将一光敏层曝光之装置及方法与流程

将一光敏层曝光之装置及方法
1.本技术是申请日为2016年12月20日、申请号为201680091750.1（国际申请号为pct/ep2016/081880）以及发明名称为“将一光敏层曝光之装置及方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
2.本发明系关于根据技术方案1之一种用于将一光敏层曝光之方法以及根据技术方案8之一种对应装置。


背景技术：

3.数字微镜装置(dmd)已在先前技术中长久为人所知。此等系由可经个别移动/对准之多个小反射镜组成的光学组件。可依一目标方式来电控制及定向各反射镜。因此，具有一dmd之一光学系统可用于依一选择性空间解析方式来偏转一广泛光线。大部分情况下，每个反射镜仅观察到两个完全偏转之位置。一反射镜允许落在其上之光线部分进一步穿过光学系统或其反射该光线部分使得该光未在光学系统中经转递。然后，我们可将此dmd之各反射镜解译为一数字光开关。
4.此类型之dmd已用于先前技术中(主要用于投影仪)。dmd亦日益用于诸如(例如)3d打印、3d量测及无屏蔽微影术之工业领域中。
5.在先前技术中，仅已知无屏蔽曝光单元，其等具有照明该dmd (且因此照明待曝光表面)的一单一光源。


技术实现要素：

6.因此，本发明之目标在于克服先前技术之缺点，且特定而言之，在于获得一经改良曝光结果。
7.藉由相互搭配之专利请求项之目标及下文中揭示之发明概念来实现此目标。本发明之有利发展方案详细说明于附属请求项中。本说明书中详细说明之至少两个特征之全部组合、申请专利范围及/或图式亦落入本发明之范畴。就值范围而言，处于所提及之极限内的值亦应被揭示为极限值且可依任何所要组合来申请。
8.特定而言之，本发明指示如何实施一经改良之更快、高分辨率曝光程序及一曝光如何可同时发生于不同聚焦深度处。
9.本发明之核心概念在于依一方式建构一光学系统之一微镜装置之微镜，使得微镜之各镜强度分布经重迭或经建构使得其可分别与相邻镜强度分布重迭。因此，各镜强度分布由对应于该像素之一区域及该围绕该像素之一区域组成。该等镜强度分布至少主要(较佳全部)由光学组件及该等微镜之几何形状来界定。该等微镜较佳为矩形，更佳为正方形。亦可设想圆形或三角形微镜。一dmd影像系由包含重迭之像素形成的。
10.特定而言之，产生由至少部分与一图案强度分布重迭之复数个镜强度分布组成的一曝光图案。因此，图案强度分布系重迭之镜强度分布之一总和。曝光图案较佳将待曝光之
一层区段曝光于一基板上，其中该曝光图案之图案强度分布归因于重迭而较佳比来自先前技术之无重迭之一曝光图案更均匀。
11.镜强度分布较佳经选择或经调节或经控制使得被各自反射镜偏转之能量之50%照射至对应像素上。被各自反射镜偏转之能量之一另外50%经划分至围绕各自像素之像素上。在根据本发明之一更佳实施例中，镜强度分布经选择或经调节或经控制使得被各自反射镜偏转之能量的50%以上(更佳60%以上、更佳70%以上)照射至对应像素上。剩余能量经划分至围绕各自像素之像素上。
12.在根据本发明之一不同次佳实施例中，镜强度分布经选择使得被各自反射镜偏转之能量的50%以下照射至对应像素上。
13.特定而言之，本发明描述一无屏蔽曝光装置或一无屏蔽曝光方法。在可相互组合之若干实施例中描述该曝光单元。特定而言之，此等系优化选项，其等彼此独立但可相互组合。
14.最重要实施例在于依一方式设计该光学系统使得出现(特定而言之，使用重迭及/或干涉之)个别像素(由该光学系统产生之像素) 之重迭。特定而言之，此之影响在于相邻微镜之经偏转光线之强度分布重迭。
15.特定而言之，揭示具有至少两个光源之一无屏蔽曝光装置，其中(特定而言之)该等光源之光线重迭或组合或混合。
16.根据本发明，亦可设想具有整合量测技术之一无屏蔽曝光装置。一进一步实施例系关于一无屏蔽曝光单元，其允许同时曝光不同焦点平面或同时曝光光谱不同之部分影像。根据一进一步替代实施例，揭示具有用于获得一较高分辨率的一各向异性或畸变光学系统的一曝光单元。
17.一进一步(特定而言之)独立揭示之实施方案系关于用于增大处理量及分辨率的「偏折扫描(descan)」方法。此处，藉由沿一个或两个方向之一第二偏转来重迭(特定而言之，连续或循序)扫描曝光程序，此将依高于像素大小之一更精细之定位精确度来准静态地判定曝光场，从而减小运动模糊及边缘位置两者。
18.此外，揭示其中光学系统在dmd与待曝光光敏层(待曝光材料)之间产生原始影像之一正交畸变绘示(特定而言之，平行于待曝光层之表面)的实施例。特定而言之，可藉由影像之光学畸变来增大定位精确度或重迭。应了解，特定情况中之一既存结构之定位精确度意谓待写入之结构之分辨率系藉由根据本发明之原始影像之畸变绘示来增大的。
19.本发明之优点无需屏蔽，使得所要结构可直接曝光至一光敏(感光)层中。归因于使用复数个光源，可选择较宽之光谱且增大光输出且因此增大可获得处理量。藉由倾斜焦点平面(与待曝光之层之表面比较)或藉由个别选择波长，可同时曝光具有全分辨率之不同深度或选择性地曝光不同平面。
20.根据本发明，特定而言之，该装置具有一光学系统，其具有下列特征：至少一光源，其用于产生至少一光线，至少一微镜装置，其具有多个微镜，其中各微镜用于照明具有一镜强度分布的一曝光图案之一像素，其中光学系统依一方式建构，使得为形成曝光图案之一图案强度分布而重迭相邻
微镜之镜强度分布发生为曝光图案之各经照明像素之镜强度分布之一总和。
21.本发明描述用于藉助一光线束(特定而言之，一雷射)照射一光敏层之一方法及一设备，该光线束经传导穿过由至少一微镜装置(dmd) (较佳为数字的)组成之一光学系统。照射该层将导致该层之一物理及/或化学变化。
22.特定而言之，根据本发明之实施例可设想为：
•ꢀ
全区域
•ꢀ
连续扫描
•ꢀ
逐阶式。
23.无屏蔽曝光单元「无屏蔽」经理解为意谓藉由一动态光学图案化系统来替代一静态模板(屏蔽、光罩)之成像。
24.一全区域无屏蔽曝光单元经理解为意谓具有一dmd之一设备，该dmd可曝光待写入之整个区域，其中待曝光之层与光学系统之间无一明显相对位移。因此，根据本发明之先前技术，由于现今之dmd之大小有限，因此仅可曝光极小基板。
25.一扫描式无屏蔽曝光单元经理解为意谓一装置或一方法，其中曝光场小于待曝光之区域，使得光学系统与待曝光层之间发生一相对位移以曝光整个曝光场。特定而言之，此相对位移持续沿一路径发生。该路径较佳为：
•ꢀ
曲折的
•ꢀ
位于位移至下一列中的列中且在达到目的时经重设至初始位置，
•ꢀ
螺旋形的，
•ꢀ
圆形的，
•ꢀ
线性的。
26.特定而言之，所提及之路径亦可彼此组合。因此，可设想首先将一旋转形路径用于曝光，接着系一线性路径，该路径(特定而言之)引导穿过基板之中心或彼此互补的复数个初始独立之写入路径。该行进较佳为曲折的。
27.一逐阶式无屏蔽曝光单元经理解为意谓一设备，其中曝光场小于待曝光之区域，光学系统与待曝光层之间逐阶发生一相对位移且个别步阶之间不发生曝光。当光学系统及待曝光层经定位于一良好界定位置中时，光学系统仅曝光待曝光层。因此，此实施例涉及曝光待曝光层之复数个区段。
28.dmd原理一dmd允许(较佳平行及/或非散射之)一广泛原光线束之(特定而言之，复数个部分至)目标偏转。因此，可在无一屏蔽之辅助之情况下产生具有空间结构之一二次光学曝光光线束。大部分情况下，光学器件(特定而言之，投影光学器件)经安装于dmd之上游及/或下游，该等光学器件可操纵(特定而言之，缩放)落在dmd上之原曝光光线及/或由dmd反射之二次曝光光线，且特定而言之，在微影术之情况中，其等可产生dmd影像之一大小减小。因此，可对应地减小dmd影像之发小。
29.特定而言之，可藉此获得之一dmd晶粒之结构分辨率介于0.1
ꢀµ
m与50
ꢀµ
m之间，较佳介于0.3
ꢀµ
m与25
ꢀµ
m之间，更佳介于1
ꢀµ
m与10
ꢀµ
m之间。
30.主要地，就其中个别曝光场小于基板之实施例而言，在光学系统与待曝光层之间的一相对移动之后发生待产生结构之一无缝接续系重要的。在逐阶之情况中，此沿两个独
立方向发生，且大部分情况下，在持续扫描之情况中，此仅沿一方向发生。
31.光学系统根据本发明之实施例由至少一光学系统组成，该光学系统可具有不同类型之复数个光学组件。虽然光学组件之至少一者系一dmd，但使用复数个dmd将构成根据本发明之一进一步实施例。特定而言之，光学系统中存在唯一dmd，较佳存在至少两个dmd，更佳存在至少四个dmd。光学系统本身可依一或多个形式并行地用于一设备内部之一基板上。亦可根据本发明设想该设备内部之复数个基板之并行曝光。
32.此外，光学系统中可包含下列光学组件：
•ꢀ
照明光学器件
○ꢀ
特定而言之，相干光源
■ꢀ
雷射光源
•ꢀ
雷射二极管
•ꢀ
固态雷射
•ꢀ
准分子雷射
○ꢀ
特定而言之，不相干雷射源
■ꢀ
特定而言之，气体放电灯
•ꢀ
水银灯
■ꢀ
led
○ꢀ
部分相干光源
○ꢀ
相干性变化组件
•ꢀ
偏转光学器件
○ꢀ
dmd
○ꢀ
特定而言之，反射镜
■ꢀ
冷反射镜
■ꢀ
热反射镜
○ꢀ
特定而言之，绕射组件
■ꢀ
棱镜
■ꢀ
分束器
•ꢀ
投影光学器件
○ꢀ
特定而言之，透镜
■ꢀ
费涅耳(fresnel)透镜
■ꢀ
绕射透镜
•ꢀ
凸透镜
•ꢀ
凹透镜
•ꢀ
双凹透镜
•ꢀ
双凸透镜
•ꢀ
凸凹透镜
•ꢀ
凹凸透镜
•ꢀ
柱状透镜
•ꢀ
复合透镜
○ꢀ
特定而言之，反射镜
■
柱状反射镜
○ꢀ
通用光线更改光学组件可持续或依一脉冲方式使用该等光源且(特定而言之)可另外内部或外部调变该等光源。
33.特定而言之，光学系统与待曝光层之间的最大可能相对速度受dmd之最大驱动频率(即，可实际上切换一dmd之个别反射镜组件时之频率)限制。一扫描系统中之相对速度亦由位移及/或偏转光学器件判定，且(特定而言之)处于5 mm/s与500 mm/s之间，较佳处于10 mm/s与250 mm/s之间，更佳处于15 mm/s与200 mm/s之间，最佳处于25 mm/s与100 mm/s之间。
34.根据本发明之一实施例之一进一步重要态样在于使用高于由图案大小及扫描频率界定之馈送速率的一馈送速率。归因于对应地选择一较高馈送速率，省略由时间上较晚之dmd曝光列补偿之列。
35.为避免淘汰沿扫描方向之曝光，中断该曝光及/或使用一局部「偏折扫描」机制，此将在一短时间内使曝光位置保持恒定。在下文中，首先考虑第一种可能性。
36.特定而言之，为补偿由一较高馈送速率引起之一剂量损失，可增大光输出。此需要光源之一较大(特定而言之)瞬时输出，这通常与增大成本或物理/技术限制冲突。为解决此问题，偏折扫描及一光源对复数个曝光单元之输出的动态分裂可用作一更经济变量。
37.在偏折扫描期间，藉由一短时间快速偏转(交错)来最小化及中断影像像素相对于基板之相对移动。归因于较小跳程，可藉助机械光学、电光学、磁光学或声光学偏转或位移单元来产生此偏转。
38.在一光源之动态分裂期间，光源之输出受动态抑制(例如，倾腔雷射、限温半导体光源)且经暂时聚焦，或藉由一分配组件(诸如(例如)一旋转多面镜、电光开关或类似者)暂时分裂至消耗装置之间。除增大工作周期期间之短期输出之外，目的始终是使长期输出保持恒定。
39.整合量测光学器件该装置较佳具有一量测光学器件，(特定而言之)其经整合于光学系统中。特定而言之，较佳使用一分束器来将由待曝光层偏转之光耦合至光学路径之外，该光学路径经装载于dmd上以用于曝光。量测光学器件具有无须全部同时执行之复数个重要任务：
•ꢀ
对准，用于使曝光场与基板上存在之结构对准或重塑曝光场，
•ꢀ
校准及检查写入头，
•ꢀ
现场检查写入程序，
•ꢀ
实时校正(若发生相关影像基板层之动态变化)。
40.相对于已施加至基板之对准标记或用作待重新曝光结构之对准标记的故意施加或已存在之结构来发生对准。因此，可根据本发明曝光较大区域，此系因为光学系统始终经对准及/或校准至已曝光之结构。
41.根据本发明之一实施例之一进一步重要态样系藉由将对准标记之当前量测位置与所要位置比较来计算由(特定而言之)初始程序及/或热影响引起之任何基板畸变，且使
待写入影像适于此变形。此等亦可为一更高阶畸变。
42.具体而言，在防止接缝人工制品(相邻像素及/或相邻曝光图案之间的过渡处之故障)之情况中，对准及/或实时校正起重要作用。
43.藉由捕捉曝光期间之曝光场之结构(亦可为典型表面杂音)且将其与相邻曝光结构之一捕捉比较，可藉由相关性或类似方法来判定基板之一偏移。将此偏移作为一失误信号施加至dmd影像，藉此降级至子像素范围之一补偿系可行的。
44.捕捉/量测较佳沿相同光学路径(该路径亦用于曝光)发生，使得可在捕捉/量测期间实现一机械连接(特定而言之，机械固定)。
45.就捕捉/量测而言，光信号(至少一光源之光线)较佳由一光学组件(较佳为一半透反射镜或一棱镜)耦合至表面之外，且被一对应侦测器吸收。接着，侦测器(或连接至其之一评估系统)可在曝光待结构化层之表面及/或在其上写入时对其进行监测。侦测器较佳为一摄影机，更佳为一ccd或cmos摄影机。摄影机影像可捕捉曝光场之一或多个部分、一较大区域或一或多个较小区段。曝光可具有其自身之光源且可发生于相同照射波长范围(较佳)或一不同照射波长范围中。
46.在一特定扩展实施例中，一量测光学器件亦存在于根据本发明之实施例之底面上，可藉助其来侦测基板固持器或基板之底面上之对准标记。一基板固持器之底面量测原理类似于公开文件pct/ep2016/070289中所揭示之实施例。量测底面上之对准标记使得可在两侧上产生相对于彼此对准之结构。
47.强度分布函数在根据本发明之一第一特定较佳实施例中，依一方式建构一成像/二次光学器件(用于影响(特定而言之，缩放)由dmd反射之二次曝光光线)，使得未获得dmd反射镜在焦点平面内之一清晰成像，而系故意获得亦曝光相邻像素之稍不清晰成像。因此，可依一相当便宜之方式来建构光学器件，且仍提高所产生结构之质量。强度分布随光线直径之函数(强度分布)可对应于任何所要数学函数。将闭合方程用作更复杂真实分布之一近似。特定而言之，主要设想为：
•ꢀ
高斯分布(gaussian distribution)，
•ꢀ
洛兰兹分布(lorentzian distribution)，
•ꢀ
柯西分布(cauchy distribution)，
•ꢀ
不同分布函数之卷积。
48.特定而言之，待曝光之光敏层之材料具有一经界定(较佳为非线性)反应行为，其首先对应于光之累积沈积量且(特定而言之)其次对应于输出且因此对应于曝光行为。因此，在一局部曝光量梯度之情况中，因此一曝光边缘形成于高剂量与低剂量之间，此可在经界定或可界定边界内波动。本方法使用此方法且允许藉由重迭复数个曝光场(特定而言，相对于个别微镜)来依高于像素大小之一精确度控制此曝光界限之位置。
49.就一准确定位而言，(特定而言之)提前计算曝光功率且将其分解为复数个曝光组件(特定而言之，像素)及/或不同曝光步阶。该等曝光步阶(特定而言之)经暂时分隔开及/或具有不同长度且，且其等合起来导致一图案层级之一目标曝光分布(图案强度分布)及/或基板层级之一目标曝光分布(基板强度分布)。此处，较佳将个别分布函数(镜强度分布及/或图案强度分布)之相关重迭及/或不相干重迭及/或影像产生东动态纳入考虑中。
50.结果为该曝光边界之结构化，其主要经界定为曝光程序之一总和，但其次，在动态情况下，其亦考虑到模待或根据经验判定的材料响应之二维形式及三维形状。下文中将更详细解释术语「重迭」及「干涉」。
51.一个别部分区域之多次曝光亦可同时且依一时间延迟之方式发生。只要所曝光材料之变化不相依于曝光功率且仅相依于通量(所累积区域剂量)，且未发生机械变化(如由归因于振动或位移之发热或不对准所导致)，则曝光场重迭(藉由简单加法)将导致与一场仅曝光于一光源下相同之结果。
52.在其中出现非线性关系之情况中，可藉由对应计算或测试及对部分曝光之后续调整来补偿此等关系。在随机波动之情况中，重迭导致非所要模糊或波动，其显现为影像误差(例如，模糊)。
53.在可重现或可预先计算之重迭之情况中，可最小化边缘粗糙度、跳动及其他非所要效应，且可保证曝光场之一干净缝合。即使是短期出现的曝光位置波动亦可藉由根据本发明之方法来补偿。
54.在对复数个光线路径曝光之情况中，若部分辐射源归因于其等之相干性而具有恰好相同或几乎相同之时间及空间行为，则光学器件中出现干涉效应。此处，电磁分波场之重迭并非仅仅经平均化，而是亦在相对于thz范围中之光敏表面及体积较慢之光敏表面及体积中产生建设性及破坏性重迭。此等效应最经常发生于来自相同源之发射重迭之情况中，其中相干时间内之延伸次数类似——因此，高频振动行为彼此相依。在多次曝光之情况中，亦可出现光化学干涉效应，其中连续曝光步阶彼此反应。控制中已考虑到这些。
55.防止高速时曝光失败在一第二改良实施例中，实施对数据路径之一优化。无屏蔽曝光步骤期间之一基本问题在于其中将实施极昂贵且复杂之计算(例如光栅化)且将保存及传输极大量数据。保存在计算机中之数据与光学系统与待曝光层或dmd之间的相对运动同步，或与基板同步。待成像于待曝光层中或其上之结构数据经保存于一计算机上。该结构数据界定如何依照位置来切换界定dmd之反射镜以依一方式改变曝光光线，使得所要图案落在待曝光之层上。在一全区域或逐阶式实施例之情况中，光学系统(且因此dmd)始终位于一经界定(特定而言之，固定)位置处。因此，在此情况中，位置与结构数据之间不必要产生一动态相关性。
56.然而，若使用一(较佳)扫描实施例，则发生依照位置而变化之一连续曝光，其中在相对移动期间持续将新数据提供至dmd以控制依照位置而变化之微镜。因此，必须足够迅速地将用于反射镜控制之数据发送至dmd。由于计算镜矩阵很昂贵，因此根据一有利实施例来将各种计算分开。特定而言之，在时间关键型计算与非时间关键型计算之间进行区别。
57.根据本发明，时间关键型计算经理解为意谓须足够迅速实施以使得数据在其改变其相对于待曝光层之相对位置之前到达dmd的所有计算。
58.特定而言之，时间关键型计算为：
•ꢀ
特定而言之，影像计算
○ꢀ
dmd控制
•ꢀ
特定而言之，传感器量测及回馈计算
○ꢀ
扫描及对当前写入位置之调整
•ꢀ
解压缩
○ꢀ
特定而言之，dmd之资料及/或至dmd之资料此等计算需要相对较高计算速度，使得一硬件计算佳于一软件计算。可用于计算之硬件组件为：
•ꢀ
fpga (现场可程序栅数组)
•ꢀ
asic (特定应用集成电路)
•ꢀ
gpu (图形处理单元)
•ꢀ
信号处理器(dsp数字信号处理器)非时间关键型计算系在曝光程序器件仅稍微改变或非程序关键型之计算，特定而言之：
•ꢀ
将向量数据转换成像素数据(光栅化)，
•ꢀ
调节结构大小
•ꢀ
补偿大面积畸变
•ꢀ
插入特定晶圆数据或特定晶粒数据(例如序列号)
•ꢀ
将数据切割成条带以用于一个别写入头
•ꢀ
光栅化向量资料此等计算通常非常复杂，一计算步骤中包括极大数据范围(特定而言之，全局调节)，及/或(特定而言之)不可由硬件来高效实施。此等计算经
•ꢀ
实施于相同计算机之至少一线程中或
•ꢀ
并行实施于至少另一计算机之至少一线程中系合理的。在此情况中，该等线程可使用cpu及/或图形适配器之gpu资源。
59.计算机与dmd之间的通信经由任何所要接口发生，特定而言之：
•ꢀ
有线通信
○ꢀ
usb，
○ꢀ
以太网络，
○ꢀ
displayport。
60.一第一改良实施例系基于用于时间关键型计算之硬件中可存取一内存，该内存足够大使得此处可保存及储存待曝光层之至少两个待曝光区段(特定而言之，曝光路径之部分区段，较佳为条带，更佳为平行条带)。当一待曝光区段自缓冲器/内存写入时，第二待曝光区段自计算机传输至用于计算时间关键型任务之单元。当相同条件全部出现于内存中时，一待曝光区段之曝光程序第一次开始。在第一条带已完成其之曝光程序之前，第二条带大体上已经完全加载至内存上。接下来的条带重复此原理。从而有效防止一曝光条带内部不存在用于时间关键型计算之更多数据且出现曝光失败之情况。
61.实时校正写入数据在一第三改良实施例中，藉由光学组件来至少部分补偿机械故障。若根据本发明之设备在一扫描程序中将一连续结构曝光至待曝光层中，则与重迭相比，更好地设定或提供基板固持器之定位精确度系有利的。所有位置误差来源于不完美完成之机械组件、游戏及容差、一不完美马达控制等等。藉由机械方法来减小误差相对复杂。根据本发明之设计，则可允许如重迭之较大位置误差。在此情况中，使用量测技术来侦测位置误差且对应地，dmd影像(特定而言之，实时)偏移。依根据本发明之一方式来补偿位置误差，使得位置误差
小于曝光程序期间之任何时间点时之重迭规格。特定而言之，重迭与未校正位置误差之间的比率小于1，较佳小于10，更佳小于100。
62.根据本发明，可补偿垂直于相对移动或沿相对移动之方向的误差。
63.在垂直于相对移动之误差之情况中，使用一稍窄曝光条带，但dmd经设计可用于曝光一较宽曝光条带。因此，左边及右边之额外曝光区域用作一缓冲器。在基板固持器之位置偏离之情况中，实时将曝光条带转移至左边或右边，使得即使存在一位置误差，数据仍在待曝光层之正确位置处经曝光。
64.类似地补偿沿相对移动之方向的误差。若基板固持器移动太慢，则调节(特定而言之)卷动速度(列周期)且藉由曝光控制来补偿强度。若基板固持器移动太快，则亦可藉由卷动速度(列周期)来调节曝光影像之位置，然而，只有当未依最大强度发生曝光时，藉由调节曝光时间来校正剂量才系可行的。
65.本发明允许使用一不昂贵机制且尽管如此，亦可获得一高定位精确度。
66.条带迭加(缝合)在一第四改良实施例中，待曝光层依一方式曝光使得重迭所计算曝光区段(特定而言之，条带)。较佳地，条带边缘处之区域经曝光两次。为防止过度曝光或曝光不足，该强度经改变或经形成使得其可依照光学系统(特定而言之，dmd)之位置而改变。较佳地，接着，将该等强度分布加起来以得到一恒定或至少更均匀之强度分布。可将条带之重迭视为接缝，其等应依一方式曝光使得，在理想状况下不可与一全区域曝光区别。一更精确描述发生于图6a至图6c之描述中。可产生根据本发明之条带重迭的原因不仅在于利用一曝光条带之边缘处之强度下降，更在于依一目标方式使用一动态照明控制，此允许曝光条带之边缘区域中之强度持续下降。因此，特定而言之，本发明较佳使得可藉由目标强度控制来控制接缝。
67.偏折扫描在一第五改良实施例中，曝光程序依一方式发生，使得在一第一步阶中，光学系统或dmd及基板(特定而言之，同步，更佳同时)沿相同方向行进，且在此程序步阶中，视需要接通光源。在一接下来之第二程序步阶中，沿与基板固持器之移动方向相反之方向(较佳依相当高之速度)位移光学系统(或dmd)。特定而言之，此程序步阶中未发生曝光。继同时移动之后，接着沿整列(特定而言之，针对各其他dmd列)实施光学系统之部分返回移动。藉由光学系统与基板之间的同步(特定而言之，共线)相对移动来产生一准静态曝光。因此，减少(较佳完全抑制)扫描期间的藉由相对移动之曝光之冲刷，且可获得一更好成像。
68.在一进一步改良实施例中，曝光程序依一方式发生，使得在一第一步阶中，光学系统与待曝光层之间的一相对移动沿一第一方向发生。在(特定而言之，同时运行之)一第二程序步阶中，沿(偏离第一方向之)一第二方向(特定而言之，垂直于第一方向配置)位移光学系统(或dmd)。较佳地，此位移发生于小于一个别像素之成像宽度的步阶中，因此产生一相当精细之成像点定位图案。继光学系统之横向移动之后的同时移动允许增大定位精确性或重迭。归因于光学系统与基板之间的同步(特定而言之，非共线)相对位移，减少(较佳完全抑制)扫描期间的藉由相对移动之曝光之淘汰，且可获得一更好成像。
69.在根据本发明之实施例中，藉由压电组件来调节用于产生影像之所有组件(特定而言之，光学组件)。特定而言之，可使用电光学/生光学/机械光学组件。藉由控制来沿x及/
或y及/或z方向位移影像。亦可使用复数个组件，其等可实施(特定而言之)影像之平移及/或旋转移动。可依对应于扫描速度之一速度来追踪影像。
70.同时曝光不同焦点平面上之不同结构在一第六经改良且较佳实施例中，焦点平面相对于待曝光层倾斜。在一曝光期间，焦点平面之位置及焦点深度对所成像之结构的质量非常重要。可依若干方式来倾斜焦点平面。
71.在第六实施例之一第一发展方案中，藉由机械倾斜整个dmd来改变焦点平面。此实施例为最不佳者。
72.在第六实施例之一第二较佳发展方案中，藉由目标改变连接至dmd之上游及/或下游之光学组件来影响焦点平面。藉由光学组件来影响焦点平面之倾斜。较佳地，一次性静态设定焦点平面且使用dmd之不同区域来曝光待曝光层之不同深度。
73.在根据本发明之第六实施例之一第三发展方案中，使用使用复数个不同波长之光源及/或具有一宽带波长光谱之光源来在待曝光层中(或穿过待曝光层)产生复数个(特定而言之，连续)焦点平面。
74.在此实施例中，待曝光层较佳由一材料(特定而言之，聚合物)形成，该材料对跨整个波长范围之对应辐射敏感。
75.灰度微影术之动态曝光控制在一第七改良实施例中，藉由下列方法之一者来依一目标方式控制一各位置处之强度。因此，可补偿过度曝光及/或曝光不足。此外，可改良低质量之结构且可产生曝光梯度。藉由各位置处之强度之目标控制，可产生(特定而言之)
•ꢀ
3d结构
•ꢀ
灰度微影术及/或
•ꢀ
光学近接校正。
76.使用dmd之一非常重要态样系照射至待曝光层上之光子强度依一空间正确方式分布。由于没有光源可称得上一理想聚光灯，因此亦没有光源具有一均匀强度分布。因此，照射至dmd上之光线亦为非均匀的。较佳在此光线照射至dmd上之前，藉由光学系统中之光学组件均匀化此光线。
77.根据本发明，不仅更改了光源之均匀性，亦调节dmd (特定而言之，其之微镜)以用于经偏转至待曝光层上之具有正确强度分布之一光线。存在用于正确控制一复杂空间强度分布的复数个有利措施。
78.特定而言之，光源之输出介于0.01瓦特与1000瓦特之间，较佳介于0.1瓦特与500瓦特之间，更佳介于1瓦特与250瓦特之间，最佳介于5瓦特与100瓦特之间，最佳介于9瓦特与13瓦特之间。
79.按w/m2来指定强度。藉由光学组件来集束至一单位面积上之辐射可据此轻易地计算强度。较佳可极其精确地调整光源之强度。藉由改变光源之输出、藉由曝光持续时间、及/或藉由光学系统中之光学组件来改变强度。因此，根据本发明，可在一良好界定之时间段内将不同强度之光线辐射至dmd上。藉由一对应反射镜控制之方式，可从而依所界定强度来辐射待曝光层之个别点。可使用与其不同之一强度来照明待曝光层之周围点。
80.根据本发明，存在曝光依一目标点状(特定而言之，与个别像素相关)方式解析之
待曝光层的可能性。藉由光学系统与待曝光层之间的一相对移动可若干次行进至各位置，因此可多次曝光待曝光之各像素。藉由一量测系统之一量测及对表面之质量之目标分析，可依一方式控制多次曝光使得可获得降级至像素级之一最均匀曝光。
81.因此，一方面，只要期望一均匀像素曝光，即可补偿来自一原光线之强度不均匀性，另一方面，可将依基于地址之一方式不同之曝光剂量引入至待曝光层中。
82.此外，可藉由所提及之根据本发明之实施例来重迭待曝光之曝光区段(特定而言之，条带)。藉由一重迭来多次曝光个别像素。自各像素之曝光次数开始，可计算各个别曝光程序之所要强度部分(依该强度部分曝光像素)。
83.若成像具有一强度梯度之结构，则(特定而言之)根据本发明判定应依何强度来多频繁曝光一像素，使得在n次重复之情况中，各像素在曝光程序结束时已负载有所判定之绝对强度。
84.用于改良重迭误差及/或运动模糊之各向异性及/或畸变成像光学器件在根据本发明之一进一步第八实施例中，藉由光学成像来不同地成像曝光图案之水平及/或垂直曝光图案网格线(特定而言之，即非二次方地)，使得在垂直及水平方向上设定一不同曝光图案分辨率。藉由偏离来补偿曝光之计算/控制。
85.在一进一步实施例中，成像轴或曝光图案网格线未经正交配置，而系依一倾斜延伸方式配置。使用此一(特定而言之，仿射畸变之)投影(特定而言之，一剪切)将允许简单地计算辐射位置及光栅分辨率以下之照明点之精确布局(亚像素级精确度)下的线性导引以获得曝光边缘之精确信息。
86.在根据本发明之进一步实施例中，未等距地实现沿垂直及/或水平方向之曝光图案之水平及/或垂直曝光图案网格线。
87.可藉由连接至dmd上游及/或下游之光学组件来自dmd之一均匀各向同性影像产生不同曝光图案，及/或该等曝光图案系一各向异性及/或不均匀建构之dmd之一直接结果。
88.另外，展示几种可能性以产生根据本发明之一对应投影(特定而言之，曝光图案之剪切)。
89.在根据本发明之一第一可能实施例中，将具有一圆柱轴之至少一柱状透镜用作成像光学器件来影响曝光图案之一变化。特定而言之，恰好使用两个柱状透镜。柱状透镜之圆柱轴较佳与待曝光表面平行。为获得根据本发明之一剪切，在两个圆柱轴之间设置小于90
°
之一角度(较佳小于70
°
、更佳小于50
°
、最佳小于20
°
)。然而，所有者中之最佳角由待产生之剪切角所致。
90.在根据本发明之一进一步实施例中，光学系统仅由一单一所谓复合透镜组成。一复合透镜经理解为意谓其之表面依一方式研磨使得光学性质相同于藉由组合两个透镜而获得之光学性质的一透镜。
91.因此，对基板进行规则辐射及不规则辐射两者均可获得上文指定之实施例。在一曝光重复率系规则的但不恰好整体匹配行进速度之特定情况中，另外启动恰好针对当前写入位置之曝光结构。据此，子像素布局之非整体位移将影响行进方向，此将导致一布局精确度提高且边缘粗糙度亦提高。
92.上文所描述之集合及/或时间位移之一组合将在所有方向上产生一子像素分辨率，且将减小对误差(与个别曝光组件之故障比较)之敏感性。需要了解由成像误差引起及/
或人工引起之畸变以特征化正确曝光剂量分布。线性畸变影像或经旋转影像具有计算更简单及光源控制更简单之优点。
93.减少运动模糊在根据本发明之一进一步第九实施例中，光学系统与待曝光层之间的相对速度及/或运动依一方式改变使得复数个像素在一像素大小内重迭。该重迭可经解译为一移动对象之一长期曝光。因此，在相对移动方向上产生像素之一淘汰。归因于判定何时写入或不写入该等像素之一者，可依一目标方式来设定沿相对移动方向之像素大小。为清楚起见，参见图8a至图8b或该等图之对应描述。
94.换言之，一个接一个循序照明之两个曝光图案经位移或移动以在微镜装置与小于一像素宽度(较佳小于一像素宽度之一半、更佳小于一像素宽度之四分之一)的像素光敏层之间具有一相对位移。
95.若光学器件沿扫描方向之缩小或扩大大幅小于沿正交于扫描方向之缩小或扩大，则可部分补偿归因于有限曝光时间而产生的运动模糊效应。此使得可获得一各向同性成像。沿移动方向之压缩并不减小运动模糊本身，但仅减小曝光点在行进方向上之总范围。
96.所提及之根据本发明之实施例及程序之所有者可视需要彼此组合，但其等经单独描述。只要描述了方法特征，则其等亦应被视为揭示为装置特征，且反之亦然。
附图说明
97.将从下列较佳例示性实施例之描述且在图式基础上获得本发明之进一步优点、特征及细节。在图式中：图1展示了根据本发明之装置之一第一实施例，图2展示了根据本发明之装置之一第二实施例，图3展示了根据本发明之装置之一第三实施例，图4a展示一dmd (微镜装置)之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，该dmd具有含有位于一第一位置中之微镜的一经放大部分区段，图4b展示一dmd (微镜装置)之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，该dmd具有含有位于一第二位置中之微镜的一经放大部分区段，图5a展示一待曝光层之一第一曝光区段之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图5b展示一待曝光层之一第二曝光区段之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，该第二曝光区段相对于该第一曝光区段稍微偏移，图6a展示具有一第一曝光区段之一基板之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图6b展示具有一第二曝光区段之一基板之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图6c展示具有重迭之第一及第二曝光区段的一基板之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图7a展示根据本发明之装置之一进一步实施例之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，
图7b展示根据本发明之装置之一进一步实施例之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图7c展示根据本发明之装置之一进一步实施例之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图8a展示根据本发明之方法的第一实施例之一待曝光层的一进一步经曝光区段之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图8b展示根据本发明之方法的第二实施例之一待曝光层的一进一步经曝光区段之一平面视图之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图9a展示根据本发明之一曝光图案的一第一实施例之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图9b展示根据本发明之一曝光图案的一第一实施例之一示意性绘示图(其并未按真实比例)，图10展示具有三个不同强度的两个相邻像素之一强度分布之一示意图，图11展示具有复数个曝光像素之一曝光图案之一示意图，及图12展示因光学组件而畸变之一曝光图案之一示意图。
98.在图式中，使用相同组件符号来标记相同组件或具有相同功能之组件。
具体实施方式
99.图1展示由一光学系统8、一基板固持器11组成之一第一实施例，该光学系统具有至少一光源7及至少一dmd 1 (微镜装置)。可相对于一坐标系统k3移动基板固持器11。
100.使用固定构件13来将一基板10固定于基板固持器11上，由可经曝光之一材料制成之一光敏层9位于该基板上，该光敏层9系藉由该装置来曝光。
101.一样品固定(即，固定至基板10或待曝光层9)之坐标系统k2之坐标原点较佳经安置于层9之表面9o之中心。
102.由光源7发射且在到达dmd 1之路途中可经过复数个光学组件(图中未标明)之光线6 (原光线)藉由dmd 1转换成一结构化光线6' (二次光线)。其在到达层9之路途中可经过复数个光学组件(图中未标明)。
103.一侦测器19 (特定而言之，一摄影机，更佳为一ccd或cmos摄影机)可藉由一半透明反射镜14''来捕捉及/或量测待曝光层9之表面9o。所量测结构较佳用于直接控制方法及/或装置之校准。为清楚起见，可在图式之进一步描述及图式中省去此等量测构件之绘示。然而，根据本发明之量测构件可用于所提及之根据本发明之各实施例。
104.图2展示一第二实施例，其中光学系统8经装备有两个光源7、7'。两个光源7、7'发射光线6。光线6之一者由一反射镜14转向至一分束器14'上且藉由相同反射器与第二光源7'之光线6组合。
105.所组合光线6经引导至dmd 1上且由相同dmd转换成一结构化光线6'，该结构化光线继而可在到达层9之路途中经过复数个光学组件(图中未标明)。
106.根据本发明之一(特定而言之)独立态样主要在于两个光源7之辐射强度、波长、相关长度及(若适宜)其他性质或参数可不同，使得可使用多个不同光学参数产生一雷射光线6。
107.根据本发明，特定而言之，可使用2个以上、(特定而言之)5个以上、更佳10个以上、最佳20个以上光源7、7'。各光源较佳可为一led场或ld (雷射二极管)场。
108.图3展示由一光学系统8组成之一第三实施例，该光学系统具有至少一光源7及两个dmd 1。
109.一光线6由光源7发射且藉由一分束器14'分裂开。藉由一第一dmd 1更改一第一分裂光线6.1以形成一第一更改光线6.1'。使用第一更改光线6.1'来曝光层9。第二分裂光线6.2由一反射镜14转向至一第二dmd 1上且作为一第二修改光线6.2'转递至层9上。较佳使用第二更改光线6.2'而非第一更改光线6.1'来曝光待曝光层9之一不同位置。所提及之光线之所有者可经过复数个光学组件(图中未标明)。
110.根据本发明之一(特定而言之)独立态样在于使用者至少两个dmd 1，藉由该等dmd可同时在两个不同位置处曝光层9，其中较佳将一单一(特定而言之)组合光线用于负载dmd。特定而言之，此导致曝光区段(特定而言之，一曝光条带)之一蔓延，且因此导致处理量之一增大。
111.图4a展示具有一镜面2之dmd 1。镜面2之一部分之放大绘示图展示多个反射镜3之复数个(16个)反射镜3。该等反射镜依一不倾斜对准配置，此被指定为初始位置。一坐标系统k1经分配至dmd 1。k1之z轴(即k1z)垂直于镜面2，x及y坐标平行于镜面2之镜面边缘2kx及2ky且界定一镜平面。
112.图4b展示相同dmd 1，其中反射镜3之一者经配置于一倾斜位置或围绕x轴旋转之一位置中。因此，照射至倾斜反射镜3上之光线6之部分沿一方向反射，该方向不同于非倾斜反射镜3所反射之光线6之部分的反射方向。
113.图5a展示镜面2之一示意图，在各情况中，镜面2具有一中央(特定而言之，条状)写入区域4及边缘处的两个(较佳平行)缓冲区域5 (其等与写入区域4相邻)。
114.与反射镜3不同，图中绘示由镜面2反射之一曝光图案24之像素23，该等像素对应于待曝光层9上之k2y=12位置处的形成结构12 (可被dmd 1与待曝光层9之间的光学组件更改)。
115.根据本发明之一有利实施例，仅配置于写入区域4中的反射镜3用于曝光，使得缓冲区域5形成一写入缓冲器，如下文中所解释。中心线d延伸穿过样品坐标系统之k2x轴之固定中心点0。
116.图5b展示沿k2y方向进行0.5 a.u.之一相对移动之后的相同dmd 1。因此，dmd 1位于k2y=12.5 a.u.之位置处。同时可见，沿k2x方向已发生约2 a.u.之一相对移动。此相对移动为所期望的且源于(例如)安装时之一故障。清楚可见如何将结构12位移至相对于dmd坐标系统k1之左边，以在坐标系统k2y中正确曝光该结构。因此，使用写入缓冲器。
117.因此，dmd之目标程序化将允许校正机械故障。因此，基板固持器9不沿一完全直线在k2y方向上移动基板10 (且因此移动层9)，相反，在沿k2y方向之移动期间存在朝向k2x之一稍微位移。
118.根据本发明(本发明之独立态样)，基板固持器9之机制较佳不用于校正故障，相反，写入区域4及缓冲区域5依一方式经程序化/电控制使得对应地位移待曝光结构12 (此处为沿负k1x方向)。因此，dmd 1之电子器件及/或机制补偿写入错误(此处为基板固持器11之机械故障)。
119.图6a展示沿一第一条带15曝光之一层9之一平面视图。条带15对应于在dmd 1相对于曝光层9沿k2y方向移动之后，由dmd 1之写入区域4曝光的层9之区域。
120.在条带15之强度变化区域16l、16r之间的一区域中，使用尽可能均匀之一强度来照明被照明像素23。
121.对比而言，强度变化区域16l、16r中的被照明像素23依一方式经控制，使得自写入区域4沿dmd 1边缘之方向反射的反射光线6'之强度(特定言之，持续) (较佳与与写入区域4之距离成正比例)下降。标记依照位置变化之一对应图案强度分布(强度/位置) (可自其上读取强度曲线)。因此，曝光层9所使用之强度具有条带15之区域中之一最大值，且正常情况下，(较佳平稳及/或线性地)横向下降至零。
122.图6b展示类似于图7a的一绘示图，特定而言之，其系关于紧邻第一条带15之曝光的一第二条带15'。其经位移至相对于第一条带15之右侧，使得图6a之右侧强度变化区域16r与图7b之左侧强度变化区域16l'重迭(较佳迭合)。像素23依如左侧强度变化区域16l'中之精确分布之方式连接于右侧强度分布区域16r中，其中对应像素23之强度经加总以获得对应于条带15中之强度的一像素强度。
123.图6c展示一平面视图，其中第一条带15之强度变化区域16r与第二条带15'之强度变动区域16l'迭合，使得获得一恒定强度分布。因此，随着第一条带15之强度与第二条带15'之强度加总，均匀地发生曝光。
124.图7a展示根据本发明之一实施例之一放大区段，其具有一dmd 1、原光线6及二次光线6'之光学路径及待曝光层9。此处，原光线6及二次光线仅由光学路径6、6'来符号表示，且较佳很大以照明整个dmd 1。第二光线6'垂直于待曝光层9。特定而言之，焦点平面17平行于表面9o (较佳位于表面9o上)。一景深范围18表示其内可发生像素23之一清晰成像的深度。
125.图7b展示根据本发明之一较佳实施例之一放大区段，其与根据图7a之实施例比较有所变化。第二光线6'依一角度α反射至待曝光层9上。因此，焦点平面17依一角度α与待曝光层9相交。在左侧上，其位于待曝光层9外，而在右侧上，其位于待曝光层9中。因此，景深范围18在右侧较深地穿入至层9中，且因此，可用于在未藉由移动dmd 1来沿k2z方向移动焦点平面17之情况下，在凹陷中产生三维结构之清晰结构。
126.特定而言之，为了可更清晰成像位于更深处之结构而沿k2z方向位移dmd 1之行为可藉由倾斜dmd 1来避免。因此，dmd 1上之曝光区域之动态位移允许对应深度处之一目标清晰曝光。与多次曝光比较，一重要优势在于可在所有空间方向上无机械故障之情况下高精确度地产生结构。
127.图7c展示根据本发明之一较佳实施例之一放大区段，其与根据图7a及/或图7b之实施例比较有所变化。藉由位于dmd 1与待曝光层9之间的光学组件(图中未展示)来依一方式偏转二次光线6'，使得焦点平面17依一角度α相对于基板表面9o倾斜。
128.图8a展示待曝光层9之一部分区段之一平面视图。藉由dmd 1来沿一长度l照明一像素23 (一曝光图案24之最小单元)，此系因为dmd 1 (图中未展示)与待曝光层9之间已发生一相对移动，且藉由照明像素23来在沿长度l之整个行进期间发生层9在宽度b区域中之一曝光。所曝光区域对应于像素23，其中藉由照明强度来控制曝光之强度。在重迭之情况中，对重迭区域中之强度进行加总。
129.曝光自k2y位置0向上发生至k2y位置3。产生沿相对移动方向之淘汰，此系因为在相对移动期间，在自约-2至约5之范围内发生复数个曝光。像素23之强度分布重迭且产生沿路径1之一较强强度增大。
130.图8b展示图8a之一替代实施例，其中与图8a之不同在于由于dmd 1之对应反射镜3 (图中未展示)首先自k2y位置1处开始曝光且曝光在k2y位置2处已经结束，因此产生较小长度l'。因此，(特定而言之，当后者晚些接通或早些断开时)可藉由对反射镜3之目标控制来增大沿k2y方向之分辨率。因此，在实际情况中，像素23之曝光之开始延迟33.33%且早33.33%结束。由于各光线具有自一逐阶形状偏离之一强度分布，因此不可二次方地曝光像素23。曝光图案24、24'、24''、24'''经绘示为参考线，我们可设想其等位于待曝光层9之上方。该等图案较佳对应于像素23之尺寸。
131.图9a展示根据本发明为次佳的一第一曝光图案24，且其在两个互相正交之方向k2x、k2y上具有等距间隔之曝光图案网格线27。因此，曝光图案24在k2x及k2y之两个方向上为各向同性且均匀的。
132.图9b展示根据本发明之一第二较佳曝光图案24'，其针对各方向具有一单独间隔，(特定而言之，相对于该方向)该间隔在曝光图案网格线27之间系等距的。因此，曝光图案24'在方向k2x及k2y之各者上为各向异性但均匀的。
133.亦可设想，曝光发生于曝光图案网格线之交叉点25及/或部分曝光图案区域26处，且不发生于个别图案区域内部。
134.特定而言之，可藉由安装于dmd 1 (图中未展示)之上游及/或下游的光学组件(图中未展示)来产生/更改不同曝光图案24、24'、24''、24'''。dmd 1 (图中未展示)将较佳为各向同性且均匀的，其中(特定而言之，下游)光学组件(图中未展示)经建构以影响dmd之一各向异性及/或均匀成像。
135.图10展示两个反射镜3及镜强度分布22、22'、22'' (特定而言之，高斯分布)及由此等强度分布22、22'、22''产生之像素23、23'、23''的一示意性横截面绘示图，该等镜强度分布藉由三个不用参数组及/或反射镜3之构造变化来实现。可见，具有特征化分布函数的逐渐增大参数(特定而言之，半最大值处之全宽度((fwhm) fwhm、fwhm'、 fwhm''))之强度分布甚至更高度重迭，使得更有力地淘汰两个彼此相邻之像素23、23'、23''。在最高度重迭之像素23''之情况中，结果为一非常均匀之曝光图案。
136.图11展示一5 x 5曝光图案24上之复数个像素23之一示意性平面视图(其并未按真实比例)。可见一图案28，其由对应反射镜3之目标连接来照明。反射镜3之镜强度分布很清晰，使得可清楚看见强度最大值，且强度下降和很明显，使得每反射镜3 (图中未展示)之强度分布极其高度受限于所分配之部分曝光图案区域26。特定而言之，在根据本发明之较佳实施例中，镜强度分布与部分曝光图案区域26之外部分重迭，如实现根据图10之像素23''之情况。
137.图12展示被(特定而言之)光学系统8之光学组件畸变之一曝光图案24''之一示意性平面视图(其并未按真实比例)。藉由光学组件将由dmd 1之反射镜3反射之部分光线正交地反射至待曝光层9上，但(较佳仅仅)在k2x-k2y平面内发生一畸变。可藉由根据本发明之此方法来产生一曝光图案24''，根据本发明，此将导致重迭之一增大。在此实施例中，dmd 1较佳不倾斜，相反，dmd 1之原始影像经仿射畸变以影响曝光图案24''之倾斜度。
138.【符号说明】1dmd2镜面2kx、2ky镜面边缘3、3'反射镜4写入区域5缓冲区域6光线6'更改/结构化光线6.1'第一更改光线6.2'第二更改光线7、7'光源8光学系统9层10基板11基板固持器12、12'、12''结构13固定构件14反射镜14'分束器14''半透明反射镜15、15'、15''条带16l、16r、16l'、16r'、16r''强度变化区域17焦点平面18景深范围19侦测器20点图案22、22'、22''镜强度分布23、23'像素24、24'、24''、24'''曝光图案25曝光图案网格线交叉点26部分曝光图案区域27曝光图案网格线28图案l、l'长度b宽度d中心线v垂直点图案间隔h水平点图案间隔
r曝光点半径p镜中心间隔