引线框架及半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种引线框架，用于一半导体器件，其特征在于，所述引线框架包括至少一封装单元，每一封装单元包括：至少一基岛，用于放置一半导体芯片；以及，复数个引线指，围绕所述基岛设置；其中，相邻封装单元之间通过连接部连接，所述连接部具有冲压形成的贯穿槽；并且，所述贯穿槽在与至少一引线指相邻处具有突出部，所述突出部沿着该引线指在朝向靠近所述基岛的方向上延伸。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，以一封闭的封装线定义一封装单元，所述贯穿槽的所述突出部从所述贯穿槽与引线指的相邻处延伸至靠近所述封装线。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述贯穿槽的边缘具有由冲压而形成的断口。4.如权利要求1或3所述的引线框架，其特征在于，所述贯穿槽的表面具有复数条冲压形成的痕迹，并且这些痕迹沿着冲压方向延伸。5.一种半导体器件，由权利要求1所述的引线框架构建，其特征在于，所述半导体器件包括一由封装材料形成的封装体，以及至少一从所述封装体的内部延伸至突出于所述封装体表面的引脚，其中，所述引脚在远离所述封装体的一端具有切割形成的断面，并且，所述断面中间具有冲压形成的凹槽，所述凹槽从所述断面沿着所述引脚朝向靠近所述封装体的方向延伸，并且，所述凹槽的表面覆盖电镀层。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的边缘具有由冲压而形成的断口。7.如权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的表面具有复数条冲压形成的痕迹，并且这些痕迹沿着冲压方向延伸。8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述引脚的断面暴露所述引脚的材料，且不设置电镀层。9.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽将所述引脚分割为一连续部和至少一分支部，其中，所述引脚的连续部从所述封装体的内部延伸至突出于所述封装体表面，所述分支部从所述连续部沿着远离所述封装体的方向延伸。

技术总结
本申请提供一种引线框架，以及利用该引线框架构建的半导体器件。所述引线框架包括至少一封装单元，每一封装单元包括：至少一基岛，用于放置一半导体芯片；以及，复数个引脚，围绕所述基岛设置；其中，相邻封装单元之间通过连接部连接，所述连接部具有冲压形成的贯穿槽；并且，所述贯穿槽在与至少一引脚相邻处具有突出部，所述突出部沿着该引脚在朝向靠近所述基岛的方向上延伸。的方向上延伸。的方向上延伸。


技术研发人员：阳小芮 王勇霖
受保护的技术使用者：上海凯虹科技电子有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/3/8