基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及记录介质与流程

1.本公开涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及记录介质。


背景技术：

2.已知在基板上形成膜的基板处理装置中，液体或者固体沉积在气体管道内，管道或阀等堵塞，需要定期进行维护(例如，参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：jp特开2013-8978号公报


技术实现要素：

6.气体供给管构成为通过加热器等加热，使原料固体化而不附着于气体供给管。然而，有时原料固体化并附着于气体供给管，从而堵塞气体供给管。在该情况下，要确定气体供给管的哪个部分被堵塞的堵塞部位。在无法确定哪里堵塞这样的情况下，需要进行更换气体供给管中的、认为被堵塞的更换气体供给管作业。若堵塞部位的确定或更换作业的时间变长，则用于消除气体供给管的堵塞的消除时间变长，基板处理装置的停止时间(停机时间)变长，其结果为，基板处理装置的制造生产量下降。
7.本公开的课题在于，提供一种缩短气体供给管的堵塞的消除时间而提高基板处理装置的制造生产量的技术。
8.其他课题和新特征能够根据本说明书的记述以及附图而变明朗。
9.若简单说明本公开中的具有代表性的概要则如下所示。
10.即，提供一种技术，其具备：向反应室内的基板供给处理气体的气体供给部；具有与所述气体供给部连接的气体供给管、设于所述气体供给管的多个阀、以及设于所述多个阀之间的多个压力测定部的气体供给系统；以及控制部，其构成为能够根据所述压力测定部的测定结果中的、至少一个以上的压力，判断所述气体供给管的堵塞等级。
11.发明效果
12.根据上述技术，能够缩短气体供给管的堵塞的消除时间，提高基板处理装置的制造生产量。
附图说明
13.图1是在本公开的一实施方式中优选使用的基板处理装置的斜透视图。
14.图2是图1中的a-a线概略横向剖视图。
15.图3是本公开的一实施方式中的基板处理装置的控制器的概略构成图，是用框图示出控制器的控制系统的图。
16.图4是示出本公开的一实施方式中的基板处理工序的图。
17.图5是示出图4的基板处理工序中的mo含有膜形成工序的图。
18.图6是示出在本公开的一实施方式中优选使用的原料供给单元以及流量控制单元的图。
19.图7是示出比较例的气体供给系统的构成例的图。
20.图8是保存于存储装置的表，是示出堵塞等级与应对程序的表的图。
21.图9是说明控制器的输入输出装置(显示部)的显示状态的图。
22.图10是说明图6的加热部htp的构成例的图。
23.图11是说明图10的一个副加热部的构成的图。
24.图12是说明气体管加热部的温度控制的例子的图。
25.图13是说明气体管加热部的温度控制的另一例的图。
26.图14是说明气体管加热部的温度控制的又一例的图。
27.图15是说明控制器的输入输出装置(显示部)的显示状态的图。
28.图16是说明气体管加热部(htp2、htp4)的低温部分的图。
29.其中，附图标记说明如下：
30.10：基板处理装置
31.121：控制器
32.200：晶片(基板)
33.201：处理室
34.310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k：气体供给管
35.av05、av06、av08、av09、av04、av03、314、av01、av11、av10：阀
36.245、p2，p3，p4，p5：压力传感器
37.gss：气体供给系统
具体实施方式
38.以下，使用附图对实施方式进行说明。但在以下的说明中，有时对同一构成要素标注同一附图标记，并省略重复的说明。此外，为了使更说明更明确，与实际的形态相比有时示意性示出附图，但只不过一例，并不限定对本公开的解释。另外，附图示出的、各要素的尺寸的关系、各要素的比率等并不一定与实际一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也并不一定一致。
39.(实际形态)
40.(1)基板处理装置的构成基板处理装置10具备设有作为加热手段(加热机构、加热系统)的加热器207的处理炉202。加热器207为圆筒形状，通过由作为保持板的加热器底座(未图示)支承而垂直安装。
41.在加热器207的内侧配设有与加热器207呈同心圆状地构成反应容器(处理容器)的外管203。外管203例如由石英(sio2)、碳化硅(sic)等的耐热性材料构成，形成为上端堵塞且下端开口的圆筒形状。与外管203同心圆状地，在外管203的下方配设有歧管(入口法兰)209。歧管209例如由不锈钢(sus)等金属构成，形成为上端以及下端开口的圆筒形状。在歧管209的上端部与外管203之间设有作为密封构件的o环220a。通过将歧管209由加热器底座支承，使外管203成为垂直安装的状态。
42.在外管203的内侧配设有构成反应容器的内管204。内管204例如由石英(sio2)、碳化硅(sic)等耐热性材料构成，形成为上端堵塞且下端开口的圆筒形状。主要通过外管203、内管204、歧管209来构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部(内管204的内侧)形成有处理室(反应室)201。
43.处理室201构成为能够通过在后面说明的舟皿217将作为基板的晶片200以水平姿势在铅垂方向上排列成多层的状态下进行收容。
44.在处理室201内，喷嘴410、420以贯穿歧管209的侧壁以及内管204的方式设置。在喷嘴410、420分别连接有气体供给管310、320。但本实施方式的处理炉202不限于上述方式。
45.在气体供给管310、320各自，从上游侧起按顺序安装有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(mfc)312、322。另外，在气体供给管310、320分别设有作为开闭阀的阀314、324。在气体供给管310、320的阀314、324的下游侧分别连接有供给非活性气体的气体供给管510、520。在气体供给管510、520各自，从上游侧起按顺序设有作为流量控制器(流量控制部)的mfc512、522以及作为开闭阀的阀514、524。
46.在气体供给管310、320的前端部分别连结连接有喷嘴410、420。喷嘴410、420构成为l字型的喷嘴，其水平部以贯穿歧管209的侧壁以及内管204的方式构成。喷嘴410、420的垂直部设在以向内管204的径向朝外突出、且在铅垂方向上延伸的的方式形成的沟道形状(槽形状)的预备室201a的内部，在预备室201a内沿内管204的内壁而朝向上方(晶片200的排列方向上方)设置。
47.喷嘴410、420从处理室201的下部区域到处理室201的上部区域为止延伸设置，在与晶片200相对置的位置分别设有多个气体供给孔410a、420a。由此，从喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a分别向晶片200供给处理气体。该气体供给孔410a、420a从内管204的下部到上部设有多个，分别具有相同的开口面积，并且以相同开口间距设置。但气体供给孔410a、420a不限于上述方式。例如，可以从内管204的下部朝向上部逐渐增大开口面积。由此，能够使从气体供给孔410a、420a供给的气体的流量进一步均匀化。
48.喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a在从后述的舟皿217的下部到上部为止的高度的位置设有多个。因此，从喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a向处理室201内供给的处理气体被供给至从舟皿217的下部到上部为止收容的晶片200的整个区域。喷嘴410、420只要从处理室201的下部区域到上部区域为止延伸设置即可，但优选设置为延伸至舟皿217的顶部附近为止。
49.作为处理气体，从气体供给管310经由mfc312、阀314、喷嘴410向处理室201内供给原料气体。作为原料气体，能够使用包括钼(mo)和氧(o)在内的钼(mo)含有气体。作为mo含有气体，例如能够使用二氯化钼(moo2cl2)气体、或四氯化钼(moocl4)。此外，该原料为常温常压下为固体状态的原料。
50.作为处理气体，从气体供给管320经由mfc322、阀324、喷嘴420向处理室201内供给还原气体。作为还原气体例如能够使用作为氢(h)含有气体的氢(h2)气。
51.作为非活性气体，从气体供给管510、520分别经由mfc512、522、阀514、524、喷嘴410、420而向处理室201内供给作为稀有气体的例如氩(ar)气。以下，说明作为非活性气体而使用ar气的例子，但作为非活性气体，除了ar气以外，例如可以使用氦(he)气、氖(ne)气、氙(xe)气等的稀有气体。
52.主要通过气体供给管310、320、mfc312、322、阀314、324、喷嘴410、420构成处理气体供给系统，但也可以仅考虑将喷嘴410、420来作为处理气体供给系统。处理气体供给系统可以仅称为气体供给系统。在从气体供给管310流通mo含有气体的情况下，主要通过气体供给管310、mfc312、阀314构成mo含有气体供给系统，但也可以考虑将喷嘴410包含于mo含有气体供给系统。另外，在从气体供给管320流通还原气体的情况下，主要通过气体供给管320、mfc322、阀324来构成还原气体供给系统，但也可以考虑将喷嘴420包含于还原气体供给系统。另外，主要通过气体供给管510、520、mfc512、522、阀514、524构成非活性气体供给系统。非活性气体供给系统可以称为稀有气体供给系统。
53.本实施方式中的气体供给的方法经由在由内管204的内壁、以及多张晶片200的端部定义的圆环状的纵向长的空间内的预备室201a内配置的喷嘴410、420来搬送气体。然后，从设于与喷嘴410、420的晶片相对置的位置的多个气体供给孔410a、420a向内管204内喷出气体。更详细来说，通过喷嘴410的气体供给孔410a、喷嘴420的气体供给孔420a朝向与晶片200的表面平行方向喷出处理气体等。
54.排气孔(排气口)204a为形成于内管204的侧壁且与喷嘴410、420相对置的位置的贯穿孔，例如为在铅垂方向上细长地开设的狭缝状的贯穿孔。从喷嘴410、420的气体供给孔410a、420a向处理室201内供给，在晶片200的表面上流动的气体经由排气孔204a向由形成在内管204与外管203之间的间隙构成的排气路206内流动。然后，流向排气路206内的气体向排气管231内流动，并向处理炉202外排出。
55.排气孔204a设在与多个晶片200相对置的位置，从气体供给孔410a、420a向处理室201内的晶片200的附近供给的气体在朝向水平方向流动之后，经由排气孔204a向排气路206内流动。排气孔204a不限于构成为狭缝状的贯穿孔的情况，也可以由多个孔构成。
56.在歧管209设有排出处理室201内的环境气体的排气管231。在排气管231，从上游侧起按顺序连接有检测处理室201内的压力的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245、apc(auto pressure controller：自动压力控制)阀243、作为真空排气装置的真空泵246。apc阀243通过在使真空泵246工作的状态下开闭阀，能够进行处理室201内的真空排气以及真空排气停止，而且通过在使真空泵246工作的状态下调节阀开度，能够调整处理室201内的压力。主要通过排气孔204a、排气路206、排气管231、apc阀243以及压力传感器245构成排气系统。可以认为将真空泵246包含于排气系统。
57.在歧管209的下方设有可气密性地堵塞歧管209的下端开口的作为炉口盖体的加封盖219。加封盖219构成为从铅垂方向下侧与歧管209的下端相抵接。加封盖219例如由sus等的金属构成，形成于圆盘状。在加封盖219的上表面设有与歧管209的下端相抵接的作为密封构件的o环220b。在加封盖219中的处理室201的相反侧设置有使收容晶片200的舟皿217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯穿加封盖219而与舟皿217连接。旋转机构267构成为通过使舟皿217旋转而使晶片200旋转。加封盖219构成为通过在外管203的外部垂直设置的作为升降机构的舟皿升降机115而在铅垂方向上升降。舟皿升降机115构成为通过使加封盖219升降，能够将舟皿217向处理室201内外搬入以及搬出。舟皿升降机115构成为将舟皿217以及在舟皿217收容的晶片200向处理室201内外搬送的搬送装置(搬送系统)。
58.作为一次交付基板支承用具的舟皿217构成为将多张例如25～200张晶片200以水
平姿势且在使彼此对准中心的状态下在铅垂方向上隔开间隔地进行排列。舟皿217例如由石英或sic等的耐热性材料构成。在舟皿217的下部，以水平姿势将例如由石英或sic等的耐热性材料构成的隔热板218支承于多层(未图示)。根据该构成，来自加热器207的热量不易传递至加封盖219一侧。但本实施方式不限于此上述方式。例如，在舟皿217的下部没有设置隔热板218，而可以设置由石英或sic等的耐热性材料构成的构成为筒状的构件的隔热筒。
59.如图2所示，在内管204内设置有作为温度检测器的温度传感器263，基于由温度传感器263检测出的温度信息对向加热器207的通电量进行调整，由此，构成为使处理室201内的温度成为期望的温度分布。温度传感器263与喷嘴410、420同样地构成为l字型，沿内管204的内壁设置。
60.如图3所示，作为控制部(控制手段)的控制器121构成为具备cpu(central processing unit：中央处理器)121a、ram(random access memory：随机存储器)121b、存储装置121c、i/o端口121d的计算机。ram121b、存储装置121c、i/o端口121d构成为能够经由内部总线与cpu121a交换数据。在控制器121连接有构成为例如带触控面板的液晶显示装置等的显示部的输入输出装置122。
61.存储装置121c例如由快闪存储器、hdd(hard disk drive：硬盘驱动)等构成。存储装置121c内可读取地保存有控制基板处理装置的动作的控制程序、记录有后述的半导体器件的制造方法的步骤或条件等的工艺制程等。工艺制程使控制器121执行后述的半导体器件的制造方法中的各工序(各步骤)，以能够得到规定的结果的方式进行组合，并作为程序起作用。以下，将该工艺制程、控制程序等统称且仅称为程序。在本说明书中使用了程序这种用语的情况有仅包括工艺制程单体的情况、仅包括控制程序单体的情况、或者包括工艺制程以及控制程序的组合的情况。ram121b构成为临时保持通过cpu121a读出的程序或数据等的存储器区域(工作区域)。
62.i/o端口121d构成为能够与上述的mfc312、322、512、522、阀314、324、514、524、压力传感器245、apc阀243、真空泵246、加热器207、温度传感器263、旋转机构267、舟皿升降机115、后述的加热部htp、ltp、阀av05、av06、av08、av09、av10、压力传感器p2、p3、p4、p5、气体检测器m2、m3、m4、m5等连接。此外，在此，连接不仅指物理上连接，还指构成为能够直接或间接通信电信号、信息等。
63.cpu121a从存储装置121c读取控制程序并执行，并且构成为根据来自输入输出装置122的操作命令的输入等从存储装置121c读取制程等。cpu121a构成为以遵照读取的制程的内容的方式，控制基于mfc312、322、512、522的各种气体的流量调整动作、阀314、324、514、524的开闭动作、apc阀243的开闭动作以及基于apc阀243的压力传感器245的压力调整动作、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、真空泵246的起动以及停止、基于旋转机构267的舟皿217的旋转以及旋转速度调节动作、基于舟皿升降机115的舟皿217的升降动作、向舟皿217收容晶片200的收容动作、基于加热部htp、ltp的气体供给管310的加热控制等。
64.控制器121能够通过将保存于外部存储装置(例如、磁带、软盘或硬盘等的磁盘、cd或dvd等的光盘、mo等的光磁盘、usb存储器或存储卡等的半导体存储器)123的上述程序安装于计算机来构成。存储装置121c或外部存储装置123构成为能够由计算机读取的记录介质。以下，也将这些总称且仅称为记录介质。在本说明书中，记录介质有仅包括存储装置
121c单体的情况、仅包括外部存储装置123单体的情况、或者包括双方的情况。向计算机提供程序可以不使用外部存储装置123，也可以使用互联网或专用线路等的通信手段来进行。
65.(2)基板处理工序
66.使用图4以及图5，说明作为半导体器件(设备)的制造工序的一个工序，在晶片200上形成含有例如作为3dnand的控制栅极电极而使用的钼(mo)的mo含有膜的工序的一例。图4是示出本公开的一实施方式中的基板处理工序的图。图5是示出图4的基板处理工序中的mo含有膜形成工序的图。形成mo含有膜的工序使用上述基板处理装置10的处理炉202来执行。在以下的说明中，构成基板处理装置10的各部分的动作由控制器121来控制。
67.在基于本实施方式的基板处理工序(半导体器件的制造工序)中，包括：(a)将晶片200收容至作为处理容器内的处理室201的工序；(b)将晶片200调整为规定的温度的工序；(c)相对于晶片200供给mo含有气体的工序；(d)相对于晶片200以第一时间供给还原气体的工序；(e)在(b)之后，进行一次以上(c)和(d)，由此在晶片200上形成mo含有膜的工序。
68.在本说明书中使用了“晶片”这种用语的情况下，有指“晶片本身”的情况、或指“晶片与形成于其表面的规定的层或膜等的层叠体”的情况。在本说明书中使用了“晶片的表面”这种用语的情况下，有指“晶片本身的表面”的情况、或指“形成在晶片上的规定的层或膜等的表面”的情况。在本说明书中使用了“基板”这种用语的情况下，也与使用“晶片”这种用语的情况相同含义。
69.(晶片搬入)
70.若多张晶片200装填(晶片装载)于舟皿217，则如图1所示，支承有多张晶片200的舟皿217由舟皿升降机115抬升，搬入(舟皿装载)处理室201内，并收容在处理容器内。在该状态下，加封盖219成为借助o环220将外管203的下端开口堵塞的状态。
71.(压力调整以及温度调整)
72.以处理室201内、即存在晶片200的空间成为期望的压力(真空度)的方式由真空泵246进行真空排出。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测定，基于该测定出的压力信息，对apc阀243进行反馈控制(压力调整)。真空泵246到至少针对晶片200的处理结束为止的期间内维持始终工作的状态。
73.另外，以使处理室201内成为期望的温度的方式由加热器207加热。此时，以使处理室201内成为期望的温度分布的方式，基于温度传感器263检测到的温度信息，对向加热器207的通电量进行反馈控制(温度调整)。基于加热器207的处理室201内的加热在至少针对晶片200的处理结束为止的期间内持续进行，但到后述的mo含有膜形成工序结束为止的期间内，加热器207的温度被调整为以晶片200的温度成为规定的温度即400℃以上550℃以下的范围内的温度这样的温度。
74.[mo含有膜形成工序]
[0075]
(mo含有气体供给、步骤s11)
[0076]
打开阀314，向气体供给管310内流通作为原料气体的mo含有气体。mo含有气体由mfc312进行流量调整，从喷嘴410的气体供给孔410a向处理室201内供给，从排气管231排出。此时，相对于晶片200供给mo含有气体。此时，同时打开阀514，向气体供给管510内流通ar气等的非活性气体。在气体供给管510内流动的ar气通过mfc512进行流量调整，与mo含有气体一并向处理室201内供给，从排气管231排出。此时，为了防止mo含有气体向喷嘴420内
侵入，打开阀524，向气体供给管520内流通ar气。ar气经由气体供给管320、喷嘴420被供给至处理室201内，从排气管231排出。此外，mo含有气体例如为包括mo和氧(o)的气体。作为mo含有气体，具体来说，有moo2cl2或moocl4等。
[0077]
此时，调整apc阀243，将处理室201内的压力例如设为1～3990pa的范围内的压力，例如设为1000pa。由mfc312控制的mo含有气体的供给流量例如为0.1～1.0slm、优选为0.1～0.3slm的范围内的流量。由mfc512、522控制的ar气的供给流量例如分别为0.1～20slm的范围内的流量。此外，本公开中的“1～3990pa”的这种数值范围的表述是指下限值以及上限值包含在该范围内。因此，例如，“1～3990pa”是指“1pa以上3990pa以下”。针对其他数值范围也同样。
[0078]
此时，向处理室201内流通的气体仅为mo含有气体和ar气。通过mo含有气体的供给，在晶片200(表面的基底膜)上形成有mo含有层。此外，在作为mo含有气体而使用了上述气体的情况下，mo含有层可以为包括cl或o的mo层，也可以为moo2cl2(或者moocl4)的吸附层，可以包括这两方。
[0079]
(除去残留气体、步骤s12)
[0080]
在开始mo含有气体的供给起经过了规定时间之后，例如在36秒后，关闭气体供给管310的阀314，停止mo含有气体的供给。也就是说，相对于晶片200供给mo含有气体的时间例如设为36秒。此时，在打开排气管231的apc阀243的状态下通过真空泵246将处理室201内真空排气，从处理室201内排出残留在处理室201内的未反应或者用于mo含有层形成之后的mo含有气体。即，对处理室201内进行吹扫。此时，在打开阀514、524的状态下，维持向处理室201内供给ar气。ar气被用作吹扫气体，能够提高从处理室201内排出残留在处理室201内的未反应或者在用于mo含有层形成之后的mo含有气体的效果。
[0081]
(供给还原气体、步骤s13)
[0082]
在除去处理室201内的残留气体之后，打开阀324，向气体供给管320内流通还原气体。还原气体由mfc322进行流量调整，从喷嘴420的气体供给孔420a向处理室201内供给，从排气管231排出。此时，相对于晶片200供给还原气体。此时，同时打开阀524，向气体供给管520内流通ar气。在气体供给管520内流通的ar气由mfc522流量调整。ar气与还原气体一并被供给至处理室201内，从排气管231排出。此时，为了防止还原气体向喷嘴410内侵入，打开阀514，向气体供给管510内流通ar气。ar气经由气体供给管310、喷嘴410被向处理室201内供给，从排气管231排出。
[0083]
此时，对apc阀243进行调整，将处理室201内的压力例如设为1～3990pa的范围内的压力，例如设为2000pa。由mfc322控制的还原气体的供给流量例如为1～50slm，优选为15～30slm的范围内的流量。由mfc512、522控制的ar气的供给流量例如分别为0.1～30slm的范围内的流量。此时，相对于晶片200供给还原气体的时间为10分以上30分以下的范围内的时间，例如为20分。通过将相对于晶片200供给还原气体的时间设为10分以上，能够还原吸附于晶片200的mo含有气体，通过设为30分以下来提高生产量，能够确保生产性。
[0084]
此时，向处理室201内流通的气体仅为还原气体和ar气。还原气体与在步骤s11中形成在晶片200上的mo含有层的至少一部分发生取代反应。即，mo含有层中的o或氯(cl)与还原气体反应，从mo层脱离，作为水蒸气(h2o)、氯化氢(hcl)、氯(cl2)等的反应副产物而从处理室201内排出。然后，在晶片200上形成有包括mo而实质上不包括cl和o的mo含有层。在
此，作为还原气体，能够使用氢(h2)气体，磷化氢(ph3)气体、甲硅烷(sih4)气体、硼烷(bh3)气体、乙硼烷(b2h6)气体等。
[0085]
(除去残留气体、步骤s14)
[0086]
在形成了mo含有层之后，关闭阀324，停止还原气体的供给。然后，利用与上述步骤s12同样的处理过程，从处理室201内排出残留至处理室201内的未反应或者用于mo含有层的形成之后的还原气体或反应副产物。即，吹扫处理室201内。
[0087]
(实施规定次数)
[0088]
通过进行至少一次以上(规定次数(n次))按顺序进行上述步骤s11～步骤s14的周期，在晶片200上形成规定的厚度的mo含有膜。优选反复多次上述周期。
[0089]
(在后吹扫以及恢复为大气压)
[0090]
从气体供给管510、520分别将ar气向处理室201内供给，从排气管231排出。ar气被用作吹扫气体，由此，用非活性气体对处理室201内进行吹扫，从处理室201内除去残留至处理室201内的气体或反应副产物(在后吹扫)。此后，处理室201内的环境气体替换至非活性气体(非活性气体替换)，处理室201内的压力被恢复至常压(恢复为大气压)。
[0091]
(晶片搬出)
[0092]
此后，通过舟皿升降机115降低加封盖219，将外管203的下端开口。然后，在处理结束晶片200支承于舟皿217的状态下从外管203的下端向外管203的外部搬出(卸载舟皿)。此后，处理结束的晶片200通过舟皿217取出(卸下晶片)。
[0093]
(3)气体供给系统
[0094]
接着，使用图6说明将mo含有气体向处理室201内的喷嘴(气体供给部)410供给的气体供给系统的构成例。图6是示出在本公开的一实施方式中优选使用的气体供给系统的构成例的图。气体供给系统gss如图6所示由原料供给单元130以及流量控制单元140构成。原料供给单元130为生成mo含有气体的生成部，流量控制单元140对从原料供给单元130供给的mo含有气体的流量进行控制，向处理室201内的喷嘴(气体供给部)410供给。
[0095]
原料供给单元130包括填充有固体原料132的原料容器131、对原料容器131进行加热的加热器133、多个阀av05、av06、av08、av09、av10、多个气体供给管310d、310c、310b、310e、310f、作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器p2、用虚线表示的加热部htp。
[0096]
阀av10设在气体供给管310d与气体供给管310e之间。阀av09设在气体供给管310d与气体供给管310c之间。阀av08设在气体供给管310f与气体供给管310c之间。阀av05设在气体供给管310c与气体供给管310b之间。阀av06设在气体供给管310c，阀av06与能够进行气体供给管310c的排气的排气部(exhaust1)连接。压力传感器p2设在气体供给管310c，能够测定气体供给管310c的压力。
[0097]
加热部htp如用虚线所示，能够对多个阀av05、av06、av08、av09、以及多个气体供给管310c、310b、310f进行加热。多个阀av05、av06、av08、av09、av10的开闭状态构成为由控制器121控制。另外，压力传感器p2的压力计测值构成为向控制器121供给。加热部htp的加热状态构成为通过控制器121来控制。在此，加热部htp的加热温度的下限以原料的气化温度等为基础来设定，加热温度的上限可以以固体原料的特性不变化的温度或各部分的耐热温度为基础来设定。在作为固体原料而使用moo2cl2的情况下，例如被设定为50℃～250℃的温度范围的温度。优选为被设定为100℃～200℃的温度范围。在此，固体原料的特性不变化
的温度例如为固体原料不分解的温度。另外，各部分是指阀av05、av06、av08、av09以及多个气体供给管310c、310b、310f等。
[0098]
固体原料132为金属含有原料或者过渡金属含有原料，在该例子中，能够使用mo含有原料。用加热器133对原料容器131进行加热，将氮(n2)气、氩(ar)气、氦(he)气等非活性气体向气体供给管310f供给，经由开状态的阀av08以及气体供给管310e向原料容器131供给，用非活性气体搅拌原料容器131，由此，能够产生mo含有气体。产生的mo含有气体能够经由气体供给管310f、开状态的阀av08向气体供给管310c供给。向气体供给管310c供给的mo含有气体经由开状态的阀av05向气体供给管310b供给。
[0099]
流量控制单元140包括多个阀av04、av03、314、av01、av11、mfc312、多个气体供给管310b、310a、310、310i、310j、310k、多个压力传感器p5、p4、p3、以及加热部htp。
[0100]
阀av04设在气体供给管310b与气体供给管310a之间，在气体供给管310b设有压力传感器p5，在气体管310a设有压力传感器p4。阀av03设在气体供给管310a与气体供给管310之间，mfc312设在气体供给管310与气体供给管310i之间。阀314设在气体供给管310i与气体供给管310j之间，在气体供给管310j设有压力传感器p3。阀av01设在气体供给管310j与气体供给管310k之间，阀av11设在气体供给管310j，阀av11与能够进行气体供给管310j的排气的排气部(exhaust2)连接。压力传感器p5、p4、p3分别能够测定气体供给管310b、310a、310j的压力。
[0101]
加热部htp如用虚线示出的那样，能够对多个阀av04、av03、314、av01、av11、mfc312、以及多个气体供给管310b、310a、310、310i、310j、310k进行加热。
[0102]
多个阀av04、av03、314、av01、av11的开闭状态构成为由控制器121控制。另外，构成为向控制器121供给压力传感器p5、p4、p3的压力计测值。加热部htp的加热状态构成为由控制器121控制。
[0103]
例如，研究在气体供给管310b的中途的部位a钼(mo)固体化并附着，在气体供给管310b产生堵塞的情况。通过压力传感器p5、p4、p3，能够利用控制器121确认各气体供给管310b、310a、310j的压力值的变化。因此，在堵塞部位a堵塞的状况能够利用压力传感器p5测定出的气体供给管301b的压力值的变化确认。因此，包括堵塞的部位a的阀av04与阀av05之间的气体供给管301b为更换对象，能够设为很少的更换气体供给管范围。
[0104]
图7是示出比较例的气体供给系统的构成例的图。图7与图6不同点在于，在图7的气体供给系统gssr中，删除了压力传感器p5、p4、p3、阀av11。图7的其他构成与图6相同，因此省略重复的说明。
[0105]
研究在气体供给管310b的中途的部位a钼(mo)固体化并附着，在气体供给管310b产生了堵塞的情况。若在气体供给管310b的部位a发生堵塞，则将阀av01、314、av03、av04、av05、av08设为开状态，通过mfc312进行流量控制，mo含有气体也不从堵塞部位a向处理室201流通，会成为无法实施基板处理的状态。
[0106]
在该情况下，根据基板处理的不成立或mfc312的流量异常检测功能，考虑在气体供给管内发生堵塞并确定堵塞部位。堵塞部位a根据阀av01、314、av03、av04、av05、av08的开闭信息以及压力传感器p1、p2的数值变化来特定，但在气体供给管310b、310a、310j没有设置压力传感器，因此，无法确认气体供给管310b、310a、310j的压力值的变化。无法确认压力值的变化的气体供给管无法确认在气体供给管的哪处堵塞。因此，需要更换位于从阀
av05到喷嘴201之前为止的范围内的气体供给管(301b、310a、310、310i、310j、310k)。
[0107]
若无法确定堵塞部位，则需全部更换认为会堵塞的气体供给管的路径，需要大量的费用和劳力。因此，堵塞部位的确定或更换作业的时间变长，用于消除气体供给管的堵塞的消除时间变长。因此，基板处理装置的停止时间(停机时间)变长，结果为基板处理装置的制造生产量下降。
[0108]
另一方面，在图6中，压力传感器245、p2、p3、p4、p5计测出的压力计测值能够由基板处理装置10的控制器121计测并确认其数值的变化，因此，提供缩短气体供给管的堵塞的消除时间而提高基板处理装置的制造生产量的技术。
[0109]
(4)气体供给管的堵塞等级的判断
[0110]
在图6中，说明了在气体供给管310b产生了堵塞的情况下，更换包括堵塞部位a在内的气体供给管310b，由此解决气体供给管的堵塞的方法，但并不限于此，判断气体供给管的堵塞等级，由此也能够选择并进行适当的堵塞消除的对策。即，由压力传感器245、p2、p3、p4、p5计测出的压力计测值能够用基板处理装置10的控制器121来计测、确认其数值的变化，因此，在控制器121的存储装置121c内保存判断堵塞等级的堵塞等级判断程序，作为控制部而使控制器121执行堵塞等级判断程序，并能够基于由传感器245、p2、p3、p4、p5计测出的压力计测值判断堵塞等级。利用基于堵塞等级判断程序的堵塞等级的判断，如图8所示，能够判断三个堵塞等级1、2、3。就堵塞等级的判断而言，具体来说，判断计测出的压力是否在规定范围外。在此，针对每个堵塞等级设定规定范围。在相对于规定范围测定出很高的压力的情况下，能够判断为与测定出该很高的压力的压力传感器相比在下游侧产生了堵塞。另外，在测定出比规定范围低的压力的情况下，能够判断为与测定出该很低的压力的压力传感器相比在上游侧产生了堵塞。
[0111]
图8是保存于存储装置的表，示出堵塞等级与应对程序的表的图。在控制器121的存储装置121c内，以控制器121能够读取以及能够执行的方式保存有针对每个堵塞等级的应对程序。在图8示出的表的一例中，堵塞等级1的应对程序pa被设为指示警报的报知的程序，堵塞等级2的应对程序pb被设为指示气体供给管的加热的程序，堵塞等级3的应对程序pc被设为指示更换气体供给管准备的程序。在基于堵塞等级判断程序的堵塞等级的判断结果为堵塞等级1时，选择并执行应对程序pa。在基于堵塞等级判断程序的堵塞等级的判断结果为堵塞等级2时，选择并执行应对程序pb。在基于堵塞等级判断程序的堵塞等级的判断结果为堵塞等级3时，选择并执行应对程序pc。
[0112]
堵塞等级、以及程序概要例如构成为能够具有以下的意味。
[0113]
1)堵塞等级1：轻度的堵塞。
[0114]
程序pa的程序概要：将“有马上堵塞的可能性”的意思的警报消息报知给控制器121的输入输出装置(显示部)122和上位装置(host装置)的至少一方或者双方。
[0115]
2)堵塞等级2：中度的堵塞。
[0116]
气体供给管没有完全堵塞是指：若进行适当应对处理，则能够不更换气体供给管地使气体供给管的压力恢复。
[0117]
程序pb的程序概要：使被判断了堵塞等级的压力传感器之后(下游侧)的气体供给管的加热部htp的温度上升。
[0118]
3)堵塞等级3：重度的堵塞。
[0119]
是指气体供给管完全堵塞、且需要更换气体供给管的状态。
[0120]
程序pc的程序概要：由于需要更换气体供给管，所以构成为能够执行以下的副应对程序的至少一个以上。
[0121]
c1)供给管更换的准备程序c2)更换支持程序c3)更换后执行的恢复动作程序在后面说明程序c1、c2、c3。
[0122]
像这样，通过判断气体管道内的堵塞等级，能够选择并进行适当的堵塞消除对应处理，能够降低基板处理装置的停机时间。即，能够提高基于基板处理装置10的生产量。
[0123]
应对程序为进行报知、压力恢复处理等的程序。在此，压力恢复处理是指消除堵塞的处理。在应对程序(例如，堵塞等级3的程序pc)中，可以进行多个处理(三个副应对程序c1、c2、c3)。气体供给管内的压力可以为规定值、精确的压力，可以为规定的压力范围内的压力。另外，通过根据堵塞等级1、2、3执行对应的应对程序pa、pb、pc，能够降低基板处理装置10的停机时间。
[0124]
另外，事先准备多个应对程序，事先设定与堵塞等级对应的应对程序，由此，能够降低从堵塞等级判断到应对程序设定为止的作业人员的研究负担、或基于作业人员的等级的应对程序的选择失误。据此能够降低基板处理装置10的停机时间。
[0125]
图9是说明控制器的输入输出装置(显示部)的显示状态的图。若控制器121执行堵塞等级判断程序并进行堵塞等级的判断，则如图9所示，例如，能够在控制器121的输入输出装置(显示部)122显示判断出的堵塞等级、根据判断出的堵塞等级选择出的应对程序。在图9中，作为一例而描绘出了作为判断出的堵塞等级，而在输入输出装置(显示部)122显示堵塞等级1、以及应对程序pa(警报报知)的状态。
[0126]
像这样，通过使应对程序显示于输入输出装置(显示部)122，能够作业人员掌握在执行前以及执行中的应对程序。
[0127]
(加热部htp的构成例)
[0128]
图10是说明图6的加热部htp的构成例的图。图11是说明图10的一个副加热部的构成的图。加热部htp构成为包括以与气体供给管310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k分别对应的方式设置的多个副加热部htp1～htp8。在图10中，为了简化附图，省略了能够由加热部htp加热的阀av05、av06、av08、av09、av04、av03、314、av01、av11、以及mfc312。副加热部htp1～htp8分别如图11所示构成为包括多个发热元件ht1～htn，发热元件ht1～htn分别构成为能够由控制器121控制其温度。控制器121对向发热元件ht1～htn分别供给的电流量进行控制，控制发热元件ht1～htn的发热量。在图11中，能够如下述那样对各发热元件ht1～htn进行温度控制。
[0129]
温度控制1：将各发热元件ht1～htn的电流量设为一定。由此，能够将对应的副加热部的温度在副加热部的整个区域中设为一定的期望的温度。
[0130]
温度控制2：以从发热元件ht1朝向发热元件htn逐渐增大各发热元件ht1～htn各自的电流量的方式个别地进行控制。由此，针对对应的副加热部的温度，能够以从期望的第1温度逐渐成为与第1温度不同的期望的第2温度的方式进行控制。
[0131]
温度控制3：以使各发热元件ht1～htn的电流量中、期望的1个或者多个发热元件的电流量与其他剩余的发热元件的电流量相比变少的方式个别进行控制。由此，例如，在对应的副加热部中，能够以将一部分的区域设为低温、且使剩余的部分的区域成为高温的方
式进行控制。
[0132]
在图10中，例如，设想堵塞部位a在气体供给管310c产生的情况。在该情况下，在该说明书中，将从堵塞部位a观察喷嘴410一侧定义为“下游侧”，将从堵塞部位a观察原料容器131一侧定义为“上游侧”。
[0133]
(气体管加热部的温度控制)
[0134]
以下，说明作为应对程序而选择了程序pb的情况下的气体管加热部htp的温度控制。
[0135]
在堵塞部位a产生于气体供给管310c的情况下，控制器121构成为能够根据堵塞等级，控制气体管加热部htp的副加热部htp1～htp8的温度。更具体来说，控制器121构成为能够以使包括多个压力传感器p2、p5、p4、p3中的判断出堵塞的压力传感器(p5)在内的气体供给管(310b)的气体管加热部htp3以及位于气体供给管(310b)的下游侧的全部气体管加热部(htp4-htp8)的温度上升的方式控制气体管加热部htp的温度。
[0136]
根据这种温度控制，使处于堵塞的区域的气体供给管(310b)、在其下游侧的区域的气体供给管(310a、310、310i、310j、310k)的温度上升，由此，能够抑制产生新的固化。
[0137]
图12是说明气体管加热部的温度控制的例子的图。图12示出气体供给管的温度与堵塞判断位置的关系，示出纵轴为气体供给管的温度，横轴为原料容器131与喷嘴410之间的气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)。堵塞判断位置在该例子中为堵塞部位a，为气体供给管(310b)的区间(区域)。
[0138]
在图12的例子中，在堵塞部位a之后的全部区间内，以从堵塞部位a朝向喷嘴410一侧使气体供给管(310b、310a、310、310i、310j、310k)上升至大致一定的温度t1的方式，由控制器121控制气体管加热部htp的温度。一定的温度t1例如上升至设有喷嘴410的处理室201的最大温度。
[0139]
在图12中，因如下示出的理由来进行用虚线表示的温度控制(随着取向设有喷嘴410的处理室201侧而上升)。有时在气体管加热部htp的温度控制上，温度会波动。需要抑制因产生温度下降的过冲而变为固体化而附着的钼(mo)的气化温度以下。例如在基板200的处理中，mo含有气体等原料气体大量流动，因此，气体供给管的温度下降。此时，有时来不及进行气体管加热部htp的温度控制，气体供给管的温度临时下降并接近气化温度，然后，进一步成为比气化温度低的温度。因此，优选以成为比气化温度高的温度的方式设定为相对较高的温度。另外，在为固体原料132的情况下，有在气化后一次的气体(例如，mo含有气体)变得比该加热后的温度低时而变回固体的性质。在各阀或流量控制部(质量流量控制器312、节流孔等)之前(上游侧)，成为气体供给管内的压力很高的状态。特别是，流量控制部(质量流量控制器312)的上游侧成为气体供给管内的压力很高的状态。像这样，在压力上升的情况下，因原料的蒸汽压力的关系而成为易于产生固化的环境，因此，优选与气体供给管内的压力上升对应地，用虚线表示那样，以阶段性(逐渐)提高的方式对温度进行温度控制。此外，用图12～图14的虚线表示的温度带例如在作为固体原料而使用了mo含有原料的情况下为120℃～170℃的温度带。原料容器131附近被设定为120℃，mfc312附近被设定为150℃。气体供给管310k附近被设定为170℃。通过进行这种温度设定，能够抑制产生原料的固化。
[0140]
如图12所示，对气体管加热部htp的温度进行控制，使正处于堵塞的区域(在此为
气体供给管310b的区域)、在其下游侧的区域(在此为气体供给管310a、310、310i、310j、310k的各区域)的气体供给管的温度上升至大致一定的温度t1，由此，能够抑制产生新的固化。在升温时，通过升温至一定的温度t1(例如最靠近处理室201一侧的温度)，能够抑制气体供给管的温度历史记录的变化。例如最靠近处理室201一侧的温度变化很少，能够抑制最靠近处理室201一侧的温度历史记录的变化。由此，能够抑制最靠近处理室201一侧的气体供给管(310k)内的环境气体的变化。向基板200供给的处理气体(mo含有原料)的状态变化，因此，在应对程序pb的执行前和执行后，形成于基板200的mo膜的特性不变化。
[0141]
另一方面，通过使最靠近处理室201一侧的气体供给管内的环境气体变化，在执行应对程序pb之前和之后，向基板200供给的处理气体(mo含有气体)的状态会变化，在应对程序pb的执行前和执行后，形成于基板200的mo膜的特性有可能变化。在此，膜特性是指，膜厚、电阻率、成分比、结晶性、粗糙度等。
[0142]
图13是说明气体管加热部的温度控制的另一例的图。与图12同样地，图13示出气体供给管的温度与堵塞判断位置的关系，示出纵轴为气体供给管的温度，横轴为原料容器131与喷嘴410之间的气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)。堵塞判断位置在该例子中为堵塞部位a，被作为气体供给管(310b)的区间(区域)。
[0143]
在图13中示出以从堵塞部位a朝向喷嘴410一侧使气体供给管(310b、310a、310、310i、310j、310k)的温度逐渐上升的方式，由控制器121控制气体管加热部htp的温度的温度控制的例子。
[0144]
通过构成为朝向气体供给管(310b)的下游侧使气体供给管的加热温度上升，能够抑制气体供给管(310b、310a、310、310i、310j、310k)内的、例如钼(mo)原料的再固化的产生。通过该温度控制，即使气体供给管的温度临时下降，也能够抑制例如降至钼(mo)原料再固化的温度。
[0145]
图14是说明气体管加热部的温度控制的又一例的图。与图12同样地，图14示出气体供给管的温度与堵塞判断位置的关系，示出纵轴为气体供给管的温度，横轴为原料容器131与喷嘴410之间的气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)。堵塞判断位置在该例子中为堵塞部位a，被设为气体供给管(310b)的区间(区域)。
[0146]
在图14中示出了以从堵塞部位a朝向喷嘴410侧使气体供给管(310b、310a、310、310i、310j、310k)的温度阶段性上升的方式，使气体管加热部htp的温度由控制器121控制的温度控制的例子。由此，能够得到与图13示出的温度控制同样的效果。
[0147]
在选择了程序pb的情况下，优选在使气体管加热部htp的温度上升时，以将与判断堵塞的压力测定部(压力传感器p5)相比位于下游侧的多个阀(av04、av03，314、av01)设为全开(全开状态)的方式利用控制器121进行多个阀的开闭控制。由此，能够抑制位于堵塞判断位置a的区域部分的、固化的原料在各阀(av04、av03，314、av01)的内部部分再固化。在各阀(av04、av03，314、av01)并非全开的情况下，各阀(av04、av03，314、av01)之前的气体供给管内的压力有上升的可能性。在压力上升的情况下，根据蒸汽压力的关系，气化的原料可能会再固化。将多个阀(av04、av03，314、av01)设为全开，设为气体供给管内的压力不上升的环境，由此，能够抑制气化的原料再固化。
[0148]
如图6所示，气体供给系统gss具有经由阀av11将气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内排出的排气部(exhaust2)。控制器121如图12～图14说明的
那样，构成为能够控制在对气体供给管进行加热的期间内，将av11设为开状态，将气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内排出的排气部(exhaust2)。
[0149]
由此，通过将气体供给管内排气并降低气体供给管内的压力，能够设为使固化的原料易于气化的状态，能够缩短将因气体供给管内固化的原料引起的堵塞消除的时间。也就是说，根据蒸汽压力的关系，气体供给管内的压力越低，固化的原料越易于成为气化的状态。
[0150]
如图6所示，气体供给系统gss具有向气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内供给非活性气体的非活性气体供给部(310d、av09)。非活性气体为氮(n2)气、氩(ar)气、氦(he)气等，非活性气体供给部(310d、av09)由气体供给管310d和va阀av09构成。将va阀av09设为开状态，从气体供给管310d将非活性气体向气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内供给。
[0151]
控制器121如用图12～图14说明的那样，在对气体供给管进行加热的期间内，构成为能够以反复对向气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内供给非活性气体和将气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内排气的方式控制非活性气体供给部(310d、av09)和排气部(exhaust1、exhaust2)。
[0152]
由此，在气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内，交替进行非活性气体的供给状态与真空排气的状态，由此，非活性气体向压力低的环境气体剧烈流动。由此，能够根据非活性气体的剧烈程度使固化的原料飞溅至排气部(exhaust1、exhaust2)侧。
[0153]
(供给管更换的准备程序c1)
[0154]
接着，说明在作为应对程序而选择了更换气体供给管的情况下的供给管更换的准备程序c1。
[0155]
图15是说明控制器的输入输出装置(显示部)的显示状态的图。若控制器121执行堵塞等级判断程序而进行堵塞等级3的判断，则控制器121能够在输入输出装置(显示部)122显示判断出的堵塞等级3、利用判断出的堵塞等级而选择出的应对程序pc、判断出气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内的堵塞的压力传感器p5、将判断出堵塞的压力传感器p5的气体供给管310b作为更换对象气体供给管。控制器121能够将更换气体供给管的意思的信息向输入输出装置(显示部)122和上位装置(host装置)的至少一方或者双方报知。另外，可以使图6示出的气体供给系统gss这种管道模式图显示于显示部，使更换对象的气体供给管310或阀、压力传感器等的颜色改变等来进行报知。
[0156]
如图6所示，气体供给系统gss具有将气体供给管内排气的排气部(exhaust1、exhaust2)。控制器121构成为能够以将在多个气体供给管((310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内、判断出上述堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a、310、310i、310j)排气的方式对排气部(exhaust1、exhaust2)进行控制。
[0157]
像这样，通过事先将在更换对象气体供给管的上游侧的气体供给管内和下游侧的气体供给管内存在的处理气体(mo含有气体)排气，能够抑制气体供给管更换时的处理气体泄漏。
[0158]
另外，如图6所示，气体供给系统gss具有向气体供给管(310f、310c、310b、310a、
310、310i、310j、310k)内供给非活性气体的非活性气体供给部(310d、av09)。控制器121构成为能够以向判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a、310、310i、310j)供给非活性气体的方式对非活性气体供给部(310d、av09)进行控制。像这样，通过向上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a、310、310i、310j)供给非活性气体，能够挤压气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内的残留气体以及进行气体替换。
[0159]
另外，控制器121构成为能够以交替向判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a、310、310i、310j)的排气进行非活性气体供给(310d、av09)的方式，控制排气部(exhaust1、exhaust2)和非活性气体供给部。像这样，通过与非活性气体供给交替执行排气，能够降低气体供给管(310f、310c、310b、310a、310、310i、310j、310k)内的残留气体。
[0160]
另外，控制器121构成为以维持设于判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的上游侧和下游侧的副气体管加热部(htp2、htp4-htp7)的温度，使设于判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的副气体管加热部htp3的温度下降的方式控制多个副气体管加热部(htp1-htp8)。像这样，通过维持并非更换对象的上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a、310、310i、310j)的温度并使作为更换对象的气体供给管310b的温度下降，能够提高更换时的作业容易性。
[0161]
另外，控制器121构成为能够以在设于判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的副气体管加热部htp3的温度在将气体供给管内的排气和向气体供给管内供给非活性气体的处理结束之后下降的方式控制多个副气体管加热部(htp1-htp8)。像这样，在对更换对象的气体供给管310b进行加热的状态下，进行气体供给管的排气以及非活性气体供给，由此，能够除去残留在气体供给管内的原料(固体)。另外，在将气体供给管内设为非活性气体环境气体的状态下，使更换对象的气体供给管310b的温度下降，由此，能够降低气体供给管310b的温度的自然冷却时间。
[0162]
另外，控制器121构成为能够以使设于判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b的上游侧的气体供给管310c和下游侧的气体供给管(310a)的气体管加热部(htp2、htp4)中的、靠近判断出堵塞的压力传感器p5所属的气体供给管310b一侧的部分的温度变得比气体管加热部(htp2、htp4)的其他部分的温度低的方式，对多个副气体管加热部(htp1-htp8)进行控制。
[0163]
图16是说明气体管加热部(htp2、htp4)的低温部分的图。在图16中，气体供给管310c能够由气体管加热部htp2进行加热，气体供给管310a能够通过气体管加热部htp4进行加热。在此，以使气体管加热部htp2的气体供给管310b一侧的部分ltp2的温度变得比气体管加热部htp2的其他部分的温度低的方式进行控制。同样地，以使气体管加热部htp4的气体供给管310b一侧的部分ltp1的温度变得比气体管加热部htp4的其他部分的温度低的方式进行控制。
[0164]
通过降低在气体管加热部(htp2、htp4)中靠近更换对象范围的气体供给管310b的部分(ltp2、ltp1)一侧的温度，能够提高气体供给管310b的更换作业的容易性。也就是说，在靠近更换对象范围的气体供给管310b的部分(ltp2、ltp1)的温度很热的状态下，更换作业自身很难进行。另外，在靠近更换对象范围的气体供给管310b的部分(ltp2、ltp1)残留了
原料(固体)的情况下，能够降低原料(固体)与大气的反应性。
[0165]
(更换支持程序c2)
[0166]
接着，说明作为应对程序而选择了更换管道的情况下的、实际的更换作业的更换支持程序c2。
[0167]
控制器121能够在输入输出装置(显示部)122报知(显示)要更换的部分的气体供给管310b的位置。由此，能够降低气体供给管310b的更换作业时的作业失误。另外，能够向操作人员以外的其他人员明确进行更换作业。这是因为，通常，基板处理装置10的气体供给管的管道场所大多配置于基板处理装置10的背面侧，从基板处理装置10的前面侧不容易了解到正处于作业过程中的状态。
[0168]
气体供给系统gss具有至少一个以上检测氯含有气体的气体检测器m，控制器121可以构成为在更换气体供给管310b时，以根据气体检测器测定出的值报知警报的方式控制输入输出装置(显示部)122。在图6中示出了像气体检测器m2、m2、m3、m4、m5这样设置四个的例子。优选地，设于管道的连接部位、或阀连接部位附近。
[0169]
由此，在管道内残留了上述mo含有气体的情况下，mo含有气体与空气中的h2o(水)发生反应，作为氯含有气体而有可能产生氯化氢(hcl)。在由气体检测器检测到hcl的情况下，向输入输出装置(显示部)122报知警报，由此，能够将hcl的发生状况告知作业人员。
[0170]
(更换后执行的恢复动作程序c3)
[0171]
接着，说明作为应对程序而选择管道更换且在管道更换作业后执行的恢复动作程序c3。
[0172]
控制器121构成为在检测到将更换对象的气体供给管310b更换之后，能够以执行气体供给系统gss的状态恢复处理的方式控制气体供给系统gss。通过进行气体供给系统gss的状态恢复处理，能够降低在更换气体供给管前与更换气体供给管后的气体的流动特性的差异。
[0173]
气体供给系统gss的状态恢复处理通过按顺序实施以下s1～s5来进行。此外，该状态恢复处理可以包括以下的s6。
[0174]
s1：确认更换后的气体供给管整体的泄漏
[0175]
s2：气体供给管整体的气体替换
[0176]
s3：气体供给管整体的温度恢复动作
[0177]
s4：mo含有气体的供给
[0178]
s5：确认流量(确认堵塞前的流量与更换前的流量的差异)
[0179]
·
确认mfc312的流量
[0180]
·
确认压力传感器p2-p5、245的压力测定值
[0181]
·
比较堵塞前后的压力与堵塞前后的流量的关系
[0182]
s6：将上述s1～s5的结果作为气体供给管的更换历史记录而记录于存储部121c。
[0183]
以下，附录本公开的其他形态。
[0184]
(附录1)
[0185]
一种基板处理装置，其具备：
[0186]
收容基板的反应容器；
[0187]
将所述反应容器内的环境气体排出的排气管；
[0188]
向所述基板供给处理气体的气体供给部；
[0189]
气体供给系统，其具有与所述气体供给部连通而供给所述处理气体的气体供给管、设于所述气体供给管的多个阀、以及设于所述多个阀之间的多个压力测定部；以及
[0190]
控制部，其构成为能够根据所述压力测定部的测定结果中的、至少一个以上的压力，判断所述气体供给管的堵塞等级。
[0191]
(附录2)
[0192]
根据附录1所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够以根据所述堵塞等级执行应对程序的方式控制所述气体供给系统。
[0193]
(附录3)
[0194]
根据附录1所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够以使位于包括所述多个压力测定部中的、判断出正处于堵塞的压力测定部在内的所述气体供给管的下游侧的气体管加热部的温度上升的方式，控制所述气体管加热部。
[0195]
(附录4)
[0196]
根据附录3所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够在使所述气体管加热部的温度上升时，以将与判断出堵塞的压力测定部相比位于下游侧的阀全开的方式控制所述多个阀。
[0197]
(附录5)
[0198]
根据附录2所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够将更换所述气体供给管中、设有判断出堵塞的压力测定部的部分的管道的意思的信息报知至所述显示部和上位装置的至少一个。
[0199]
(附录6)
[0200]
根据附录4所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够以使设于所述上游侧和所述下游侧的气体管加热部中的、判断出堵塞的压力测定部所属的气体管侧的温度变得比其他部分的温度低的方式控制所述多个气体管加热部。
[0201]
(附录7)
[0202]
根据附录1所述的基板处理装置，所述气体供给系统具有至少一个以上检测氯含有气体的气体检测器，
[0203]
所述控制部构成为能够在更换所述管道时，以根据所述检测器测定到的值报知警报的方式控制所述显示部。
[0204]
(附录8)
[0205]
根据附录4所述的基板处理装置，所述控制部构成为能够在检测到更换了所述更换对象的管道之后，以执行所述气体供给系统的状态恢复处理的方式控制所述气体供给系统。
[0206]
以上，基于实施例具体说明了由本发明人提出的发明，但本公开不限于上述实施方式以及实施例，当然能够进行各种变更。
[0207]
例如，在本公开中，作为基板处理装置，以能够处理多张基板的纵型装置为例进行了说明，但本公开的技术也能够应用于一张一张处理基板的单叶型的装置。在单叶型装置的情况下，气体供给部只要由喷洒头构成即可。
[0208]
另外，在本公开中，作为固体原料而以包括mo的原料为例进行了说明，但不限于
mo，能够使用铝(al)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钌(ru)等的至少一种、以及包括卤元素的固体原料等。