半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成膜层堆叠结构；刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域；图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域，包括：在所述膜层堆叠结构背离所述衬底的一侧形成掩膜材料层；在所述掩膜材料层背离所述衬底的表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成多个显影区，各所述显影区露出所述掩膜材料层；在所述显影区对所述掩膜材料层进行刻蚀，以形成掩膜图案；根据所述掩膜图案对所述膜层堆叠结构进行非等向刻蚀，并以所述衬底为刻蚀停止层，在位于所述第一区域的膜层堆叠结构中形成所述通孔，在位于所述第二区域的膜层堆叠结构中形成所述孔段。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构，包括：在所述第一区域的表面形成光刻胶层；刻蚀所述第二区域的所述膜层堆叠结构及与所述第二区域正对的衬底；去除所述光刻胶层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二区域的所述膜层堆叠结构及与所述第二区域正对的衬底，包括：沿垂直于所述膜层堆叠结构的方向对所述第二区域的膜层堆叠结构采用刻蚀气体进行干法刻蚀。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括四氟化碳气体或六氟化硫气体中至少一种。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一区域为所述膜层堆叠结构的中心区域，所述第二区域为所述膜层堆叠结构的边缘区域。7.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其特征在于，所述通孔为多个，与所述第一区域正对的衬底包括多个存储节点接触塞，且各所述通孔能一一对应的露出各所述存储节点接触塞。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在各所述通孔中形成电容阵列。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述膜层堆叠结构包括沿垂直于衬底的方向交叠设置的支撑层和牺牲层，所述在各所述通孔中形成电容阵列，包括：在各所述通孔中形成下电极层，所述下电极层与所述存储节点接触塞接触连接；去除各所述牺牲层；在所述下电极层和所述支撑层共同构成的结构的表面形成电容介质层；在所述电容介质层背离所述下电极层的表面形成上电极层；
形成覆盖所述上电极层的导电层，所述导电层充满所述通孔及相邻两个电容之间的间隙。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件由权利要求1-9任一项所述的半导体器件的制造方法制备。

技术总结
本公开提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成膜层堆叠结构；刻蚀所述膜层堆叠结构，形成含有露出所述衬底的通孔的第一区域及含有未露出所述衬底的孔段的第二区域；图形化刻蚀所述第二区域，去除所述第二区域内的所述膜层堆叠结构。本公开的半导体器件的制造方法可防止电容失效，提高电容稳定性。性。性。


技术研发人员：刘欣然 孙玉乐
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.09.14
技术公布日：2022/3/14