微电子组件中的直接接合界面处的电容器和电阻器的制作方法

微电子组件中的直接接合界面处的电容器和电阻器


背景技术：

1.集成电路(ic)封装通常包括引线接合或焊接到封装衬底的管芯。在使用中，通过引线接合或焊料在封装衬底与管芯之间传递电信号和功率。
附图说明
2.通过以下具体实施方式并结合附图，将容易地理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了实施例。
3.图1是根据各种实施例的包括直接接合的示例性微电子组件的侧视截面图。
4.图2是根据各种实施例的图1的微电子组件的一部分的侧视截面分解图。
5.图3和图4是根据各种实施例的微电子部件的示例性直接接合界面的侧视截面图。
6.图5-8是根据各种实施例的微电子部件的示例性直接接合界面的顶视图。
7.图9-12是根据各种实施例的微电子部件的示例性直接接合界面的侧视截面图。
8.图13是根据各种实施例的包括直接接合的示例性微电子组件的侧视截面图。
9.图14-17是根据各种实施例的图1和图2的微电子组件的一部分的制造中的示例性阶段的侧视截面图。
10.图18a-18b和图19-20是根据各种实施例的包括直接接合的示例性微电子组件的侧视截面图。
11.图21是根据各种实施例的包括在直接接合区中的电路元件的示例性微电子组件的一部分的侧视截面图。
12.图22-35是根据各种实施例的直接接合区中的示例性电路元件的顶视图。
13.图36-37是根据各种实施例的微电子部件中的电路元件的示例性布置的顶视图。
14.图38是根据各种实施例的利用直接接合区中的电路元件的对准监测系统的框图。
15.图39是根据本文公开的实施例中的任一个的可以包括在微电子部件中的晶片和管芯的顶视图。
16.图40是根据本文公开的实施例中的任一个的可以包括在微电子部件中的集成电路(ic)装置的侧视截面图。
17.图41是根据本文公开的实施例中的任一个的可以包括微电子组件的ic装置组件的侧视截面图。
18.图42是根据本文公开的实施例中的任一个的可以包括微电子组件的示例性电气装置的框图。
具体实施方式
19.本文公开了微电子组件中的直接接合界面处的电容器和电阻器，以及相关结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和第二微电子部件，其中第二微电子部件的直接接合界面直接接合到第一微电子部件的直接接合界面，微电子组件包括传感器，传感器包括第一传感器板和第二传感器板，第一传感器板在第一微电子部
1b包括一组db接触部110和围绕db界面180-1b的db接触部110的db电介质108。内插器150的db界面180-1a的db接触部110可以与微电子部件102-1的db界面180-1b的db接触部110对准，从而在微电子组件100中，微电子部件102-1的db接触部110与内插器150的db接触部110接触。在图1的微电子组件100中，内插器150的db界面180-1a可以与微电子部件102-1的db界面180-1b(例如，电和机械地)接合以形成将内插器150和微电子部件102-1耦合的db区130-1，如下文进一步讨论的。更一般地，本文公开的db区130可以包括接合在一起的两个互补db界面180；为了便于说明，很多后续附图可以省略db界面180的标识以提高附图的清晰度。
26.如本文所用，术语“直接接合”用于包括金属到金属接合技术(例如，铜到铜接合，或其中首先使相对的db界面180的db接触部110接触、然后受到加热和压缩的其他技术)和混合接合技术(例如，其中首先使相对的db界面180的db电介质108接触、然后受到加热并且有时受到压缩的技术，或者基本上同时使相对的db界面180的db接触部110和db电介质108接触、然后受到加热和压缩的技术)。在这样的技术中，使一个db界面180处的db接触部110和db电介质108分别与另一db界面180处的db接触部110和db电介质108接触，并且可以施加升高的压力和/或温度以使接触的db接触部110和/或接触的db电介质108接合。在一些实施例中，可以在不使用居间焊料或各向异性导电材料的情况下实现这种接合，而在一些其他实施例中，可以在db互连中使用薄焊料帽以适应平面性，并且这种焊料可以在处理期间在db区130中变成金属间化合物(imc)。db互连可能能够可靠地传导比其他类型互连更高的电流；例如，当电流流动时，一些常规焊料互连可能形成大量易碎的imc，并且通过这种互连提供的最大电流可能受到约束以减轻机械故障。
27.db电介质108可以包括一种或多种电介质材料，例如一种或多种无机电介质材料。例如，db电介质108可以包括：硅和氮(例如，以氮化硅的形式)；硅和氧(例如，以氧化硅的形式)；硅、碳和氮(例如，以碳氮化硅的形式)；碳和氧(例如，以碳掺杂氧化物的形式)；硅、氧和氮(例如，以氮氧化硅的形式)；铝和氧(例如，以氧化铝的形式)；钛和氧(例如，以氧化钛的形式)；铪和氧(例如，以氧化铪的形式)；硅、氧、碳和氢(例如，以原硅酸四乙酯(teos)的形式)；锆和氧(例如，以氧化锆的形式)；铌和氧(例如，以氧化铌的形式)；钽和氧(例如，以氧化钽的形式)；以及其组合。在下面参考图4来讨论包括多种电介质材料的db电介质108的布置的一些特定实施例。
28.db接触部110可以包括柱、焊盘或其他结构。db接触部110虽然在附图中以相同的方式描绘在db区130的两个db界面180处，但是其在两个db界面180处可以具有相同的结构，或者在不同db界面180处的db接触部110可以具有不同的结构。结构。例如，在一些实施例中，一个db界面180中的db接触部110可以包括金属柱(例如，铜柱)，并且互补的db界面180中的互补的db接触部110可以包括凹陷在电介质中的金属焊盘(例如，铜焊盘)。db接触部110可以包括任何一种或多种导电材料，例如铜、锰、钛、金、银、钯、镍、铜和铝(例如，以铜铝合金的形式)、钽(例如，钽金属，或氮化钽形式的钽和氮)、钴、钴和铁(例如，以钴铁合金的形式)，或前述中的任何材料的任何合金(例如，锰镍铜合金形式的铜、锰和镍)。在下面参考图3来讨论db接触部110中的多种材料的一些特定布置。在一些实施例中，db界面180的db电介质108和db接触部110可以使用低温沉积技术(例如，在低于250摄氏度或低于200摄氏度的温度下发生沉积的技术)制造，所述低温沉积技术例如低温等离子体增强化学气相沉积
(pecvd)。
29.图1和2还示出了通过db区130-2(经由db界面180-2a和180-2b，如图2所示)耦合到内插器150的微电子部件102-2。虽然图1描绘了通过db区130耦合到内插器150的特定数量的微电子部件102，该数量和布置只是说明性的，并且微电子组件100可以包括通过db区130耦合到内插器150的任何期望数量和布置的微电子部件102。虽然单个附图标记“108”用于指代多个不同db界面180(和不同db区130)的db电介质，但这只是为了便于说明，并且不同db界面180(甚至在单个db区130内)的db电介质108可以具有不同的材料和/或结构(例如，根据以下参考图3讨论的任何实施例)。类似地，虽然单个附图标记“110”用于指代多个不同db界面180(和不同db区130)的db接触部，但这只是为了便于说明，并且不同db界面180(甚至在单个db区130内)的db接触部110可以具有不同的材料和/或结构(例如，根据下面参考图4讨论的任何实施例)。
30.内插器150可以包括绝缘材料106(例如，形成在多层中的一种或多种电介质材料，如本领域已知的)和穿过绝缘材料106的一个或多个导电通路112(例如，包括导电线114和/或导电过孔116，如图所示)。在一些实施例中，内插器150的绝缘材料106可以是有机材料，例如聚酰亚胺或聚苯并恶唑，或者可以包括具有填料材料(其可以是无机的)的有机聚合物基质(例如，环氧化物)。在一些这样的实施例中，内插器150可以被称为“有机内插器”。在一些实施例中，内插器150的绝缘材料106可以设置在多层有机堆积膜中。制造有机内插器150可能没有制造基于半导体或玻璃的内插器那么昂贵，并且由于有机绝缘材料106的低介电常数和可以使用的更粗的线(允许改进的功率传输、信号发送和潜在的热效益)而可以具有电性能优点。有机内插器150还可以具有比基于半导体的内插器所能实现的更大的占用区域，其受到用于图案化的分划板的尺寸的限制。此外，有机内插器150受到的设计规则可以比约束基于半导体或玻璃的内插器的设计规则的限制更少，这允许使用诸如非曼哈顿布线的设计特征(例如，不限于使用用于水平互连的一层和用于垂直互连的另一层)并且避免了穿衬底过孔(tsv)，例如穿硅过孔或穿玻璃过孔(其可能在可实现的间距方面受到限制，并且可能导致不太期望的功率传输和信号发送性能)。包括有机内插器的常规集成电路封装被限制于基于焊料的附接技术，这可能对排除了使用常规的基于焊料的互连来实现下一代装置所需的精细间距的可实现间距有较低的限制。如本文所公开的，在具有直接接合的微电子组件100中使用有机内插器150，可以利用有机内插器的这些优点，结合通过直接接合可实现(先前仅在使用基于半导体的内插器时可实现)的超细间距(例如，下面讨论的间距128)，并且因此可以支持大型复杂管芯复合体的设计和制造，所述管芯复合体可以实现常规方法所无法实现的封装系统竞争性能和功能。
31.在其他实施例中，内插器150的绝缘材料106可以包括阻燃等级4材料(fr-4)、双马来酰亚胺三嗪(bt)树脂、或低k或超低k电介质(例如，碳掺杂电介质、氟掺杂电介质和多孔电介质)。当使用标准印刷电路板(pcb)工艺形成内插器150时，绝缘材料106可以包括fr-4，并且内插器150中的导电通路112可以由被fr-4的堆积层分开的图案化的铜片形成。在一些这样的实施例中，内插器150可以被称为“封装衬底”或“电路板”。
32.在一些实施例中，内插器150中的导电通路112中的一个或多个可以在内插器150的顶表面处的导电接触部(例如，db接触部110中的一个)和内插器150的底表面处的导电接触部118之间延伸。在一些实施例中，内插器150中的导电通路112中的一个或多个可以在内
插器150的顶表面处的不同导电接触部之间(例如，在可能在不同db区130中的不同db接触部110之间，如下文进一步讨论的)延伸。在一些实施例中，内插器150中的导电通路112中的一个或多个可以在内插器150的底表面处的不同导电接触部118之间延伸。
33.在一些实施例中，内插器150可以仅包括导电通路112，并且可以不包含有源或无源电路。在其他实施例中，内插器150可以包括有源或无源电路(例如，晶体管、二极管、电阻器、电感器和电容器、以及其他)。在一些实施例中，内插器150可以包括一个或多个包括晶体管的装置层。
34.虽然图1和图2(以及其他附图)示出了内插器150中的特定数量和布置的导电通路112，但是这些只是说明性的，并且可以使用任何合适的数量和布置。例如，本文公开的导电通路112(例如，包括线114和/或过孔116)可以由任何合适的导电材料形成，所述导电材料例如铜、银、镍、金、铝、其他金属或合金、或材料的组合。在下面参考图9-10来讨论可以是导电通路112的一部分的衬层材料132的一些特定布置的示例。
35.在一些实施例中，微电子部件102可以包括集成电路(ic)管芯(封装的或未封装的)或ic管芯的堆叠体(例如，高带宽存储器管芯堆叠体)。在一些这样的实施例中，微电子部件102的绝缘材料可以包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化物、聚酰亚胺材料、玻璃增强环氧树脂基质材料、或低k或超低k电介质(例如，碳掺杂电介质、氟掺杂电介质、多孔电介质、有机聚合物电介质、可光成像电介质和/或基于苯并环丁烯的聚合物)。在一些其他实施例中，微电子部件102的绝缘材料可以包括半导体材料，例如硅、锗或iii-v材料(例如，氮化镓)、以及一种或多种附加材料。例如，微电子部件102的绝缘材料可以包括氧化硅或氮化硅。微电子部件102中的导电通路可以包括导电线和/或导电过孔，并且可以以任何合适的方式连接微电子部件102中的任何导电接触部(例如，连接微电子部件102的同一表面上或不同表面上的多个导电接触部)。下面参考图40来讨论可以包括在本文公开的微电子部件102中的示例性结构。特别地，微电子部件102可以包括有源和/或无源电路(例如，晶体管、二极管、电阻器、电感器和电容器、以及其他)。在一些实施例中，微电子部件102可以包括一个或多个包括晶体管的装置层。当微电子部件102包括有源电路时，功率和/或地信号可以通过内插器150来路由并且通过db区130(并且进一步通过居间微电子部件102)路由到微电子部件102/从微电子部件102路由。在一些实施例中，微电子部件102可以采用本文的内插器150的任何实施例的形式。尽管图1的微电子组件100的微电子部件102是单侧部件(在个体微电子部件102仅在该个体微电子部件102的单一表面上具有导电接触部(例如，db接触部110)的意义上)，在一些实施例中，微电子部件102可以是在部件的多个表面上具有导电接触部的双侧(或“多级”或“全向”)部件。下面参考图18-20来讨论双侧微电子部件102的一些特定示例。
36.诸如表面安装电阻器、电容器和/或电感器的附加部件(未示出)可以设置在内插器150的顶表面或底表面上，或者嵌入内插器150中。图1的微电子组件100还包括耦合到内插器150的支撑部件182。在图1的特定实施例中，支撑部件182包括通过居间焊料120(例如，球栅阵列(bga)布置中的焊球)电耦合到内插器150的互补导电接触部118的导电接触部118，但是可以使用任何合适的互连结构(例如，引脚栅格阵列布置中的引脚、焊盘栅格阵列布置中的焊盘、柱、焊盘和柱等)。本文公开的微电子组件100中使用的焊料120可以包括任何合适的材料，例如铅/锡、锡/铋、共晶锡/银、三元锡/银/铜、共晶锡/铜、锡/镍/铜、锡/铋/
铜、锡/铟/铜、锡/锌/铟/铋或其他合金。在一些实施例中，内插器150和支撑部件182之间的耦合可以被称为二级互连(sli)或多级互连(mli)。
37.在一些实施例中，支撑部件182可以是封装衬底(例如，可以使用pcb工艺制造，如上所述)。在一些实施例中，支撑部件182可以是电路板(例如，母板)，并且可以具有与其附接的其他部件(未示出)。如本领域已知的，支撑部件182可以包括用于通过支撑部件182来路由功率、地和信号的导电通路和其他导电接触部(未示出)。在一些实施例中，支撑部件182可以包括另一个ic封装、内插器或任何其他合适的部件。底部填充材料138可以设置在将内插器150耦合到支撑部件182的焊料120周围。在一些实施例中，底部填充材料138可以包括环氧树脂材料。
38.在一些实施例中，支撑部件182可以是较低密度部件，而内插器150和/或微电子部件102可以是较高密度部件。如本文所用，术语“较低密度”和“较高密度”是指示较低密度部件中的导电通路(例如，包括导电线和导电过孔)比较高密度部件中的导电通路大和/或具有更大间距的相对术语。在一些实施例中，微电子部件102可以是较高密度部件，并且内插器150可以是较低密度部件。在一些实施例中，可以使用双镶嵌或单镶嵌工艺来制造较高密度部件(例如，当较高密度部件是管芯时)，同时可以使用半加法或改进的半加法工艺(其中小型垂直互连特征由先进的激光或光刻工艺形成)来制造较低密度部件(例如，当较低密度部件是封装衬底或内插器时)。在一些其他实施例中，可以使用半加法或改进的半加法工艺来制造较高密度部件(例如，当较高密度部件是封装衬底或内插器时)，同时可以使用半加法或减法工艺(使用蚀刻化学剂来去除不需要的金属区域，并且粗糙垂直互连特征由标准激光工艺形成)来制造较低密度部件(例如，当较低密度部件是pcb时)。
39.图1的微电子组件100还可以包括模制材料126。模制材料126可以在内插器150上的微电子部件102中的一个或多个周围延伸。在一些实施例中，模制材料126可以在内插器150上的多个微电子部件102之间以及db区130周围延伸。在一些实施例中，模制材料126可以在内插器150上的微电子部件102中的一个或多个上方延伸(未示出)。模制材料126可以是绝缘材料，例如适当的环氧树脂材料。模制材料126可以被选择为具有可以减轻或最小化微电子部件102和内插器150之间由于微电子组件100中的不均匀热膨胀所引起的应力的热膨胀系数(cte)。在一些实施例中，模制材料126的cte可以具有介于内插器150的cte(例如内插器150的绝缘材料106的cte)和微电子部件102的cte中间的值。在一些实施例中，微电子组件100中使用的模制材料126可以至少部分地根据其热特性来选择。例如，微电子组件100中使用的一种或多种模制材料126可以具有低导热性(例如，常规模制化合物)以阻止热传递，或者可以具有高导热性(例如，包括诸如铜、银、金刚石、碳化硅、氮化铝和氮化硼等的具有高导热性的金属或陶瓷颗粒的模制材料)以促进热传递。本文提及的任何模制材料126可以包括具有不同材料组成的一种或多种不同材料。
40.图1的微电子组件100还可以包括tim 154。tim 154可以包括聚合物或其他粘合剂中的导热材料(例如，金属颗粒)。tim 154可以是热界面材料膏或导热环氧树脂(其在被施加时可以是流体并且在固化后可以硬化，如本领域中已知的)。tim 154可以为由微电子部件102生成的热量容易地流到热传递结构152提供路径，该热量在热传递结构152可以被散布和/或消散。图1的微电子组件100的一些实施例可以包括遍布于模制材料126和微电子部件102的顶表面上的溅射金属化部(未示出)；tim 154(例如，焊料tim)可以设置在该金属化
部上。
41.图1的微电子组件100还可以包括热传递结构152。热传递结构152可以用于将热量从微电子部件102中的一个或多个移走(例如，使得热量可以更容易消散)。热传递结构152可以包括任何合适的导热材料(例如，金属、适当的陶瓷等)，并且可以包括任何合适的特征(例如，散热器、包括鳍的热沉、冷板等)。在一些实施例中，热传递结构152可以是或可以包括集成散热器(ihs)。
42.微电子组件100的元件可以具有任何合适的尺寸。仅附图的子集被标记有表示尺寸的附图标记，但这只是为了说明清楚，并且本文公开的任何微电子组件100可以具有拥有本文讨论的尺寸的部件。在一些实施例中，内插器150的厚度184可以在20微米和200微米之间。在一些实施例中，db区130的厚度188可以在0.1微米和5微米之间。在一些实施例中，微电子部件102的厚度190可以在10微米和780微米之间。在一些实施例中，db区130中的db接触部110的间距128可以小于20微米(例如，在0.1微米和20微米之间)。
43.图3-38示出了附加的示例性微电子组件100及其部件。本文参考图3-38中的任一个讨论的任何特征可以与任何其他特征组合以形成微电子组件100或其部件。例如，如下文进一步讨论的，图4示出了db界面180的实施例，其中db接触部110包括多个不同的材料部分，并且图9示出了db界面180的实施例，其中在db接触部110和相邻的db电介质108之间存在衬层材料132。图4和图9的这些特征可以组合，使得根据本公开的db界面180具有包含多个不同材料部分的db接触部110以及在db接触部110和相邻的db电介质108之间的衬层材料132。该特定组合仅是示例，并且可以使用任何组合。
44.如上所述，db电介质108可以包括以任何期望的方式布置的一种或多种材料。例如，图3示出了db界面180(其可以是内插器150或微电子部件102的一部分)，其包括围绕db接触部110的db电介质108。在图3的特定实施例中，db电介质108可以包括第一部分108a和第二部分108b，其中第二部分108b在第一部分108a和db界面180的接合表面之间。第一部分108a和第二部分108b可以具有不同的材料组成。例如，在一些实施例中，第一部分108a可以包括硅和氧(例如，以氧化硅的形式)，并且第二部分108b可以包括硅、氧、碳和氮(例如，以氧碳氮化硅的形式)。第一部分108a的厚度190a可以大于第二部分108b的厚度190b。例如，在一些实施例中，厚度190b可以小于5纳米(例如，小于3纳米)，而厚度190a可以大于5纳米(例如，在50纳米和5微米之间)。当厚度190a大于厚度190b时，第一部分108a可以被称为db电介质108的“体”材料，并且第二部分108b可以被称为db电介质108的“界面”材料。尽管图3示出了其中db电介质108包括两个部分的实施例，但是db电介质108可以包括多于两个部分(例如，布置在平行于db界面180的接合表面的层中)。
45.还如上所述，db接触部110可以包括以任何期望的方式布置的一种或多种材料。例如，图4示出了db界面180(其可以是内插器150或微电子部件102的一部分)，其包括围绕db接触部110的db电介质108。在图4的特定实施例中，db接触部110可以包括第一部分110a和第二部分110b，其中第二部分110b在第一部分110a和db界面180的接合表面之间。第一部分110a和第二部分110b可以具有不同的材料组成。例如，在一些实施例中，第一部分110a可以包括铜，并且第二部分110b可以包括贵金属(例如，银或金)；在这样的实施例中，第二部分110b可以用于提高db接触部110的抗腐蚀能力。第一部分110a的厚度192a可以大于第二部分110b的厚度192b。例如，在一些实施例中，厚度192b可以小于5纳米，而厚度192a可以大于
50纳米。当厚度192a大于厚度192b时，第一部分110a可以被称为db接触部110的“体”材料，并且第二部分110b可以被称为db接触部110的“界面”材料。尽管图4示出了其中db接触部110包括两个部分的实施例，但是db接触部110可以包括多于两个部分(例如，布置在平行于db界面180的接合表面的层中)。在一些实施例中，db界面180可以包括具有多个部分的db电介质108和具有多个部分的db接触部110。
46.db界面180中的db接触部110的占用区域可以具有任何期望的形状，并且多个db接触部110可以以任何期望的方式布置在db界面180内(例如，通过使用光刻图案化技术以形成db接触部110)。例如，图5-8是db界面180的db电介质108中的db接触部110的各种布置的顶视图。在图5的实施例中，db接触部110具有矩形(例如，正方形)占用区域并且布置成矩形阵列。在图6的实施例中，db接触部110具有十字形占用区域并且布置成三角形阵列。在图7的实施例中，db接触部110布置成矩形阵列，并且db接触部110的交替行具有十字形占用区域和三角形占用区域。在图8的实施例中，db接触部110布置成矩形阵列，db接触部110具有圆形占用区域，并且db接触部110的占用区域的直径以棋盘图案变化。db界面180中包括的db接触部110可以具有这些和其他占用区域形状、尺寸和布置(例如，六边形阵列、椭圆形占用区域等)的任何合适组合。在一些特定实施例中，db界面180中的db接触部110可以具有成形为凸多边形(例如，正方形、矩形、八边形、十字形等)或圆形的占用区域。
47.如上所述，在一些实施例中，衬层材料可以存在于db接触部110和相邻的db电介质108之间。例如，图9示出了内插器150的一部分及其db界面180。在图9的实施例中，衬层材料132存在于db接触部110和相邻的db电介质108之间。衬层材料132可以用作扩散阻挡部(例如，以限制db接触部110和相邻的db电介质108之间的扩散，例如当db接触部110包括铜并且db电介质108包括氧化硅时可能发生的铜扩散)和/或用作粘附促进部(例如，以提高db接触部110和相邻db电介质108之间的机械界面的强度)。在图9的特定实施例中，衬层材料132可以不存在于过孔116和/或穿过内插器150的绝缘材料106的线114周围。在其他实施例中，衬层材料132也可以存在于过孔116和/或线114周围；这种实施例在图10中示出。在一些实施例中，衬层材料132可以仅存在于过孔116和/或线114周围，而不存在于db接触部110(未示出)周围。在图9的实施例中，衬层材料132可以是导电材料(例如，可以包括钴、钌或钽和氮(例如，以氮化钽的形式))、或非导电材料(例如，硅和氮(例如，以氮化硅的形式)、或类金刚石碳)。在图10的实施例中，衬层材料132可以是非导电材料。在其他实施例中，内插器150中可以不存在衬层材料132。尽管在图9和图10中描绘了并且关于它们在内插器150中的存在而讨论了使用衬层材料132的各种实施例，但这仅仅是为了便于说明，并且微电子部件102的db界面180还可以包括衬层材料132(例如，仅在db接触部110周围，和/或在微电子部件102的金属化堆叠体中的线和过孔周围)。
48.在一些实施例中，光刻过孔技术可以用于在内插器150(例如，在有机内插器150中)或微电子部件102中形成一个或多个金属化层。例如，图11示出了内插器150及其db界面180的一部分。在图11的实施例中，示出了三个不同的绝缘材料层106(标记为106a、106b和106c)。在“顶部”层106a(最靠近db界面180的层)内，过孔116可以使用光刻技术(例如，“零未对准”技术)被图案化，使得它们的侧面在它们着陆的地方与线114的侧面对准。在“下部”层(例如，层106b)中，过孔116可以使用常规技术被图案化，并且过孔116的侧面可以不在它们着陆的地方与线114的侧面对准。更一般地，以光刻方式形成的过孔116可以具有任何期
望的占用区域(例如，非圆形占用区域)。在图11的实施例中，db接触部110可以是与层106a的过孔116导电接触的“焊盘”。由于在光刻过孔制造期间执行的平坦化(例如，化学机械抛光)操作，在db界面180的形成中使用光刻过孔技术可以产生非常平坦的db界面180，并且平坦的db界面180可以比更“不均匀”的db界面180更可靠地形成直接接合。因此，使用光刻过孔技术来形成db界面180的db接触部110可以支持机械和电可靠的db区130。
49.在一些实施例中，光刻过孔技术用于在内插器150(例如，在有机内插器150中)或微电子部件102的db界面180中形成db接触部110。例如，图12示出了内插器150及其db界面180的一部分。在图12的实施例中，db接触部110包括过孔116和过孔116着陆于其上的线114；可以使用光刻技术来图案化这些过孔116(例如，使得过孔116的侧面在它们着陆的地方与线114的侧面对准)。如图所示，db电介质108可以接触db接触部110的过孔116和线114。绝缘材料106中的金属化部可以使用光刻技术或常规技术来图案化。尽管在图11和图12中描绘了并且关于它们在内插器150中的存在讨论了过孔116/线114的各种实施例，但这只是为了便于说明，并且微电子部件102的db界面180还可以包括db界面180中的光刻图案化的过孔116/线114和/或其他金属化部。
50.在图1和图2的实施例中，db接触部110被示为与下方绝缘材料106中的过孔116接触的焊盘。在其他实施例中，db接触部110本身可以是过孔。例如，图13示出了其中db接触部110是与绝缘材料106中的焊盘接触的过孔的实施例；如图所示，db接触部110可以比它们所接触的焊盘窄。
51.图1和图2的微电子组件100以及本文公开的其他微电子组件100可以以任何合适的方式制造。例如，图14-17是根据各种实施例的图1和图2的微电子组件100的一部分的制造中的示例性阶段的侧视截面图。尽管可以参考本文公开的微电子组件100的特定实施例来示出参考图14-17讨论的操作，但是参考图14-17讨论的制造方法可以用于形成任何合适的微电子组件100。操作在图14-17中以特定顺序示出一次，但是所述操作可以根据需要重新排序和/或重复(例如，在同时制造多个微电子组件100时并行执行不同的操作)。当内插器150是有机内插器时，下面参考图14-17讨论的制造工艺可能特别有利，并且该制造工艺对于基于玻璃或基于半导体的内插器(例如，其中在任何直接接合操作之前下方玻璃或硅晶片已经被减薄并且形成了tsv的基于玻璃或基于硅的内插器)也可能是有利的。然而，可以使用任何合适的制造工艺来制造本文公开的任何微电子组件100。
52.图14示出了包括安装在载体104上的内插器150的组件。内插器150包括两个暴露的db界面180-1和180-2。载体104可以包括任何合适的材料，并且在一些实施例中，可以包括半导体晶片(例如，硅晶片)或玻璃(例如，玻璃面板)。当内插器150是有机内插器时，内插器150可以有利地制造在载体104上，这可以提供机械稳定的表面，内插器150的层可以形成在该表面上。
53.图15示出了在将微电子部件102-1和102-2直接接合到图14的内插器150/载体104之后的组件。特别地，可以使微电子部件102的db界面180(未标记)与内插器150的db界面180接触，并且施加热量和/或压力以接合接触的db界面180以形成db区130(db区130-1和130-2分别对应于db界面180-1和180-2)。
54.图16示出了在图15的组件的微电子部件102周围和内插器150的表面上提供模制材料126之后的组件。在一些实施例中，模制材料126可以在微电子部件102上方延伸并保持
在其上方，而在其他实施例中，模制材料126可以被往回抛光以暴露微电子部件102的顶表面，如图所示。
55.图17示出了从图16的组件去除载体104、并在新暴露的导电接触部118上提供焊料120之后的组件。图17的组件本身可以是微电子组件100，如图所示。可以在图17的微电子组件100上执行其他制造操作以形成其他微电子组件100；例如，焊料120可以用于将图17的微电子组件100耦合到支撑部件182，并且tim 154和热传递结构152可以提供在图17的微电子组件100的顶表面上，以形成图1和图2的微电子组件100。
56.微电子组件100中的不同db区130可以包括不同的db电介质108。在一些实施例中，db接触部110的密度(即db界面180的接合表面的区域被db接触部110占据的比例)在不同db区130之间可能不同。在一些实施例中，这种不同的密度可能是由于一个db区130比另一个db区130需要更少的电通路。在其他实施例中，这种不同的密度可以用于增强或抑制热传递，使用较高密度的db接触部110(以及因此较高比例的导热金属)来增强热传递，并且使用较小密度的db接触部110(以及因此较低比例的导热金属)来抑制热传递。
57.微电子组件100可以包括通过直接接合耦合的多个“层级”的微电子部件102。例如，图18a和图18b示出了微电子组件100，其中微电子部件102-1在其顶表面处包括两个db界面180(未标出)，并且在底表面处具有它们自己的db界面180(未标出)的微电子部件102-3和102-4分别经由db区130-3和130-4耦合到微电子部件102-1。类似地，微电子部件102-2在其顶表面处包括db界面180(未标出)，并且在其底表面处具有其自己的db界面180(未标出)的微电子部件102-5经由db区130-5耦合到微电子部件102-2。因此，图18的微电子组件100可以被描述为具有两个层级的直接接合的微电子部件102。图18a和图18b的微电子组件100共享许多特征，而图18b示出了特定实施例，其中微电子部件102-1包括嵌入式微电子部件102-6(例如，嵌入式管芯)，并且db区130-4在嵌入式微电子部件102-6的顶表面处。在一些实施例中，嵌入式微电子部件102-6可以是较高密度的部件并且微电子部件102-1可以是较低密度的部件。微电子部件102-1可以包括一个或多个导电结构195，其将嵌入式微电子部件102-6的底表面处的接触部(未示出)导电耦合到微电子部件102-1的底表面处的db接触部110。更一般地，本文公开的任何微电子部件102可以包括一个或多个管芯并且可以具有不同类型的穿通导电互连，例如铜柱和tsv(例如，穿硅过孔)。
58.在一些实施例中，图18的微电子组件100的第一层级中的微电子部件102-1和102-2可以包括导电结构194，其在db区130的顶表面和底表面处在db区130之间延伸，为第二层级中的微电子部件102(即，微电子部件102-3、102-4和102-5)提供用于功率、地、和/或信号的导电通路。在一些实施例中，这样的导电结构194可以包括一个或多个tsv，包括导电材料过孔，例如通过阻挡氧化物与周围的硅或其他半导体材料隔离的金属过孔，例如穿硅过孔(当微电子部件102-1和102-2包括硅衬底时)或者穿玻璃过孔(当微电子部件102-1和102-2包括玻璃衬底时)。在一些实施例中，第一层级中的微电子部件102-1和102-2可以是无源的(例如，不包括晶体管)或有源的(例如，包括存储器电路和/或功率输送电路形式的晶体管)。
59.在图18的实施例中，模制材料126可以向上延伸至第二层级中的微电子部件102并且可以横向包围该微电子部件102，并且在一些实施例中(未示出)，模制材料126可以覆盖第二层级中的微电子部件102的顶表面。如图18所示，在一些实施例中，模制材料126的顶表
面可以与暴露的db界面180共面。在一些实施例中，包括暴露的db界面180的微电子组件100可以在暴露的db界面180上具有临时的、可去除的保护材料(例如，粘合剂材料，未示出)以保护它们直到执行直接接合操作。包括多个层级的微电子部件102的微电子组件100可以以上文参考图14-17讨论的方式形成，并且在沉积模制材料126之前，附加层级的微电子部件102耦合到先前的组件。在一些其他实施例中，可以通过首先组装各层级的微电子部件102、并且然后将组装的层级耦合到内插器150来形成包括多个层级的微电子部件102的微电子组件100，如上面参考图15所讨论的。微电子组件100可以不限于两个层级的微电子部件102，而是可以根据需要包括三个或更多层级。此外，尽管图18中的单个层级中的微电子部件102被描绘为具有相同的高度，但这仅仅是为了便于说明，并且微电子组件100中的任何单个层级中的微电子部件102可以具有不同的高度。此外，并非微电子组件100中的每个微电子部件102都可以是多个微电子部件102的堆叠体的一部分；例如，在图18的微电子组件100的一些变体中，微电子部件102-2的顶部可以不存在微电子部件102-5(并且因此微电子部件102-2可以不包括导电结构194(例如，可以不包括tsv))。
60.在图18的实施例中，模制材料126可以向上延伸至第二层级中的微电子部件102并且可以横向包围该微电子部件102，并且在一些实施例中(未示出)，模制材料126可以覆盖第二层级中的微电子部件102的顶表面。在一些实施例中，微电子组件100可以包括暴露在微电子组件100的表面处的一个或多个db界面180。例如，图19示出了与图18的微电子组件类似的微电子组件100，但是其中不存在第二层级的微电子部件102并且对应的db界面180(即db界面180-3、180-4和180-5)暴露在微电子部件102-1和102-2的顶表面处。当客户或其他下游实体希望经由直接接合将他们自己的附加微电子部件102(例如，图18的微电子部件102-3、102-4和102-5)经由暴露的db界面180耦合到图19的微电子组件100的顶表面时，这种微电子组件100可能是有用的。图19示出了特定实施例，其中db界面180暴露在第一层级的微电子部件102的顶表面，但是微电子组件100可以包括多于一个层级的微电子部件102，其中db界面180暴露在第二(或更高)层级中的微电子部件102的顶表面。例如，图20示出了与图18的微电子组件类似的微电子组件100，但是其中微电子部件102-3、102-4和102-5具有在微电子组件100的顶表面处暴露的db界面180。如图20所示，在一些实施例中，模制材料126的顶表面可以与暴露的db界面180共面。
61.尽管前述附图中的各个附图示出了在内插器150的单个表面(例如，顶表面)处的db区130，但是微电子组件100可以包括在内插器150的多个表面处的db区130。在一些实施例中，微电子组件100可以包括仅经由db区130耦合到内插器150(或其他微电子部件102)的微电子部件102。在其他实施例中，微电子组件100还可以包括通过诸如焊料接合和/或引线接合之类的其他附接技术而耦合到内插器150(或其他微电子部件102)的微电子部件102。
62.在一些实施例中，微电子组件100可以包括至少部分地在db区130中的一个或多个电路元件(例如，电容器、电阻器、电容传感器、电阻传感器等)。在一些这样的实施例中，微电子组件100的一个部件(例如，内插器150或微电子部件102)可以包括电路元件在其db界面180处的一部分，并且微电子组件100的另一部件(例如，另一微电子部件102)可以包括该电路元件在其db界面180处的另一部分；当部件的db界面180被接合在一起以形成db区130时，电路元件可以完成。
63.图21是包括通过db区130耦合的两个微电子部件102的微电子组件100的一部分的
侧视截面图；电路元件270至少部分地设置在db区130(其还可以包括db电介质108中的其他db接触部110)中。虽然图21描绘了两个微电子部件102之间的db区130中的电路元件270，但这只是为了便于说明，并且电路元件270可以被包括在任何两个部件(例如，内插器150和微电子部件102等)之间的db区130中。图21和其他附图的微电子部件102可以被称为下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2，但是术语“下部”和“上部”的使用只是为了便于说明，而不是暗示期望或要求的方向。此外，图21示出了包括db界面180和剩余结构204的微电子部件102；该剩余结构204可以包括内插器150的材料的任何实施例，例如绝缘材料106和导电通路112，或本文公开的任何其他金属化堆叠体和/或装置层。特别地，微电子部件102的剩余结构204可以包括导电通路(未示出)以将电路元件270电连接到其他电路(例如，对准监测系统，如下面参考图38所讨论的)。
64.如图21所示，db区130中的电路元件270可以包括位于下部微电子部件102-1的db界面180处的一个或多个下部导电板262-1，以及位于上部微电子部件102-2的db界面180处的一个或多个上部导电板262-2。一个或多个下部导电板262-1可以不与一个或多个上部导电板262-2接触；当电路元件270为电容器或电阻器(例如，电容传感器或电阻传感器)时，下部导电板262-1和上部导电板262-2的布置(例如，它们的间距)可以被选择为用于实现期望的电容或电阻。如以下参考图38所讨论的，在一些实施例中，可以在直接接合之后测量下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电容和/或电阻，以计量下部导电板262-1和上部导电板262-2的相对间距，并且由此测量下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2的对准。导电板262可以包括一种或多种导电材料264，并且导电材料264可以包括本文参考db接触部110讨论的任何材料。然而，db界面180处的导电板262可以在另一db界面180处与db电介质108接触，并且因此可能不与其他导电材料直接接合。因此，在一些实施例中，导电板262的导电材料264可以具有不同于db接触部110的材料组成的材料组成。在一些实施例中，下部导电板262-1的导电材料264可以具有与上部导电板262-2的导电材料264不同的材料组成。
65.db区130中的电路元件270中的导电板262的形状和布置可以具有任何期望的形式。例如，图22-35是根据各种实施例的db区130中的示例性电路元件270的顶视图；为清楚起见而从图22-35中省略了db电介质108和其他元件，并且图23-35共享图19的透视图。在一些实施例中，电路元件270的外径可以在10微米和50微米之间。
66.在电路元件270的一些实施例中，上部导电板262-2的占用区域可以在下部导电板262-1的占用区域的内部。例如，图22示出了一实施例，其中下部导电板262-1被成形为圆环(即空心圆)，并且上部导电板262-2为圆形，上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的占用区域内部(例如，下部导电板262-1的占用区域在上部导电板262-2的占用区域“周围”)。图23示出了一实施例，其中下部导电板262-1被成形为开口正方形(即方形环)，并且上部导电板262-2为正方形，上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的占用区域内部。在一些实施例中，类似于图23的实施例，下部导电板262-1可以被成形为开口多边形，并且上部导电板262-2可以被成形为该多边形(或另一形状)。例如，图24示出了一实施例，其中下部导电板262-1被成形为开口六边形，并且上部导电板262-2为六边形，上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的占用区域内部。电路元件270中的下部导电板262-1和上部导电板262-2的形状不必相同；例如，图25示出了一实施例，其中下部导电板
262-1被成形为圆环，并且上部导电板262-2为正方形，上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的占用区域内部。在一些实施例中，类似于图22-25中的那些的电路元件270可以作为电容器操作；例如，当电路元件270用作电容传感器时，下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电容可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1的相对位置(例如，较大的电容指示下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的间距更近)，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下面参考图38进一步讨论的。在一些实施例中，类似于图22-25中的那些的电路元件270可以作为电阻器操作；例如，当电路元件270用作电阻传感器时，下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电阻可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1的相对位置(例如，较低的电阻指示下部导电板262-1和上部导电板262-2之间存在导电通路)，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下面参考图38进一步讨论的。
67.在一些实施例中，电路元件270可以包括多个下部导电板262-1和/或多个上部导电板262-2。例如，图26示出了一实施例，其中有四个下部导电板262-1(标记为262-1a、262-1b、262-1c和262-1d)和一个上部导电板262-2。在图26的实施例中，下部导电板262-1是圆弧形状并且被分布为形成圆环的段，上部导电板262-2为圆形，并且上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的布置的环形占用区域的内部。图27示出了另一实施例，其中有四个下部导电板262-1(标记为262-1a、262-1b、262-1c和262-1d)和一个上部导电板262-2。在图27的实施例中，下部导电板262-1是有角形状并且被分布为形成方形环的段，上部导电板262-2为正方形，并且上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的布置的环形占用区域的内部。图28示出了一实施例，其中有三个下部导电板262-1(标记为262-1a、262-1b和262-1c)和一个上部导电板262-2。在图28的实施例中，下部导电板262-1是有角形状并且被分布为形成三角环的段，上部导电板262-2为三角形，并且上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的布置的环形占用区域的内部。
68.在一些实施例中，类似于图26-28中的那些的电路元件270可以作为多个电容器操作，每个电容器包括上部导电板262-2和下部导电板262-1a、262-1b、262-1c(和262-1d，当存在时)中的一个；当电路元件270用作电容传感器时，这些电容器中的每一个的相对电容可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1中的每个的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下面参考图38进一步讨论的。在一些实施例中，类似于图26-28中的那些的电路元件270可以作为电阻器操作；例如，当电路元件270用作电阻传感器时，上部导电板262-2和下部导电板262-1中的每个之间的电阻可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下文参考图38进一步讨论的。
69.图29示出了一实施例，其中有四个下部导电板262-1(标记为262-1a、262-1b、262-1c和262-1d)和四个上部导电板262-2(标记为262-2a、262-2b、262-2c和262-2d)。在图29的实施例中，下部导电板262-1是圆弧形状并且被分布为形成圆环的段，上部导电板262-2是圆形并被布置成二乘二阵列，并且上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的布置的环形占用区域的内部。图30示出了一实施例，其中有九个下部导电板262-1和四个上部导电板262-2。在图30的实施例中，下部导电板262-1是圆形并被分布为三乘三阵列，上部导电板262-2是圆形并被分布为二乘二阵列，并且上部导电板262-2中的每个的占用区域落入
最近的下部导电板262-1的布置的占用区域的内部。在一些实施例中，类似于图29-30中的那些的电路元件270可以作为多个电容器操作，每个电容器包括上部导电板262-2中的一个和下部导电板262-1中的一个；当电路元件270用作电容传感器时，这些电容器中的每个的相对电容可以用于评估上部导电板262-2中的每个相对于下部导电板262-1中的每个的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下文参考图38进一步讨论的。在一些实施例中，类似于图29-30中的那些的电路元件270可以作为电阻操作；例如，当电路元件270用作电阻传感器时，下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电阻可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准，如下面参考图38进一步讨论的。
70.电路元件270可以包括导电板262的其他布置。例如，图31示出了下部导电板262-1为矩形且上部导电板262-2为矩形的实施例。在一些实施例中，类似于图31的那些的电路元件270可以作为电容器操作；例如，当电路元件270用作电容传感器时，下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电容可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1(例如，在图31的箭头所指示的方向上)的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间在图31的箭头所指示的方向上的对准，如下面参考图38进一步讨论的。在一些实施例中，类似于图31的那些的电路元件270可以作为电阻器操作；例如，当电路元件270用作电阻传感器时，下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的电阻可以用于评估上部导电板262-2相对于下部导电板262-1(例如，在图31的箭头所指示的方向上)的相对位置，并且因此评估下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间在图31的箭头所指示的方向上的对准，如下面参考图38进一步讨论的。
71.在一些实施例中，电路元件270中的下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的横向间距可以被选择为足够小，使得下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的超出在制造期间所预期的未对准范围的未对准可能导致下部导电板262-1接触上部导电板262-2，并且因此在下部导电板262-1和上部导电板262-2之间形成电短路。类似地，在一些实施例中，电路元件270中的下部导电板262-1和上部导电板262-2之间的横向间距可以被选择为足够小，使得导电板262的导电材料264在微电子组件100的制造期间或之后向db电介质108中的扩散可能在db电介质108中、在下部导电板262-1和上部导电板262-2之间产生导电材料264的桥，并且因此在下部导电板262-1和上部导电板262-2之间形成电短路(例如，低电阻通路)。在这样的实施例中，电路元件270可以用作电阻传感器以检测这样的短路，并且因此提供关于下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准的信息，如下文参考图38进一步讨论的。
72.图32-34示出了一些电路元件270，其对于检测未对准或基于扩散的桥接可能特别有用。图32示出了电路元件270，其中下部导电板262-1具有其中具有轮辐形状开口的圆形形状，并且上部导电板262-2具有略小于下部导电板262-1中的开口的轮辐形状。类似于图22-30的实施例，上部导电板262-2的占用区域落入下部导电板262-1的占用区域的内部。图33示出了电路元件270，其中下部导电板262-1包括从矩形骨架延伸的多个指状物，并且上部导电板262-2也具有从矩形骨架延伸的多个指状物；如图所示，下部导电板262-1的指状物的占用区域可以与上部导电板262-2的指状物的占用区域交叉。图34示出了包括四个下
部导电板262-1(标记为262-1a、262-1b、262-1c和262-1d)和四个上部导电板262-2(标记为262-2a、262-2b、262-2c和262-2d)的电路元件。在一些实施例中，图32和图33的电路元件270可以用作泄漏传感器结构；在这样的实施例中，下部导电板262-1可以相对于上部导电板262-2保持在期望的偏置电压，并且可以周期性地检查电路元件270的电阻(电阻的显著降低对应于高泄漏电流并且电路元件270处于或接近故障)。在图34中，下部导电板262-1中的每个具有有角形状，下部导电板262-1的角朝向相关联的正方形的上部导电板262-2开口；导电板262-1/262-2对被布置成二乘二阵列，并且导电板262-1/262-2对中的每一对相对于相邻对成90度定向。图32-34的任何电路元件270可以用作电容器(例如，作为电容传感器)或电阻器(例如，作为电阻传感器)。
73.在一些实施例中，微电子组件100可以包括多个电路元件270，它们一起提供关于下部微电子部件102-1和上部微电子部件102-2之间的对准的信息。例如，图35示出了微电子组件100中的三个电路元件270(标记为270-1、270-2和270-3)的线性阵列。图35的电路元件270-2采用上面讨论的图22的电路元件270的形式；图35的电路元件270-1和270-3类似于电路元件270-2，但每者包括占用区域从下部导电板262-1的占用区域的中心偏移的上部导电板262-2，并且电路元件270-1的偏移方向与电路元件270-3的偏移方向相反，如图所示。通过检测图35的布置中的电路元件270之间的电容差，可以执行未对准的测量，检测所述电容差可以利用电容对未对准的非线性相关性，并且相对于利用单个电路元件270，可以对管芯制造变化不太敏感。
74.微电子组件100可以包括具有相同或不同形式的电路元件270的任何期望布置。例如，图36是微电子组件100的顶视图，其中电路元件270位于上部微电子部件102-2的两个相对拐角处。图37是微电子组件100的顶视图，其中电路元件270分布在与上部微电子部件102-2的边缘间隔开的位置处。一个或多个电路元件270可以位于db区130中的任何期望位置。在一些实施例中，微电子组件100可以包括与本文公开的任何电路元件270类似的电路元件，但所有导电板262制造于一个微电子部件102的db界面处，而不是在下部微电子部件102-1中具有下部导电板262-1并且在上部微电子部件102-2中具有上部导电板262-2；这种修改的电路元件可以用作参考元件，其电容和/或电阻用于校准其他电容和/或电阻确定(例如，通过对准监测系统268，如下面参考图38讨论的)。
75.如上所述，在一些实施例中，可以使用一个或多个电路元件270来评估由db区130接合的微电子部件102之间的对准。与常规附接技术相比，检测通过直接接合而耦合的部件之间的未对准可能具有挑战性。这些挑战可能由于部件的金属化中的其他结构遮蔽db区130中的特征、以及其他原因而出现。直接接合后检测未对准可以提供组装工艺反馈，其允许改进制造技术，实现微电子组件100中的电感器和/或变压器的调谐，和/或通过允许量化金属扩散的风险而帮助估计微电子组件100中的部件的可靠性。此外，本文公开的电路元件270和未对准检测技术可以允许检测未对准而不必使db区130中的基准元件上方和下方的所有金属层失效(这将导致管芯面积浪费)或使用大的常规传感器，例如电阻游标。
76.图38是根据各种实施例的利用一个或多个db区130中的电路元件270的对准监测系统268的框图。在对准监测系统268中，控制电路266可以通信地耦合到一个或多个电路元件270。在一些实施例中，控制电路266可以从外部电路接收测试命令以使得控制电路266使用一个或多个电路元件270作为传感器(例如，电容和/或电阻传感器)。当电路元件270被用
作电容传感器时，控制电路266可以包括电荷泵电路以向电路元件270提供一定量的电荷；控制电路266还可以包括响应于电荷的提供而测量电路元件270的电压的电压测量电路、以及基于电压测量和提供的所述量的电荷来确定电路元件270的电容的逻辑电路。当电路元件270被用作电阻传感器时，控制电路266可以包括电流源电路以向电路元件270提供一定量的电流；控制电路266还可以包括响应于电流的提供而测量电路元件270的电压的电压测量电路、以及基于电压测量和提供的所述量的电流来确定电路元件270的电阻的逻辑电路。控制电路266可以向外部电路提供指示所测量的电容和/或电阻的测试数据，或者控制电路266本身可以包括基于所测量的电容和/或电阻来确定电路元件270中的导电板262的相对对准的逻辑单元，并且可以向外部电路提供指示该相对对准的测试数据。在一些实施例中，控制电路266可以包括在由db区130接合的微电子部件102之一中。这种对准测试可以在微电子组件100的制造期间执行(例如，以允许制造商根据不同微电子组件100的未对准量将所述微电子组件100装箱)和/或在微电子组件100的操作期间执行。在一些实施例中，当在制造或操作期间检测到未对准时，可以基于检测到的未对准来设置微电子组件100的操作特征。例如，如果两个微电子部件102之间的未对准使得从db接触部110到db电介质108中的任何扩散都可能导致不期望的短路，则可以将微电子部件102中的一个或多个编程为在低于标称电压电平和/或温度的电压电平和/或温度下操作，以降低金属扩散速率并延长微电子组件100的使用寿命。类似地，如果检测到两个微电子部件102之间非常小的未对准，则金属扩散的风险可能相对较低，并且因此，可以将微电子部件102中的一个或多个编程为在峰值功率水平下操作以实现更好的性能。此外，了解两个微电子部件102之间的未对准可以允许进行准确的“现场”产品寿命预测，从而改进产品更换预测并降低意外故障的可能性。
77.本文公开的微电子部件102和微电子组件100可以包括在任何合适的电子部件中。图39-42示出了可以包括本文公开的任何微电子部件102和微电子组件100或适当地包括在本文公开的任何微电子部件102和微电子组件100中的设备的各种示例。
78.图39是可以包括在本文公开的任何微电子部件102中的晶片1500和管芯1502的顶视图。例如，管芯1502可以用作微电子部件102，或者可以包括在微电子部件102中。晶片1500可以由半导体材料构成并且可以包括具有形成在晶片1500的表面上的ic结构的一个或多个管芯1502。管芯1502中的每个可以是包括任何合适ic的半导体产品的重复单元。在半导体产品的制造完成之后，晶片1500可以经历单个化工艺，其中管芯1502彼此分离以提供半导体产品的分立“芯片”。管芯1502可以包括一个或多个晶体管(例如，图40的一些晶体管1640，如下所述)和/或支持电路以将电信号路由到晶体管、以及任何其他ic部件。在一些实施例中，晶片1500或管芯1502可以包括存储器装置(例如，随机存取存储器(ram)装置，诸如静态ram(sram)装置、磁性ram(mram)装置、电阻式ram(rram)装置、导电桥接ram(cbram)装置等)、逻辑装置(例如，and、or、nand或nor门)或任何其他合适的电路元件。这些装置中的多个装置可以组合在单个管芯1502上。例如，由多个存储器装置形成的存储器阵列可以形成在与处理装置(例如，图42的处理装置1802)、或者被配置为将信息存储在存储器装置中或执行存储在存储器阵列中的指令的其他逻辑单元相同的管芯1502上。
79.图40是可以包括在本文公开的任何微电子部件102中的ic装置1600的侧视截面图。例如，ic装置1600(例如，作为管芯1502的一部分，如上文参考图39所讨论的)可以用作微电子部件102，或者可以被包括在微电子部件102中。ic装置1600中的一个或多个可以包
括在一个或多个管芯1502(图39)中。ic装置1600可以形成在衬底1602(例如，图39的晶片1500)上并且可以被包括在管芯(例如，图39的管芯1502)中。衬底1602可以是由包括例如n型或p型材料系统(或两者的组合)的半导体材料系统构成的半导体衬底。衬底1602可以包括例如使用体硅或绝缘体上硅(soi)子结构形成的晶体衬底。在一些实施例中，衬底1602可以使用可以或可以不与硅结合的替代材料形成，所述替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。还可以使用分类为ii-vi、iii-v或iv族的其他材料来形成衬底1602。尽管此处描述了可以形成衬底1602的材料的几个示例，但是可以使用任何可以用作ic装置1600的基础的材料。衬底1602可以是单个化的管芯(例如，图39的管芯1502)或晶片(例如，图39的晶片1500)的一部分。
80.ic装置1600可以包括设置在衬底1602上的一个或多个装置层1604。装置层1604可以包括形成在衬底1602上的一个或多个晶体管1640(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))的特征。装置层1604可以包括例如一个或多个源极和/或漏极(s/d)区1620、用于控制晶体管1640中的在s/d区1620之间的电流的栅极1622、以及用于将电信号路由到s/d区1620/从s/d区1620路由电信号的一个或多个s/d接触部1624。晶体管1640可以包括为了清楚起见未描绘的附加特征，例如装置隔离区、栅极接触部等。晶体管1640不限于图40中描绘的类型和构造，并且可以包括各种各样的其他类型和构造，例如平面晶体管、非平面晶体管或两者的组合。平面晶体管可以包括双极结型晶体管(bjt)、异质结双极型晶体管(hbt)或高电子迁移率晶体管(hemt)。非平面晶体管可以包括finfet晶体管(例如双栅极晶体管或三栅极晶体管)、以及环绕栅或全环栅晶体管(例如纳米带和纳米线晶体管)。
81.每个晶体管1640可以包括由至少两层(栅极电介质和栅电极)形成的栅极1622。栅极电介质可以包括一层或层堆叠体。一层或多层可以包括氧化硅、二氧化硅、碳化硅和/或高k电介质材料。高k电介质材料可以包括诸如铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌的元素。可以在栅极电介质中使用的高k材料的示例包括但不限于氧化铪、硅氧化铪、氧化镧、氧化铝镧、氧化锆、硅氧化锆、氧化钽、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽和铌酸铅锌。在一些实施例中，当使用高k材料时，可以对栅极电介质执行退火工艺以提高其质量。
82.栅电极可以形成在栅极电介质上并且可以包括至少一种p型功函数金属或n型功函数金属，这取决于晶体管1640将是p型金属氧化物半导体(pmos)还是n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。在一些实施方式中，栅电极可以由两个或更多个金属层的堆叠体组成，其中一个或多个金属层是功函数金属层并且至少一个金属层是填充金属层。出于其他目的，可以包括其他金属层，例如阻挡层。对于pmos晶体管，可以用于栅电极的金属包括但不限于钌、钯、铂、钴、镍、导电金属氧化物(例如，氧化钌)以及以下参考nmos晶体管讨论的任何金属(例如，用于功函数调谐)。对于nmos晶体管，可以用于栅电极的金属包括但不限于铪、锆、钛、钽、铝、这些金属的合金、这些金属的碳化物(例如，碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝)、以及以上参考pmos晶体管讨论的任何金属(例如，用于功函数调谐)。
83.在一些实施例中，当从晶体管1640的沿着源极-沟道-漏极方向的截面看时，栅电极可以由u形结构组成，该u形结构包括基本上平行于衬底表面的底部部分和基本上垂直于衬底顶表面的两个侧壁部分。在其他实施例中，形成栅电极的金属层中的至少一个可以简单地是基本上平行于衬底的顶表面的平面层并且不包括基本上垂直于衬底的顶表面的侧
壁部分。在其他实施例中，栅电极可以由u形结构和平面非u形结构的组合组成。例如，栅电极可以由形成在一个或多个平面非u形层顶上的一个或多个u形金属层组成。
84.在一些实施例中，一对侧壁间隔体可以形成在栅极堆叠体的相对侧上以夹住栅极堆叠体。侧壁间隔体可以由诸如氮化硅、氧化硅、碳化硅、掺杂碳的氮化硅和氮氧化硅的材料形成。用于形成侧壁间隔体的工艺在本领域中是众所周知的并且通常包括沉积和蚀刻工艺步骤。在一些实施例中，可以使用多个间隔体对；例如，可以在栅极堆叠体的相对侧上形成两对、三对或四对侧壁间隔体。
85.s/d区1620可以形成在衬底1602内、与每个晶体管1640的栅极1622相邻。例如，s/d区1620可以使用注入/扩散工艺或蚀刻/沉积工艺形成。在前一工艺中，诸如硼、铝、锑、磷或砷的掺杂剂可以被离子注入到衬底1602中以形成s/d区1620。激活掺杂剂并使它们更远地扩散到衬底1602中的退火工艺可以在离子注入工艺之后。在后一工艺中，可以首先蚀刻衬底1602以在s/d区1620的位置处形成凹陷。然后可以进行外延沉积工艺以用用于制造s/d区1620的材料填充凹陷。在一些实施方式中，可以使用诸如硅锗或碳化硅的硅合金制造s/d区1620。在一些实施例中，可以用诸如硼、砷或磷的掺杂剂对外延沉积的硅合金进行原位掺杂。在一些实施例中，可以使用诸如锗或iii-v族材料或合金的一种或多种替代半导体材料形成s/d区1620。在其他实施例中，金属和/或金属合金的一层或多层可以用于形成s/d区1620。
86.诸如功率和/或输入/输出(i/o)信号的电信号可以通过设置在装置层1604上的一个或多个互连层(在图40中示为互连层1606-1610)路由到装置层1604的装置(例如，晶体管1640)和/或从装置层1604的装置(例如，晶体管1640)路由所述电信号。例如，装置层1604的导电特征(例如，栅极1622和s/d接触部1624)可以与互连层1606-1610的互连结构1628电耦合。一个或多个互连层1606-1610可以形成ic装置1600的金属化堆叠体(也称为“ild堆叠体”)1619。
87.互连结构1628可以布置在互连层1606-1610内以根据多种设计来路由电信号(特别地，该布置不限于图40中描绘的互连结构1628的特定构造)。尽管在图40中描绘了特定数量的互连层1606-1610，但是本公开的实施例包括具有比所描绘的更多或更少的互连层的ic装置。
88.在一些实施例中，互连结构1628可以包括填充有诸如金属的导电材料的线1628a和/或过孔1628b。线1628a可以被布置为在基本上平行于衬底1602的其上形成装置层1604的表面的平面的方向上路由电信号。例如，线1628a可以在从图40的角度进出页面的方向上路由电信号。过孔1628b可以被布置为在基本上垂直于衬底1602的其上形成装置层1604的表面的平面的方向上路由电信号。在一些实施例中，过孔1628b可以将不同互连层1606-1610的线1628a电耦合在一起。
89.互连层1606-1610可以包括设置在互连结构1628之间的电介质材料1626，如图40所示。在一些实施例中，设置在互连层1606-1610中的不同互连层中的互连结构1628之间的电介质材料1626可以具有不同的组成；在其他实施例中，不同互连层1606-1610之间的电介质材料1626的组成可以相同。
90.第一互连层1606可以形成在装置层1604上方。在一些实施例中，第一互连层1606可以包括线1628a和/或过孔1628b，如图所示。第一互连层1606的线1628a可以与装置层
1604的接触部(例如，s/d接触部1624)耦合。
91.第二互连层1608可以形成在第一互连层1606上方。在一些实施例中，第二互连层1608可以包括过孔1628b以将第二互连层1608的线1628a与第一互连层1606的线1628a耦合。虽然为了清楚起见，在每个互连层内(例如，第二互连层1608内)在结构上用线描绘了线1628a和过孔1628b，但是在一些实施例中，线1628a和过孔1628b可以在结构上和/或材料上是连续的(例如，在双镶嵌工艺期间同时填充)。
92.可以根据类似的技术以及结合第二互连层1608或第一互连层1606描述的构造在第二互连层1608上连续地形成第三互连层1610(和附加的互连层，根据需要)。在一些实施例中，在ic装置1600中的金属化堆叠体1619中的“更高处”的互连层(即，远离装置层1604)可以更厚。
93.ic装置1600可以包括阻焊材料1634(例如，聚酰亚胺或类似材料)和形成在互连层1606-1610上的一个或多个导电接触部1636。在图40中，导电接触部1636被示为采用接合焊盘的形式。导电接触部1636可以与互连结构1628电耦合并且被配置为将晶体管1640的电信号路由到其他外部装置。例如，可以在一个或多个导电接触部1636上形成焊料接合以将包括ic装置1600的芯片与另一部件(例如，电路板)机械和/或电耦合。ic装置1600可以包括附加的或替代的结构以路由来自互连层1606-1610的电信号；例如，导电接触部1636可以包括将电信号路由到外部部件的其他类似特征(例如，柱)。
94.图41是可以包括本文公开的任何微电子部件102和/或微电子组件100的ic装置组件1700的侧视截面图。ic装置组件1700包括设置在电路板1702(其可以是例如母板)上的多个部件。ic装置组件1700包括设置在电路板1702的第一面1740和电路板1702的相对的第二面1742上的部件；通常，部件可以设置在面1740和1742中的一个或两个上。下面参考ic装置组件1700讨论的任何ic封装可以包括本文公开的微电子组件100的任何实施例(例如，可以包括通过直接接合耦合在一起的多个微电子部件102)。
95.在一些实施例中，电路板1702可以是包括多个金属层的pcb，这些金属层通过电介质材料层彼此分开并且通过导电过孔而互连。金属层中的任何一个或多个可以以期望的电路图案形成以在耦合到电路板1702的部件之间路由电信号(可选地结合其他金属层)。在其他实施例中，电路板1702可以是非pcb衬底。
96.图41所示的ic装置组件1700包括通过耦合部件1716耦合到电路板1702的第一面1740的内插器上封装结构1736。耦合部件1716可以将内插器上封装结构1736电和机械耦合到电路板1702，并且可以包括焊球(如图41所示)、插座的公和母部分、粘合剂、底部填充材料和/或任何其他合适的电和/或机械耦合结构。
97.内插器上封装结构1736可以包括通过耦合部件1718耦合到封装内插器1704的ic封装1720。耦合部件1718可以采用用于应用的任何合适的形式，例如以上参考耦合部件1716讨论的形式。虽然在图41中示出了单个ic封装1720，但是多个ic封装可以耦合到封装内插器1704；实际上，附加的内插器可以耦合到封装内插器1704。封装内插器1704可以提供用于桥接电路板1702和ic封装1720的居间衬底。ic封装1720可以是或包括例如管芯(图39的管芯1502)、ic装置(例如，图40的ic装置1600)或任何其他合适的部件。通常，封装内插器1704可以将连接扩展到更宽的间距或者将连接重新路由到不同的连接。例如，封装内插器1704可以将ic封装1720(例如，管芯)耦合到耦合部件1716的一组bga导电接触部以耦合到
电路板1702。在图41所示的实施例中，ic封装1720和电路板1702附接到封装内插器1704的相对侧；在其他实施例中，ic封装1720和电路板1702可以附接到封装内插器1704的同一侧。在一些实施例中，三个或更多个部件可以通过封装内插器1704而互连。
98.在一些实施例中，封装内插器1704可以形成为pcb，包括多个金属层，这些金属层通过电介质材料层彼此分开并且通过导电过孔而互连。在一些实施例中，封装内插器1704可以由环氧树脂、玻璃纤维增强的环氧树脂、具有无机填料的环氧树脂、陶瓷材料或诸如聚酰亚胺的聚合物材料形成。在一些实施例中，封装内插器1704可以由交替的刚性或柔性材料形成，这些材料可以包括与上述用于半导体衬底中的材料相同的材料，例如硅、锗和其他iii-v族和iv族材料。封装内插器1704可以包括金属线1710和过孔1708，包括但不限于tsv 1706。封装内插器1704还可以包括嵌入式装置1714，包括无源和有源装置。这样的装置可以包括但不限于电容器、去耦电容器、电阻器、电感器、熔丝、二极管、变压器、传感器、静电放电(esd)装置和存储器装置。诸如射频装置、功率放大器、功率管理装置、天线、阵列、传感器和微机电系统(mems)装置的更复杂的装置也可以形成在封装内插器1704上。内插器上封装结构1736可以采用任何本领域已知的内插器上封装结构的形式。
99.ic装置组件1700可以包括通过耦合部件1722耦合到电路板1702的第一面1740的ic封装1724。耦合部件1722可以采用上面参考耦合部件1716讨论的任何实施例的形式，并且ic封装1724可以采用上面参考ic封装1720讨论的任何实施例的形式。
100.图41中所示的ic装置组件1700包括通过耦合部件1728耦合到电路板1702的第二面1742的层叠封装结构1734。层叠封装结构1734可以包括通过耦合部件1730耦合在一起的ic封装1726和ic封装1732，使得ic封装1726设置在电路板1702和ic封装1732之间。耦合部件1728和1730可以采用上文讨论的耦合部件1716的任何实施例的形式，并且ic封装1726和1732可以采用上文讨论的ic封装1720的任何实施例的形式。层叠封装结构1734可以根据本领域已知的任何层叠封装结构来配置。
101.图42是可以包括本文公开的任何微电子部件102和/或微电子组件100的示例性电气装置1800的框图。例如，电气装置1800的部件中的任何合适的部件可以包括本文公开的ic装置组件1700、ic装置1600或管芯1502中的一个或多个。许多部件在图42中被示为包括在电气装置1800中，但是这些部件中的任何一个或多个可以被省略或复制，以适合应用。在一些实施例中，包括在电气装置1800中的部件中的一些或全部可以附接到一个或多个母板。在一些实施例中，这些部件中的一些或全部被制造到单个片上系统(soc)管芯上。
102.另外，在各种实施例中，电气装置1800可以不包括图42中所示的部件中的一个或多个，但是电气装置1800可以包括用于耦合到一个或多个部件的接口电路。例如，电气装置1800可以不包括显示装置1806，但是可以包括显示装置1806可以耦合到的显示装置接口电路(例如，连接器和驱动器电路)。在另一组示例中，电气装置1800可以不包括音频输入装置1824或音频输出装置1808，但是可以包括音频输入装置1824或音频输出装置1808可以耦合到的音频输入或输出装置接口电路(例如，连接器和支持电路)。
103.电气装置1800可以包括处理装置1802(例如，一个或多个处理装置)。如本文所用，术语“处理装置”或“处理器”可以指处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据转换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何装置或装置的一部分。处理装置1802可以包括一个或多个数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、中央处理
单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、密码处理器(在硬件内执行密码算法的专用处理器)、服务器处理器或任何其他合适的处理装置。电气装置1800可以包括存储器1804，其本身可以包括一个或多个存储器装置，例如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dram))、非易失性存储器(例如，只读存储器(rom))、闪存存储器、固态存储器和/或硬盘驱动器。在一些实施例中，存储器1804可以包括与处理装置1802共享管芯的存储器。该存储器可以用作高速缓冲存储器并且可以包括嵌入式动态随机存取存储器(edram)或自旋转移矩磁随机存取存储器(stt-mram)。
104.在一些实施例中，电气装置1800可以包括通信芯片1812(例如，一个或多个通信芯片)。例如，通信芯片1812可以被配置为用于管理无线通信，以便向和从电气装置1800传输数据。术语“无线”及其派生词可以用来描述可以通过非固体介质通过使用经调制的电磁辐射来传递数据的电路、装置、系统、方法、技术、通信信道等。该术语并不暗示相关联的装置不包含任何电线，尽管在一些实施例中它们可能不包含。
105.通信芯片1812可以实现多种无线标准或协议中的任一种，包括但不限于电气和电子工程师协会(ieee)标准，包括wi-fi(ieee 802.11系列)、ieee 802.16标准(例如，ieee 802.16-2005修正案)、长期演进(lte)项目以及任何修正、更新和/或修订(例如，高级lte项目、超移动宽带(umb)项目(也称为“3gpp2”)，等等)。ieee 802.16兼容的宽带无线接入(bwa)网络通常被称为wimax网络，其是代表全球微波接入互操作性的首字母缩写词，其是通过ieee 802.16标准的一致性和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片1812可以根据全球移动通信系统(gsm)、通用分组无线电服务(gprs)、通用移动电信系统(umts)、高速分组接入(hspa)、演进的hspa(e-hspa)或lte网络进行操作。通信芯片1812可以根据gsm演进的增强数据(edge)、gsm edge无线电接入网络(geran)、通用陆地无线电接入网络(utran)或演进的utran(e-utran)进行操作。通信芯片1812可以根据码分多址(cdma)、时分多址(tdma)、数字增强型无绳电信(dect)、演进数据优化(ev-do)及其衍生物、以及被指定为3g、4g、5g及更高版本的任何其他无线协议进行操作。在其他实施例中，通信芯片1812可以根据其他无线协议进行操作。电气装置1800可以包括天线1822以促进无线通信和/或接收其他无线通信(例如am或fm无线电传输)。
106.在一些实施例中，通信芯片1812可以管理有线通信，例如电、光或任何其他合适的通信协议(例如，以太网)。如上所述，通信芯片1812可以包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片1812可以专用于诸如wi-fi或蓝牙的较短距离无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于诸如全球定位系统(gps)、edge、gprs、cdma、wimax、lte、ev-do或其他的较长距离无线通信。在一些实施例中，第一通信芯片1812可以专用于无线通信，并且第二通信芯片1812可以专用于有线通信。
107.电气装置1800可以包括电池/电源电路1814。电池/电源电路1814可以包括一个或多个能量存储装置(例如，电池或电容器)和/或用于将电气装置1800的部件耦合到与电气装置1800分开的能源(例如，ac线路功率)的电路。
108.电气装置1800可以包括显示装置1806(或对应的接口电路，如上所述)。显示装置1806可以包括任何视觉指示器，例如平视显示器、计算机监视器、投影仪、触摸屏显示器、液晶显示器(lcd)、发光二极管显示器或平板显示器。
109.电气装置1800可以包括音频输出装置1808(或对应的接口电路，如上所述)。音频
输出装置1808可以包括生成可听指示器的任何装置，例如扬声器、头戴式耳机或耳塞。
110.电气装置1800可以包括音频输入装置1824(或对应的接口电路，如上所述)。音频输入装置1824可以包括生成代表声音的信号的任何装置，例如麦克风、麦克风阵列或数字乐器(例如，具有乐器数字接口(midi)输出的乐器)。
111.电气装置1800可以包括gps装置1818(或对应的接口电路，如上所述)。gps装置1818可以与基于卫星的系统通信并且可以接收电气装置1800的位置，如本领域中已知的。
112.电气装置1800可以包括其他输出装置1810(或对应的接口电路，如上所述)。其他输出装置1810的示例可以包括音频编解码器、视频编解码器、打印机、用于向其他装置提供信息的有线或无线发射器、或附加存储装置。
113.电气装置1800可以包括其他输入装置1820(或对应的接口电路，如上所述)。其他输入装置1820的示例可以包括加速度计、陀螺仪、罗盘、图像捕获装置、键盘、诸如鼠标、手写笔、触摸板、条形码阅读器、快速响应(qr)代码阅读器的光标控制装置、任何传感器或射频识别(rfid)阅读器。
114.电气装置1800可以具有任何期望的形状因素，例如手持或移动电气装置(例如，手机、智能电话、移动互联网装置、音乐播放器、平板计算机、膝上型计算机、上网本计算机、超级本计算机、个人数字助理(pda)、超移动个人计算机等)、台式电气装置、服务器装置或其他联网计算部件、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、车辆控制单元、数码相机、数码录像机或可穿戴电气装置。在一些实施例中，电气装置1800可以是处理数据的任何其他电气装置。
115.以下段落提供了本文公开的实施例的各种示例。
116.示例1是一种微电子组件，包括：第一微电子部件；以及第二微电子部件，其中第二微电子部件的直接接合界面直接接合到第一微电子部件的直接接合界面；其中微电子组件包括电容器，电容器包括第一导电板和第二导电板，第一导电板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第二导电板在第二微电子部件的直接接合界面处。
117.示例2包括示例1的主题，并且进一步指定：第二导电板的占用区域在第一导电板的占用区域内。
118.示例3包括示例1的主题，并且进一步指定：第二导电板的占用区域不在第一导电板的占用区域内。
119.示例4包括示例1-3中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板具有环形部分。
120.示例5包括示例1-4中任一个的主题，并且进一步指定：第二导电板具有圆形部分。
121.示例6包括示例1-5中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板具有被成形为开口多边形的部分。
122.示例7包括示例1-6中任一个的主题，并且进一步指定：第二导电板具有多边形部分。
123.示例8包括示例1-7中任一个的主题，并且进一步指定：电容器是第一电容器，微电子组件包括第二电容器，第二电容器包括第二导电板和第三导电板，并且第三导电板在第一微电子部件的直接接合界面处。
124.示例9包括示例8的主题，并且进一步指定：第二导电板的占用区域在第一导电板的占用区域和第三导电板的占用区域之间。
125.示例10包括示例8-9中任一个的主题，并且进一步指定：在第一微电子部件的直接接合界面处的一组导电板包括第一导电板和第三导电板，并且该组导电板中的导电板被布置成环形形状。
126.示例11包括示例8-9中任一个的主题，并且进一步指定：在第一微电子部件的直接接合界面处的一组导电板包括第一导电板和第三导电板，并且该组导电板中的导电板被布置成开口多边形形状。
127.示例12包括示例8-11中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件包括第三电容器，第三电容器包括第一导电板和第四导电板，并且第四导电板在第二微电子部件的直接接合界面处。
128.示例13包括示例12的主题，并且进一步指定：第四导电板的占用区域在第一导电板的占用区域和第三导电板的占用区域之间。
129.示例14包括示例12-13中任一个的主题，并且进一步指定：在第二微电子部件的直接接合界面处的一组导电板包括第二导电板和第四导电板，并且该组导电板中的导电板被布置成规则阵列。
130.示例15包括示例1-14中任一个的主题，并且进一步指定：电容器是第一电容器，微电子组件包括第二电容器，第二电容器包括第三导电板和第四导电板，第三导电板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第四导电板在第二微电子部件的直接接合界面处。
131.示例16包括示例15的主题，并且进一步指定：第一电容器靠近第一微电子部件的拐角，并且第二电容器靠近第一微电子部件的相对拐角。
132.示例17包括示例1-16中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括铜。
133.示例18包括示例17的主题，并且进一步指定：第一导电板还包括锰和镍。
134.示例19包括示例1-18中任一个的主题，并进一步指定：第一导电板包括锰、钛、金、银、钯、镍、铝、钽或钴。
135.示例20包括示例19的主题，并且进一步指定：第一导电板包括钽和氮。
136.示例21包括示例19-20中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括钴和铁。
137.示例22包括示例1-21中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括体金属区和界面金属区，并且界面金属区的材料组成不同于体金属区的材料组成。
138.示例23包括示例1-22中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在直接接合界面处的电介质材料。
139.示例24包括示例23的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
140.示例25包括示例23-24中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
141.示例26包括示例23-25中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
142.示例27包括示例26的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
143.示例28包括示例27的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
144.示例29包括示例27-28中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
145.示例30包括示例23-29中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在第一导电板和电介质材料之间的衬层材料。
146.示例31包括示例30的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
147.示例32包括示例30-31中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
148.示例33包括示例1-32中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板与第二微电子部件的电介质材料接触。
149.示例34包括示例33的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
150.示例35包括示例33-34中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
151.示例36包括示例33-35中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
152.示例37包括示例36的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
153.示例38包括示例37的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
154.示例39包括示例37-38中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
155.示例40包括示例33-39中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括在第二导电板和电介质材料之间的衬层材料。
156.示例41包括示例40的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
157.示例42包括示例40-41中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
158.示例43包括示例1-42中任一个的主题，并进一步指定：第一微电子部件包括半导体管芯。
159.示例44包括示例1-43中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括半导体管芯。
160.示例45包括示例1-44中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括内插器。
161.示例46包括示例1-45中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括内插器。
162.示例47包括示例1-46中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括封装衬底。
163.示例48包括示例1-47中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括封装衬底。
164.示例49包括示例1-48中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括穿衬底过孔。
165.示例50包括示例1-49中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括穿衬底过孔。
166.示例51包括示例1-50中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件不包括晶体管或二极管。
167.示例52包括示例1-50中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括有源电路。
168.示例53包括示例52的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率输送电路。
169.示例54包括示例1-53中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件不包括晶体管或二极管。
170.示例55包括示例1-53中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括有源电路。
171.示例56包括示例55的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率输送电路。
172.示例57包括示例1-56中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括散热器。
173.示例58包括示例57的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括在第二微电子部件和散热器之间的热界面材料。
174.示例59包括示例1-58中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件包括耦合到电容器的控制电路。
175.示例60包括示例59的主题，并且进一步指定：控制电路被包括在第一微电子部件或第二微电子部件中。
176.示例61包括示例59-60中任一个的主题，并且进一步指定：控制电路用于测量电容器的电容。
177.示例62是一种微电子组件，包括：第一微电子部件；以及第二微电子部件，其中第二微电子部件的直接接合界面直接接合到第一微电子部件的直接接合界面；其中微电子组件包括电阻器，电阻器包括第一导电板和第二导电板，第一导电板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第二导电板在第二微电子部件的直接接合界面处。
178.示例63包括示例62的主题，并且进一步指定：第二导电板的占用区域在第一导电板的占用区域内。
179.示例64包括示例62的主题，并且进一步指定：第二导电板的占用区域不在第一导电板的占用区域内。
180.示例65包括示例62-64中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括第一多个指状物，第二导电板包括第二多个指状物，并且第一多个指状物的占用区域与第二多个指状物的占用区域交叉。
181.示例66包括示例62-65中任一个的主题，并且进一步指定：电阻器是第一电阻器，微电子组件包括第二电阻器，第二电阻器包括第三导电板和第四导电板，第三导电板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第四导电板在第二微电子部件的直接接合界面处。
182.示例67包括示例66的主题，并且进一步指定：第一电阻器靠近第一微电子部件的
拐角，并且第二电阻器靠近第一微电子部件的相对拐角。
183.示例68包括示例62-67中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括铜。
184.示例69包括示例68的主题，并且进一步指定：第一导电板还包括锰和镍。
185.示例70包括示例62-69中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括锰、钛、金、银、钯、镍、铝、钽或钴。
186.示例71包括示例70的主题，并且进一步指定：第一导电板包括钽和氮。
187.示例72包括示例70-71中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括钴和铁。
188.示例73包括示例62-72中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板包括体金属区和界面金属区，并且界面金属区的材料组成不同于体金属区的材料组成。
189.示例74包括示例62-73中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在直接接合界面处的电介质材料。
190.示例75包括示例74的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
191.示例76包括示例74-75中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
192.示例77包括示例74-76中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
193.示例78包括示例77的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
194.示例79包括示例78的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
195.示例80包括示例78-79中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
196.示例81包括示例74-80中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在第一导电板和电介质材料之间的衬层材料。
197.示例82包括示例81的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
198.示例83包括示例81-82中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
199.示例84包括示例62-83中任一个的主题，并且进一步指定：第一导电板与第二微电子部件的电介质材料接触。
200.示例85包括示例84的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
201.示例86包括示例84-85中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
202.示例87包括示例84-86中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
203.示例88包括示例87的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
204.示例89包括示例88的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
205.示例90包括示例88-89中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
206.示例91包括示例84-90中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括在第二导电板和电介质材料之间的衬层材料。
207.示例92包括示例91的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
208.示例93包括示例91-92中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
209.示例94包括示例62-93中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括半导体管芯。
210.示例95包括示例62-94中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括半导体管芯。
211.示例96包括示例62-95中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括内插器。
212.示例97包括示例62-96中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括内插器。
213.示例98包括示例62-97中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括封装衬底。
214.示例99包括示例62-98中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括封装衬底。
215.示例100包括示例62-99中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括穿衬底过孔。
216.示例101包括示例62-100中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括穿衬底过孔。
217.示例102包括示例62-101中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件不包括晶体管或二极管。
218.示例103包括示例62-101中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括有源电路。
219.示例104包括示例103的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率输送电路。
220.示例105包括示例62-104中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件不包括晶体管或二极管。
221.示例106包括示例62-104中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括有源电路。
222.示例107包括示例106的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率输送电路。
223.示例108包括示例62-107中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括散热器。
224.示例109包括示例108的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括在第二微电子部件和散热器之间的热界面材料。
225.示例110包括示例62-109中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件包括耦合到电阻器的控制电路。
226.示例111包括示例110的主题，并且进一步指定：控制电路被包括在第一微电子部件或第二微电子部件中。
227.示例112包括示例110-111中任一个的主题，并且进一步指定：控制电路用于测量电阻器的电阻。
228.示例113是一种微电子组件，包括：第一微电子部件；以及第二微电子部件，其中第二微电子部件的直接接合界面直接接合到第一微电子部件的直接接合界面，其中微电子组件包括传感器，传感器包括第一传感器板和第二传感器板，第一传感器板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第二传感器板在第二微电子部件的直接接合界面处。
229.示例114包括示例113的主题，并且进一步指定：第二传感器板的占用区域在第一传感器板的占用区域内。
230.示例115包括示例113的主题，并且进一步指定：第二传感器板的占用区域不在第一传感器板的占用区域内。
231.示例116包括示例113-115中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板具有环形部分。
232.示例117包括任何示例113-116的示例，并且进一步指定：第二传感器板具有圆形部分。
233.示例118包括示例113-117中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板具有被成形为开口多边形的部分。
234.示例119包括示例113-118中任一个的主题，并且进一步指定：第二传感器板具有多边形部分。
235.示例120包括示例113-119中任一个的主题，并且进一步指定：传感器是第一传感器，微电子组件包括第二传感器，第二传感器包括第二传感器板和第三传感器板，并且第三传感器板在第一微电子部件的直接接合界面处。
236.示例121包括示例120的主题，并且进一步指定：第二传感器板的占用区域在第一传感器板的占用区域和第三传感器板的占用区域之间。
237.示例122包括示例120-121中任一个的主题，并且进一步指定：在第一微电子部件的直接接合界面处的一组传感器板包括第一传感器板和第三传感器板，并且该组传感器板中的板被布置成环形形状。
238.示例123包括示例120-121中任一个的主题，并且进一步指定：在第一微电子部件的直接接合界面处的一组传感器板包括第一传感器板和第三传感器板，并且该组传感器板中的板被布置成开口多边形形状。
239.示例124包括示例120-123中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件包括第三传感器，第三传感器包括第一传感器板和第四传感器板，并且第四传感器板在第二微电子部件的直接接合界面处。
240.示例125包括示例124的主题，并且进一步指定：第四传感器板的占用区域在第一传感器板的占用区域和第三传感器板的占用区域之间。
241.示例126包括示例124-125中任一个的主题，并且进一步指定：在第二微电子部件
的直接接合界面处的一组传感器板包括第二传感器板和第四传感器板，并且该组传感器板中的板被布置成规则阵列。
242.示例127包括示例113-126中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括第一多个指状物，第二传感器板包括第二多个指状物，并且第一多个指状物的占用区域与第二多个指状物的占用区域交叉。
243.示例128包括示例113-127中任一个的主题，并且进一步指定：传感器是第一传感器，微电子组件包括第二传感器，第二传感器包括第三传感器板和第四传感器板，第三传感器板在第一微电子部件的直接接合界面处，并且第四传感器板在第二微电子部件的直接接合界面处。
244.示例129包括示例128的主题，并且进一步指定：第一传感器靠近第一微电子部件的拐角，并且第二传感器靠近第一微电子部件的相对拐角。
245.示例130包括示例113-129中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括铜。
246.示例131包括示例130的主题，并且进一步指定：第一传感器板还包括锰和镍。
247.示例132包括示例113-131中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括锰、钛、金、银、钯、镍、铝、钽或钴。
248.示例133包括示例132的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括钽和氮。
249.示例134包括示例132-133中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括钴和铁。
250.示例135包括示例113-134中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板包括体金属区和界面金属区，并且界面金属区的材料组成不同于体金属区的材料组成。
251.示例136包括示例113-135中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在直接接合界面处的电介质材料。
252.示例137包括示例136的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
253.示例138包括示例136-137中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
254.示例139包括示例136-138中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
255.示例140包括示例139的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
256.示例141包括示例140的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
257.示例142包括示例140-141中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
258.示例143包括示例136-142中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括在第一传感器板和电介质材料之间的衬层材料。
259.示例144包括示例143的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
260.示例145包括示例143-144中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
261.示例146包括示例113-145中任一个的主题，并且进一步指定：第一传感器板与第二微电子部件的电介质材料接触。
262.示例147包括示例146的主题，并且进一步指定：电介质材料包括无机电介质材料。
263.示例148包括示例146-147中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括：硅和氧；硅和氮；硅、氧和氮；硅、碳和氮；或硅、氧、碳和氮。
264.示例149包括示例146-148中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括多种无机电介质材料。
265.示例150包括示例149的主题，并且进一步指定：电介质材料包括第一无机电介质材料和不同于第一无机电介质材料的第二无机电介质材料。
266.示例151包括示例150的主题，并且进一步指定：第一无机电介质材料包括硅和氧，并且第二无机电介质材料包括硅、氧、碳和氮。
267.示例152包括示例150-151中任一个的主题，并且进一步指定：电介质材料包括比第二无机电介质材料多的第一无机电介质材料。
268.示例153包括示例146-152中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括在第二传感器板和电介质材料之间的衬层材料。
269.示例154包括示例153的主题，并且进一步指定：衬层材料包括硅和氮。
270.示例155包括示例153-154中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括与其中的过孔相邻的衬层材料。
271.示例156包括示例113-155中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括半导体管芯。
272.示例157包括示例113-156中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括半导体管芯。
273.示例158包括示例113-157中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括内插器。
274.示例159包括示例113-158中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括内插器。
275.示例160包括示例113-159中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括封装衬底。
276.示例161包括示例113-160中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括封装衬底。
277.示例162包括主题示例113-161中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括穿衬底过孔。
278.示例163包括示例113-162中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括穿衬底过孔。
279.示例164包括示例113-163中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件不包括晶体管或二极管。
280.示例165包括示例113-163中任一个的主题，并且进一步指定：第一微电子部件包括有源电路。
281.示例166包括示例165的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率
输送电路。
282.示例167包括示例113-166中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件不包括晶体管或二极管。
283.示例168包括示例113-166中任一个的主题，并且进一步指定：第二微电子部件包括有源电路。
284.示例169包括示例168的主题，并且进一步指定：有源电路包括存储器电路或功率输送电路。
285.示例170包括示例113-169中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括散热器。
286.示例171包括示例170的主题，并且进一步指定：微电子组件还包括在第二微电子部件和散热器之间的热界面材料。
287.示例172包括示例113-171中任一个的主题，并且进一步指定：微电子组件包括耦合到传感器的控制电路。
288.示例173包括示例172的主题，并且进一步指定：控制电路被包括在第一微电子部件或第二微电子部件中。
289.示例174包括示例172-173中任一个的主题，并且进一步指定：控制电路用于测量传感器的电容。
290.示例175包括示例172-174中任一个的主题，并且进一步指定：控制电路用于测量传感器的电阻。
291.示例176是一种系统，包括：电路板；以及本文公开的任何微电子组件，其通信耦合到电路板。
292.示例177包括示例176的主题，并且进一步指定：电路板是母板。
293.示例178包括示例176-177中任一个的主题，并且进一步指定：该系统是手持计算系统。
294.示例179包括示例176-178中任一个的主题，并且进一步指定：该系统是可穿戴计算系统。
295.示例180包括示例176-177中任一个的主题，并且进一步指定：该系统是服务器计算系统。
296.示例181包括示例176-177中任一个的主题，并且进一步指定：该系统是车辆计算系统。
297.示例182包括示例176-181中任一个的主题，并且进一步指定：该系统还包括通信耦合到电路板的显示器。
298.示例183包括示例176-182中任一个的主题，并且进一步指定：该系统还包括通信耦合到电路板的无线通信装置。
299.示例184包括示例176-183中任一个的主题，并且进一步指定：该系统还包括围绕微电子组件和电路板的外壳。