用于制备纳米银包膜的干细胞存储管的制作方法

1.本实用新型属于医疗器械技术领域，具体涉及一种用于制备纳米银包膜的干细胞存储管。


背景技术：

2.纳米(nm)是物理学界在继微米之后，最小的计量单位，随着纳米技术的开发。大量的纳米材料被发现具有反物理现象。以及特殊功能质效，纳米银，也是在金属纳米材料被广泛开发后。形成的一个新兴研究领域。银在纳米状态下，生物医学利用的杀菌能力产生了质的飞跃。极少的纳米银可产生过去无法想象的强大的杀菌作用，纳米银可在数分钟内杀死650多种细菌，同时具有广谱杀菌，无任何的组织耐药性，研究还表明，纳米银能够促进细胞的生长及受损细胞的修复、伤口的愈合，无任何表面皮肤接触毒性反应，这使广泛应用纳米银技术赋予了，极大地生物医学利用的前景。是目前先进的天然抗菌剂。
3.干细胞存储管主要用于干细胞的存储。达到再生医学的各种目的，为实施更有效的细胞治疗等，提供有效支点的容器。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术存在的上述问题，本实用新型目的在于提供用于制备纳米银包膜的干细胞存储管纳米银包膜的制备方法。
5.本实用新型所采用的技术方案为：
6.本实用新型涉及磁控溅射与化学辅助纳米银包膜在干细胞存储管的形成方式。纳米银在干细胞存储管的内外镀层和稳定附着。其中，内镀层最终是接触干细胞培养液及干细胞贴壁生长关键部位。含有纳米银的复合材料，附着性良好。外镀层区有比较强大的抗菌隔离作用以及抗菌屏蔽作用。在发挥干细胞在被培养的过程中，有效的保护不被外界微生物，尤其是细菌的侵蚀性的生长。本实用新型使用磁控溅射来形成外镀层，用化学辅助沉淀生长，来实现内涂层。
7.一种用于制备纳米银包膜的干细胞存储管，包括管体，所述管体的侧壁设有凹槽。
8.进一步的，所述凹槽包括设于管体内壁的内凹槽和设于管体外壁的外凹槽。
9.进一步的，所述内凹槽包括水平槽和竖直槽。
10.进一步的，所述外凹槽包括水平槽和竖直槽。
11.进一步的，所述凹槽的深度为0.1～0.5mm。
12.进一步的，所述管体的开口处设有一圈夹持部。
13.本实用新型的干细胞存储管纳米银包膜的制备方法，包括如下步骤：
14.s1.利用高频振荡的方法，将干细胞存储管清洗干净。所述干细胞存储管的内外两侧均设置有凹槽，所述凹槽的深度为0.1-0.5mm。干细胞存储管由具有抗细胞吸附的高分子聚合物支撑，如聚氧化乙烯或类peo聚合物等。然后根据干细胞存储管的大小制备银靶；
15.干细胞存储管的大小，因所述干细胞存储管的内外侧均设置有凹槽，因此将所述
干细胞存储管的直径表示为a,b,c，其中a为所述干细胞存储管的最大外直径，b为所述干细胞存储管未设置所述凹槽时的外直径，c为所述存储管的最大内直径。银靶的体积用v表示，v＝1.2a
×
1.2b
×
1.2c。
16.s2.在磁控溅射真空室内外两侧均设置所述银靶，设置在所述磁控溅射真空内的银靶为内靶，设置在所述磁控溅射真空外的银靶为外靶；在所述外靶上缠绕铜丝匝，所述铜丝的直径为0.1cm；将所述干细胞存储管放置于所述内靶，再封闭真空室，最后对真空室抽真空，真空度为10-6
；
17.s3.向上述步骤s2中的磁控溅射真空室中输入惰性气体，例如氮气、氦气；
18.s4.将上述充有惰性气体的磁控溅射真空室的电压控制在220v，电流值控制在4a，用所述内靶对所述干细胞存储管进行轰击，轰击15-25min后，关闭所述内靶，自然冷却，冷却15-25min；冷却后，再次用所述内靶轰击所述干细胞存储管3-7min，使得所述内靶表面得银原子离开所述内靶并沉积在所述干细胞存储管表面，得到有纳米银外镀层的干细胞存储管；
19.s5.将dmf分散液缓慢倒入搅拌机中；再向所述搅拌机中倒入纳米银胶浆，将所述dmf分散液和纳米银胶浆搅拌均匀，得到混合溶液；将所述混合溶液倒入离心容器中；将所述初产品放入所述离心容器内，打开离心机，离心时间为0.5-1.5min，在4500-5500rpm的旋转速度下进行旋涂，旋涂过程重复3次，实现纳米银的负载；离心结束后，将所述离心容器中的混合溶液抽出，取出所述初产品，抽真空干燥2-4h后得到有纳米银内镀层的干细胞存储管。为避免 dmf分解，全过程在无紫外线的环境下进行。
20.dmf分散液即n,n-二甲基甲酰胺分散液，dmf分散液作为极性惰性溶剂，为无色透明液体，沸点153℃，相对密度(水＝1)0.95，相对蒸气密度(空气＝1) 2.51，临界温度374℃，折射率(25℃)为1.42817，黏度(25℃)为0.802mpa
·
s，比旋光度0.94
°
，电导率6
×
10-8
s/m，热导率c为0.1657w/(m
·
k),20
°
，拓扑分子极性表面积(tpsa)为20.3，是优良的溶剂。除卤化烃以外可以与水及多数有机溶剂不产生化学反应而且高度混合。对多种无机化合物和有机化合物均有良好的化学稳定性和溶解能力。
21.本实用新型的化学梯度沉降法，生成的纳米内膜表面为非质子极性，尤其是惰性有机溶剂中具有很好的界面相容性，良好的黏度的剪切力干预，使后期低强度离心处理可得到复合负载的纳米膜，经抽滤成型，形成并得到机械高强度纳米膜，所有材料均可有效回收并重复使用。适合工业化生产。全过程中无强碱、强酸、强还原剂、强氧化剂的使用，废液零排放，高度环保。制备出的纳米内外膜性质优异。
22.本实用新型的有益效果为：
23.本实用新型将磁控溅射和化学沉降方法用于在干细胞存储管内外形成镀层，使得干细胞存储管具有纳米银的优良特性。本实用新型采用的纳米银可高效杀灭数百种致病微生物。改善创伤周围组织的微循环，有效的促进伤口愈合，促进受损细胞的修复和再生，消除炎性反应。有效地激活并促进受损组织细胞的生长，减少疤痕的生成，加速伤口的愈合。具有超强的渗透性，属于非抗菌素杀菌剂，克服了抗菌素杀菌的很多弊病。
24.本实用新型的化学梯度沉降法，生成的纳米内膜表面为非质子极性，尤其是惰性有机溶剂中具有很好的界面相容性，良好的黏度的剪切力干预，使后期低强度离心处理可得到复合负载的纳米膜，经抽滤成型，形成并得到机械高强度纳米膜，所有材料均可有效回
收并重复使用。适合工业化生产。全过程中无强碱、强酸、强还原剂、强氧化剂的使用，废液零排放，高度环保。制备出的纳米内外膜性质优异。
附图说明
25.图1为本实用新型中干细胞存储管的结构示意图；
26.图2本实用新型中干细胞存储管的主视图；
27.图3为图2中a-a方向的剖视图。
28.1-管体；2-夹持部；3-外凹槽；4-内凹槽。
具体实施方式
29.下面结合具体实施例对本实用新型做进一步阐释。
30.实施例1：
31.如图1-3所示，用于制备纳米银包膜的干细胞存储管，包括管体1，所述管体1 的侧壁设有凹槽。
32.所述凹槽包括设于管体1内壁的内凹槽4和设于管体1外壁的外凹槽3。
33.所述内凹槽4包括水平槽和竖直槽。
34.所述外凹槽3包括水平槽和竖直槽。
35.所述凹槽的深度为0.1～0.5mm。
36.所述管体1的开口处设有一圈夹持部2。
37.实施例2：
38.如图1-3所示，用于制备纳米银包膜的干细胞存储管，包括管体1，所述管体1的侧壁设有凹槽。
39.所述凹槽包括设于管体1内壁的内凹槽4和设于管体1外壁的外凹槽3。
40.所述内凹槽4包括水平槽和竖直槽。
41.所述外凹槽3包括水平槽和竖直槽。
42.所述凹槽的深度为0.1～0.5mm。
43.所述管体1的开口处设有一圈夹持部2。
44.在实施了1的基础上，本实施例提供用于制备纳米银包膜的干细胞存储管纳米银包膜的制备方法，包括如下步骤：
45.s1.根据干细胞存储管的大小制备银靶；
46.s2.在磁控溅射真空室内外两侧均设置所述银靶，设置在所述磁控溅射真空内的银靶为内靶，设置在所述磁控溅射真空外的银靶为外靶；将所述干细胞存储管放置于所述内靶，再封闭真空室，最后对真空室抽真空；
47.s3.向上述步骤s2中的磁控溅射真空室中输入惰性气体；
48.s4.利用磁控溅射法，通过所述内靶在所述干细胞存储管表面形成纳米银膜，得到初产品；
49.s5.利用化学沉降法使得所述出产品上复合形成内镀层，同时使得银原子稳定附着在所述干细胞存储管上，真空干燥后得到有纳米银包膜的干细胞存储管。
50.实施例3：
51.在实施了1的基础上，本实施例提供用于制备纳米银包膜的干细胞存储管纳米银包膜的制备方法，包括如下步骤：
52.s1.利用高频振荡的方法，将干细胞存储管清洗干净。所述干细胞存储管的内外两侧均设置有凹槽，所述凹槽的深度为0.5mm。干细胞存储管由具有抗细胞吸附的高分子聚合物支撑，如聚氧化乙烯或类peo聚合物等。然后根据干细胞存储管的大小制备银靶；
53.干细胞存储管的大小，因所述干细胞存储管的内外侧均设置有凹槽，因此将所述干细胞存储管的直径表示为a,b,c，其中a为所述干细胞存储管的最大外直径，b为所述干细胞存储管未设置所述凹槽时的外直径，c为所述存储管的最大内直径。银靶的体积用v表示，v＝1.2a
×
1.2b
×
1.2c。
54.s2.在磁控溅射真空室内外两侧均设置所述银靶，设置在所述磁控溅射真空内的银靶为内靶，设置在所述磁控溅射真空外的银靶为外靶；在所述外靶上缠绕铜丝匝，所述铜丝的直径为0.1cm；将所述干细胞存储管放置于所述内靶，再封闭真空室，最后对真空室抽真空，真空度为10-6
；
55.s3.向上述步骤s2中的磁控溅射真空室中输入惰性气体，例如氮气、氦气；
56.s4.将上述充有惰性气体的磁控溅射真空室的电压控制在220v，电流值控制在4a，用所述内靶对所述干细胞存储管进行轰击，轰击15min后，关闭所述内靶，自然冷却，冷却15min；冷却后，再次用所述内靶轰击所述干细胞存储管3min，使得所述内靶表面得银原子离开所述内靶并沉积在所述干细胞存储管表面，得到有纳米银外镀层的干细胞存储管；
57.s5.将dmf分散液缓慢倒入搅拌机中；再向所述搅拌机中倒入纳米银胶浆，将所述dmf分散液和纳米银胶浆搅拌均匀，得到混合溶液；将所述混合溶液倒入离心容器中；将所述初产品放入所述离心容器内，打开离心机，离心时间为0.5min，在4500rpm的旋转速度下进行旋涂，旋涂过程重复3次，实现纳米银的负载；离心结束后，将所述离心容器中的混合溶液抽出，取出所述初产品，抽真空干燥4h后得到有纳米银内镀层的干细胞存储管。为避免dmf分解，全过程在无紫外线的环境下进行。
58.实施例4：
59.在实施了1的基础上，本实施例提供用于制备纳米银包膜的干细胞存储管纳米银包膜的制备方法，包括如下步骤：
60.s1.利用高频振荡的方法，将干细胞存储管清洗干净。所述干细胞存储管的内外两侧均设置有凹槽，所述凹槽的深度为0.3mm。干细胞存储管由具有抗细胞吸附的高分子聚合物支撑，如聚氧化乙烯或类peo聚合物等。然后根据干细胞存储管的大小制备银靶；
61.干细胞存储管的大小，因所述干细胞存储管的内外侧均设置有凹槽，因此将所述干细胞存储管的直径表示为a,b,c，其中a为所述干细胞存储管的最大外直径，b为所述干细胞存储管未设置所述凹槽时的外直径，c为所述存储管的最大内直径。银靶的体积用v表示，v＝1.2a
×
1.2b
×
1.2c。
62.s2.在磁控溅射真空室内外两侧均设置所述银靶，设置在所述磁控溅射真空内的银靶为内靶，设置在所述磁控溅射真空外的银靶为外靶；在所述外靶上缠绕铜丝匝，所述铜丝的直径为0.1cm；将所述干细胞存储管放置于所述内靶，再封闭真空室，最后对真空室抽真空，真空度为10-6
；
63.s3.向上述步骤s2中的磁控溅射真空室中输入惰性气体，例如氮气、氦气；
64.s4.将上述充有惰性气体的磁控溅射真空室的电压控制在220v，电流值控制在4a，用所述内靶对所述干细胞存储管进行轰击，轰击20min后，关闭所述内靶，自然冷却，冷却20min；冷却后，再次用所述内靶轰击所述干细胞存储管5min，使得所述内靶表面得银原子离开所述内靶并沉积在所述干细胞存储管表面，得到有纳米银外镀层的干细胞存储管；
65.s5.将dmf分散液缓慢倒入搅拌机中，搅拌机的转速为20转/min；再向所述搅拌机中倒入纳米银胶浆，将所述dmf分散液和纳米银胶浆搅拌均匀，得到混合溶液；将所述混合溶液倒入离心容器中；将所述初产品放入所述离心容器内，打开离心机，离心时间为1min，在5000rpm的旋转速度下进行旋涂，旋涂过程重复3次，实现纳米银的负载；离心结束后，将所述离心容器中的混合溶液抽出，取出所述初产品，抽真空干燥3h后得到有纳米银内镀层的干细胞存储管。为避免dmf分解，全过程在无紫外线的环境下进行。所述纳米银胶浆中纳米银的含量占总质量的0.18％。
66.本实用新型不局限于上述可选的实施方式，任何人在本实用新型的启示下都可得出其他各种形式的产品。上述具体实施方式不应理解成对本实用新型的保护范围的限制，本实用新型的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。