显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置，更具体而言，涉及可确认是否产生了微细裂纹的显示装置。


背景技术：

2.从使用玻璃基板而无法被弯曲的结构开始，逐渐以各种结构开发出了使用塑料基板而可被弯曲的显示装置。此外，虽然现有的显示装置具有矩形结构，但是目前开发并量产的显示装置其角部被进行倒角处理或者部分区域被弯曲或变形等，从而具有各种形态。


技术实现要素：

3.各实施例用于检测在显示装置中产生的微细裂纹并且不使微细裂纹传播到布线。
4.实施例涉及的显示装置具备包括非显示区域和显示区域的显示面板，所述显示区域包括：半导体层，形成在基板上；栅极绝缘膜，形成在所述半导体层上；栅极导电层，位于所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，位于所述栅极导电层上；以及数据导电层，位于所述层间绝缘膜上，所述非显示区域包括：焊盘部；以及无机膜去除部，至少一个无机膜被去除，在所述无机膜去除部内形成有电浮置的导电体图案。
5.可以是，所述无机膜去除部去除与位于所述显示区域且应阻断裂纹的信号线相接并且位于所述信号线上的无机膜。
6.可以是，所述信号线位于所述栅极导电层，所述无机膜去除部去除所述层间绝缘膜，所述导电体图案位于所述栅极导电层。
7.可以是，所述无机膜去除部去除与位于所述显示区域且应阻断裂纹的信号线的上方和下方相邻的无机膜。
8.可以是，所述信号线位于所述栅极导电层，所述无机膜去除部去除所述极绝缘膜和所述层间绝缘膜。
9.可以是，所述导电体图案由比所述半导体层更靠近所述基板的金属层形成。
10.可以是，在所述无机膜去除部的外侧还包括具有至少一个坝的坝区域，所述导电体图案在与所述坝区域的一边平行的方向上延伸。
11.可以是，所述导电体图案位于所述显示面板的角部部分。
12.可以是，在所述无机膜去除部形成有未去除无机膜的中间区域，在所述中间区域形成有附加金属图案。
13.可以是，所述导电体图案被有机膜覆盖。
14.实施例涉及的显示装置包括：显示面板，具有柔性特性，并且包括具有显示区域的主体部以及从所述主体部突出的连接部；集成电路芯片，附着于所述连接部；坝区域，沿着所述显示面板的外廓形成并且包括至少一个坝；无机膜去除部，位于所述坝区域的内侧并且去除一个无机膜；以及导电体图案，位于所述无机膜去除部内并且被电浮置。
15.可以是，所述显示装置还包括：布线区域，包括连接所述集成电路芯片与所述显示区域的信号线。
16.可以是，所述无机膜去除部去除与位于所述布线区域且应阻断裂纹的所述信号线相接并且位于所述信号线上的无机膜。
17.可以是，所述信号线位于栅极导电层，所述无机膜去除部去除覆盖所述信号线的层间绝缘膜，所述导电体图案位于所述栅极导电层。
18.可以是，所述无机膜去除部去除与位于所述布线区域且应阻断裂纹的所述信号线的上方和下方相邻的无机膜。
19.可以是，所述无机膜去除部去除位于所述信号线的下方的栅极绝缘膜和位于所述信号线的上方的层间绝缘膜。
20.可以是，所述导电体图案由比位于所述栅极绝缘膜的下部的半导体层更靠近基板的金属层形成。
21.可以是，在所述无机膜去除部的外侧还包括具有至少一个坝的坝区域，所述导电体图案在与所述坝区域的一边平行的方向上延伸。
22.可以是，在所述无机膜去除部形成有未去除无机膜的中间区域，在所述中间区域形成有附加金属图案。
23.可以是，所述导电体图案被有机膜覆盖。
24.(发明效果)
25.根据各实施例，在非显示区域形成无机膜被去除的无机膜去除部，并且在该无机膜去除部内形成金属图案，从而虽然是无机膜去除部，但也能检测微细裂纹朝向显示区域侧传播的情况。
26.在检查裂纹时，使用相机检查是否存在裂纹，但是通过相机可能无法很好地观察到1～2μm水平的微细裂纹，因此通过由金属形成导电体图案，可容易地发现微细裂纹。
27.此外，通过收集这种检测结果，在任意工序中均可确认是否产生了裂纹，并且通过改变相应工序可防止微细裂纹的产生。
附图说明
28.图1是一实施例涉及的显示装置的示意性平面图。
29.图2是一实施例涉及的显示装置的背面立体图。
30.图3是一实施例涉及的显示装置被弯曲之前的平面图。
31.图4是放大示出图3的连接部的图。
32.图5是放大示出图4的l区域的图。
33.图6是沿图5的vi-vi线截取的剖视图。
34.图7是又一实施例涉及的l区域的放大图。
35.图8是示出又一实施例涉及的可能产生微细裂纹的部分的图。
36.图9是又一实施例涉及的显示面板的一角部部分的放大图。
37.图10是又一实施例涉及的连接部的外廓的一部分的放大图。
38.图11是关于一实施例涉及的显示面板的一个像素px的电路图。
39.图12是一实施例涉及的有机发光显示面板的剖视图。
40.图13至图15是又一实施例涉及的无机膜去除部的剖视图。
41.符号说明：
42.1：显示装置；
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10：显示面板；
43.11：主体部；
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12：连接部；
44.20：印刷电路基板；
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25：信号传递部；
45.30：集成电路芯片；
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da：显示区域；
46.slr：布线区域；
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csr：无机膜去除部；
47.dr：坝区域；
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ipr：中间区域；
48.csp：csp1、csp2、csp3：导电体图案；
49.cd、cd1、cd2、cd3、cd4、cd5：裂纹传播方向；
50.ap：附加金属图案；
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sl：信号线；
51.ps：半导体层；
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px：像素；
52.110：基板；
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111：阻挡层；
53.112：缓冲层；
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126：维持线；
54.140、141、142：栅极绝缘膜；
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151、152、154：扫描线；
55.153：发光控制线；
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155：栅电极；
56.160：层间绝缘膜；
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131：初始化电压线；
57.171：数据线；
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172：驱动电压线；
58.180：有机膜；
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190：保护层；
59.195：覆盖膜；
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62、68：开口。
具体实施方式
60.以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的各实施例。
61.为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
62.此外，图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。另外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
63.此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间包括其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。另外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的下或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
64.此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
65.此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
66.参照附图，以发光显示装置为例说明实施例涉及的显示装置。
67.图1是一实施例涉及的显示装置的示意性平面图，图2是一实施例涉及的显示装置的背面立体图。
68.本实施例涉及的显示装置1包括显示面板10，显示面板10包括为了显示图像而具
有多个像素px的显示区域(display area)da以及包围显示区域da且不显示图像的非显示区域(non-display area)na。对于显示面板10而言，显示区域da和非显示区域na形成于如塑料或聚酰亚胺(pi)这样的具有柔性特性的基板。
69.在显示区域da可设置多个像素px，并且一个像素px可被划分为发光元件(也称为发光二极管)和向发光元件供给电流的像素电路部。
70.各个像素px连接到扫描线、数据线、驱动电压线等信号线，被施加栅极信号、数据电压、驱动电压等，从而像素电路部将电流传递到发光元件而使发光元件发射光。
71.在非显示区域na可延伸并配置有用于传递施加到多个像素px的各种信号和电压的信号线，并且根据实施例，还可设置有生成施加到像素px的信号的驱动部。驱动部可通过与像素px相同的工序形成或者可附着单独的集成电路(ic)芯片来形成。
72.具体地，形成在非显示区域na的驱动部可包括向数据线施加数据电压的数据驱动部(data driver)、向扫描线施加扫描信号的扫描驱动部(scan driver)以及控制数据驱动部和扫描驱动部的信号控制部(signal controller)。扫描驱动部可集成于显示面板10，并且可位于显示区域da的左右两侧或一侧。数据驱动部和信号控制部是集成电路芯片30，可形成在将柔性印刷电路基板20附着于显示面板10的一端的连接部12，并且数据驱动部和信号控制部可被弯曲而位于显示面板10的背面。集成电路芯片30是接收从外部施加的信号的传递并将其变更为适合于像素px的驱动信号而传递到像素px的驱动部。
73.参照图2，在显示装置1中，在与显示面板10的一端连接且朝向显示面板10的背面被弯曲的显示面板10的连接部12的一端，附着有柔性印刷电路基板20。柔性印刷电路基板20还可包括突出并与外部元件连接且传递外部信号的信号传递部25。
74.在显示装置1的背面可沿着外廓形成有双面胶(未图示)，并且可利用双面胶使显示装置1附着于电子设备的框体(未图示)并被固定。
75.以下，利用图3至图6，对显示面板10的连接部12被弯曲之前的结构进行观察。
76.图3是一实施例涉及的显示装置被弯曲之前的平面图，图4是放大示出图3的连接部的图，图5是放大示出图4的l区域的图，并且图6是示出沿图5的vi-vi线截取的剖视图。
77.参照图3，显示面板10包括位于前表面的主体部11以及从主体部11突出且附着有集成电路芯片30的连接部12。连接部12还包括多个信号线和多个焊盘，并且多个焊盘具有与柔性印刷电路基板20电连接的结构。连接部12被弯曲到主体部11的背面，因此从前表面是观察不到的。
78.在显示面板10的主体部11设置有包括多个像素px的显示区域da以及包围显示区域da且不显示图像的非显示区域na，并且非显示区域na也包括连接部12。虽然主体部11的非显示区域na沿着显示区域da的周边，但是连接部12形成为以比主体部11的宽度小的宽度突出的结构。
79.参照图4，在显示面板10的连接部12形成有连接多个像素px与集成电路芯片30的多个布线和多个焊盘。此外，根据实施例，可形成有能够在显示面板10的上部感测触摸的触摸传感器。在该情况下，在连接部12还可形成有连接集成电路芯片30与触摸传感器的布线。
80.此外，位于连接部12的多个焊盘与柔性印刷电路基板20的多个焊盘电连接，并且各向异性导电膜(acf)位于两个焊盘之间以电连接两个焊盘。
81.在形成于连接部12的布线的外侧，形成有去除了无机膜的无机膜去除部和坝区
域，对此将通过放大示出了图4的l区域的图5和图6来进行详细观察。
82.参照图5，在连接部12的两侧末端，从外侧开始设有坝区域dr和无机膜去除部csr，从而具有保护布线区域slr的结构。
83.布线区域slr可在形成显示区域da的像素px和位于像素px的上部的层(例如，封装层等)时一同被形成，因此可具有相同的层状结构。
84.坝区域dr是无机膜和有机膜被层叠而形成的结构，当形成将会形成在布线区域slr上的有机膜时，既执行防止构成有机膜的有机物质流失到外侧的作用，还执行保护布线区域slr免受外部的冲击等影响的作用。
85.坝区域dr的层状结构可包括布线区域slr和显示区域da的层状结构中除了导电层或半导体层以外的有机膜和无机膜的全部。根据实施例，可在去除有机膜或无机膜的一部分的同时形成坝区域dr。可包括位于坝区域dr的一个以上的坝，并且也可形成多个坝。
86.在坝区域dr的内侧且布线区域slr的外侧，设置有从坝区域dr的层状结构中去除了至少一部分无机膜的无机膜去除部csr。作为被去除的无机膜，可为栅极绝缘膜、层间绝缘膜、阻挡层、缓冲层等。在此，栅极绝缘膜可为后述的第一栅极绝缘膜141和/或第二栅极绝缘膜。
87.为了防止裂纹从外部传播到布线区域slr，基于坝区域dr的宽度形成无机膜去除部csr，或者以坝区域dr的宽度以上的宽度形成无机膜去除部csr。因为可判断从外部传播到布线区域slr的信号线的裂纹是经过了无机膜而不是有机膜，因此可具有从坝区域dr的层状结构中去除了至少一个无机膜的层状结构。
88.如果在布线区域slr的特定导电层的信号线产生了裂纹的情况下，用于防止裂纹的无机膜去除部csr可通过去除相应导电层的相邻的无机膜或者去除位于相应导电层的下部的无机膜来形成。这种无机膜去除部csr的结构没有使从外部接收裂纹的传播的无机膜连续形成至相应导电层，因此裂纹不会传播到布线区域slr，并且不会使相应导电层出现断线现象。
89.然而，即便是存在无机膜去除部csr，仍然会存在1～2μm程度的微细裂纹传播到布线区域slr的情况，尤其是随着分辨率变高，在布线的宽度减小的当前开发状况下，仅因微细裂纹也可能会产生布线出现断线现象等的不良。对此，有必要确认微细裂纹是否也会传播到布线区域slr。然而，迄今为止的方式存在难以确认大小仅为1～2μm的微细裂纹的缺点。
90.为了去除这种缺点，在无机膜去除部csr内进一步形成附加的导电体图案csp。导电体图案csp可位于与想要掌握是否产生了微细裂纹的导电层相同的层或者比其低的层。导电体图案csp可被电浮置，并且可具有岛型结构。
91.在图5中示出了裂纹传播的方向、即裂纹传播方向cd。裂纹从位于外部的坝区域dr传播到布线区域slr，并且裂纹在与无机膜去除部csr的延伸方向交叉或垂直的方向上传播。
92.此外，参照图5，在无机膜去除部csr内还可形成除了导电体图案csp以外的其他附加金属图案ap。这种附加金属图案ap可为对齐标记。
93.附加金属图案ap可在无机膜去除部csr内位于未去除无机膜的中间区域ipr内。即，与未被无机膜覆盖的导电体图案csp不同，附加金属图案ap可被至少一个无机膜覆盖。
此外，为了形成无机膜去除部csr，去除无机膜的同时一部分有机膜也会被一同去除，由此在导电体图案csp的上部，一部分有机膜也会被去除。然而，在附加金属图案ap上也形成有相应有机膜。附加金属图案ap的上部叠层关系对应于坝区域dr的叠层关系，导电体图案csp的上部叠层关系是未形成有无机膜，并且附加地，一部分有机膜也被去除。
94.在图6中更加详细地观察这种层状关系。
95.在图6示出了一实施例涉及的层状关系。
96.首先，观察布线区域slr的层状关系。
97.布线区域slr的层状关系可与显示区域da的层状关系相同，在塑料或聚酰亚胺(pi)等柔性基板110上设置有作为无机膜的栅极绝缘膜140，在栅极绝缘膜140上包括位于栅极导电层的信号线sl。在信号线sl上设置有作为无机膜的层间绝缘膜160，在层间绝缘膜160上形成有有机膜180。在有机膜180的上部可设置有由有机物质形成且覆盖整个区域的保护层190。在有机膜180与保护层190之间还可形成有各种有机膜或无机膜，作为一例，具有划分发光元件的像素定义膜或者保护发光元件免受水分或空气的影响且包含有机膜和无机膜的封装层等。在此，栅极绝缘膜140可包括后述的第一栅极绝缘膜141和/或第二栅极绝缘膜142，栅极导电层可包括后述的第一栅极导电层和/或第二栅极导电层。
98.坝区域dr可具有在布线区域slr的层状结构中除了导电层以外的相同的层状结构。
99.即，在塑料或聚酰亚胺(pi)等柔性基板110上设置有作为无机膜的栅极绝缘膜140，在栅极绝缘膜140上设置有作为无机膜的层间绝缘膜160，在层间绝缘膜160上形成有有机膜180，并且在有机膜180上设置有保护层190。
100.根据实施例，在有机膜180与保护层190之间也可设置有像素定义膜或者封装层中的一部分层。
101.坝区域dr的层状结构可与位于无机膜去除部csr内的中间区域ipr的层状结构相同。即，在中间区域ipr，在塑料或聚酰亚胺(pi)等柔性基板110上设置有作为无机膜的栅极绝缘膜140，在栅极绝缘膜140上包括附加金属图案ap。在附加金属图案ap上设置有作为无机膜的层间绝缘膜160，在层间绝缘膜160上形成有有机膜180，并且在有机膜180上设置有保护层190。
102.无机膜去除部csr的层状结构具有作为无机膜的层间绝缘膜160被去除的结构，并且具有去除层间绝缘膜160的同时位于其上的有机膜180也被一同去除的结构。
103.即，在塑料或聚酰亚胺(pi)等柔性基板110上设置有作为无机膜的栅极绝缘膜140，在栅极绝缘膜140上设置有导电体图案csp，并且在导电体图案csp上设置有保护层190。导电体图案csp与信号线sl相同地位于栅极导电层。
104.如图6所示，在与想要确认是否产生了微细裂纹的布线区域slr的信号线sl相同的层上由相同的导电层形成导电体图案csp，从而可确认微细裂纹是否经过无机膜去除部csr而传播到布线区域slr。
105.根据实施例，在无机膜去除部csr，如待后述的图13所示，由于栅极绝缘膜140也为无机膜，因此其也可被去除，而且如待后述的图14所示，有机膜180也可在无机膜去除部csr中连续地形成。
106.可具有除此以外的各种变形截面结构。
107.此外，根据实施例，在无机膜去除部csr内可不设置中间区域ipr，此时，导电体图案csp和附加金属图案ap的截面结构可相同。此时，与附加金属图案ap不同，为了可更加容易地检查微细裂纹，导电体图案csp可具有在与裂纹传播方向cd垂直的方向上延伸的结构。此外，导电体图案csp可在与坝区域dr的一边平行的方向上延伸。
108.虽然在图5中以三角形结构示出了导电体图案csp，但是并不限于这种结构，将通过图7来观察各种结构。
109.图7是又一实施例涉及的l区域的放大图。
110.图7是图5的变形实施例，示出了形成在未设置附加金属图案ap的部分的导电体图案csp1、csp2、csp3，并且是形成了多个大小比图5小的导电体图案csp1、csp2、csp3的实施例。如图7所示，导电体图案csp1、csp2、csp3可形成为各种形态。
111.在附加金属图案ap位于无机膜去除部csr的情况下，在附加金属图案ap也可能会产生微细裂纹，由此可检查是否产生了微细裂纹。因此，导电体图案csp可形成在无机膜去除部csr中沿着裂纹传播方向cd不存在附加金属图案ap的部分。
112.以与图5有差异的部分为中心观察图7的结构时，结构如下。
113.在坝区域dr，多个导电体图案csp1、csp2、csp3排列在与朝向布线区域slr的裂纹传播方向cd垂直的方向上。即，多个导电体图案csp1、csp2、csp3在与坝区域dr的一边平行的方向上延伸。
114.在产生微细裂纹的周边，由于在预定区域会一同产生微细裂纹，因此无需连续地形成导电体图案csp1、csp2、csp3，一个导电体图案csp1或csp2或csp3位于每个预定区域时，可充分确认是否产生了微细裂纹。
115.尤其是，在图7的实施例中，由于在无机膜去除部csr内没有其他附加金属图案ap，因此为了检查微细裂纹，可能需要导电体图案csp1、csp2、csp3。
116.图7的实施例涉及的导电体图案csp1、csp2、csp3和无机膜去除部csr的截面结构可与图6相同。此外，也可具有如待后述的图13至图15的截面结构。
117.虽然导电体图案也可形成在无机膜去除部csr的整个区域，但是这在效率方面是不合适的，因此以容易产生微细裂纹的区域为中心形成导电体图案。
118.以上，以使用柔性基板的显示面板10包括弯曲到背面的同时容易产生裂纹和微细裂纹的连接部12的结构为中心观察了无机膜去除部csr和导电体图案csp或csp1、csp2、csp3。
119.以下，如图8和图9所示，以容易产生裂纹的角部部分为中心进行观察。
120.图8是示出又一实施例涉及的可能产生微细裂纹的部分的图，并且图9是又一实施例涉及的显示面板的一角部部分的放大图，具体是图8的c区域的放大图。
121.除了连接部12以外，在显示面板10中还存在容易产生裂纹的部分。在显示面板10的主体部11形成有具有倒角形态的角部部分。
122.将角部部分蚀刻成具有倒角形态的同时，相应部分会变成对裂纹或冲击脆弱的结构，因此在与角部部分相邻的部分产生裂纹的频度大。
123.对此，如图9所示，观察主体部11的角部部分中的无机膜去除部csr和导电体图案。
124.如图9所示，主体部11的角部部分也具有从外侧开始设置了坝区域dr和无机膜去除部csr来保护布线区域slr的结构。在此，布线区域slr对应于设置有多个像素px的显示区
域da。
125.坝区域dr是无机膜和有机膜被叠层的结构，在形成将会形成于显示区域da上的有机膜时，既执行防止构成有机膜的有机物质流失到外侧的作用，还执行保护显示区域da免受外部冲击等的影响的作用。
126.坝区域dr的层状结构可包括显示区域da的层状结构中除了导电层或半导体层以外的有机膜和无机膜的全部。根据实施例，可在去除有机膜或无机膜的一部分的同时，形成坝区域dr。可包括位于坝区域dr的一个以上的坝，并且也可形成多个坝。
127.在坝区域dr的内侧且在显示区域da的外侧，设置有从坝区域dr的层状结构中去除了至少一部分无机膜的无机膜去除部csr。
128.为了防止裂纹从外部传播到显示区域da，基于坝区域dr的宽度或者以其以上的宽度形成无机膜去除部csr。因为判断从外部传播到显示区域da的信号线的裂纹会经由无机膜传播而不是有机膜，因此可具有从坝区域dr的层状结构中去除了至少一个无机膜的层状结构。
129.如果在显示区域da的特定导电层的信号线中产生了裂纹的情况下，用于防止裂纹的无机膜去除部csr可通过去除相应导电层的相邻的无机膜或者去除位于相应导电层的下部的无机膜来形成。这种无机膜去除部csr的结构没有使从外部接收裂纹的传播的无机膜连续形成至相应导电层，因此裂纹不会传播到布线区域slr，并且不会使相应导电层出现断线现象。
130.然而，即便是存在无机膜去除部csr，仍然会存在1～2μm程度的微细裂纹传播到显示区域da的情况，尤其是随着分辨率变高，在布线的宽度减小的当前开发状况下，仅因微细裂纹也可能会产生布线出现断线现象等的不良。对此，有必要确认微细裂纹是否也会传播到显示区域da。然而，迄今为止的方式存在难以确认大小仅为1～2μm的微细裂纹的缺点。
131.为了去除这种缺点，在无机膜去除部csr内进一步形成附加的导电体图案csp1、csp2、csp3。导电体图案csp1、csp2、csp3可位于与想要掌握是否产生了微细裂纹的导电层相同的层或者比其低的层。
132.在图9中示出了各种裂纹传播的方向、即裂纹传播方向。裂纹会从位于外部的坝区域dr传播到显示区域da，因此在角部部分可具有裂纹传播方向cd1、cd2、cd3、cd4、cd5。
133.导电体图案csp1、csp2、csp3具有在与裂纹传播方向cd1、cd2、cd3、cd4、cd5垂直的方向上延伸的结构。尤其是，位于角部的导电体图案csp3可沿着角部的曲线形成，其结果，可与各个裂纹传播方向cd3、cd4、cd5对应地检查微细裂纹。导电体图案csp1、csp2、csp3可在与坝区域dr的一边平行的方向上延伸。
134.虽然在图9中示出了在无机膜去除部csr内除了导电体图案csp1、csp2、csp3以外未形成其他附加金属图案的情况，但是根据实施例，可形成有如对齐标记等各种附加金属图案ap。
135.图9的实施例涉及的导电体图案csp1、csp2、csp3和无机膜去除部csr的截面结构可与图6相同。此外，也可具有如后述的图13至图15的截面结构。
136.以下，通过图10，观察又一实施例涉及的连接部12内的无机膜去除部csr的结构。
137.图10是又一实施例涉及的连接部的外廓的一部分的放大图。
138.在图10中可确认出无机膜去除部csr的相对面积，并且示出了可具有比坝区域dr
宽的宽度的情况。
139.此外，可知在布线区域slr与坝区域dr之间的空间设置有整体去除了无机膜的无机膜去除部csr，并且在无机膜去除部csr的内部中的一部分区域设置有未去除无机膜的中间区域ipr。
140.虽然未在图10中示出，但是导电体图案csp可在与裂纹传播方向cd1、cd2垂直的方向(即，与坝区域dr的一边平行的方向)上形成在不是中间区域ipr的位置处。
141.具有如上所述的结构的显示面板10可包括如图11和图12所示的结构的像素px。
142.首先，通过图11观察像素px的电路结构。
143.图11是关于一实施例涉及的显示面板的一个像素px的电路图。
144.首先，参照图11，一个像素px可包括与信号线151、152、153、154、131、171、172连接的晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、电容器cst以及发光二极管(light emitting diode)ed。
145.信号线151、152、153、154、131、171、172可包括扫描线151、152、154、发光控制线153、数据线171、驱动电压线172和初始化电压线131。
146.扫描线151、152、154可分别传递扫描信号gwn、gin、gi(n 1)。扫描信号gwn、gin、gi(n 1)可交替地施加可导通/关断晶体管t2、t3、t4、t7的栅极导通电压和栅极关断电压。
147.与一个像素px连接的扫描线151、152、154可包括能传递第一扫描信号gwn的第一扫描线151、可在与第一扫描线151不同的时序传递具有栅极导通电压的第二扫描信号gin的第二扫描线152以及能传递第三扫描信号gi(n 1)的第三扫描线154。第二扫描线152可在比第一扫描线151早的时序传递栅极导通电压。例如，在第一扫描信号gwn为在一帧期间内施加的扫描信号中的第n扫描信号的情况下，第二扫描信号gin可为如第(n-1)扫描信号等的前级扫描信号，并且第三扫描信号gi(n 1)可为第n扫描信号。第三扫描信号gi(n 1)也可为与第n扫描信号不同的扫描信号。
148.发光控制线153可传递能够对发光二极管ed的发光进行控制的发光控制信号em。发光控制信号em可包括使晶体管t5、t6导通和关断的栅极导通电压和栅极关断电压。
149.数据线171可传递数据电压dm。驱动电压线172可传递驱动电压elvdd。数据电压dm可基于从外部输入的图像信号来生成，并且可根据发光元件想要显示的亮度而具有不同的电压电平。另一方面，驱动电压elvdd可具有实质上恒定的电平。初始化电压线131可被施加初始化电压vint，并且初始化电压vint可具有恒定的电压电平。
150.显示装置1可包括生成传递到信号线151、152、153、154、131、171、172的信号的驱动装置(例如，扫描驱动部、发光驱动部、数据驱动部、信号控制部等)。
151.一个像素px所包括的晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7可包括第一晶体管t1(也称为驱动晶体管)、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7。
152.第一扫描线151可向第二晶体管t2和第三晶体管t3传递第一扫描信号gwn。第二扫描线152可向第四晶体管t4传递第二扫描信号gin。第三扫描线154可向第七晶体管t7传递第三扫描信号gi(n 1)。发光控制线153可向第五晶体管t5和第六晶体管t6传递发光控制信号em。各个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7可分别包括源电极s1、s2、s3、s4、s5、s6、s7、漏电极d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7以及栅电极g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7，并且可包括形成有沟道的多晶半导体。
153.第一晶体管t1将从第二晶体管t2传递到第一晶体管t1的源电极s1的数据电压dm经由第三晶体管t3传递到栅极节点gn。在此，栅极节点gn为第一晶体管t1的栅电极g1和电容器cst被连接的节点。第一晶体管t1起到施加驱动电压elvdd时根据栅极节点gn的电压大小而输出驱动电流id并将其传递到发光二极管ed的作用。
154.第二晶体管t2根据通过第一扫描线151传递的第一扫描信号gwn而被导通，从而将从数据线171传递的数据电压dm传递到第一晶体管t1的源电极s1。
155.第三晶体管t3根据通过第一扫描线151传递的第一扫描信号gwn而被导通，从而将第一晶体管t1的栅电极g1和漏电极d1彼此连接来对第一晶体管t1进行二极管连接，其结果，施加到第一晶体管t1的源电极s1的数据电压dm被传递到栅极节点gn。
156.第四晶体管t4根据通过第二扫描线152接收到的第二扫描信号gin而被导通，从而将初始化电压vint传递到栅极节点gn，由此可执行对第一晶体管t1的栅电极g1和电容器cst的电压进行初始化的初始化操作。
157.当第五晶体管t5和第六晶体管t6根据通过发光控制线153传递的发光控制信号em而同时被导通使得将驱动电压elvdd施加到第一晶体管t1的源电极s1时，根据预先存储的栅极节点gn的电压，产生第一晶体管t1的输出电流从而将其传递到发光二极管ed。
158.第七晶体管t7根据通过第三扫描线154传递的第三扫描信号gi(n 1)而被导通，从而将发光二极管ed的阳极变更为初始化电压vint。
159.晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7可为p型晶体管，并且晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7中的至少一个也可为n型沟道晶体管。
160.电容器cst的一端可与第一晶体管t1的栅电极g1连接，并且另一端可与驱动电压线172连接。
161.发光二极管ed的阳极可与第六晶体管t6连接以接收驱动电流id的传递，并且阴极可与传递公共电压elvss的公共电压端子连接以接收公共电压elvss的施加。
162.一个像素px所包括的晶体管的数量和电容器的数量以及连接关系可以各种方式变更。
163.以下，简单说明这种像素px的操作。
164.像素px被划分为初始化期间、数据编程和补偿期间以及发光期间来工作。
165.在初始化期间内，当通过第二扫描线152供给栅极导通电压电平的第二扫描信号gin时(第二扫描信号gin可为第(n-1)扫描信号)，第四晶体管t4被导通，初始化电压vint被传递到第一晶体管t1的栅电极g1，通过初始化电压vint，第一晶体管t1被初始化。
166.接着，在数据编程和补偿期间内，当通过第一扫描线151供给栅极导通电压电平的第一扫描信号gwn时(第一扫描信号gwn可为第n扫描信号)，第二晶体管t2和第三晶体管t3被导通。第一晶体管t1通过导通的第三晶体管t3而被进行二极管连接。于是，通过数据线171供给的数据电压dm经由被二极管连接的路线被传递到第一晶体管t1的栅电极g1的同时，第一晶体管t1的栅电极g1的电压逐渐上升。接着，当第一晶体管t1的栅电极g1的电压从数据电压dm变成与第一晶体管t1的阈值电压相当的小值时，第一晶体管t1被关断，并且此时的电压(dm-vth；在此，vth为第一晶体管t1的阈值电压值)被存储在电容器cst。
167.接着，在发光期间内，基于通过发光控制线153传递的发光控制信号em，第五晶体管t5和第六晶体管t6被导通。其结果，根据第一晶体管t1的栅电极g1的电压与驱动电压
elvdd之间的电压差，从第一晶体管t1输出驱动电流id并将其传递到发光二极管ed。接收到驱动电流id的传递的发光二极管ed根据电流的大小而发射光。
168.另一方面，在数据编程和补偿期间内，第七晶体管t7通过第三扫描线154接收第三扫描信号gi(n 1)的供给而被导通。其结果，发光二极管ed的阳极被变更为初始化电压vint的同时被初始化。第三扫描信号gi(n 1)可为第n扫描信号。然而，根据实施例，第七晶体管t7的导通也可在初始化期间内进行，此时可向第三扫描线154施加与第二扫描线152相同的信号。
169.根据实施例，除了具有这种电路结构的像素px以外，在显示面板10可形成各种像素。
170.以下，通过图12观察形成在显示面板10的显示区域da的截面结构。
171.图12是一实施例涉及的有机发光显示面板的剖视图。
172.在基板110上设置有阻挡层111，并且在阻挡层111上设置有缓冲层112。在缓冲层112上设置有半导体层ps。
173.本实施例涉及的有机发光显示面板10形成在使用塑料或聚酰亚胺(pi)基板的柔性基板110上。
174.阻挡层111和缓冲层112可为无机膜，并且作为一例可包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。阻挡层111和缓冲层112可为所述物质的单层或多层的结构。
175.根据实施例，在使用聚酰亚胺(pi)基板的情况下，一直到作为无机膜的阻挡层111为止都可被称为柔性基板。此外，根据实施例，由聚酰亚胺(pi)构成的基板110和阻挡层111可形成为多个。即，在基板110上设置有阻挡层111，并且在阻挡层111上再设置有基板110和阻挡层111。可在反复多次如上所述的基板110和阻挡层111的单位结构之后，在其上设置有缓冲层112。
176.在缓冲层112上设置有包括多个晶体管的沟道、第一电极和第二电极的半导体层ps。
177.半导体层ps可由多晶半导体形成，除此以外也可由非晶硅或氧化物半导体形成。作为一例，半导体层ps可包括低温多晶硅(ltps)，或者可包括含有锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)和它们的混合物中的至少一种的氧化物半导体物质。作为一例，半导体层ps可包括igzo(indium-gallium-zinc oxide，铟镓锌氧化物)。
178.半导体层ps中构成第一电极和第二电极的部分可为进行等离子处理而形成为具有与导体特性相当的特性的部分。
179.半导体层ps可被第一栅极绝缘膜141覆盖，并且第一栅极绝缘膜141可包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。第一栅极绝缘膜141可为所述物质的单层或多层的结构。
180.在第一栅极绝缘膜141上形成有第一栅极导电层。第一栅极导电层可包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可为所述物质的单层或多层的结构。
181.在图12中，作为第一栅极导电层示出了扫描线151和栅电极155。扫描线151包括第二晶体管t2的栅电极，并且栅电极155为驱动晶体管t1的栅电极。
182.在第一栅极导电层上设置有覆盖其的第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可
包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。
183.在第二栅极绝缘膜142上形成有第二栅极导电层。第二栅极导电层可包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可为所述物质的单层或多层的结构。
184.在图12中示出了第二栅极导电层中的维持线126。维持线126在与栅电极155重叠的同时构成电容器cst。
185.在第二栅极导电层上设置有覆盖其的层间绝缘膜160。层间绝缘膜160可包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等无机绝缘物质。
186.在层间绝缘膜160上形成有数据导电层。数据导电层可包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)等，并且可为所述物质的单层或多层的结构。
187.在层间绝缘膜160形成有开口62、68。开口62起到开放半导体层ps中的一部分区域来电连接数据线171与第二晶体管t2的作用。此外，开口68起到连接维持线126与驱动电压线172的作用。
188.在数据导电层上形成有覆盖其的有机膜180。有机膜180可由有机绝缘物质形成，并且可包括如pmma(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)或ps(polystyrene，聚苯乙烯)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质，在本实施例中有机膜180由聚酰亚胺(pi)形成。
189.虽然未图示，但是在有机膜180上设置有像素电极(未图示)。像素电极通过形成在有机膜180的开口接收驱动晶体管t1的输出电流。
190.在有机膜180和像素电极上设置有分隔壁(未图示)和间隔件(未图示)。
191.分隔壁具有与像素电极重叠的开放部分，在开放部分设置有有机发光层。在有机发光层和分隔壁上设置有公共电极(未图示)。像素电极、有机发光层和公共电极构成有机发光二极管ed。
192.分隔壁和间隔件可由各种有机物质形成，在本实施例中由聚酰亚胺(pi)形成。分隔壁和间隔件可由相同的物质形成，并且可使用一个掩模一起形成，而此时，所使用的掩模使用半色调掩模。其结果，由半色调区域形成间隔件，从而可减少掩模的数量。然而，在形成高分辨率的像素px的情况下，还可能会发生使用半色调掩模无法一起形成分隔壁和间隔件的情况。在该情况下，用单独的掩模形成分隔壁和间隔件。
193.以下，通过图13至图15观察无机膜去除部csr和导电体图案csp的变形实施例。
194.图13至图15是又一实施例涉及的无机膜去除部的剖视图。
195.首先，图13和图14是图6的变形图。
196.在图13中，与图6不同地，是无机膜去除部csr还不包括作为无机膜的栅极绝缘膜140的实施例。
197.此时，导电体图案csp可由设置在比位于栅极导电层的信号线sl更靠近基板110的层上的导电体形成。即，在栅极导电层的下方，在栅极绝缘膜140的下部可形成有半导体层，在半导体层的下部可形成有金属层，而可由与该金属层相同的层形成导电体图案csp。此时，无机绝缘膜(参照图12的缓冲层112)可位于显示区域da的金属层与半导体层之间，但是这种无机绝缘膜也可从无机膜去除部csr中去除。
198.根据实施例，导电体图案csp也可由栅极导电层形成。
199.另一方面，在图14中示出了有机膜180在无机膜去除部csr中也连续形成的实施例。由于从无机膜去除部csr中去除了无机膜，因此存在由有机物质形成的有机膜180也无妨。
200.图15的实施例示出了适用于具有图12的显示区域da的实施例的无机膜去除部csr和导电体图案csp的一例。
201.在图15中，坝区域dr是无机膜和有机膜被叠层而形成的结构，其原样包括形成在显示区域da上的无机膜和有机膜，形成为包括除了显示区域da的导电层或半导体层以外的部分。根据实施例，还可包括一部分导电层。可包括位于坝区域dr的一个以上的坝，并且也可形成多个坝。
202.在坝区域dr的内侧设置有至少一部分无机膜被去除的无机膜去除部csr。
203.在图15的实施例中，具有如下结构，即，除了基板110以及直接与由聚酰亚胺(pi)形成的基板110相接的作为无机膜的阻挡层111以外，所有层被去除，并且在阻挡层111上直接形成有导电体图案csp。
204.导电体图案csp可为由比缓冲层112更靠下部的导电层形成且形成在与图13的导电体图案csp相同的位置处的导电层。
205.导电体图案csp被作为附加有机膜的覆盖膜195覆盖。覆盖膜195具有不形成在坝区域dr和显示区域da而是仅形成在无机膜去除部csr的结构。然而，根据实施例，覆盖膜195可在与形成于显示区域da的一个有机膜相同的工序中由相同的物质形成。
206.如上所述的导电体图案可用于检查并检测微细裂纹。由此，可检测在显示面板10的角部部分或被弯曲时产生的裂纹，从而可进行引导以便变更制造工序或弯曲工序来防止微细裂纹的产生。即，当显示面板10被弯曲时，会用一定的压力进行按压来使其弯曲，而此时，当确认到产生微细裂纹时，可以更弱的压力进行弯曲，以便连1～2μm的微细裂纹也不会产生。
207.通常，由于由信号线形成的层为栅极导电层或数据导电层，因此导电体图案csp可为栅极导电层、数据导电层或者位于半导体层的下部的金属层。根据实施例，数据导电层也可以如栅极导电层那样由两个以上的导电层构成，而此时绝缘层(有机绝缘层或无机绝缘层)可位于两个数据导电层之间。
208.此外，在从无机膜去除部csr中去除的无机膜主要是基板110至层间绝缘膜160之间的无机膜被去除，相应的层可为阻挡层111、缓冲层112、栅极绝缘膜140/141与142以及层间绝缘膜160。除此以外的无机膜(例如，封装层的无机膜等)即使是在无机膜去除部csr中也可不被去除。
209.以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，利用了权利要求书中所定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变形以及改良形态均属于本发明的权利范围中。