静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器的制作方法

技术特征：
1.一种静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一n型场效应晶体管和第一p型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二n型场效应晶体管和第二p型场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一n型场效应晶体管的漏极和所述第一p型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第一n型场效应晶体管的源极和所述第一p型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。4.根据权利要求3所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一n型场效应晶体管的漏极和所述第一p型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述传输单元的一侧。5.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第二n型场效应晶体管的漏极和所述第二p型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第二n型场效应晶体管的源极和所述第二p型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第二n型场效应晶体管的漏极和所述第二p型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述传输单元的一侧。7.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一传输管、所述第二传输管、第一n型场效应晶体管、第二n型场效应晶体管、第一p型场效应晶体管和第二p型场效应晶体管的沟道的数量均大于或等于1。8.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为场效应晶体管。9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一传输管和所述第二传输管均为n型场效应晶体管或p型场效应晶体管。10.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，还包括连接单元，所述连接单元用于实现所述晶体管单元内部连接和外部连接。11.根据权利要求10所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，所述字线用于控制所述第一传输管和所述第二传输管，所述第一位线和所述第二位线用于实现所述晶体管单元的信号传输，所述第一互连线和所述第二互连线用于实现所述晶体管单元的内部连接，所述第一电源线和所述第二电源线用于为所述晶体管单元供电或接地，所述第一位线和所述第二位线垂直于所述第一方向，所述字线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线、所述第二电源线平行于所述第一方向。
12.根据权利要求11所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线为器件顶部金属互连线。13.根据权利要求12所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部的相同或不同金属互联层。14.根据权利要求11所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一电源线和所述第二电源线为器件顶部金属互连线或衬底中金属埋线。15.一种存储器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1～14任意一项所述的静态随机存取存储器的存储单元结构。

技术总结
本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。明还提供了一种存储器。明还提供了一种存储器。


技术研发人员：丁荣正 俞少峰 朱小娜 朱宝 尹睿
受保护的技术使用者：上海集成电路制造创新中心有限公司
技术研发日：2021.12.14
技术公布日：2022/3/18