜的光掩模的方法，该方法为在作为光掩模基板的在曝光光下透明的基板上形成相移膜图案，利用光的干涉来提高对比度的方法，对所述相移膜而言，透射相移膜的光与透射未形成相移膜的部分的曝光光、即透射相移膜的光与通过了长度与相移膜的厚度相同的空气的曝光光的相位差大概为180
°
。
3.作为应用了该相移法的光掩模之一，有半色调相移掩模。半色调相移掩模在石英等在曝光光下透明的基板上形成有半色调相移膜的掩模图案，透射所述半色调相移膜的光与透射未形成相移膜的部分的光的相位差大概为180
°
、且所述半色调相移膜具有基本不受曝光影响的程度的透射率。迄今为止，作为相移掩模的相移膜，主要使用了包含钼及硅的膜(mosi类相移膜)(专利文献1)。现有技术文献专利文献
4.专利文献1：日本特开平7-140635号公报专利文献2：日本特开2007-33469号公报专利文献3：日本特开2007-233179号公报专利文献4：日本特开2007-241065号公报


技术实现要素：

本发明要解决的技术问题
5.一般而言，在具有mosi类相移膜的相移掩模中，对相移膜进行图案加工时，虽然通过使用sf6或cf4等含氟气体的氟类气体来完成蚀刻，但此时，基板会被轻微蚀刻。因此，有相移膜的部分和没有相移膜的部分的相位差、与膜自身的相位差不同。因此，不仅难以正确控制相位差，而且还存在在产生图案缺陷时难以修正的技术问题。
6.为了解决这种问题，考虑将相移膜的组成设为如下组成的相移光掩模：在mosi类膜等包含硅的膜的基板侧形成有铬膜那样的蚀刻特性不同的膜的组成。通常在包含硅的膜上形成有铬膜，所述铬膜为对遮光膜或相移膜进行蚀刻时作为蚀刻掩模的膜，对于包含硅的膜被蚀刻而露出的基板侧的铬膜，在剥离相移膜上(远离基板的一侧)的铬遮光膜或铬蚀刻掩模的同时，利用包含氯气与氧气的氯类气体等对上述铬膜进行蚀刻。然而此时，基板侧的铬膜容易发生侧面蚀刻，容易引起图案坍塌等问题。尤其为了提高铬膜的透射率而增加氧或氮的量时，侧面蚀刻量进一步变大。
7.本发明鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供一种具有相位控制性良好、通
过使用氯类气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料、相移掩模以及相移掩模的制造方法。解决技术问题的技术手段
8.为了达成上述目的，本发明提供一种相移掩模坯料，其具有透明基板、及形成于该透明基板上的相移膜，其中，所述相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200
°
、透射率为3～15％，所述相移膜从所述透明基板侧开始依次包含下层与上层，所述上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，所述下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于所述下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的所述上层与所述下层的蚀刻选择比为10以上。
9.若为上述相移掩模坯料，则可制成一种相移掩模坯料，其能够形成相位控制性良好，通过使用了氯类气体、例如使用了氯气与氧气的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜。
10.此外，优选：所述透明基板由石英形成。
11.作为透明基板，适合使用上述透明基板。
12.此外，优选：所述下层的膜厚为2～10nm、及所述上层的膜厚为50～80nm。
13.若为上述构成，则易于得到规定的透射率。
14.此外，优选：在所述上层中，所述过渡金属为钼(mo)，且钼(mo)的含有率相对于硅(si)与钼(mo)的合计为20％以下。
15.本发明中，能够将上层的组成设为如上组成。
16.此外，优选：所述相移掩模在所述相移膜上具有含有铬的遮光膜，且氯类的干法蚀刻中的所述遮光膜与所述下层的蚀刻选择比为1.2以上10.0以下。
17.若为上述遮光膜，则能够利用氯类的干法蚀刻将其与下层同时去除，且此时下层不会受到侧面蚀刻。
18.此时，优选：在所述遮光膜上进一步具有包含硅、氧、和/或氮的硬掩模膜。
19.若为上述硬掩模膜，则由于蚀刻特性与含有铬的遮光膜不同，因此作为该遮光膜的图案形成中的蚀刻掩模是有用的。
20.此外，本发明还提供一种使用上述相移掩模坯料来制造相移掩模的相移掩模的制造方法。
21.若为上述相移掩模的制造方法，则不仅透明基板上没有凹槽，而且能够得到具有良好的图案形状的相移掩模。
22.此外，本发明提供一种相移掩模，其具有透明基板、及在该透明基板上形成有图案的相移膜，所述相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200
°
、透射率为3～15％，所述相移膜从所述透明基板侧开始依次包含下层与上层，所述上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，所述下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于所述下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的所述上层与所述下层的蚀刻选择比为10以上。
23.上述相移掩模不仅透明基板中没有凹槽，而且具有良好的图案形状。
24.此外，优选：所述透明基板由石英形成。
25.作为透明基板，适合使用上述透明基板。
26.此外，优选：所述下层的膜厚为2～10nm、及所述上层的膜厚为50～80nm。
27.若为上述构成，则易于得到规定的透射率。
28.此外，优选：在所述上层中，所述过渡金属为钼(mo)，且钼(mo)的含量相对于硅(si)与钼(mo)的合计为20％以下。
29.本发明中，能够将上层的组成设为如上组成。
30.此外，优选：所述相移掩模在所述相移膜上具有含有铬的遮光膜，且氯类的干法蚀刻中的所述遮光膜与所述下层的蚀刻选择比为1.2以上10.0以下。
31.若为上述遮光膜，则能够利用氯类的干法蚀刻将其与下层同时去除，且此时下层不会受到侧面蚀刻。发明效果
32.根据本发明的相移掩模坯料，由于在光掩模图案的加工中对相移膜进行加工时，基板中不易形成凹槽，因此能够制作相位差的调整容易、且图案形状良好的光掩模(相移掩模)。
附图说明
33.图1为表示本发明的相移掩模坯料的一个实例的示意图。图2为表示本发明的相移掩模坯料的另一个实例的示意图。图3为表示本发明的相移掩模坯料的又一个实例的示意图。图4为表示实施例及比较例中使用的蚀刻装置的示意图。附图标记说明1：相移膜；2：第二层；3：第三层；4：第四层；10：透明基板；11：下层；12：上层；13：遮光膜；100：相移掩模坯料；101：腔室；102：地线；103：下部电极；104：天线线圈；105：待处理基板；1000：干法蚀刻装置；rf1、rf2：高频电源。
具体实施方式
34.如上所述，要求开发一种能够形成相位控制性良好、通过使用氯类气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料、相移掩模以及相移掩模的制造方法。
35.本技术的发明人为了解决上述技术问题反复进行了认真研究，结果发现通过利用具有含有铬、硅、氮和/或氧的层(下层)、进一步在其上层具有含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧的层的相移膜，使含有铬、硅、氮和/或氧的下层的硅含量为3％以上且小于15％、且使氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，能够制作在对相移膜上的铬遮光膜或铬蚀刻掩模进行蚀刻的氯类蚀刻时可抑制上述下层的侧面蚀刻、并具有良好的图案的光掩模，从而完成了本发明。
36.即，本发明提供一种相移掩模坯料，其具有透明基板、及形成于该透明基板上的相移膜，其中，所述相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200
°
、透射率为3～15％，所述相移膜从所述透明基板侧开始依次包含下层与上层，所述上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，所述下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于所述下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的所述上层与所述下层的蚀刻选择比为10以上。
37.以下，对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于此。
38.＜相移掩模坯料＞本发明的相移掩模坯料具有形成于石英基板等透明基板上的相移膜。此外，后文所述的本发明的相移掩模具有形成于石英基板等透明基板上的相移膜的掩模图案(光掩模图案)。
39.＜透明基板＞在本发明中，作为透明基板，没有特别限定，例如适宜为semi标准中规定的6英寸见方、厚0.25英寸的被称作6025基板的透明基板，使用si单位制时，通常记作152mm见方、厚6.35mm的透明基板。作为透明基板，优选石英基板。
40.＜相移膜＞关于本发明的相移膜，在波长200nm以下的曝光波长、特别是在193nm(arf)下，透射相移膜及透射与该相移膜相同厚度的没有膜的部分的光之间的相位差为160～200
°
、透射率为3～15％，从透明基板侧开始包含下层与上层，所述下层含有铬、硅、氮和/或氧，所述上层含有过渡金属(优选除铬以外的过渡金属)、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧。此外，含有铬、硅、氮和/或氧的下层的该硅的含有率相对于铬与硅的合计为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7。此外，氟类的干法蚀刻中的所述上层与所述下层的蚀刻选择比为10以上。
41.通过以此方式进行，能够制成在利用氟类气体进行干法蚀刻时也不会在透明基板中产生凹槽、且同时在利用氯类气体(氯氧类气体)的干法蚀刻中也不易发生侧面蚀刻的相移膜。此处的氟类气体是指sf6、cf4等含氟气体，氯类气体是指由cl2与o2组成的气体等包含氯与氧的气体，上述气体中也可以进一步包含he等。此外，此处将使用了氟类气体的干法蚀刻称为氟类的干法蚀刻，将使用了氯类气体的干法蚀刻称为氯类的干法蚀刻。
42.下层的膜含有铬、硅、氮和/或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7。优选相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于14％、且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.6，更优选相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为5％以上且小于10％、且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.1。此外，下层中的氧的含有率优选小于60％，更优选小于50％，进一步优选小于45％。另一方面，虽然也可以不含有氧，但由于氧含量越高，则透射率越高，越易于进行将上层的膜薄膜化等的调整，因此优选为30％以上，更优选为35％以上，进一步优选为40％以上。氮的含量优选为0％以上52％以下。此处，硅、氧、氮的含有率为原子数的比率，例如可通过基于xps的测定而求出。
43.另外，下层的膜更优选为由铬、硅、氮、及氧构成的膜；由铬、硅、及氮构成的膜；由铬、硅、及氧构成的膜中的任意一种。上述膜中可以进一步包含碳、氢等。
44.上层的膜包含过渡金属、硅、氮和/或氧、或者包含硅、氮和/或氧。即，上层的膜更优选为由过渡金属、硅、氮、及氧构成的膜；由过渡金属、硅、及氮构成的膜；由过渡金属、硅、及氧构成的膜；由硅、氮、及氧构成的膜；由硅及氮构成的膜；由硅及氧构成的膜中的任意一种。上述膜中可以进一步包含碳、氢等。
45.作为过渡金属，虽然没有特别限定，但例如可使用钼、锆、钽、钨、铬、钛，优选为除铬以外的过渡金属，特别优选钼。过渡金属的组成相对于过渡金属与硅的合计的比率优选
为0％以上40％以下，优选氧为0％以上70％以下、氮为0％以上60％以下。此处，过渡金属、氧、氮的比率为原子数的比率，例如可通过基于xps的测定而求出。
46.相移膜中，优选：含有铬、硅、氮和/或氧的下层的膜厚为2～10nm，位于其上层的含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧的层的膜厚为50～80nm。通过设为这种构成，易于得到规定的透射率。
47.含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧的上层的该过渡金属优选为钼，钼的含有率相对于硅与钼合计优选为20％以下。
48.含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧的层(上层)可利用氟类进行蚀刻，氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比优选为10以上，进一步优选为15以上。
49.此处，氟类的干法蚀刻中的上述蚀刻选择比为(蚀刻选择比)＝(上层的蚀刻速率)/(下层的蚀刻速率)。
50.进一步，优选：在相移膜上具有含有铬的可利用氯类进行蚀刻的遮光膜，该遮光膜与透明基板上的含有铬、硅、氮和/或氧的层的利用氯类蚀刻的选择比为1.2以上10.0以下。
51.此处，氯类的干法蚀刻中的上述蚀刻选择比为(蚀刻选择比)＝(遮光膜的蚀刻速率)/(下层的蚀刻速率)。
52.此外，优选在遮光膜上进一步具有包含硅、氧、和/或氮的硬掩模膜。遮光膜或硬掩模膜的详情如后文所述。
53.此处，参照图1对本发明的相移掩模坯料的一个实例进行说明。本发明的相移掩模坯料100中，在透明基板10上形成有作为含有铬、硅、氮、和/或氧的层的下层11，在下层11上形成有含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧的上层12。相移膜1包含下层11与上层12。此外，在相移膜1上可以形成有遮光膜13。
54.上层12为容易被氟类气体蚀刻的膜。另一方面，由于下层11为上述规定的组成的膜，因此为难以被氟类气体蚀刻、但可被氯类气体以适当的速度蚀刻的膜。因此，由相移掩模坯料100制造相移掩模时，通过基于氟类气体的干法蚀刻将相移膜1的上层12剥离时，由于具有下层11，因此可防止透明基板10因干法蚀刻而产生凹槽。而且，通过氯类气体而剥离遮光膜13中不需要的部分时，下层11也同时被剥离，但由于下层11具有规定的组成，因此下层11中不会发生侧面蚀刻。
55.＜相移膜的成膜方法＞本发明中的相移膜可适用公知的成膜手法来成膜，优选利用容易得到均质性优异的膜的溅射法来成膜，也可使用dc溅射、rf溅射中的任一种方法，但更优选磁控溅射。靶材与溅射气体可根据层构成或组成而适当选择。
56.在形成下层的包含铬与硅的膜时，可设为使用由铬与硅构成的靶材、或铬靶材与硅靶材作为靶材并同时放电的共溅射，或者设为使用由铬与硅构成的靶材代替铬靶材或硅靶材中的至少一者并同时放电的共溅射，还可以设为使用铬靶材、硅靶材、由铬与硅构成的靶材并同时放电的共溅射。
57.上层的膜为不包含过渡金属而含有硅的膜时，可使用硅靶材。形成包含过渡金属且含有硅的膜时，可设为使用由过渡金属与硅构成的靶材、或使用过渡金属靶材与硅靶材并同时放电的共溅射，或者设为使用由过渡金属与硅构成的靶材代替过渡金属靶材或硅靶
材中的至少一者并同时放电的共溅射，还可以设为使用过渡金属靶材、硅靶材、由过渡金属与硅构成的靶材并同时放电的共溅射。
58.此外，这些靶材可以含有氮，也可以同时使用含有氮的靶材与不含有氮的靶材。
59.上层及下层的氮的含有率或氧的含有率，可通过在溅射气体中使用氮气或氧气、或者包含氮与氧的氧化氮等作为反应性气体，适当调整导入量并进行反应性溅射，由此进行调整。进一步，溅射气体中，作为稀有气体，也可使用氦气、氖气、氩气、氪气、氙气等。
60.＜第二层＞可在本发明的相移掩模坯料的相移膜上设置由单层或多个层构成的第二层。第二层通常以与相移膜相邻的方式设置。作为该第二层，具体而言，可列举出遮光膜、遮光膜与防反射膜的组合、在相移膜的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)等。此外，设置后文所述的第三层时，也可将该第二层用作在第三层的图案形成中作为蚀刻阻挡层(etching stopper)而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻阻挡膜)。作为第二层的材料，适宜为包含铬的材料。
61.通过设置包含遮光膜的第二层，可在相移掩模中设置将曝光光完全遮蔽的区域。该遮光膜及防反射膜也可用作蚀刻中的加工辅助膜。
62.(作为第二层的遮光膜及防反射膜)虽然已有很多关于遮光膜及防反射膜的膜构成及材料的报道(例如专利文献2、专利文献3等)，但作为优选的遮光膜与防反射膜的组合的膜构成，例如可列举出设置包含铬的材料的遮光膜、进而设置可减少来自遮光膜的反射的包含cr的材料的防反射膜的膜构成等。遮光膜及防反射膜可以均以单层构成，也可以以多个层构成。
63.作为遮光膜或防反射膜的包含铬的材料，可列举出铬单质、铬氧化物(cro)、铬氮化物(crn)、铬碳化物(crc)、铬氧化氮化物(cron)、铬氧化碳化物(croc)、铬氮化碳化物(crnc)、铬氧化氮化碳化物(cronc)等铬化合物等。另外，此处，表示包含铬的材料的化学式仅示出构成元素，并不是指构成元素的组成比(以下包含铬的材料也相同)。
64.第二层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时，遮光膜的铬化合物中的铬的含有率优选为40原子％以上，特别优选为60原子％以上，优选小于100原子％，特别优选为99原子％以下，格外优选为90原子％以下。氧的含有率优选为60原子％以下，特别优选为40原子％以下，更优选为1原子％以上。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为40原子％以下，更优选为1原子％以上。碳的含有率优选为20原子％以下，特别优选为10原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。此时，铬、氧、氮及碳的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
65.此外，第二层为遮光膜与防反射膜的组合时，防反射膜优选为铬化合物，铬化合物中的铬的含有率优选为30原子％以上，特别优选为35原子％以上，优选为70原子％以下，特别优选为50原子％以下。氧的含有率优选为60原子％以下，更优选为1原子％以上，特别优选为20原子％以上。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为30原子％以下，更优选为1原子％以上，特别优选为3原子％以上。碳的含有率优选为20原子％以下，特别优选为5原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。此时，铬、氧、氮及碳的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
66.第二层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时，第二层的膜厚通常为20～
100nm，优选为40～70nm。此外，在波长200nm以下的曝光光下，相移膜与第二层的合计光密度优选为为2.0以上，特别优选为2.5以上，格外优选为3.0以上。
67.(作为第二层的加工辅助膜)第二层为加工辅助膜时，还可用作在相移膜的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)、或在第三层的图案形成中作为蚀刻阻挡层而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻阻挡膜)。
68.作为加工辅助膜的实例，可列举出如专利文献4所示的由包含铬的材料构成的膜。加工辅助膜可以以单层构成，也可以以多个层构成。
69.作为加工辅助膜的包含铬的材料，可列举出铬单体、铬氧化物(cro)、铬氮化物(crn)、铬碳化物(crc)、铬氧化氮化物(cron)、铬氧化碳化物(croc)、铬氮化碳化物(crnc)、铬氧化氮化碳化物(cronc)等铬化合物等。
70.第二层为加工辅助膜时，第二层的cr化合物中的cr的含有率优选为40原子％以上，特别优选为50原子％以上，优选为100原子％以下，特别优选为99原子％以下，格外优选为90原子％以下。氧的含有率优选为60原子％以下，特别优选为55原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为40原子％以下，更优选为1原子％以上。碳的含有率优选为20原子％以下，特别优选为10原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。此时，铬、氧、氮及碳的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
71.＜第三层＞可在本发明的相移掩模坯料的第二层上设置由单层或多个层构成的第三层。第三层通常以与第二层相邻的方式设置。作为该第三层，具体而言，可列举出加工辅助膜、遮光膜、遮光膜与防反射膜的组合等。作为第三层的材料，适宜为包含硅的材料，特别优选不包含铬的材料。
72.作为上述相移掩模坯料，具体而言，可列举出图2所示的相移掩模坯料。图2为表示本发明的相移掩模坯料的一个实例的截面图，该相移掩模坯料100具备透明基板10、形成于透明基板10上的相移膜1、形成于相移膜1上的第二层2、及形成于第二层2上的第三层3。
73.(作为第三层的加工辅助膜)第二层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时、或者为在上述半色调相移膜的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜时，作为第三层，可设置在第二层的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)。此外，设置后文所述的第四层时，还可将该第三层用作在第四层的图案形成中作为蚀刻阻挡层而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻阻挡膜)。
74.优选将该加工辅助膜设为蚀刻特性与第二层不同的材料，例如对适用于包含铬的材料的蚀刻的氯类干法蚀刻具有抗性的材料，具体而言设为可利用sf6或cf4等氟类气体进行蚀刻的包含硅的材料。
75.作为包含硅的材料，具体而言，可列举出硅单质；包含氮及氧中的一者或两者与硅的材料；包含硅与过渡金属的材料；包含氮及氧中的一者或两者、硅以及过渡金属的材料等硅化合物等，作为过渡金属，可列举出钼、钽、锆等。
76.第三层为加工辅助膜时，优选加工辅助膜为硅化合物，硅化合物中的硅的含有率
优选为20原子％以上，特别优选为33原子％以上，优选为95原子％以下，特别优选为80原子％以下。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为30原子％以下，更优选为1原子％以上。氧的含有率优选为70原子％以下，特别优选为66原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上，进一步优选为20原子％以上。可以含有过渡金属，也可以不含有过渡金属，含有过渡金属时，其含有率优选为35原子％以下，特别优选为20原子％以下。此时，硅、氧、氮及过渡金属的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
77.第二层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合，且第三层为加工辅助膜时，第二层的膜厚通常为20～100nm，优选为40～70nm，第三层的膜厚通常为1～30nm，优选为2～15nm。此外，在波长200nm以下的曝光光下，相移膜与第二层及第三层的合计光密度优选为2.0以上，特别优选为2.5以上，格外优选为3.0以上。
78.另一方面，第二层为加工辅助膜、且第三层为加工辅助膜时，第二层的膜厚通常为1～20nm，优选为2～10nm，第三层的膜厚通常为1～20nm，优选为2～10nm。
79.(作为第三层的遮光膜及防反射膜)此外，第二层为加工辅助膜时，作为第三层，可设置遮光膜。此外，作为第三层，还可组合设置遮光膜与防反射膜。
80.优选将第三层的遮光膜及防反射膜设为蚀刻特性与第二层不同的材料，例如对适用于包含铬的材料的蚀刻的氯类干法蚀刻具有抗性的材料，具体而言设为可利用sf6或cf4等氟类气体进行蚀刻的包含硅的材料。
81.作为包含硅的材料，具体而言，可列举出硅单质；包含氮及氧中的一者或两者与硅的材料；包含硅与过渡金属的材料；包含氮及氧的中一者或两者、硅以及过渡金属的材料等硅化合物等，作为过渡金属，可列举出钼、钽、锆等。
82.第三层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时，优选遮光膜及防反射膜为硅化合物，硅化合物中的硅的含有率优选为10原子％以上，特别优选为30原子％以上，优选小于100原子％，特别优选为95原子％以下。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为40原子％以下，格外优选为20原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。氧的含有率优选为60原子％以下，特别优选为30原子％以下，需要调整蚀刻速度时，优选为1原子％以上。过渡金属的含有率优选为35原子％以下，特别优选为20原子％以下，更优选为1原子％以上。此时，硅、氧、氮及过渡金属的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
83.第二层为加工辅助膜，且第三层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时，第二层的膜厚通常为1～20nm，优选为2～10nm，第三层的膜厚通常为20～100nm，优选为30～70nm。此外，波长200nm以下的曝光光下，相移膜与第二层及第三层的合计光密度优选为2.0以上，特别优选为2.5以上，格外优选为3.0以上。
84.＜第四层＞可在本发明的相移掩模坯料的第三层上设置由单层或多个层构成的第四层。第四层通常以与第三层相邻的方式设置。作为该第四层，具体而言可列举出在第三层的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜等。作为第四层的材料，适宜为包含铬的材料。
85.作为上述相移掩模坯料，具体而言，可列举出图3所示的相移掩模坯料。图3为表示
本发明的相移掩模坯料的一个实例的截面图，该相移掩模坯料100具备透明基板10、形成于透明基板10上的相移膜1、形成于相移膜1上的第二层2、形成于第二层2上的第三层3、及形成于第三层3上的第四层4。
86.(作为第四层的加工辅助膜)第三层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合时，作为第四层，可设置在第三层的图案形成中作为硬掩模而发挥功能的加工辅助膜(蚀刻掩模膜)。
87.优选将该加工辅助膜设为蚀刻特性与第三层不同的材料，例如对适用于包含硅的材料的蚀刻的氟类干法蚀刻具有抗性的材料，具体而言设为可利用含有氧的氯类气体进行蚀刻的包含铬的材料。
88.作为包含铬的材料，具体而言可列举出铬单质、铬氧化物(cro)、铬氮化物(crn)、铬碳化物(crc)、铬氧化氮化物(cron)、铬氧化碳化物(croc)、铬氮化碳化物(crnc)、铬氧化氮化碳化物(cronc)等铬化合物等。
89.第四层为加工辅助膜时，第四层中的铬的含有率优选为30原子％以上，特别优选为40原子％以上，优选为100原子％以下，特别优选为99原子％以下，格外优选为90原子％以下。氧的含有率优选为60原子％以下，特别优选为40原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。氮的含有率优选为50原子％以下，特别优选为40原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。碳的含有率优选为20原子％以下，特别优选为10原子％以下，需要调整蚀刻速度时，更优选为1原子％以上。此时，铬、氧、氮及碳的合计含有率优选为95原子％以上，特别优选为99原子％以上，格外优选为100原子％。
90.第二层为加工辅助膜，第三层为遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合，且第四层为加工辅助膜时，第二层的膜厚通常为1～20nm，优选为2～10nm，第三层的膜厚通常为20～100nm，优选为30～70nm，第四层的膜厚通常为1～30nm，优选为2～20nm。此外，在波长200nm以下的曝光光下，相移膜、第二层、第三层及第四层的合计光密度优选为2.0以上，特别优选为2.5以上，格外优选为3.0以上。
91.＜第二～四层的成膜方法＞第二层及第四层的由包含铬的材料构成的膜可通过反应性溅射而成膜，所述反应性溅射中，使用铬靶材、在铬中添加了选自氧、氮及碳中的任意一种或两种以上的靶材等，并使用在ar、he、ne等稀有气体中根据欲成膜的膜的组成而适当添加了选自含氧气体、含氮气体、含碳气体等中的反应性气体的溅射气体。
92.另一方面，第三层的由包含硅的材料构成的膜可通过反应性溅射而成膜，所述反应性溅射中，使用硅靶材、氮化硅靶材、包含硅与氮化硅这两者的靶材、过渡金属靶材、硅与过渡金属的复合靶材等，并使用在ar、he、ne等稀有气体中根据欲成膜的膜的组成而适当添加了选自含氧气体、含氮气体、含碳气体等中的反应性气体的溅射气体。
93.＜相移掩模的制造方法＞此外，本发明提供一种使用上述相移掩模坯料来制造相移掩模的相移掩模的制造方法。本发明的相移掩模可利用常规方法由本发明的相移掩模坯料制造。以下，示出本发明的相移掩模的制造方法的具体例。
94.具体例1对于在相移膜上形成包含铬的材料的膜作为第二层的相移掩模坯料，例如可利用
下述的工序制造相移掩模。
95.首先，在相移掩模坯料的第二层上将电子束抗蚀膜成膜，进行基于电子束的图案写入，然后通过规定的显影操作得到抗蚀图案。接着，将得到的抗蚀图案作为蚀刻掩模，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将抗蚀图案转印至第二层上，得到第二层的图案。接着，将得到的第二层的图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将第二层的图案转印至相移膜的上层，得到相移膜图案。然后，通过含有氧的氯类干法蚀刻去除第二层及露出的相移膜的下层，得到相移掩模。此处，需要留下第二层的一部分时，在第二层上形成保护该部分的抗蚀图案，然后通过含有氧的氯类干法蚀刻，去除未被抗蚀图案保护的部分的第二层、及露出的相移膜的下层。然后，利用常规方法去除抗蚀图案，可得到相移掩模。
96.具体例2此外，对于在相移膜上形成包含铬的材料的遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合作为第二层，在第二层上形成包含硅的材料的加工辅助膜作为第三层的相移掩模坯料，例如可利用下述的工序制造相移掩模。
97.首先，在相移掩模坯料的第三层上将电子束抗蚀膜成膜，进行基于电子束的图案写入，然后通过规定的显影操作得到抗蚀图案。接着，将得到的抗蚀图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将抗蚀图案转印至第三层上，得到第三层的图案。接着，将得到的第三层的图案作为蚀刻掩模，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将第三层的图案转印至第二层上，得到第二层的图案。接着，去除抗蚀图案，然后将得到的第二层的图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将第二层的图案转印至相移膜的上层，得到相移膜图案，同时去除第三层的图案。接着，在第二层上形成保护要留下的第二层的部分的抗蚀图案，然后通过含有氧的氯类干法蚀刻，去除未被抗蚀图案保护的部分的第二层、及露出的相移膜的下层。然后，利用常规方法去除抗蚀图案，可得到相移掩模。
98.具体例3另一方面，对于在相移膜上形成包含铬的材料的加工辅助膜作为第二层，在第二层上形成包含硅的材料的遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合作为第三层的相移掩模坯料，例如可利用下述的工序制造相移掩模。
99.首先，在相移掩模坯料的第三层上将电子束抗蚀膜成膜，进行基于电子束的图案写入，然后通过规定的显影操作得到抗蚀图案。接着，将得到的抗蚀图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将抗蚀图案转印至第三层上，得到第三层的图案。接着，将得到的第三层的图案作为蚀刻掩模，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将第三层的图案转印至第二层上，得到要去除相移膜的部分的第二层被去除的第二层的图案。接着，去除抗蚀图案，在第三层上形成保护要留下的第三层的部分的抗蚀图案，然后将得到的第二层的图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将第二层的图案转印至相移膜的上层，得到相移膜图案，同时去除未被抗蚀图案保护的部分的第三层。接着，利用常规方法去除抗蚀图案。然后，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将第三层已被去除的部分的第二层、及露出的相移膜的下层去除，可得到相移掩模。
100.具体例4进一步，对于在相移膜上形成包含铬的材料的加工辅助膜作为第二层，在第二层上形成包含硅的材料的遮光膜、或遮光膜与防反射膜的组合作为第三层，进一步在第三层
上形成包含铬的材料的加工辅助膜作为第四层的相移掩模坯料，例如可利用下述的工序制造相移掩模。
101.首先，在相移掩模坯料的第四层上将电子束抗蚀膜成膜，进行基于电子束的图案写入，然后通过规定的显影操作得到抗蚀图案。接着，将得到的抗蚀图案作为蚀刻掩模，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将抗蚀图案转印至第四层上，得到第四层的图案。接着，将得到的第四层的图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将第四层的图案转印至第三层，得到第三层的图案。接着，去除抗蚀图案，在第四层上形成保护要留下的第三层的部分的抗蚀图案，将得到的第三层的图案作为蚀刻掩模，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将第三层的图案转印至第二层上而得到第二层的图案，同时去除未被抗蚀图案保护的部分的第四层。接着，将第二层的图案作为蚀刻掩模，通过氟类干法蚀刻，将第二层的图案转印至相移膜的上层，得到相移膜图案，同时去除未被抗蚀图案保护的部分的第三层。接着，利用常规方法去除抗蚀图案。然后，通过含有氧的氯类干法蚀刻，将第三层已被去除的部分的第二层、抗蚀图案已被去除的部分的第四层、及露出的相移膜的下层去除，可得到相移掩模。
102.＜相移掩模＞此外，本发明提供相移掩模。本发明的相移掩模具有透明基板、及在该透明基板上形成有图案的相移膜，透明基板与相移膜如上所述。此外，也可以为在相移膜上设置有含有铬的遮光膜的相移掩模。
103.在用于在待加工基板上形成半节距为50nm以下、特别为30nm以下、格外为20nm以下的图案的光刻中，在利用arf准分子激光(波长193nm)、f2激光(波长157nm)等波长为250nm以下、特别是波长为200nm以下的曝光光而将图案转印至形成于待加工基板上的光致抗蚀膜上的曝光中，本发明的相移掩模(半色调相移型光掩模)特别有效。实施例
104.以下，使用实施例及比较例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于此。
105.[实施例1]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，使用铬靶材与硅靶材作为溅射靶材，使用氩气、氮气、氧气作为溅射气体，将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，在另一个溅射装置的腔室内设置成膜有上述crsion的基板，使用mosi靶材与硅靶材作为溅射靶材，使用氩气、氮气及氧气作为溅射气体，将由mosion形成的层以71nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0106]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为41％、硅为2％、氮为13％、氧为44％，mosion层中，钼为7％、硅为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为5％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.0。
[0107]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式、以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0108]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为30，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为3.5。
[0109]
图4中示出所使用的干法蚀刻装置的概要。干法蚀刻装置1000由腔室101、地线102、下部电极103、天线线圈104、高频电源rf1、rf2构成，在下部电极103上放置有待处理基板105。
[0110]
接着，使用得到的光掩模坯料，涂布抗蚀剂并进行图案写入，经过抗蚀剥离、各层的氟类或cl类干法蚀刻工序，得到具有线宽200nm的线/间距(line/space)图案的光掩模。将得到的图案部割断，利用扫描型显微镜观察并确认图案部的截面形状，结果石英基板上的crsion层的侧面蚀刻量较少，保持了良好的形状。
[0111]
＜氟类干法蚀刻条件＞rf1(rie：反应离子蚀刻)：cw(连续放电)54wrf2(icp：电感耦合等离子体)：cw(连续放电)325w压力：5mtorrsf6：18sccmo2：45sccm
[0112]
＜cl类干法蚀刻条件＞rf1(rie：反应离子蚀刻)：cw(连续放电)700vrf2(icp：电感耦合等离子体)：cw(连续放电)400w压力：6mtorrcl2：185sccmo2：55sccmhe：9.25sccm
[0113]
[实施例2]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了施加至cr靶材与si靶材的功率以外，利用与实施例1相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以70nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0114]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为42.5％、硅为1.5％、氮为14％、氧为42％，mosion层中，mo为7％、si为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为3％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.0。
[0115]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0116]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为32，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为2.0。
[0117]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果图案部良好。
[0118]
[实施例3]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，利用与实施例1
相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，在溅射装置的腔室内安装si靶材，使用氩气、氮气作为溅射气体，将由sin形成的层以63nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与sin形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0119]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为42.5％、硅为1.5％、氮为14％、氧为42％，sin层中，硅为45％、氮为55％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为3％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.0。
[0120]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与sin层这两个层形成的相移膜上。
[0121]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与sin层的f类干法蚀刻的选择比为12，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为2.0。
[0122]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果图案部良好。
[0123]
[实施例4]在溅射装置的室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了使用铬靶材以外，利用与实施例1相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以73nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0124]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为35.5％、硅为5.5％、氮为10％、氧为49％，mosion层中，mo为7％、si为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为13％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.2。
[0125]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0126]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为28，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为10。
[0127]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果图案部良好。
[0128]
[实施例5]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了使用铬靶材以外，利用与实施例1相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以73nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0129]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为36％、硅为3％、氮为2％、氧为59％，mosion层中，mo为7％、si为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为8％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.5。
[0130]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的
方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0131]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为10，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为5。
[0132]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果图案部良好。该膜的f类蚀刻的选择比为10，若添加较之更多的氧，则对f类的抗性过低，作为溅射的功能下降。
[0133]
[比较例1]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了使用铬靶材以外，利用与实施例1相同的方式将由cron形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以73nm的膜厚进行成膜。测定该由cron与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0134]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果cron层中，铬为43％、氮为14.5％、氧为42.5％，mosion层中，mo为7％、si为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为0％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.0。
[0135]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由cron层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0136]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的cron层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为33，cron层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的选择比为1.0。
[0137]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果石英基板上的cron层的图案部发生侧面蚀刻，截面形状不佳。这是由于相移膜的下层不含有硅，下层的利用cl类的蚀刻速率过高所导致的结果。
[0138]
[比较例2]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了增加导入腔室内的氧气流量以外，利用与实施例1相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以69nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0139]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为33％、硅为4％、氮为1％、氧为62％，mosion层中，钼为7％、硅为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为11％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.7。
[0140]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0141]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为0.5以下，crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻的
选择比为3.0。
[0142]
利用与实施例1相同的方式制作线宽200nm的线/间距图案，并确认图案部的截面形状，结果在石英基板上产生了凹槽。氧含量较多的crsion膜(下层)中，利用f类蚀刻的蚀刻速率过快，导致蚀刻进行至石英部。
[0143]
[比较例3]在溅射装置的腔室内设置152mm见方、厚6.35mm的6025石英基板，除了施加至cr靶材与si靶材的功率以外，利用与实施例1相同的方式将由crsion形成的层以5nm的膜厚进行成膜。接着，利用与实施例1相同的方式将由mosion形成的层以69nm的膜厚进行成膜。测定该由crsion与mosion形成的两个层的相位差与透射率，结果相位差为180deg，透射率为6.0％。
[0144]
接着，利用xps测定各个层的组成，结果crsion层中，铬为32％、硅为7％、氮为4％、氧为57％，mosion层中，钼为7％、硅为38％、氮为40％、氧为15％。即，下层的硅的含有率相对于铬与硅的合计为18％，氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率为1.5。
[0145]
接着，在溅射装置内，将由cron形成的遮光膜以193nm的曝光光下的od为3以上的方式，以48nm的膜厚成膜在由crsion层与mosion层这两个层形成的相移膜上。
[0146]
接着，对在干法蚀刻装置内得到的光掩模坯料的各个层实施利用cl类的蚀刻、利用f类的蚀刻，算出各个层的蚀刻速率并确认各个层的选择比。位于石英基板上的crsion层与mosion层的f类干法蚀刻的选择比为12，对于crsion层与cron遮光层的cl类干法蚀刻，si含量较多的crsion膜(下层)无法通过氯类蚀刻而进行剥离，故而无法计算选择比。
[0147]
另外，本发明并不限定于上述实施方案。上述实施方案为例示，具有与本发明的权利要求书中记载的技术构思实质相同的构成、并发挥同样的作用效果的技术方案均包含在本发明的技术范围内。