一种缩短大花蕙兰花龄及提高开花率的方法与流程

1.本发明涉及花卉的栽培领域，具体涉及一种缩短大花蕙兰花龄及提高开花率的方法。


背景技术：

2.兰花是风靡世界的名贵花卉，是世界上栽培最广、销售量最大的花卉种类之一，我国目前是兰花最大的生产国之一，目前规模化生产的主要兰花品种有蝴蝶兰、大花蕙兰和石斛兰等。大花蕙兰花朵硕大，色彩鲜艳，异彩纷呈，花型整齐且质地坚挺，经久不凋，属豪华高雅型兰花。它在春节前上市，满足国人对花卉的传统消费期要求，且大花蕙兰具有国兰的幽香典雅，又有洋兰的丰富多彩，在国际花卉市场十分畅销，深受花卉爱好者的倾爱。
3.大花蕙兰的组培苗要经过2.5～3年的营养生长，才能够进入生殖生长，进行花芽分化和发育，进而开花。通常从组培苗出瓶到开花需3至4年时间。导致植株生产周期长、投资回报周期长、价格高，极大制约盆花销售的发展。因此，花龄调控技术在大花蕙兰盆花商业化中显得尤为重要。在花龄调控研究中，通过控制温度、营养配比以及植物生长调节剂，可实现多种观赏植物的开花调控。然而目前对大花蕙兰花龄调控方面的研究还不够全面，现有技术中未见有调节大花蕙兰花龄方法的报道。


技术实现要素：

4.本发明的目的是针对大花蕙兰花龄长、开花率低等缺陷，而提供一种缩短大花蕙兰花龄及提高开花率的方法，通过调整大花蕙兰的童期使其尽快进入生殖花龄，从而缩短其栽培周期，同时针对目标花期对大花蕙兰进行调控，促进大花蕙兰盆花销售的发展。
5.本发明采用以下技术方案：一种缩短兰大花蕙兰花龄及提高开花率的方法，包括以下步骤：一、种苗移栽1、苗龄及来苗时间的选择 每年的2—5月来小苗，小苗要有3—4条根系，无变异、退化、黄叶，小苗到种植基地后打开箱子让小苗慢慢适应气温、适应水及周边环境3—5天；2、基质的选择：采用松树皮作为基质，将0.5—0.6cm大小的松树皮，采用紫外线杀菌24小时，再用蒸汽100℃消毒4小时备用。
6.二、移栽后管理小苗采用快宝500—1000倍浸泡3—5min，栽种到放置有步骤2杀菌后基质的10
×
12寸的软杯中，软杯放置在栽培架上，并保证软杯株行距为5
×
8cm。栽种后的一个星期内每天人工补水3—5次，每次15—20s；一星期后每天自动喷灌1—2次，每次7—10min；两星期后每天自动喷灌1次，每次15min；三星期后隔天自动喷灌1次，每次20min，且在中间间隔那天浇水溶肥，每次浇5min，所述水溶肥为20：20：20 te肥5000倍。栽种小苗后一个月施缓释肥，施肥量为1—2g/株；2个月后补肥，补肥量为2—3 g/株，3个月后继续补肥，补肥量为3—4 g/株，
保证3个月内的施肥量为7 g/株。在此期间控制大棚光照强度为20000～30000lx，温度18—28℃，保持小苗棚环境无污染、小苗不被虫咬、无病毒。
7.三、换盆及换盆后管理当年9—10月，大花蕙兰植株达到平均叶长30—40cm，平均叶宽2.5cm，平均株高为25cm的标准时，换到6寸或6.5寸的花盆中，换盆前，采用多菌灵1000—2000倍喷树皮后拌匀放入花盆中，采用优氯净500倍喷洒地面，并用紫外线灯对苗床进行杀菌处理24h。
8.换盆缓苗一星期后，开始施缓释肥13：13:13，180天内的施肥总量为8g/株，施肥频率为1个月1次，15天后采用快宝500—1000倍浇根，以及生长素500—1000倍与矮壮素500—1000倍间隔7—10天交换使用的方式刺激苗生长，生长素及矮壮素以叶面喷洒时间为20—30s，使药液从叶面流到假鳞茎上为适度。
9.长到当年11—12月，能看到苗的假鳞茎膨胀时，或芯片内第一片叶子叶宽长到3—5cm，第二篇叶子叶宽长到2—3cm时进行进行第一代抽芯，抽芯后采用50%和30%的两层遮阴网进行白天和晚上遮阴，遮阴15天后进入正常生长期，此时控制大棚光照强度为30000～40000lx，控制其生长环境温度为白天20-25℃、夜间15-18℃。
10.抽芯后30—35天在抽芯留下的叶片下长出5—6个二代小芽，选择留下2个壮芽。
11.期间按大花蕙兰的常规管理方式对其进行管理，病虫害防治以预防为主，杀菌剂采用世高2000倍或代森锰锌1000倍。杀虫剂采用联苯肼酯3000倍、螺螨酯2000倍或甲氰菊酯3000倍。
12.四、三代芽培育次年8—9月，长出5—8个第三代秋芽，向大花蕙兰叶面喷施1次含腐植酸水溶肥料。期间按大花蕙兰的常规管理方式对其进行管理，需增加3次缓释肥的施加，增加量为6g/株，直至大花蕙兰花箭开始发育为止，花箭数量为5—10支。
13.当花箭长至 5—7cm 时，对花箭喷洒 60—80mg/l 的赤霉素(ga3)1—2 次 ；当花箭长至 55cm 时，喷洒 60mg/l 的多效唑 (pp333)1—2 次 。
14.五、开花年管理第三年3—4月，对苗床进行补光处理，补光采用苗床上方采用灯光照射的方式，下方采用锡箔薄膜反射的方式，具体为将打孔后的锡箔薄膜放置于距离盆底30—40cm的苗床架上。
15.8—12月开花，花期2.5—3.5个月。
16.优先的，所述生长素为14-羟基芸苔素甾醇或6-苄氨基嘌呤。
17.本发明具有以下优点：大花蕙兰通常从组培苗出瓶到开花需3.5年时间，期间需要换盆3次，本发明通过对换盆后的大花蕙兰交替喷施生长素与矮壮素刺激假鳞茎生长，如果只使用生长素，叶子会继续生长，耗费营养的同时，影响花的发育和整体观赏效果。通过间隔喷洒生长素和矮壮素，能在刺激植株生长的同时压制其长势，给花的发育提供充分的营养，也能调节花和叶的比例，达到更佳的观赏效果。在整个生长过程中肥料采用少施多次，并严格控制其生长环境要素，可以使大花蕙兰尽快结束童期生长，并过渡为生殖生长，实现了缩短大花蕙兰花龄为2.5年，花龄比空白对照缩短了1年，促进花芽提前分化和发育，使其花龄提前，而且花箭由每株2—3个变为每株5—10个，提高了开花率，且花箭粗壮，观赏性大大提高，从而能够保证大花蕙兰以较高价格销售，提高了其经济价值，促进产业化发展。开
花年的3—4月对苗床进行补光处理，能够使阳光反射到盆底及叶面下方，加快其生长，且锡箔薄膜上的孔能够将流到上面的水及时排走。换盆次数减少，降低商品盆花的种植成本，同时通过施用本发明调控方法也相应增强了大花蕙兰的抗逆性，从而提升大花蕙兰的品质和观赏价值。
18.以上对比可以看出，本发明方法无论从花龄，开花率都产生了很好的效果。
具体实施方式
19.实施例1：一种缩短兰大花蕙兰花龄及提高开花率的方法，包括以下步骤：一、种苗移栽1、苗龄及来苗时间的选择 2018年的3月来小苗，小苗有3—4条根系，无变异、退化、黄叶，小苗到种植基地后打开箱子让小苗慢慢适应气温、适应水及周边环境3—5天；2、基质的选择：采用松树皮作为基质，将0.5—0.6cm大小的松树皮，采用紫外线杀菌24小时，再用蒸汽100℃消毒4小时备用。
20.二、移栽后管理小苗采用快宝800倍浸泡3—5min，栽种到放置有步骤2杀菌后基质的10
×
12寸的软杯中，软杯放置在栽培架上，并保证软杯株行距为5
×
8cm。栽种后的一个星期内每天人工补水3—5次，每次15—20s；一星期后每天自动喷灌1—2次，每次7—10min；两星期后每天自动喷灌1次，每次15min；三星期后隔天自动喷灌1次，每次20min，且在中间间隔那天浇水溶肥，每次浇5min，所述水溶肥为20：20：20 te肥5000倍。栽种小苗后一个月施缓释肥，施肥量为1—2g/株；2个月后补肥，补肥量为2—3 g/株，3个月后继续补肥，补肥量为3—4 g/株，保证3个月内的施肥量为7 g/株。在此期间控制大棚光照强度为20000～30000lx，温度18—28℃，保持小苗棚环境无污染、小苗不被虫咬、无病毒。
21.三、换盆及换盆后管理当年9—10月，大花蕙兰植株达到平均叶长30—40cm，平均叶宽2.5cm，平均株高为25cm的标准时，换到6寸或6.5寸的花盆中，换盆前，采用多菌灵1000—2000倍喷树皮后拌匀放入花盆中，采用优氯净500倍喷洒地面，并用紫外线灯对苗床进行杀菌处理24h。
22.换盆缓苗一星期后，开始施缓释肥13：13:13，180天内的施肥总量为8g/株，施肥频率为1个月1次，15天后采用快宝500—1000倍浇根，以及14-羟基芸苔素甾醇500—1000倍与矮壮素500—1000倍间隔7—10天交换使用的方式刺激苗生长，生长素及矮壮素以叶面喷洒时间为20—30s，使药液从叶面流到假鳞茎上为适度。
23.长到当年11—12月，能看到苗的假鳞茎膨胀时，或芯片内第一片叶子叶宽长到3—
5cm，第二篇叶子叶宽长到2—3cm时进行进行第一代抽芯，抽芯后采用50%和30%的两层遮阴网进行白天和晚上遮阴，遮阴15天后进入正常生长期，此时控制大棚光照强度为30000～40000lx，控制其生长环境温度为白天20-25℃、夜间15-18℃。
24.抽芯后30—35天在抽芯留下的叶片下长出5—6个二代小芽，选择留下2个壮芽。
25.期间按大花蕙兰的常规管理方式对其进行管理，病虫害防治以预防为主，杀菌剂采用世高2000倍或代森锰锌1000倍。杀虫剂采用联苯肼酯3000倍、螺螨酯2000倍或甲氰菊酯3000倍。
26.四、三代芽培育2019年8—9月，长出5—8个第三代秋芽，向大花蕙兰叶面喷施1次含腐植酸水溶肥料，直至大花蕙兰花箭开始发育为止。期间按大花蕙兰的常规管理方式对其进行管理，需增加3次缓释肥的施加，增加量为6g/株。直至大花蕙兰花箭开始发育为止，花箭数量为5—10支。
27.当花箭长至 5—7cm 时，对花箭喷洒 60—80mg/l 的赤霉素(ga3)1—2 次 ；当花箭长至 55cm 时，喷洒 60mg/l 的多效唑 (pp333)1—2 次 。
28.五、开花年管理2020年3—4月，对苗床进行补光处理，补光采用苗床上方采用灯光照射的方式，下方采用锡箔薄膜反射的方式，具体为将打孔后的锡箔薄膜放置于距离盆底30—40cm的苗床架上。
29.8月开始开花。