偶极子对准装置、偶极子对准方法和显示装置制造方法与流程

1.公开涉及偶极子对准装置、偶极子对准方法和显示装置制造方法，特别地，涉及包括喷墨打印设备和光照射设备的偶极子对准装置以及使用该偶极子对准装置的偶极子对准方法和显示装置制造方法。


背景技术：

2.显示装置的重要性已经随着多媒体技术的发展而稳步地增加。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(oled)、液晶显示器(lcd)等的各种类型的显示装置。
3.显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板(诸如有机发光显示面板或液晶显示面板)。发光显示面板可以包括发光元件(例如，发光二极管(led))，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(oled)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。


技术实现要素：

4.技术问题
5.为了解决上述问题，公开的实施例提供了一种包括喷墨打印设备和光照射设备的偶极子对准装置。
6.应当注意的是，根据以下描述，公开的方面不限于此并且这里未提及的其他方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
7.技术方案
8.根据公开的实施例，偶极子对准装置包括：电场形成单元，包括台和探针单元，探针单元在台上形成电场；喷墨打印设备，包括将墨喷洒到台上的至少一个喷墨头，墨包括偶极子和使偶极子分散在其中的溶剂；运输单元，包括第一移动部件，第一移动部件使电场形成单元在至少一个方向上移动；以及光照射设备，包括光照射单元，光照射单元将光施加到喷洒到台上的墨。
9.光照射设备可以设置在喷墨打印设备与运输单元之间，并且在墨被喷洒到台上之后施加光。
10.电场形成单元可以在光施加到墨时在台上形成电场。
11.电场形成单元可以在光施加到墨的期间在台上形成电场。
12.光照射设备可以设置在喷墨打印设备中，并且在墨被喷洒到台上的期间将光施加到台上。
13.喷墨打印设备还可以包括在一个方向上移动的头基体，并且喷墨头可以设置在头基体中。
14.光照射设备还可以包括在一个方向上移动的第二移动部件，并且光照射单元可以设置在第二移动部件中。
15.运输单元可以包括设置在移动部件中的多个支撑件，并且电场形成单元可以在被
装载在支撑件上的期间移动。
16.光照射设备可以设置在运输单元中，并且在被装载在支撑件上的期间将光施加到电场形成单元的台上。
17.电场形成单元可以在光照射设备施加光的期间在台上形成电场。
18.偶极子对准装置还可以包括将热量施加到电场形成单元上的热处理设备，其中，光照射设备可以设置在运输单元与热处理设备之间。
19.光照射设备可以设置在热处理设备中，并且光照射设备可以在热处理设备将热量施加到台上的期间将光施加到台上。
20.电场形成单元可以在光照射设备施加光的期间在台上形成电场。
21.根据公开的实施例，偶极子对准方法包括：将墨喷洒到目标基底上，墨包括偶极子和使偶极子分散在其中的溶剂；将光施加到目标基底上并在目标基底上形成电场，以用电场将偶极子在目标基底上对准；以及去除溶剂并且将偶极子沉降在目标基底上。
22.将偶极子在目标基底上对准的步骤可以包括将偶极子对准为使得偶极子的定向方向通过电场对准。
23.可以在目标基底上形成电场的期间执行将光施加到目标基底上的步骤。
24.施加到目标基底上的光可以被施加到偶极子，并且偶极子的偶极矩可以增大。
25.将光施加到目标基底的步骤可以包括将光施加到限定在目标基底上的第一区域，并且将光施加到位于第一区域的一侧上的第二区域。
26.将偶极子沉降的步骤可以包括随着运输单元的使用而将目标基底移动到热处理设备，并且通过热处理设备将热量施加到目标基底上。
27.可以在运输单元移动目标基底之前执行将光施加到目标基底上的步骤，并且可以在运输单元转移目标基底的期间执行在目标基底上形成电场的步骤。
28.可以在运输单元转移目标基底的期间执行将光施加到目标基底上的步骤。
29.可以在热处理设备将热量施加到目标基底上之前执行将光施加到目标基底上的步骤，并且可以在热处理设备将热量施加到目标基底上的期间执行在目标基底上形成电场的步骤。
30.可以在热处理设备将热量施加到目标基底上的期间执行将光施加到目标基底上的步骤。
31.目标基底可以包括第一电极和第二电极，并且将偶极子沉降的步骤可以包括将偶极子沉降在第一电极和第二电极上。
32.可以使用喷墨打印设备来执行将墨喷洒到目标基底上的步骤。
33.根据公开的实施例，制造显示装置的方法包括：将墨喷洒到目标基底上，墨包括发光元件和使发光元件分散在其中的溶剂，第一电极和第二电极形成在目标基底处；将光施加到目标基底上，并且在第一电极和第二电极上形成电场；以及使发光元件沉降在第一电极和第二电极上。
34.施加到目标基底上的光可以被施加到发光元件上，并且发光元件的偶极矩增大。
35.第一电极和第二电极可以在第一方向上延伸，并且可以同时执行在第一电极和第二电极上形成电场的步骤和将光施加到目标基底上的步骤。
36.其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
37.有益效果
38.根据公开的实施例，提供了一种包括喷墨打印设备、电场形成单元和光照射设备的偶极子对准装置，其中，通过将光施加到喷洒到目标基底上的偶极子来改变偶极矩。当施加光时，偶极子的对准反应性可以改善，并且偶极子可以通过电场以高对准程度在目标基底上对准。
39.根据实施例的效果不受上面例示的内容限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
40.图1是根据公开的实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
41.图2是根据公开的实施例的喷墨打印设备的示意性平面图。
42.图3是示出根据公开的实施例的如何将墨从喷墨头喷射的示意图。
43.图4是示出根据公开的实施例的如何将墨喷洒到目标基底上的示意图。
44.图5是示出根据公开的实施例的喷墨头单元的操作的示意图。
45.图6是根据公开的实施例的电场形成单元的示意性平面图。
46.图7和图8是示出根据公开的实施例的电场形成单元的操作的示意图。
47.图9是示出根据公开的实施例的如何通过探针单元在目标基底上形成电场的示意图。
48.图10是示出根据公开的实施例的光照射设备的操作的示意性剖视图。
49.图11是示出根据公开的实施例的如何将光施加到偶极子的示意图。
50.图12是根据公开的实施例的运输单元的示意性平面图。
51.图13和图14是示出根据公开的实施例的运输单元的操作的示意图。
52.图15是根据公开的实施例的热处理设备的示意性前视图。
53.图16是示出根据公开的实施例的热处理设备的操作的示意图。
54.图17是根据公开的另一实施例的热处理设备的示意图。
55.图18是根据公开的另一实施例的热处理设备的示意图。
56.图19是示出根据公开的实施例的偶极子对准方法的流程图。
57.图20至图24是示出根据公开的实施例的如何使用偶极子对准装置来将偶极子对准的示意图。
58.图25和图26是根据其他实施例的偶极子对准装置的平面图。
59.图27是示出图26的偶极子对准装置的光照射设备的操作的示意图。
60.图28是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
61.图29和图30是示出图28的偶极子对准装置的喷墨打印设备和光照射设备的操作的示意图。
62.图31是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
63.图32是图31的偶极子对准装置的运输单元的示意性前视图。
64.图33是示出图31的偶极子对准装置的运输单元和光照射设备的操作的示意图。
65.图34是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
66.图35是示出图34的偶极子对准装置的光照射设备的操作的示意图。
67.图36和图37是根据其他实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
68.图38至图40是示出根据其他实施例的光照射设备的操作的示意图。
69.图41是根据公开的另一实施例的光照射设备的示意图。
70.图42是示出图41的光照射设备的操作的平面图。
71.图43是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
72.图44是根据公开的另一实施例的发光元件的示意图。
73.图45是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
74.图46是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
75.图47是沿着图46的线xa-xa'、线xb-xb'和线xc-xc'截取的剖视图。
具体实施方式
76.现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述发明。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的范围。
77.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
78.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件而不脱离发明的教导。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
79.在下文中，将参照附图描述实施例。
80.图1是根据公开的实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
81.参照图1，偶极子对准装置1000包括电场形成单元100、喷墨打印设备300、光照射设备500和运输单元700。偶极子对准装置1000还包括热处理设备900。
82.偶极子对准装置1000可以包括打印部分pa、运输部分ta和热处理部分ha。偶极子对准装置1000可以使用设置在打印部分pa中的喷墨打印设备300将(图3的)预定墨i喷洒到(图3的)目标基底上。其上喷洒有墨i的目标基底sub可以经由运输部分ta转移到热处理部分ha，包括在墨i中的诸如偶极子的颗粒可以在目标基底sub上对准。
83.目标基底sub可以设置在电场形成单元100上，电场形成单元100可以在目标基底sub上形成电场。电场可以传输到喷洒在目标基底sub上的墨i，包括在墨i中的诸如偶极子的颗粒可以通过电场在一个方向上对准。这里，包括在偶极子对准装置1000中的光照射设备500可以将光施加到墨i，并且因此可以改善颗粒与电场的对准反应性。
84.另外，图1限定了第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3。第一方向dr1和第二方向dr2可以定位在一个平面上并且可以是彼此正交的方向，第三方向dr3可以是与第一方向dr1和第二方向dr2垂直的方向。在图1中，第一方向dr1可以是宽度方向，第二方向dr2可以是长度方向，第三方向dr3可以是从上方到下方的方向。
85.图1示出了当从上方观看时偶极子对准装置1000的示意性平面图。图1是用于解释包括在偶极子对准装置1000中的元件的布局和操作的视图，但是偶极子对准装置1000的结
构和布局不限于图1。显然，偶极子对准装置1000可以包括比图1中所示的元件更多的元件，并且可以具有与图1中所示的结构不同的结构。在下文中将参照图1和其他附图详细描述偶极子对准装置1000的结构和操作。
86.图2是根据公开的实施例的喷墨打印设备的示意性平面图。图2是当在第三方向dr3上观看时(例如，当从上方观看时)喷墨打印设备300的平面图。
87.参照图2并进一步参照图1，偶极子对准装置1000的打印部分pa包括喷墨打印设备300和第一台sta1。
88.第一台sta1可以提供其中设置有电场形成单元100的区域。偶极子对准装置1000的打印部分pa包括在第一方向dr1上延伸的第一轨道rl1和第二轨道rl2，第一台sta1设置在第一轨道rl1和第二轨道rl2上。第一台sta1可以经由单独的移动构件在第一轨道rl1和第二轨道rl2上在第一方向dr1上移动。当第一台sta1移动时，电场形成单元100也可以在第一方向dr1上移动，结果，在电场形成单元100穿过喷墨打印设备300的期间，墨i可以被喷洒到电场形成单元100上。
89.喷墨打印设备300可以包括第一支撑件310和喷墨头单元330。喷墨打印设备300可以使用连接到单独的墨存储器的喷墨头单元330将墨i喷洒到设置在电场形成单元100上的目标基底sub上。
90.另外，在实施例中，墨i可以包括溶剂sv和包括在溶剂sv中的多个偶极子dp。在实施例中，墨i可以被设置为溶液或胶体。在一个示例中，溶剂sv可以是丙酮、水、醇、甲苯、丙二醇(pg)或丙二醇乙酸甲酯(pgma)，但公开不限于此。偶极子dp可以以分散的状态而被包括在溶剂sv中，并且可以被供应到喷墨打印设备300并从喷墨打印设备300喷射。
91.喷墨打印设备300的第一支撑件310可以在第二方向dr2上延伸，并且可以定位在第一轨道rl1和第二轨道rl2上方。尽管没有具体说明，但是第一支撑件310可以连接到支撑第一支撑件310的基体框架，第一台sta1可以在第一支撑件310下方穿过。图2示意性地示出了喷墨打印设备300的第一支撑件310的形状，但是第一支撑件310的形状不限于图2中所示的形状。第一支撑件310可以具有各种其他结构，或者还可以包括除了图2中所示的构件之外的其他构件。
92.喷墨头单元330可以设置在第一支撑件310中。喷墨头单元330可以连接到墨存储器，并且可以被提供有墨i。那么，喷墨头单元330可以经由稍后将描述的喷墨头335将墨喷洒到目标基底sub上。将喷墨头单元330设置在第一支撑件310中的方法没有特别限制。喷墨头单元330被示出为直接设置在第一支撑件310上，但是喷墨头单元330可以经由单独的构件结合到第一支撑件310或安装在第一支撑件310上。可选地，喷墨头单元330可以直接结合到第一支撑件310。
93.喷墨头单元330可以包括头基体331和喷墨头335，喷墨头335设置在头基体331的表面上并包括多个喷嘴nz。
94.喷墨头单元330的头基体331可以安装在第一支撑件310上。在一个示例中，头基体331可以在第二方向dr2上延伸。头基体331可以与穿过第一支撑件310下方的第一台sta1分开预定的距离。在一个实施例中，头基体331还可以包括移动构件，并且因此可以在第一支撑件310之上在一个方向上移动。
95.喷墨头335设置在头基体331的表面上，例如，在头基体331的在第三方向dr3上的
底表面上。多个喷墨头335可以在一个方向上以一行或更多行布置。喷墨头335被示出为以交错方式以两行布置，但是公开不限于此。喷墨头335可以不以交错方式而是以对齐方式以多于两行布置。喷墨头335的形状没有特别限制。在一个示例中，喷墨头335可以具有矩形形状。
96.至少一个喷墨头335(例如，两个喷墨头335)可以一起形成组，并且可以被设置为彼此相邻。然而，包括在一组中的喷墨头335的数量没有特别限制。在一个示例中，一个至五个喷墨头335可以包括在一组中。
97.此外，喷墨头单元330被示出为具有设置在其中的四个喷墨头335，但是喷墨头335的数量没有特别限制。在一个实施例中，包括在一个喷墨头单元330中的喷墨头335的数量可以是128至1800。
98.喷墨头335中的每个可以包括多个喷嘴，并且因此可以通过从头基体331接收墨i而将墨i喷洒到目标基底sub上。在喷墨头335中的每个的底表面处的喷嘴nz可以连接到对应的喷墨头335的内管ip。墨i可以从头基体331移动到喷墨头335中的每个，可以沿着喷墨头335中的每个的内管ip流动，然后可以通过喷墨头335中的每个的喷嘴nz而喷射。
99.图3是示出根据公开的实施例的如何将墨从喷墨头喷射的示意图。图4是示出根据公开的实施例的如何将墨喷洒到目标基底上的示意图。
100.参照图3和图4，喷墨头335可以包括墨i输送到其的内管ip和墨i经由其喷射的多个喷嘴nz，墨i可以通过喷嘴nz被喷射并且因此可以被喷洒到目标基底sub上。通过喷嘴nz喷洒的墨i的量可以根据施加到喷嘴nz中的每个的电压来控制。在一个实施例中，通过喷嘴nz中的每个一次喷射的墨的量可以是但不限于1皮升(pl)至50皮升(pl)。
101.从喷墨头335喷射的墨i可以包括多个偶极子dp和溶剂sv，偶极子dp可以与溶剂sv一起通过喷嘴nz被喷射。偶极子dp可以以分散在溶剂sv中的状态供应到喷墨头。图4示出了多个偶极子dp以随机定向方向分散在从喷墨头335喷射的墨i中。如稍后将描述的，偶极子dp可以在一个方向上延伸，并且可以通过由电场形成单元100形成的电场在特定方向上定向。偶极子dp可以通过电场以在一个方向上定向的状态沉降或定位在目标基底sub上。溶剂sv通过后续工艺蒸发，从而仅偶极子dp保留。稍后将对此进行描述。
102.在一个实施例中，喷墨头单元330可以在第一支撑件310之上在一个方向上(例如，在第二方向dr2上)移动。
103.图5是示出根据公开的实施例的喷墨头单元的操作的示意图。图5示出了当从前面观看时喷墨头单元330和设置在第一台sta1上的电场形成单元100。
104.参照图2和图5，喷墨头单元330可以在第一支撑件310延伸所沿的方向上(即，在第二方向dr2上)移动，并且可以将墨i喷洒到目标基底sub上。在一些实施例中，目标基底sub在第二方向dr2上的宽度可以比喷墨头单元330的宽度大。在这种情况下，喷墨头单元330可以在沿第二方向dr2移动的期间将墨i喷洒到目标基底sub的整个表面上。此外，多个目标基底sub可以设置在电场形成单元100上，喷墨头单元330可以在沿第二方向dr2移动的期间将墨喷洒到多个目标基底sub上。
105.然而，公开不限于此。可选地，喷墨头单元330可以定位在第一轨道rl1和第二轨道rl2的外侧上，然后可以在第二方向dr2上移动以喷洒墨i。在第一台sta1在第一方向dr1上移动以定位在第一支撑件310下方的情况下，喷墨头单元330可以在第一轨道rl1与第二轨
道rl2之间移动以喷洒墨i。喷墨头单元330的操作可以改变。在一个示例中，喷墨头单元330可以安装在第一支撑件310上，然后可以经由单独的移动构件在第二方向dr2上移动。在另一示例中，喷墨头单元330可以结合到形成在第一支撑件310中的凹槽中，并且可以执行上述操作。喷墨头单元330的操作不限于这些示例，并且将省略这些示例的详细描述。
106.在偶极子对准装置1000的打印部分pa中，电场形成单元100可以设置在第一台sta1上。电场形成单元100可以提供其中可以准备目标基底sub的空间，并且当墨i被喷洒到目标基底sub上时，电场形成单元100可以在目标基底sub上形成电场。由于电场，包括在墨i中的偶极子可以在一个方向上定向。
107.图6是根据公开的实施例的电场形成单元的示意性平面图。
108.参照图1和图6，电场形成单元100可以包括子台110、探针支撑件130、探针单元150和对准器180。
109.在打印部分pt中，电场形成单元100可以设置在第一台sta1上，并且可以通过第一台sta1在第一方向dr1上移动。准备有目标基底sub的电场形成单元100可以在沿着打印部分pa、运输部分ta和热处理部分ha移动的期间在目标基底sub上形成电场。
110.子台110可以提供其中可以设置有目标基底sub的空间。此外，探针支撑件130、探针单元150和对准器180可以设置在子台110上。子台110的形状没有特别限制。在一个示例中，如图6中所示，子台110可以具有矩形形状，矩形形状具有在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的两条边。子台110的平面形状可以根据目标基底sub的平面形状而改变。在一个示例中，如果目标基底sub具有矩形形状，则子台110也可以具有矩形形状。在另一示例中，如果目标基底sub具有圆形形状，则子台110也可以具有圆形形状。
111.一个或更多个对准器180可以设置在子台110上。对准器180可以设置在子台110的侧上，由对准器180围绕的区域可以是其中可以设置有目标基底sub的区域。图6示出了两个对准器180设置在子台110的侧中的每个上以彼此间隔开，总共八个对准器180设置在子台110上，但是公开不限于此。也就是说，对准器180的数量和布局可以根据目标基底sub的形状或类型而改变。
112.探针支撑件130和探针单元150设置在子台110上。探针支撑件130可以在子台110上提供其中可以设置有探针单元150的空间。具体地，探针支撑件130可以设置在子台110的一侧或更多侧上，并且可以与子台110的对应侧在相同的方向上延伸。在一个示例中，如图6中所示，探针支撑件130可以设置在子台110的左侧和右侧上以在第二方向dr2上延伸，但是公开不限于此。在另一示例中，可以设置多于两个的探针支撑件130，并且探针支撑件130也可以设置在子台110的上侧和下侧上。也就是说，探针支撑件130的结构可以根据包括在电场形成单元100中的探针单元150的数量或者布局和结构而改变。
113.探针单元150可以设置在探针支撑件130上，并且可以在准备于子台110上的目标基底sub上形成电场。探针单元150可以与探针支撑件130在相同的方向上(例如，在第二方向dr2上)延伸，并且探针单元150可以延伸足够长以覆盖整个目标基底sub。也就是说，探针支撑件130和探针单元150的尺寸和形状可以由目标基底sub确定。
114.在一个实施例中，探针单元150中的每个可以包括探针驱动器153、探针夹具151和探针垫(pad，或称为“焊盘”)158，探针驱动器153设置在探针支撑件130中的一个上，探针夹具151设置在探针驱动器153上以接收电信号，探针垫158连接到探针夹具151以向目标基底
sub传输电信号。
115.探针驱动器153可以设置在探针支撑件130中的一个上，并且可以移动探针夹具151和探针垫158。在一个实施例中，探针驱动器153可以在水平方向和竖直方向上(例如，在分别为水平方向和竖直方向的第二方向dr2和第三方向dr3上)移动探针夹具151。探针垫158可以通过探针驱动器153而驱动以连接到目标基底sub或从目标基底sub断开。在偶极子对准装置1000的操作期间，探针驱动器153可以在在目标基底sub上形成电场的步骤中被驱动以将探针垫158连接到目标基底sub，并且可以在其他步骤中再次被驱动以将探针垫158与目标基底sub断开。稍后将结合其他附图对此进行描述。
116.探针垫158可以用从探针夹具151传输到其的电信号在目标基底sub上形成电场。探针垫158可以连接到目标基底sub以传输电信号，从而在目标基底sub上形成电场。在一个示例中，探针垫158可以与目标基底sub的电极或电源垫接触，来自探针夹具151的电信号可以传输到电极或电源垫。传输到目标基底sub的电信号可以在目标基底sub上形成电场。
117.然而，公开不限于此。探针垫158可以是用于经由从探针夹具151传输到其的电信号形成电场的构件。也就是说，在探针垫158通过接收电信号而形成电场的情况下，探针垫158可以不连接到目标基底sub。
118.探针垫158的形状没有特别限制。在一个实施例中，探针垫158可以在一个方向上延伸以覆盖整个目标基底sub。
119.探针夹具151可以连接到探针垫158并连接到单独的电压施加装置。探针夹具151可以将从电压施加装置施加到其的电信号传输到探针垫158，并且因此可以在目标基底sub上形成电场。传输到探针夹具151的电信号可以是用于形成电场的电压(例如，交流电压)。
120.探针单元150中的每个可以包括多个探针夹具151，并且包括在探针单元150中的每个中的探针夹具151的数量没有特别限制。图6示出了三个探针夹具151和三个探针驱动器153设置在探针单元150中的每个中，但是探针单元150中的每个可以包括多于三个的探针夹具151和多于三个的探针驱动器153，并且因此可以能够在目标基底sub上形成具有更高密度的电场。
121.探针单元150不限于此。图6示出了探针单元150设置在探针支撑件130上(即，在电场形成单元100中)，但是在一些实施例中，探针单元150可以被设置为单独的装置。电场形成单元100的结构和布局没有特别限制，只要电场形成单元包括能够形成电场并且因此可以在目标基底sub上形成电场的装置即可。
122.图7和图8是示出根据公开的实施例的电场形成单元的操作的示意图。
123.如上面已经提及的，探针单元150中的每个的探针驱动器153可以根据偶极子对准装置1000的操作而被驱动。参照图7和图8，在电场形成单元100中未形成电场的第一状态下，探针单元150可以设置在探针支撑件130上并且可以与目标基底sub间隔开。探针单元150中的每个的探针驱动器153可以在作为水平方向的第二方向dr2和作为竖直方向的第三方向dr3上被驱动，以使探针垫158从目标基底sub分离。
124.此后，在电场形成在目标基底sub上的状态下，探针单元150中的每个的探针驱动器153可以被驱动以使探针垫158连接到目标基底sub。探针驱动器153可以在作为竖直方向的第三方向dr3和作为水平方向的第二方向dr2上被驱动，以将探针垫158放置为与目标基底sub接触。探针单元150中的每个的探针夹具151可以向探针垫158传输电信号，从而可以
在目标基底sub上形成电场。
125.图7和图8示出了两个探针单元150可以分别设置在电场形成单元100的任一侧上并且同时地连接到目标基底sub，但是公开不限于此。可选地，探针单元150可以被分开地驱动。在一个示例中，当在子台110上准备目标基底sub并且喷洒墨i时，任意的第一个探针单元150可以首先在目标基底sub上形成电场，并且第二个探针单元150可以不连接到目标基底sub。此后，第一个探针单元150可以从目标基底sub分离，并且第二个探针单元150可以连接到目标基底sub以形成电场。也就是说，多个探针单元150可以被同时地驱动以形成电场，或者可以被一个接一个地驱动以一个接一个地形成电场。
126.图9是示出根据公开的实施例的如何通过探针单元在目标基底上形成电场的示意图。
127.如上面已经提及的，电场可以形成在目标基底sub上，喷洒到目标基底sub上的墨i可以包括偶极子dp。偶极子dp可以通过形成在目标基底sub上的电场在一个方向上定向。
128.偶极子dp中的每个可以是在其第一端部处具有第一极性并且在其第二端部处具有与第一极性不同的第二极性的实体。在一个示例中，偶极子dp的第一端部可以具有正极性，偶极子dp的第二端部可以具有负极性。当放置在预定的电场中时，在其两个端部处具有不同极性的偶极子dp可以接收电力(即，吸引力或排斥力)，并且因此，可以控制偶极子dp的定向方向。
129.参照图9，墨i可以包括偶极子dp，并且可以从喷墨头335中的每个的喷嘴nz被喷射。从喷嘴nz喷射的墨i可以被喷洒到目标基底sub上。如果在目标基底sub上形成电场iel，则具有第一极性和第二极性的偶极子dp可以直到或者甚至在来自喷嘴nz的墨i沉降在目标基底sub上之后都持续接收电力。偶极子dp可以通过电力定向，偶极子dp的定向方向可以是例如由电场iel指向的方向。
130.图9示出了探针单元150在从喷嘴nz喷洒墨i时形成电场iel。因此，偶极子dp可以持续接收来自电场iel的力，直到墨i从喷嘴nz喷射并到达目标基底sub。然而，公开不限于此。可选地，探针单元150可以在墨i被喷洒到目标基底sub上之后形成电场iel。在这种情况下，偶极子dp可以以随机定向方向喷洒到目标基底sub上，并且稍后可以通过电场iel在喷洒的墨i内在一个方向上对准。
131.此外，图9示出了探针单元150在墨i被喷洒到目标基底sub上时在目标基底sub上形成电场，但是公开不限于此。可选地，在后续步骤中，在电场形成单元100移动到热处理设备900之后，探针单元150可以形成电场iel。也就是说，探针单元150可以在墨i被喷洒时或在墨i的溶剂sv被去除时形成电场。
132.另外，电场形成单元100在目标基底sub上形成电场iel的时间没有特别限制。在一些实施例中，如稍后将描述的，电场形成单元100可以在墨i从喷墨头单元330喷洒时或之后或者在由光照射设备500施加光时或之后形成电场iel。此外，电场形成单元100可以在被放置在除偶极子对准装置1000的打印部分之外的区域中时形成电场，并且稍后将对此进行描述。
133.尽管未具体示出，但是在一些实施例中，可以在子台110上进一步设置电场形成构件。电场形成构件可以在子台110上(即，在第三方向dr3上)在目标基底sub上形成电场。在一个实施例中，电场形成构件可以是天线单元或包括多个电极的装置。
134.喷洒到目标基底sub上的墨i包括偶极子dp，偶极子dp可以从由电场形成单元100形成的电场iel接收电力并且因此可以在一个方向上定向。在一些实施例中，偶极子dp可以包括具有高比重的半导体材料，并且墨i的溶剂sv可以是高粘度溶液，使得具有高比重的偶极子dp可以长时间分散。在这种情况下，即使电场形成单元100产生电场iel，偶极子dp可能也无法适当地定向。
135.为了改善偶极子dp通过电场iel定向的程度，偶极子对准装置1000可以包括照射光的光照射设备500。当在通过电场形成单元100形成电场iel之前将光施加到墨i时，偶极子dp的偶极矩增大，使得偶极子dp甚至从相同的电场iel也可以接收更强的力。也就是说，偶极子dp相对于电场iel的对准反应性可以增大。在下文中将参照其他附图描述光照射设备500。
136.图10是示出根据公开的实施例的光照射设备的操作的示意性剖视图。图10是当从前面观看时光照射设备500的示意性平面图。
137.偶极子对准装置1000可以包括光照射设备500。光照射设备500可以设置在打印部分pa中，在喷墨打印设备300与运输单元700之间，但是公开不限于此。光照射设备500可以定位在其他地方。稍后将参照其他附图描述光照射设备500的各种实施例。
138.光照射设备500可以包括第二支撑件510和光照射单元530。光照射设备500还可以包括感测单元590。
139.第二支撑件510可以在第二方向dr2上延伸，并且可以定位在打印部分pa的第一台sta1上方。尽管未具体示出，但是第二支撑件510可以连接到支撑第二支撑件510的基体框架，并且第一台sta1可以在第二支撑件510下方穿过。图10示意性地示出了光照射设备500的第二支撑件510的形状，但是光照射设备500的第二支撑件510的形状不限于图10中所示的形状。第二支撑件510可以具有各种其他结构，或者还可以包括除了图10中所示的构件之外的其他构件。
140.感测单元590可以设置在光照射设备500的第二支撑件510上，并且可以控制光照射单元530的位置。光照射设备500可以将光hv施加到电场形成单元100上，感测单元590可以感测光照射设备500的位置并且因此可以允许光照射设备500将光hv施加到精确的位置。然而，公开不限于此，可以不设置感测单元590。
141.光照射单元530可以设置在第二支撑件510上。光照射单元530可以将光hv施加到设置在第一台sta1上的电场形成单元100上。将光照射单元530设置在第二支撑件510上的方法没有特别限制。图10示出了光照射单元530直接设置在第二支撑件510上，但是可选地，光照射单元530可以经由单独的构件结合到第二支撑件510或安装在第二支撑件510上。还可选地，光照射单元530可以直接结合到第二支撑件510。
142.光照射单元530的类型没有特别限制。在一些实施例中，光照射单元530可以包括汞灯、fe基金属卤化物系列、ga基金属卤化物系列或半导体发光元件，但是公开不限于此。
143.光照射设备500可以通过将光hv施加到喷洒到目标基底sub上的墨i来改善偶极子dp相对于电场iel的对准反应性。偶极子dp可以包括具有第一极性的第一端部和具有第二极性的第二端部，并且因此可以具有偶极矩。具有偶极矩的偶极子dp可以从由电场形成单元100形成的电场iel接收预定的电力，并且因此可以在一个方向上定向。这里，当光照射设备500施加光hv时，部分极性可以进一步形成在偶极子dp中，使得偶极子dp的偶极矩可以进
一步增大，来自电场iel的电力可以进一步变得更强。因此，分散在墨i中的偶极子dp的对准反应性可以增大，偶极子dp可以在目标基底sub上以高对准程度定向。
144.图11是示出根据公开的实施例的如何将光施加到偶极子的示意图。
145.参照图11，偶极子dp被喷洒到在电场形成单元100上准备的目标基底sub上，光照射设备500可以将光hv施加到喷洒到目标基底sub上的墨i。这里，光hv施加到其的第一区域aa1和光hv未施加到其的第二区域aa2可以限定在目标基底sub上，并且在分散在墨i中的偶极子dp中可以存在第一偶极子dp1和第二偶极子dp2，第一偶极子dp1位于第一区域aa1中并因此被光hv照射，第二偶极子dp2位于第二区域aa2中并因此未被光hv照射。
146.被光hv照射的第一偶极子dp1的偶极矩可以变得比未被光hv照射的第二偶极子dp2的偶极矩大。在偶极子dp中并因此具有极性的电子可以对由光照射设备500施加的光hv作出反应，偶极子dp的第一极性与第二极性之间的偶极矩可以进一步增大。由于偶极子dp具有大的偶极矩，所以偶极子dp可以从相同的电场iel接收更强的电力，偶极子dp在目标基底sub上的对准程度可以更均匀。
147.如图11中所示，喷洒到目标基底sub上的偶极子dp可以接收来自电场的力，并且因此可以在特定方向上定向。这里，被光hv照射的第一偶极子dp1可以接收第一力fa并且因此可以在一个方向上定向，第二偶极子dp2可以接收第二力fb并且因此可以在一个方向上定向。由于第一偶极子dp1的偶极矩比第二偶极子dp2的偶极矩大，所以第一力fa可以比第二力fb强。偶极子dp可以通过接收第一力fa和第二力fb而从它们的初始位置(如由虚线标记的)在一个方向上旋转或移动。由于通过第二力fb定向的第二偶极子dp2接收相对弱的力，所以第二偶极子dp2可以旋转或移动相对小的宽度或者可以不均匀地或不充分地定向。相反，由于通过第一力fa定向的第一偶极子dp1接收相对强的力，所以第一偶极子dp1可以旋转或移动相对大的宽度或者可以相对均匀地定向。偶极子对准装置1000包括在电场形成单元100形成电场iel时将光hv施加到偶极子dp的光照射设备500，并且因此可以改善偶极子dp的对准程度和定向程度。如稍后将描述的，可以在包括偶极子dp的(图45的)显示装置1的制造期间改善偶极子dp的对准程度。
148.另外，在一些实施例中，由光照射设备500施加的光hv的中心波长范围没有特别限制。光hv可以根据偶极子dp的类型而改变。如稍后将描述的，偶极子dp可以是包括半导体材料的发光元件30(见图43)，并且由光照射设备500施加的光hv的中心波长范围可以根据包括在发光元件30中的活性层33(见图43)而改变。在一个实施例中，在从发光元件30的活性层33发射的光具有第一波长范围的情况下，由光照射设备500施加的光hv的中心波长范围可以是第一波长范围。在一个示例中，在发光元件30的活性层33发射具有约450nm的波长范围的蓝光的情况下，由光照射设备500施加的光hv可以具有约450nm的波长范围。类似地，在发光元件30的活性层33发射具有约550nm的波长范围的绿光的情况下，由光照射设备500施加的光hv可以具有约550nm的波长范围，而在发光元件30的活性层33发射具有约780nm的波长范围的红光的情况下，由光照射设备500施加的光hv可以具有约780nm的波长范围。然而，公开不限于该示例。
149.一旦墨i被喷洒到目标基底sub上，电场形成单元100就可以移动到偶极子对准装置1000的运输部分ta。运输部分ta可以包括运输单元700，并且因此可以能够将电场形成单元100转移到诸如热处理部分ha的其他区域。
150.图12是根据公开的实施例的运输单元的示意性平面图。图12是当在第三方向dr3上观看时(例如，当从上方观看时)运输单元700的俯视图。
151.参照图12并进一步参照图1，偶极子对准装置1000的运输部分ta包括运输单元700。
152.运输单元700可以将电场形成单元100从偶极子对准装置1000的打印部分pa转移到热处理部分ha。尽管未具体示出，但是偶极子对准装置1000可以将电场形成单元100转移到除了热处理部分ha之外的区域(诸如与运输部分ta相邻的区域)，但是公开不限于此。一旦偶极子dp在已经穿过热处理部分ha的目标基底sub上对准，运输单元700就可以将目标基底sub转移到另一区域。
153.运输单元700包括第一移动部件710、第二主体720以及多个支撑件760和770。偶极子对准装置1000的运输部分ta包括在第一方向dr1上延伸的第三轨道rl3和第四轨道rl4，运输单元700设置在第三轨道rl3和第四轨道rl4上。运输单元700可以经由单独的移动构件在第三轨道rl3和第四轨道rl4上在第一方向dr1上移动。当运输单元700移动时，电场形成单元100可以在第一方向dr1上移动，并且因此可以放置在热处理部分ha中。
154.运输单元700的第一移动部件710可以定位在第三轨道rl3和第四轨道rl4上。尽管未具体示出，但是第一移动部件710可以经由移动构件在第三轨道rl3和第四轨道rl4上在第一方向dr1或第二方向dr2上移动。运输单元700的第一移动部件710可以包括能够在一个方向上旋转的驱动器。如图12中所示，运输单元700的支撑件760和770可以朝向第一方向dr1上的一侧(例如，打印部分pa所在的区域)定向。由于运输单元700的第一移动部件710包括驱动器并且因此能够在一个方向上旋转，因此支撑件760和770可以被定位为在第二方向dr2上定向或朝向第一方向dr1上的另一侧(即，热处理部分ha)定向。如稍后将描述的，放置在支撑件760和770上的电场形成单元100可以经由运输单元700移动到另一区域。
155.第一移动部件710可以具有一形状，该形状具有在第二方向dr2上延伸的长边和在第一方向dr1上延伸的短边，但是公开不限于此。图12示意性地示出了运输单元700的第一移动部件710的形状。然而，第一移动部件710可以具有各种其他结构，或者还可以包括除了图12中所示的构件之外的其他构件。
156.运输单元700的第二主体720可以设置在第一移动部件710中。将第二主体720设置在第一移动部件710中的方法没有特别限制。图12示出了第二主体720直接设置在第一移动部件710上，但是可选地，第二主体720可以经由单独的构件结合到第一移动部件710或安装在第一移动部件710上。还可选地，第二主体720可以直接结合到第一移动部件710。
157.运输单元700可以包括设置在第二主体720中的支撑件760和770。支撑件760和770包括彼此间隔开并在一个方向上延伸的第一支撑件760和第二支撑件770。第一支撑件760和第二支撑件770可以支撑电场形成单元100以将电场形成单元100从打印部分pa转移到另一区域。电场形成单元100可以设置在运输单元700的第一支撑件760和第二支撑件770上，并且因此可以是可移动的。
158.图13和图14是示出根据公开的实施例的运输单元的操作的示意图。
159.在下文中将参照图13和图14描述运输单元700的操作。首先参照图13，设置在第一台sta1上的电场形成单元100被放置在运输单元700的第一支撑件760和第二支撑件770上。第一台sta1可以包括多个顶杆p，顶杆p可以从第一台sta1的顶表面突出以抬升电场形成单
元100。当顶杆p突起时，电场形成单元100可以与第一台sta1的顶表面间隔开，并且空间可以形成在电场形成单元100与第一台sta1的顶表面之间。
160.此后，运输单元700的第一移动部件710移动，并且第一支撑件760和第二支撑件770插入第一台sta1的顶表面与电场形成单元100的底表面之间。一旦第一支撑件760和第二支撑件770插入由顶杆p形成的空间中，第二主体720或者第一支撑件760和第二支撑件770可以在第三方向dr3上移动，以进一步抬升电场形成单元100。作为运输单元700的操作的结果，电场形成单元100从第一台sta1分离并且被放置在第一支撑件760和第二支撑件770上。
161.此后，参照图14，运输单元700的第一移动部件710旋转，从而将电场形成单元100放置为面对热处理部分ha。运输单元700可以在第一方向dr1或第二方向dr2上移动或者在一个方向上旋转，并且因此可以能够将电场形成单元100和目标基底sub转移到期望的区域。
162.另外，图13示出了电场形成单元100的探针单元150与目标基底sub分离，并且没有在探针单元150上形成电场iel，但是公开不限于此。在一些实施例中，即使在电场形成单元100通过运输单元700从打印部分pa转移到另一区域时，电场形成单元100也可以在目标基底sub上形成电场，同时，光照射设备500可以在电场形成单元100被放置在除了打印部分pa之外的区域中(例如，在运输部分ta中)并被转移的期间将光hv施加到目标基底sub上。稍后将结合公开的其他实施例对此进行描述。
163.另外，偶极子对准装置1000可以蒸发喷洒到目标基底sub上的墨i。定外在运输单元700上的电场形成单元100可以被转移到偶极子对准装置1000的热处理部分ha。在下文中将详细描述设置在偶极子对准装置1000的热处理部分ha中的热处理设备900。
164.图15是根据公开的实施例的热处理设备的示意性前视图。图15是当在第一方向dr1上观看时(例如，当从前面观看时)热处理设备900的前视图。
165.参照图1和图15，偶极子对准装置1000的热处理部分ha包括热处理设备900和第二台sta2。
166.第二台sta2可以提供其中设置有电场形成单元100的区域，目标基底sub准备在电场形成单元100上。尽管未具体示出，但是第二台sta2可以经由单独的移动构件在第一方向dr1上移动。当第二台sta2移动时，电场形成单元100也可以在第一方向dr1上移动并且可以穿过热处理设备900，从而可以干燥墨i。
167.热处理设备900可以包括第三支撑件910、第三主体930和热处理单元950。热处理单元950可以设置在安装在第三支撑件910上的第三主体930的底表面上。热处理装置900可以通过经由热处理单元950施加热量或红外光来从喷洒到目标基底sub上的墨i中去除溶剂sv。偶极子dp可以保留在已经穿过热处理设备900的目标基底sub上。
168.热处理设备900的第三支撑件910可以在第二方向dr2上延伸，并且可以设置在第二台sta2上方。尽管未具体示出，但是第三支撑件910可以连接到支撑第三支撑件910的基体框架，第二台sta2可以在第三支撑件910下方穿过。图15示意性地示出了热处理设备900的第三支撑件910的形状，但是第三支撑件910的形状不限于图15中所示的形状。第三支撑件910可以具有各种其他结构，或者还可以包括除了图15中所示的构件之外的其他构件。
169.第三主体930设置在第三支撑件910上。第三主体930可以在第二方向dr2上延伸，
并且可以提供其中可以设置热处理单元950的空间。第三主体930可以覆盖目标基底sub的一侧(例如，目标基底sub的在第二方向dr2上延伸的一侧)。也就是说，第三主体930在第二方向dr2上的长度可以至少比目标基底sub的在第二方向dr2上延伸的一侧在第二方向dr2上的长度大。因此，设置在第三主体930的底表面上的热处理单元950也可以在第二方向dr2上延伸，并且可以覆盖目标基底sub的整个侧。
170.热处理单元950可以设置在第三主体930的底表面上，并且可以与目标基底sub分开预定的距离。热处理单元950可以与目标基底sub间隔开，使得设置在目标基底sub上的构件不会被由热处理单元950施加的热量或红外光损坏。热处理单元950与目标基底sub之间的距离可以根据热处理单元950或第三主体930在第三方向dr3上的长度而改变。热处理单元950的类型没有特别限制。在一个示例中，热处理单元950可以是ir照射设备。在一个示例中，还可以在热处理单元950的底表面上设置屏蔽装置。屏蔽装置可以部分地阻挡由热处理单元950施加的热量或红外光，而不会损坏目标基底sub。
171.热处理单元950可以设置在第三主体930上。设置在第二台sta2上的电场形成单元100在热处理设备900的底表面下方在第一方向dr1上移动，热处理单元950可以在覆盖目标基底sub的在第二方向dr2上的整个长度的期间施加热量或红外光。
172.在一个实施例中，热处理装置900可以将热量或红外光施加到与热处理单元950叠置的区域，结果，可以在与热处理单元950叠置的区域中将溶剂sv从墨i中去除。也就是说，当电场形成单元100在一个方向上(例如，在第一方向dr1上)移动时，可以沿着电场形成单元100移动所沿的方向顺序地去除目标基底sub上的溶剂sv。
173.图16是示出根据公开的实施例的热处理设备的操作的示意图。
174.参照图16，热处理设备900可以将热量h施加到从热处理设备900下方与热处理单元950叠置的区域。如图16中所示，热量h仅施加到目标基底sub上的与热处理单元950叠置的区域。在与热处理单元950叠置的区域中，热量h可以同时地施加到喷洒在目标基底sub上的墨i中的一些。相反，热量h可以顺序地施加到在第一方向dr1上与热处理单元950分开并且因此不与热处理单元950叠置的墨i。当电场形成单元100在第一方向dr1上移动并穿过热处理装置900时，可以顺序地去除喷洒到目标基底sub上的墨i中的溶剂sv。如图16中所示，热量h可以在与热处理单元950叠置的区域中施加到目标基底sub上的溶剂sv，并且溶剂sv可以被去除，从而仅偶极子dp可以保留在已经穿过热处理单元950的(如由虚线标记的)区域中。
175.尽管未具体示出，但是在电场形成单元100中还可以包括用于感测和控制目标基底sub上的温度的控制装置。如果目标基底sub的温度由于通过热处理单元950施加的热量或红外光而升高超过特定水平，则目标基底sub可以被控制装置冷却。
176.另外，热处理装置900的结构不限于图15和图16中所示的结构。在一些实施例中，偶极子对准装置1000的热处理部分ha可以与热处理设备900的第三主体930形成密封空间，并且可以具有其中热处理单元950设置在由第三主体930形成的空间中的结构。
177.图17是根据公开的另一实施例的热处理设备的示意图。
178.参照图17的热处理设备900，第二台sta2可以设置在由第三主体930形成的空间中，热处理单元950可以设置在第三主体930的内侧上。如图17中所示，热处理单元950可以设置在第三主体930的上侧壁以及左侧壁和右侧壁上，但是公开不限于此。在这种情况下，
第二台sta2可以不在一个方向上移动，并且从运输单元700转移的电场形成单元100可以放置在第二台sta2上。热量可以通过热处理单元950施加到由第三主体930形成的空间，并且可以干燥目标基底sub上的墨。
179.此外，热处理设备900可以设置有能够在由第三主体930形成的空间中创造真空的泵。可以通过泵在由第三主体930形成的空间中创造真空，并且可以有效地干燥喷洒到目标基底sub上的墨i。此外，在墨i的干燥期间，可以防止杂质粘附到目标基底sub上。
180.另外，热处理单元950可以不必设置在第三主体930中。可选地，热处理单元950可以嵌入设置有电场形成单元100的第二台sta2中。
181.图18是根据公开的另一实施例的热处理设备的示意图。
182.参照图18，热处理单元950可以嵌入定位在偶极子对准装置1000的热处理部分ha中的第二台sta2中，第三主体930可以在第二台sta2上方形成密封空间。在这种情况下，目标基底sub可以从位于电场形成单元100下方的热处理单元950接收热量，并且墨i中的溶剂sv可以被去除。然而，公开不限于此，热处理设备900的结构和构造可以改变。
183.偶极子对准装置1000可以包括电场形成单元100、喷墨打印设备300、光照射设备500、运输单元700和热处理设备900，并且可以能够将偶极子dp在目标基底sub上在一个方向上定向。偶极子对准装置1000可以使用光照射设备500增大偶极子dp的偶极矩，并且可以改善偶极子dp与由电场形成单元100形成的电场iel的对准反应性。
184.因此，在使用偶极子对准装置1000制造显示装置期间，可以通过执行使用光照射设备500施加光的步骤来改善目标基底sub上的偶极子dp的对准程度。在下文中将详细描述使用偶极子对准装置1000对准偶极子dp的方法。
185.图19是示出根据公开的实施例的偶极子对准方法的流程图。图20至图24是示出根据公开的实施例的如何使用偶极子对准装置将偶极子对准的示意图。
186.参照图1以及图19至图24，偶极子(dp)对准方法可以包括以下步骤：将墨i喷洒在目标基底sub上，墨i包括其中分散有偶极子dp的溶剂sv(s100)；将光施加到目标基底sub并在目标基底sub上形成电场，以将偶极子dp在目标基底sub上对准(s200)；以及去除溶剂sv并允许偶极子dp沉降在目标基底sub上(s300)。
187.偶极子(dp)对准方法可以使用上面参照图1描述的偶极子对准装置1000，并且可以包括通过施加光来增大偶极子dp的偶极矩并形成电场iel的步骤。
188.首先参照图20，准备目标基底sub。在一个实施例中，可以在目标基底sub上设置第一电极21和第二电极22。图20示出了设置一对电极。然而，可选地，可以在目标基底sub上设置多对电极，并且多个喷墨头335可以以相同的方式将墨i喷洒到多对电极中的每对上。
189.此后，参照图21，将包括溶剂sv的墨i喷洒到目标基底sub上(s100)，溶剂sv使偶极子dp分散在其中。可以从喷墨打印设备300的喷墨头335喷射墨i，并且可以将墨i喷洒到设置在目标基底sub上的第一电极21和第二电极22上。这如上面已经描述的，因此将省略其详细描述。
190.此后，参照图22，将光hv施加到喷洒在目标基底sub上的墨i。当光照射设备500将光hv施加到墨i时，包括在偶极子dp中的电子可以对光hv作出反应，使得偶极子dp的偶极矩可以增大(见图22的dp')。具有增大的偶极矩的偶极子dp'从由电场形成单元100形成的电场iel接收的力可以在后续工艺中变得更强，并且偶极子dp'可以在第一电极21与第二电极
22之间对准。这里，光照射设备500可以将光hv施加到偶极子dp以增大偶极子dp的偶极矩。作为示例，图22示出了光照射设备500将光hv施加到目标基底sub上，但是公开不限于此。如上面已经描述的，在一些实施例中，光照射设备500可以将光hv施加到目标基底sub上，或者可以在墨i从喷墨头335喷射时施加光hv，但是公开不限于此。
191.此后，参照图23，通过在目标基底sub上形成电场iel来将偶极子dp对准(s200)。偶极子dp可以经由介电泳而放置在第一电极21与第二电极22之间。
192.具体地，电信号从探针单元150施加到第一电极21和第二电极22。探针单元150可以连接到设置在目标基底sub上的预定的垫(未示出)，并且可以向连接到垫的第一电极21和第二电极22施加电信号。在一个实施例中，电信号可以是交流电压，交流电压可以是
±
10v至
±
50v，或者可以具有10khz至1mhz的频率。当交流电压施加到第一电极21和第二电极22时，电场iel形成在第一电极21与第二电极22之间，并且来自电场iel的介电泳力可以作用于偶极子dp'。由于介电泳力，偶极子dp'可以在它们的定向方向和位置改变的情况下放置在第一电极21和第二电极22上。
193.在一些实施例中，电场形成单元100可以在光照射设备500施加光hv的期间在目标基底sub上形成电场iel。电场形成单元100可以移动到偶极子对准装置1000的打印部分pa、运输部分ta和热处理部分ha，并且光照射设备500可以设置在打印部分pa、运输部分ta和热处理部分ha中的一者中。如上面已经描述的，偶极子dp'的偶极矩通过来自光照射设备500的光hv而增大，结果，偶极子dp'可以从电场iel接收更强的力。因此，为了在目标基底sub上将偶极子适当地对准，电场形成单元100可以在光照射设备500施加光的期间形成电场iel，但是公开不限于此。可选地，如上面已经描述的，电场形成单元100可以在不施加光的期间形成电场iel。
194.此后，参照图24，去除喷洒到目标基底sub上的墨i中的溶剂sv(s300)。可以通过热处理设备900执行溶剂sv的去除，热处理设备900可以将热量h或红外光施加到目标基底sub上，并且可以使溶剂sv挥发或蒸发。热处理设备900施加热量h或红外光的方法是如上参照图16描述的。
195.当溶剂sv从喷洒在目标基底sub上的墨i中被去除时，可以防止偶极子dp的流动，并且可以改善相对于电极21和22的接合力。因此，可以在第一电极21和第二电极22上将偶极子dp对准。
196.以此方式，偶极子对准装置1000可以将偶极子dp在目标基底sub上对准。偶极子对准装置1000包括光照射设备500，因此可以改善偶极子dp的对准反应性。
197.在下文中将描述偶极子对准装置1000的各种实施例。
198.在一个实施例中，光照射设备500可以不必设置在偶极子对准装置1000的打印部分pa中，而可以设置在诸如运输部分ta或热处理部分ha的另一区域中。
199.图25和图26是根据其他实施例的偶极子对准装置的平面图。
200.参照图25的偶极子对准装置1000_1，光照射设备500_1可以设置在运输部分ta中。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_1设置在运输部分ta中。将在下文中描述该实施例，主要集中于与图1的实施例的差异。
201.在图25的偶极子对准装置1000_1中，光照射设备500_1可以设置在运输部分ta中，使得可以在电场形成单元100尚未放置在热处理设备900中之前将光hv施加到目标基底sub
上。当电场iel通过电场形成单元100的探针单元150形成在目标基底sub上时，光照射设备500的位置没有特别限制，只要光照射设备500可以在通过电场形成单元100形成电场iel之前或期间施加光hv即可。如果光照射设备500_1设置在运输部分ta中，则在打印部分pa中具有喷洒在其上的墨i的目标基底sub可以与电场形成单元100一起在经由运输单元700转移之后被光照射。光照射设备500_1被示出为设置在运输单元700与热处理设备900之间，但是公开不限于此。在一些实施例中，光照射设备500_1可以设置在运输单元700与喷墨打印设备300之间。
202.因此，在通过电场形成单元100形成电场iel之前或期间，光照射设备500_1可以在运输部分ta中将光hv施加到目标基底sub上。
203.此后，参照图26的偶极子对准装置1000_2，光照射设备500_2可以设置在热处理部分ha中。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_1设置在热处理部分ha中。将在下文中描述该实施例，主要集中于与图1的实施例的差异。
204.在图26的偶极子对准装置1000_2中，光照射设备500_2可以设置在热处理部分ha中，使得光hv在电场形成单元100设置在热处理设备900中或第二台sta2上时可以施加到目标基底sub。如果光照射设备500_2设置在热处理部分ha中，则光可以在电场形成单元100经由运输单元700转移到热处理部分ha之后施加。
205.图27是示出图26的偶极子对准装置的光照射设备的操作的示意图。图27示出了光照射设备500_2设置在热处理设备900_2中。
206.参照图27，光照射设备500_2可以设置在热处理设备900_2中，电场形成单元100可以在光照射设备500_2施加光hv的期间在目标基底sub上形成电场iel。尽管未具体示出，但是光照射设备500_2可以在热处理设备900_2将热量施加到目标基底sub上的期间将光施加到目标基底sub上。
207.在这种情况下，当光施加到喷洒到目标基底sub上的墨i中的偶极子dp时，偶极子dp的对准反应性可以改善，偶极子dp可以通过电场iel对准，同时，溶剂sv可以被去除。可选地，由于光照射设备500_2设置在热处理设备900_2中，所以电场iel可以在将光hv施加到目标基底sub上的期间形成，同时，溶剂sv可以被去除。结果，可以防止偶极子dp在去除溶剂sv时即使轻微地移动。
208.光照射设备500可以附着到喷墨打印设备300和运输单元700，并且因此可以能够在与喷墨打印设备300和运输单元700一起移动的期间将光施加到目标基底sub上。
209.图28是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。图29和图30是示出图28的偶极子对准装置的喷墨打印设备和光照射设备的操作的示意图。
210.参照图28至图30的偶极子对准装置1000_3，光照射设备500_3可以设置在喷墨打印设备300中。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_3设置在喷墨打印设备300中。将在下文中描述该实施例，主要集中于与图1的实施例的差异。
211.参照图28至图30，光照射设备500_3可以设置在喷墨打印设备300中并且可以在一个方向上移动。喷墨打印设备300的喷墨头单元330_3可以在一个方向上移动，并且可以在沿一个方向移动的期间将墨i喷洒到目标基底sub上。在此方面，光照射设备500_3可以与喷墨头单元330_3一起在一个方向上移动，并且可以在沿一个方向移动的期间将光hv施加到目标基底sub上。在一个实施例中，光照射设备500_3可以在墨i被喷洒到目标基底sub上的
期间将光hv施加到目标基底sub上。
212.喷墨头单元330_3或光照射设备500_3可以在沿第二方向dr2移动的期间将墨i喷洒到目标基底sub上或将光hv施加到目标基底sub上。尽管未具体示出，但是在一些实施例中，电场形成单元100可以在光被施加到墨i的期间在目标基底sub上形成电场。喷墨打印设备300和光照射设备500_3中的每个的其他特征与上面描述的相同，因此将省略其详细描述。
213.图31是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。图32是图31的偶极子对准装置的运输单元的示意性前视图。图33是示出图31的偶极子对准装置的运输单元和光照射设备的操作的示意图。
214.参照图31至图33的偶极子对准装置1000_4，光照射设备500_4可以设置在运输单元700中。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_4设置在运输单元700中。将在下文中描述该实施例，主要集中于与图1的实施例的差异。
215.参照图31至图33，光照射设备500_4可以设置在运输单元700中，并且可以在电场形成单元100放置在第一支撑件760和第二支撑件770上时将光hv施加到目标基底sub上。如图31至图33中所示，光照射设备500_4可以设置在运输单元700的第二主体720_4中，并且可以随着第一移动部件710_4移动而移动。光照射设备500_4可以设置在第二主体720_4的设置有多个支撑件760和770的表面上，并且可以将光hv施加到支撑件760和770上。当电场形成单元100从打印部分pa转移到运输部分ta时，电场形成单元100可以放置在第一支撑件760和第二支撑件770上，同时，光照射设备500_4可以将光hv施加到目标基底sub上。
216.在一些实施例中，光照射设备500_4可以将光hv施加到放置在支撑件760和770上的电场形成单元100上，电场形成单元100可以在光照射设备500_4施加光的期间在目标基底sub上形成电场iel。如图33中所示，当电场形成单元100在被装载在支撑件760和770上的期间移动时，光照射设备500_4或电场形成单元100可以将光hv施加到目标基底sub上或形成电场iel。运输单元700和光照射设备500_4中的每个的其他特征与上面描述的相同，因此将省略其详细描述。
217.另外，光照射设备500还可以包括单独的移动部件，并且因此可以能够在目标基底sub之上在一个方向上移动的期间施加光。
218.图34是根据公开的另一实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。图35是示出图34的偶极子对准装置的光照射设备的操作的示意图。
219.参照图34和图35，偶极子对准装置1000_6还可以包括使光照射设备500_5在一个方向上移动的第二移动部件，光照射单元530可以设置在第二移动部件中。尽管未具体示出，但是即使光照射设备500_5设置在另一构件(诸如以喷墨打印设备300的喷墨头单元330或者运输单元700的第一移动部件710或第二主体720为例)中，光照射设备500_5也可以由于单独的第二移动部件而在一个方向上移动。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_5包括单独的移动部件并且因此是可移动的。
220.如图35中所示，光照射设备500_5可以在一个方向上(例如，在第二方向dr2上)移动，并且可以将光hv施加到目标基底sub上。光照射设备500_5可以将光hv施加到目标基底sub上的一个区域，然后施加到在所述一个区域的一侧上的另一区域。电场形成单元100可以在光照射设备500_5施加光hv的期间在目标基底sub上形成电场iel。在这种情况下，如果
光照射设备500_5将光hv施加到所述一个区域，则分散在所述一个区域中的偶极子dp的对准反应性可以以高对准程度定向，如果光照射设备500_5将光hv施加到所述另一区域，则分散在所述另一区域中的偶极子dp的对准反应性可以以高对准程度定向。将省略对实施例的上面已经描述的特征或元件的描述。
221.图36和图37是根据其他实施例的偶极子对准装置的示意性平面图。
222.参照图36的偶极子对准装置1000_6，光照射设备500_6还可以包括在一个方向上移动的第二移动部件，光照射设备500_6可以设置在运输部分ta中。参照图37的偶极子对准装置1000_7，光照射设备500_7还可以包括在一个方向上移动的第二移动部件，光照射设备500_7可以设置在热处理部分ha中。图36和图37的实施例与图34的实施例的不同之处在于，光照射设备500_6和500_7分别设置在运输部分ta和热处理部分ha中。将省略图36和图37的实施例中的每个的上面已经描述的特征或元件的描述。
223.另外，光照射设备500不限于固定到任意构件。在一些实施例中，光照射设备500的结构可以改变。
224.图38至图40是示出根据其他实施例的光照射设备的操作的示意图。
225.首先参照图38，光照射设备500_8可以设置在基体框架上，并且可以在基体框架内在一个方向上移动。也就是说，光照射设备500_8可以在基体框架中具有滑动结构。
226.在一个示例中，在光照射设备500_8设置在打印部分中的情况下(如图1中所示)，光照射设备500_8可以位于基体框架内部，直到电场形成单元100到达设置有光照射设备500_8的区域。当第一台sta1移动时，墨i可以被喷洒到电场形成单元100上的目标基底sub上。然后，当电场形成单元100到达设置有光照射设备500_8的区域时，光照射设备500_8可以在一个方向上移动以从基体框架暴露，并且可以将光hv施加到电场形成单元100上的目标基底sub上。
227.参照图39，光照射设备500_9可以设置在基体框架中，并且可以在基体框架内围绕一个轴线旋转。也就是说，光照射设备500_9可以设置在具有折叠结构的基体框架中。图39的实施例与图38的实施例的不同之处在于，光照射设备500_9设置在折叠结构的基体框架中。将省略对实施例的上面已经描述的特征或元件的描述。
228.参照图40，光照射设备500_10可以设置在电场形成单元100下方。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_10定位在设置有第一台sta1的区域中。将省略对该实施例的上面已经描述的特征或元件的描述。
229.如图40中所示，光照射设备500_10可以设置在预先定位有打印部分pa的第一台sta1的区域中。光照射设备500_10可以包括移动构件(诸如第一台sta1)，并且因此可以在一个方向上移动，但是公开不限于此。光照射设备500_10可以设置在电场形成单元100_10下方，光照射设备500_10与定位有喷墨打印设备300_10的区域叠置。光照射设备500_10可以从电场形成单元100_10下方在向上方向上施加光hv。在一些实施例中，电场形成单元100_10的子台110_10可以由透明材料形成，由光照射设备500_10施加的光hv可以到达目标基底sub。
230.另外，光照射设备500可以包括第二移动部件，并且因此可以在第一方向dr1和第二方向dr2上移动。
231.图41是根据公开的另一实施例的光照射设备的示意图。图42是示出图41的光照射
设备的操作的平面图。
232.参照图41和图42，光照射设备500_11还可以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上可移动的第二移动部件520_11。当第二支撑件510_11连接到第二移动部件520_11时，光照射单元530_11可以根据第二移动部件520_11的移动在目标基底sub之上在第一方向dr1和第二方向dr2上移动。该实施例与图1的实施例的不同之处在于，光照射设备500_11还包括第二移动部件520_11。将在下文中描述该实施例，主要集中于与图1的实施例的差异。
233.如图41中所示，当光照射设备500_11包括第二移动部件520_11时，光照射设备500_11可以在目标基底sub之上在第一方向dr1和第二方向dr2上移动。在一些实施例中，如果目标基底sub的尺寸比光照射设备500_11的光照射单元530_11的尺寸大或者多个目标基底sub设置在电场形成单元100上，则光照射设备500_11可以在移动第二移动部件520_11的期间将光hv均匀地施加到目标基底sub的整个表面上。
234.此外，在一些实施例中，光照射设备500_11的光照射单元530_11可以设置在第二支撑件510_11的侧表面上，并且可以将光hv施加到光照射设备500_11下方的目标基底sub上。如图42中所示，当光照射设备500_11的光照射单元530_11设置在第二支撑件510_11的侧表面上时，目标基底sub可以被设置为与光照射单元530_11叠置。光照射设备500_11的第二支撑件510_11和第二移动部件520_11可以被设置为不与电场形成单元100叠置。第二移动部件520_11可以在第一方向dr1和第二方向dr2上移动，并且光照射单元530_11可以将光hv施加到目标基底sub的整个表面上。将省略对实施例的上面已经描述的特征或元件的描述。
235.另外，偶极子dp可以是包括导电半导体的发光元件。在一个实施例中，可以使用偶极子对准装置1000制造包括发光元件的显示装置。
236.图43是根据公开的实施例的发光元件的示意图。
237.发光元件30可以是发光二极管(led)，特别地，是具有几微米或几纳米的尺寸并且由无机材料形成的无机led(iled)。如果在两个相对电极之间的特定方向上形成电场，则iled可以在形成极性的两个电极之间对准。发光元件30可以通过在两个电极之间形成的电场对准。
238.发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件30可以具有棒、线或管的形状。在一个实施例中，发光元件30可以具有圆柱形形状或棒形状。然而，发光元件30的形状不特别限于此。可选地，发光元件30可以具有多棱柱的形状(诸如正方体、长方体或六棱柱)，或者可以具有在一个方向上延伸而外表面部分倾斜的形状。包括在发光元件30中的多个半导体可以在发光元件30延伸所沿的方向上顺序地设置或堆叠。
239.发光元件30可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号以发射特定波长范围的光。
240.参照图43，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层33、电极层37和绝缘膜38。
241.第一半导体层31可以包括例如具有第一导电类型的n型半导体。在一个示例中，在发光元件30发射蓝色波长范围的光的情况下，第一半导体层31可以包括半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x y≤1)。半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n可以是掺杂有n型掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层31
可以掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一导电类型的掺杂剂可以是例如si、ge或sn。在一个实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。第一半导体层31可以具有1.5μm至5μm的长度，但是公开不限于此。
242.第二半导体层32设置在活性层33上。第二半导体层32可以包括例如具有第二导电类型的p型半导体。在一个示例中，在发光元件30发射蓝色或绿色波长范围的光的情况下，第二半导体层32可以包括半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x y≤1)。在一个示例中，半导体材料al
x
gayin
1-x-y
n可以是掺杂有第二导电类型的掺杂剂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。在一个示例中，第二半导体层32可以掺杂有第二导电类型的掺杂剂，p型掺杂剂可以是例如mg、zn、ca、se或ba。在一个实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。第二半导体层32可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
243.图43示出了第一半导体层31和第二半导体层32形成为单层膜，但是公开不限于此。可选地，根据活性层33的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括多于一个的层(诸如以盖层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层为例)。稍后将参照其他附图对此进行描述。
244.活性层33设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层33可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。在活性层33包括具有多量子阱结构的材料的情况下，活性层33可以具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的结构。活性层33可以通过根据经由第一半导体层31和第二半导体层32施加到其的电信号使电子-空穴对结合来发射光。在一个示例中，在活性层33发射蓝色波长范围的光的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料。特别地，在活性层33具有其中多个量子层和多个阱层交替地堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的材料，阱层可以包括诸如gan或alinn的材料。在一个实施例中，在活性层33包括algainn作为其量子层和alinn作为其阱层的情况下，活性层33可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝光。
245.然而，公开不限于此。可选地，根据将要发射的光的波长，活性层33可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以包括iii族或v族半导体材料。由活性层33发射的光的类型没有特别限制。活性层33可以根据需要发射红色或绿色波长范围的光，而不是蓝光。活性层33可以具有0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
246.光不仅可以从发光元件30的在长度方向上的外周表面发射，而且可以从发光元件30的两侧发射。从活性层33发射的光的方向性没有特别限制。
247.电极层37可以是欧姆接触电极，但是公开不限于此。可选地，电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。图43示出了发光元件30包括一个电极层37，但是公开不限于此。可选地，发光元件30可以包括多于一个的电极层37，或者可以不设置电极层37。然而，发光元件30的以下描述也可以直接应用于具有多于一个的电极层37的发光元件30或与图43的发光元件30具有不同的结构的发光元件30。
248.在显示装置1中，当发光元件30电连接到电极(或接触电极)时，电极层37可以减小发光元件30与电极(或接触电极)之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。在一个示例中，电极层37可以包括al、ti、in、au、ag、ito、izo和itzo中的至少一种。此外，电极层37可以包
括掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料，但是公开不限于此。
249.绝缘膜38被设置为围绕第一半导体层31和第二半导体层32以及电极层37。在一个实施例中，绝缘膜38可以被设置为至少围绕活性层33，并且可以在发光元件30延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以保护第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37。在一个示例中，绝缘膜38可以被形成为围绕第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37的侧面，但是暴露发光元件30在长度方向上的两个端部。
250.图43示出了绝缘膜38被形成为在发光元件30的长度方向上延伸并覆盖第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37的侧面，但是公开不限于此。绝缘膜38可以覆盖仅活性层33以及第一半导体层31和第二半导体层32中的一些的侧面，或者可以覆盖电极层37的侧面的仅一部分，使得电极层37的侧面可以部分地暴露。绝缘膜38可以在与发光元件30的至少一端相邻的区域中形成为在剖视图中是圆的。
251.绝缘膜38可以具有10nm至1.0μm的厚度，但是公开不限于此。优选地，绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
252.绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料，诸如以sio
x
、sin
x
、sio
x
ny、aln或al2o3为例。因此，绝缘膜38可以防止当活性层33被放置为与向发光元件30直接传输电信号的电极直接接触时可能发生的任何短路。此外，由于绝缘膜38保护包括活性层33的发光元件30的外表面，因此可以防止发光元件30的发光效率的任何劣化。
253.在一些实施例中，绝缘膜38的外表面可以经受表面处理。在制造显示装置1期间，发光元件30可以在被分散在预定的墨中的期间被喷洒在电极上。这里，可以对绝缘膜38的表面进行疏水或亲水处理，以保持发光元件30在墨中分散而不与其他相邻的发光元件30聚集。
254.发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或者2μm至6μm的范围内，优选地在3μm至5μm的范围内。发光元件30可以具有30nm至700nm的直径，并且可以具有1.2至100的长宽比，但是公开不限于此。根据其各活性层33的组成，包括在显示装置1中的不同发光元件30可以具有不同的直径。优选地，发光元件30可以具有约500nm的直径。
255.发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以具有纳米棒、纳米线或纳米管形状。在一个实施例中，发光元件30可以具有圆柱形形状或棒形状。然而，发光元件30的形状没有特别限制，发光元件30可以具有诸如立方体、长方体或六棱柱的各种其他形状。
256.另外，发光元件30的结构不限于图43中所示的结构，发光元件30可以具有各种其他结构。
257.图44是根据公开的另一实施例的发光元件的示意图。
258.参照图44，发光元件30'可以在一个方向上延伸，并且可以部分地倾斜。也就是说，发光元件30'可以部分地具有圆锥形状。
259.在发光元件30'中，多个层可以形成为彼此围绕，而不是在一个方向上层叠。图44的发光元件30'可以形成为使得多个半导体层可以围绕另一层的外表面的至少部分。发光元件30可以包括在一个方向上延伸的半导体核芯和形成为围绕半导体核芯的绝缘膜38'。半导体核芯可以包括第一半导体层31'、活性层33'、第二半导体层32'和电极层37'。图44的发光元件30'除了其层的形状之外与图43的发光元件30相同。在下文中，将描述发光元件
30'，主要集中于与发光元件30的差异。
260.在一个实施例中，第一半导体层31'可以在一个方向上延伸，并且可以在其两端部处朝向发光元件30'的中心倾斜。图44的第一半导体层31'可以包括主体部以及上端部和下端部，主体部具有棒形状或圆柱形形状，上端部和下端部在主体部的顶部和底部处形成为倾斜的。上端部可以比下端部陡。
261.活性层33'被设置为围绕第一半导体层31'的主体部的外表面。活性层33'可以具有在一个方向上延伸的环形形状。活性层33'可以不形成在第一半导体层31'的上端部和下端部上。活性层33'可以仅形成在第一半导体层31'的非倾斜侧表面上，但是公开不限于此。因此，从活性层33'发射的光不仅可以通过发光元件30'的在长度方向上的两端部输出，而且可以通过发光元件30'的侧表面输出。图44的发光元件30'可以具有比图43的发光元件30宽的活性层33'，并且因此可以发射比图43的发光元件30大的光量。
262.第二半导体层32'被设置为围绕活性层33'的外表面和第一半导体层31'的上端部。第二半导体层32'可以包括主体部和上端部，主体部具有在一个方向上延伸的环形形状，上端部被形成为倾斜的。也就是说，第二半导体层32'可以与活性层33'的侧表面和第一半导体层31'的上端部直接接触。然而，第二半导体层32'可以不形成在第一半导体层31'的下端部上。
263.电极层37'被设置为围绕第二半导体层32'的外表面。也就是说，电极层37'的形状可以与第二半导体层32'基本上相同。换言之，电极层37'可以与第二半导体层32'的整个外表面接触。
264.绝缘膜38'可以被设置为围绕电极层37'和第一半导体层31'中的每个的外表面。绝缘膜38'不仅可以与电极层37'直接接触，而且可以与第一半导体层31'的下端部以及活性层33'和第二半导体层32'的暴露的下端部直接接触。
265.在一个实施例中，偶极子对准装置1000可以将图43的发光元件30或图44的发光元件30'分散在墨i中，并且可以将墨i喷洒或喷射到目标基底sub上，从而形成包括发光元件30的显示装置1。
266.图45是根据公开的实施例的显示装置的示意性平面图。
267.参照图45，显示装置1显示运动图像或静止图像。显示装置1可以指提供显示屏幕的几乎所有类型的电子装置。显示装置1的示例可以包括电视(tv)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(iot)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏控制台、数码相机、摄像机等。
268.显示装置1的形状可以改变。在一个示例中，显示装置1可以具有在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状、在竖直方向上比在水平方向上延伸得长的矩形形状、正方形形状、具有圆角的四角形状、非四角多边形形状或圆形形状。显示装置1的显示区域da的形状可以类似于显示装置1的形状。图45示出了显示装置1和显示区域da都具有在水平方向上延伸的矩形形状。
269.显示装置1可以包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以是其中显示有屏幕的区域，非显示区域nda可以是其中不显示屏幕的区域。显示区域da也可以被称为有效区域，非显示区域nda也可以被称为非有效区域。
270.显示区域da可以占据显示装置1的中间部分。显示区域da可以包括多个像素px。像素px可以在行方向和列方向上布置。像素px在平面图中可以具有矩形形状或正方形形状，但是公开不限于此。可选地，像素px可以具有菱形形状，菱形形状具有相对于特定方向倾斜的边。像素px中的每个可以包括发射特定波长范围的光的一个或更多个发光元件30，因此可以显示特定颜色。
271.图46是根据公开的实施例的显示装置的像素的平面图。
272.参照图46，像素px中的每个可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以发射第一颜色的光，第二子像素px2可以发射第二颜色的光，第三子像素px3可以发射第三颜色的光。第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是蓝色、绿色和红色，但是公开不限于此。可选地，子像素pxn可以全部发射相同颜色的光。图46示出了像素px可以包括三个子像素pxn，但是公开不限于此。可选地，像素px中的每个可以包括多于三个的子像素pxn。
273.显示装置1的子像素pxn中的每个可以包括被限定为发射区域ema的区域。第一子像素px1可以包括第一发射区域ema1，第二子像素px2可以包括第二发射区域ema2，第三子像素px3可以包括第三发射区域ema3。发射区域ema可以被限定为设置有显示装置的发光元件30并发射特定波长范围的光的区域。
274.尽管未具体示出，但是显示装置1的子像素pxn中的每个还可以包括被限定为发射区域ema之外的区域的非发射区域。非发射区域可以是不设置发光元件30使得由发光元件30发射的光不到达并因此不输出的区域。
275.显示装置1的像素pxn中的每个可以包括多个电极21和22、发光元件30、多个接触电极26、多个堤(图46和图47的41、42和43)以及一个或更多个绝缘层(图47的51、52和55)。
276.电极21和22可以电连接到发光元件30，并且可以接收预定的电压以引起发光元件30发射光。电极21和22中的至少一些可以用于在子像素pxn中的每个中形成电场。
277.电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。在一个实施例中，第一电极21可以是针对子像素pxn中的每个分开的像素电极，第二电极22可以是沿着子像素pxn中的每个公共连接的共电极。第一电极21和第二电极22中的一个可以是发光元件30的阳极电极，另一个电极可以是发光元件30的阴极电极。然而，公开不限于此。可选地，第一电极21和第二电极22中的一个可以是发光元件30的阴极电极，另一个电极可以是发光元件30的阳极电极。
278.第一电极21和第二电极22可以包括电极主干21s和22s以及电极分支21b和22b，电极主干21s和22s在第四方向dr4上延伸，电极分支21b和22b在与第四方向dr4交叉的第五方向dr5上延伸并且从电极主干21s和22s分支。
279.第一电极21可以包括第一电极主干21s以及一个或更多个第一电极分支21b，第一电极主干21s在第四方向dr4上延伸，一个或更多个第一电极分支21b从第一电极主干21s分支以在第五方向dr5上延伸。
280.任意像素的第一电极主干21s在任意像素的子像素pxn之间间隔开并终止，(例如，在第四方向dr4上)同一行中的一对相邻子像素的第一电极主干21s可以基本上落在同一直线上。由于子像素pxn的第一电极主干21s彼此间隔开，因此不同的电信号可以施加到子像素pxn的第一电极主干21s，并且子像素pxn的多组第一电极分支21b可以被分开地驱动。
281.第一电极21的第一电极分支21b可以从第一电极主干21s的至少一部分分支，可以在第五方向dr5上延伸，并且可以在与面对第一电极主干21s的第二电极主干22s间隔开的状态下终止。
282.第二电极22可以包括第二电极主干22s和第二电极分支22b，第二电极主干22s在第四方向dr4上延伸并且在第五方向dr5上与第一电极主干21s间隔开并面对第一电极主干21s，第二电极分支22b从第二电极主干22s分支并在第五方向dr5上延伸。第二电极主干22s的第二端部可以连接到在第四方向dr4上相邻子像素pxn的第二电极主干22s。也就是说，与第一电极主干21s不同，第二电极主干22s可以在第四方向dr4上延伸横跨子像素pxn中的每个。延伸横跨子像素pxn中的每个的第二电极主干22s可以连接到显示区域da的外部部分或非显示区域nda的在一个方向上延伸的部分。
283.第二电极分支22b可以与第一电极分支21b间隔开并面对第一电极分支21b，并且可以在与第一电极主干21s间隔开的状态下终止。第二电极分支22b可以连接到第二电极主干22s，第二电极分支22b的端部可以在与第一电极主干21s间隔开的状态下设置在对应的子像素pxn中。
284.第一电极21和第二电极22可以通过接触孔(例如，通过第一电极接触孔cntd和第二电极接触孔cnts)电连接到显示装置1的电路元件层(未示出)。图46示出了第一电极接触孔cntd形成在子像素pxn的第一电极主干21s中的每个中，而仅一个第二电极接触孔cnts形成在延伸横跨子像素pxn中的每个的第二电极主干22中，但是公开不限于此。可选地，第二电极接触孔cnts也可以形成在子像素pxn中的每个中。
285.堤41、42和43可以包括外堤43以及多个内堤41和42，外堤43沿着子像素pxn中的每个的边界设置，多个内堤41和42靠近子像素pxn中的每个的中心设置在电极21和22的下侧上。未示出内堤41和42，但是可以设置第一内堤41和第二内堤42，第一内堤41设置在第一电极分支21b下方，第二内堤42设置在第二电极分支22b下方。
286.外堤43可以沿着子像素pxn中的每个的边界设置。多个第一电极主干21s可以通过外堤43间隔开并终止。外堤43可以在第五方向dr5上延伸，并且可以沿着在第四方向dr4上布置的子像素pxn中的每个的边界布置，但是公开不限于此。此外，外堤43可以在第四方向dr4上延伸，并且可以沿着在第五方向dr5上布置的子像素pxn中的每个的边界布置。外堤43可以与内堤41和42包括相同的材料，并且可以通过单个工艺与内堤41和42同时形成。
287.发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30的第一端部可以电连接到第一电极21，发光元件30的第二端部可以电连接到第二电极22。发光元件30可以通过稍后将描述的接触电极26电连接到第一电极21和第二电极22。
288.发光元件30可以被设置为基本上彼此平行地彼此间隔开。发光元件30之间的距离没有特别限制。多个发光元件30可以彼此相邻地布置以形成组，多个其他发光元件30可以在彼此间隔开预定的距离的期间被分组并且可以在一个方向上以不均匀的密度定向和对准。此外，在一个实施例中，发光元件30可以在一个方向上延伸，并且电极(例如，第一电极分支21b和第二电极分支22b)延伸所沿的方向可以与发光元件30延伸所沿的方向形成基本上直角。然而，公开不限于此。可选地，发光元件30可以相对于发光元件30延伸所沿的方向不垂直地而是倾斜地布置。
289.发光元件30可以包括包含不同的材料的活性层33，并且因此可以发射不同波长范
围的光。在显示装置1中，第一子像素px1的发光元件30可以发射具有第一波长作为其中心波长范围的第一光l1，第二子像素px2的发光元件30可以发射具有第二波长作为其中心波长范围的第二光l2，第三子像素px3的发光元件30可以发射具有第三波长作为其中心波长范围的第三光l3。因此，第一子像素px1可以发射第一光l1，第二子像素px2可以发射第二光l2，第三子像素px3可以发射第三光l3。在一些实施例中，第一光l1可以是具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝光，第二光l2可以是具有495nm至570nm的中心波长范围的绿光，第三光l3可以是具有620nm至750nm的中心波长范围的红光。然而，公开不限于此。由光照射设备500施加的光hv可以根据由发光元件30发射的光的中心波长范围来控制。对此已经在上面进行了描述，因此，将省略其详细描述。
290.尽管在图46中未具体示出，但是显示装置1可以包括覆盖第一电极21和第二电极22的部分的第一绝缘层51。
291.第一绝缘层51可以设置在显示装置1的子像素pxn中的每个中。第一绝缘层51可以被设置为基本上覆盖子像素pxn的整个表面，并且可以被设置为甚至在每对相邻的子像素pxn之间延伸。第一绝缘层51可以被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的至少部分。尽管在图46中未具体示出，但是第一绝缘层51可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的部分，特别地，第一电极分支21和第二电极分支22b的部分。
292.接触电极26可以至少部分地在一个方向上延伸。接触电极26可以与发光元件30以及电极21和22接触，发光元件30可以通过接触电极26从第一电极21和第二电极22接收电信号。
293.接触电极26可以包括第一接触电极26a和第二接触电极26b。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以分别设置在第一电极分支21b和第二电极分支22b上。
294.第一接触电极26a可以设置在第一电极21或第一电极分支21b上以在第五方向dr5上延伸。第一接触电极26a可以与发光元件30的第一端部接触。此外，第一接触电极26a可以与第一电极21的由于其上不存在第一绝缘层51而暴露的部分接触。因此，发光元件30可以通过第一接触电极26a电连接到第一电极21。
295.第二接触电极26b可以设置在第二电极22或第二电极分支22b上，以在第五方向dr5上延伸。第二接触电极26b可以在第四方向dr4上与第一接触电极26a间隔开。第二接触电极26b可以与发光元件30的第二端部接触。此外，第二接触电极26b可以与第二电极22的由于其上不存在第一绝缘层51而暴露的部分接触。因此，发光元件30可以通过第二接触电极26b电连接到第二电极22。图46示出了两个第一接触电极26a和一个第二接触电极26b设置在子像素pxn中的每个中，但是公开不限于此。第一接触电极26a和第二接触电极26b的数量可以根据子像素pxn中的每个中的第一电极21和第二电极22的数量或者子像素pxn中的每个中的第一电极分支21b和第二电极分支22b的数量而改变。
296.在一些实施例中，第一接触电极26a和第二接触电极26b在一个方向上的宽度可以比第一电极分支21b和第二电极分支22b在一个方向上的宽度大，但公开不限于此。可选地，第一接触电极26a和第二接触电极26b可以被设置为仅覆盖第一电极分支21b和第二电极分支22b的侧部。
297.另外，除了第一绝缘层51之外，显示装置1还可以包括电路元件层pal以及(图47的)第二绝缘层52和(图47的)钝化层55，电路元件层pal定位在电极21和22下方，第二绝缘
层52和钝化层55被设置为覆盖电极21和22以及发光元件30的至少部分。在下文中将参照图47描述显示装置1的结构。
298.图47是沿着图46的线xa-xa'、线xb-xb'和线xc-xc'截取的剖视图。
299.图47示出了第一子像素px1的剖视图，其也可以直接应用于其他像素px或其他子像素pxn。图47示出了从设置在第一子像素px1中的发光元件30中的一个的一个端部到另一端部截取的剖视图。
300.另外，虽然在图47中未具体示出，但是显示装置1还可以包括定位在电极21和22下方的电路元件层。电路元件层可以包括多个半导体层和多个导电图案，并且因此可以包括至少一个晶体管和电源线，但是将省略其详细描述。
301.参照图47并进一步参照图46，显示装置1可以包括过孔层20以及设置在过孔层20上的电极21和22以及发光元件30。电路元件层(未示出)还可以设置在过孔层20下方。过孔层20可以包括有机绝缘材料，并且因此可以执行表面平坦化功能。
302.堤41、42和43、电极21和22以及发光元件30可以设置在过孔层20上。
303.堤41、42和43可以包括内堤41和42和外堤43，内堤41和42被设置为在子像素pxn中的每个中彼此间隔开，外堤43沿着每对相邻子像素pxn之间的边界设置。
304.外堤43可以在第五方向dr5上延伸，并且可以沿着在第四方向dr4上布置的子像素pxn中的每个的边界设置，但公开不限于此。此外，外堤43可以在第四方向dr4上延伸，并且可以沿着在第五方向dr5上布置的子像素pxn中的每个的边界布置。也就是说，外堤43可以限定子像素pxn中的每个的边界。
305.当在显示装置1的制造期间使用图1的偶极子对准装置1000喷洒墨时，外堤43可以防止具有分散在其中的发光元件30的墨溢出子像素pxn中的每个的边界。外堤43可以使具有用于不同子像素pxn的不同组的发光元件30的墨分开，使得墨可以不混合在一起，但是公开不限于此。
306.内堤41和42可以包括被设置为与子像素pxn中的每个的中心相邻的第一内堤41和第二内堤42。
307.第一内堤41和第二内堤42可以被设置为彼此间隔开并彼此面对。第一电极21可以设置在第一内堤41上，第二电极22可以设置在第二内堤42上。参照图46和图47，可以理解的是，第一电极分支21b和第二电极分支22b分别设置在第一内堤41和第二内堤42上。
308.第一内堤41和第二内堤42可以设置在子像素pxn中的每个中以在第五方向dr5上延伸，但公开不限于此。第一内堤41和第二内堤42可以设置在子像素pxn中的每个中，以在显示装置1的整个表面上形成图案。堤41、42和43可以包括聚酰亚胺(pi)，但是公开不限于此。
309.第一内堤41和第二内堤42可以从过孔层20至少部分地突出。第一内堤41和第二内堤42可以从设置有发光元件30的平面向上突出，第一内堤41和第二内堤42的突出部中的每个可以具有倾斜的侧表面。由于内堤41和42从过孔层20突出并且因此均具有倾斜的侧表面，因此由发光元件30发射的光可以被内堤41和42中的每个的倾斜的侧表面反射。如稍后将描述的，在设置在内堤41和42上的电极21和22包括具有高反射率的材料的情况下，由发光元件30发射的光可以被电极21和22反射，并且因此可以从过孔层20在向上方向上行进。
310.如上面已经提及的，堤41、42和43可以包括相同的材料，并且因此可以通过同一工
艺形成。外堤43可以沿着子像素pxn中的每个的边界设置以形成网格图案，但是内堤41和42可以设置在子像素pxn中的每个中以在一个方向上延伸。
311.电极21和22可以设置在过孔层20以及内堤41和42上。如上面已经提及的，电极21和22包括电极主干21s和22s以及电极分支21b和22b。
312.第一电极21和第二电极22的部分可以设置在过孔层20上，第一电极21和第二电极22的部分可以设置在第一内堤41和第二内堤42上。如上面已经描述的，第一电极21的第一电极主干21s和第二电极22的第二电极主干22s可以在第四方向dr4上延伸，第一内堤41和第二内堤42可以在第五方向dr5上延伸并且因此可以在第五方向dr5上设置在每对相邻子像素pxn中。
313.通过过孔层20暴露电路元件层的部分的第一电极接触孔cntd可以形成在第一电极21的第一电极主干21s中。第一电极21可以通过第一电极接触孔cntd电连接到电路元件层的晶体管。第一电极21可以从晶体管接收预定的电信号。
314.第二电极22的第二电极主干22s可以在一个方向上延伸，并且因此可以甚至设置在未设置发光元件30的非发射区域中。通过过孔层20暴露电路元件层的部分的第二电极接触孔cnts可以形成在第二电极主干22s中。第二电极22可以通过第二电极接触孔cnts电连接到电源电极。第二电极22可以从电源电极接收预定的电信号。
315.第一电极21和第二电极22的部分(例如，第一电极分支21b和第二电极分支22b)可以设置在第一内堤41和第二内堤42上。发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间的间隙中，即，设置在第一电极分支21b和第二电极分支22b彼此间隔开并彼此面对的间隙中。
316.电极21和22可以包括透明导电材料。在一个示例中，电极21和22可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)或氧化铟锡锌(itzo)的材料，但是公开不限于此。在一些实施例中，电极21和22可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22可以包括具有高反射率的材料，即，诸如银(ag)、铜(cu)或铝(al)的金属。在这种情况下，电极21和22可以反射其上的入射光，并且可以在子像素pxn中的每个的向上方向上发射光。
317.此外，电极21和22可以具有其中一层或更多层透明导电材料和具有高反射率的金属堆叠的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和金属的单层。在一个实施例中，电极21和22可以具有ito/ag/ito/izo的堆叠件，或者可以包括包含al、镍(ni)或镧(la)的合金，但是公开不限于此。
318.第一绝缘层51设置在过孔层20以及第一电极21和第二电极22上。第一绝缘层51被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的部分。第一绝缘层51可以被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的顶表面的大部分，并且可以暴露第一电极21和第二电极22的部分。第一绝缘层51可以被设置为暴露第一电极21和第二电极22的顶表面的部分，例如，第一电极分支21b的在第一内堤41上的顶表面和第二电极分支22b的在第二内堤42上的顶表面。也就是说，第一绝缘层51可以基本上形成在过孔层20的整个表面上，并且可以包括暴露第一电极21和第二电极22的部分的开口。
319.在一个实施例中，第一绝缘层51可以被形成为在第一电极21与第二电极22之间在其顶表面上部分地凹陷。在一些实施例中，第一绝缘层51可以包括无机绝缘材料，被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的第一绝缘层51的顶表面的部分可以由于由下面的构件形
成的台阶差而凹陷。在第一电极21与第二电极22之间设置在第一绝缘层51上的发光元件30可以在第一绝缘层51的顶表面的凹陷部分中形成空的空间。发光元件30可以被设置为与第一绝缘层51的顶表面部分地间隔开，所述空间可以填充有稍后将描述的第二绝缘层52的材料。然而，公开不限于此。可选地，第一绝缘层51可以形成平坦的顶表面，使得发光元件30可以设置在第一绝缘层51的顶表面上。
320.第一绝缘层51可以保护第一电极21和第二电极22并且同时使第一电极21和第二电极22绝缘。此外，第一绝缘层51可以防止设置在第一绝缘层51上的发光元件30与其他构件直接接触并因此被其他构件损坏。然而，第一绝缘层51的形状和结构没有特别限制。
321.发光元件30可以在电极21和22之间设置在第一绝缘层51上。在一个示例中，至少一个发光元件30可以在电极分支21b和22b之间设置在第一绝缘层51上，但是公开不限于此。尽管未具体示出，但是设置在子像素pxn中的每个中的发光元件30中的至少一些可以布置在除了电极分支21b和22b之间的区域之外的区域中。发光元件30可以设置在第一电极分支21b和第二电极分支22b的彼此面对的端部上，并且可以通过接触电极26电连接到电极21和22。
322.在发光元件30中的每个中，多个层可以在相对于过孔层20的水平方向上布置。显示装置1的发光元件30可以在一个方向上延伸，并且可以具有其中多个半导体层在一个方向上顺序地布置的结构。如上面已经提及的，在发光元件30中的每个中，第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37可以沿着一个方向顺序地布置，第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37的外表面可以被绝缘膜38围绕。设置在显示装置1中的发光元件30可以被布置为使得发光元件30延伸所沿的方向可以平行于过孔层20，包括在发光元件30中的每个中的多个半导体层可以在平行于过孔层20的顶表面的方向上顺序地布置。然而，公开不限于此。可选地，在发光元件30具有不同结构的情况下，多个层可以在与过孔层20垂直的方向上布置在发光元件30中的每个中。
323.发光元件30的第一端部可以与第一接触电极26a接触，发光元件30的第二端部可以与第二接触电极26b接触。在一个实施例中，由于绝缘膜38未形成在发光元件30中的每个的两个端表面上，使得发光元件30中的每个的两个端表面暴露，因此发光元件30可以在其两个暴露的端表面处与第一接触电极26a和第二接触电极26b接触。然而，公开不限于此。可选地，绝缘膜38的至少一部分可以被去除，使得发光元件30中的每个的两个端部的侧面可以被部分地暴露。
324.第二绝缘层52可以部分地设置在发光元件30上，发光元件30设置在第一电极21与第二电极22之间。第二绝缘层52可以被设置为围绕发光元件30的外表面的部分。在显示装置1的制造期间，第二绝缘层52可以保护发光元件30并且同时固定发光元件30。此外，在一个实施例中，第二绝缘层52的材料中的一些可以设置在发光元件30的底表面与第一绝缘层51之间。如上面已经提及的，在显示装置1的制造期间，第二绝缘层52可以被形成为填充形成在第一绝缘层51与发光元件30之间的间隙。因此，第二绝缘层52可以被形成为围绕发光元件30的外表面，但是公开不限于此。
325.第二绝缘层52可以被设置为在平面图中在第一电极分支21b与第二电极分支22b之间在第五方向dr5上延伸。在一个示例中，第二绝缘层52可以在平面图中在过孔层20之上具有岛形状或线型形状。在一个实施例中，第二绝缘层52可以设置在发光元件30上。
326.第一接触电极26a和第二接触电极26b可以设置在电极21和22以及第二绝缘层52上。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以设置在第二绝缘层52上以彼此间隔开。第二绝缘层52可以使第一接触电极26a和第二接触电极26b绝缘，使得第一接触电极26a和第二接触电极26b可以不彼此直接接触。
327.第一接触电极26a可以在第一内堤41上与第一电极21的暴露部分接触，第二接触电极26b可以在第二内堤42上与第二电极22的暴露部分接触。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以将从电极21和22传输到其的电信号输送到发光元件30。
328.接触电极26可以包括导电材料。例如，接触电极26可以包括ito、izo、itzo或al，但是公开不限于此。
329.钝化层55可以设置在接触电极26和第二绝缘层52上。钝化层55可以保护设置在过孔层20上的构件免受外部环境影响。
330.第一绝缘层51、第二绝缘层52和钝化层55中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在一个实施例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52和钝化层55可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)的无机绝缘材料。此外，第一绝缘层51、第二绝缘层52和钝化层55可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多(cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料，但公开不限于此。
331.在总结详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。