ITO薄膜粗糙度调试方法和ITO薄膜粗糙度调试系统与流程

ito薄膜粗糙度调试方法和ito薄膜粗糙度调试系统
技术领域
1.本技术涉及面板技术领域，特别是涉及一种ito薄膜粗糙度调试方法和ito薄膜粗糙度调试系统。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，对显示面板的质量与品质也要求越来越高。在显示面板的制造过程中，ito(indium thin oxide，氧化铟锡)薄膜性能与质量影响着显示面板的质量，ito薄膜的透过率和导电率是表征其性能的主要参数，因此调试透过率和导电率是提升ito薄膜的性能与质量的重要手段。但是，在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统ito薄膜的性能不能满足提升显示面板质量的需求。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够调节ito薄膜粗糙度的ito薄膜粗糙度调试方法和ito薄膜粗糙度调试系统。
4.一方面，本技术实施例提供一种ito薄膜粗糙度调试方法，包括以下步骤：
5.获取待设定粗糙度；
6.基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系；
7.将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。
8.可选的，制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数；
9.关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数的对应关系。
10.可选的，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备；
11.将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜的步骤中，包括步骤：
12.将氧气流量参数配置入制氧设备，以使制氧设备按氧气流量参数对应的流量向ito材料释放氧气；
13.将工艺温度参数和退火时间参数配置入控制热处理设备，以使热处理设备根据工艺温度参数和退火时间参数对ito材料进行热处理；
14.将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。
15.可选的，氧气流量参数的范围为30sccm至80sccm。
16.可选的，工艺温度参数的范围为25摄氏度至120摄氏度。
17.可选的，退火时间参数的范围为15分钟至60分钟。
18.可选的，待设定粗糙度的范围为0.6纳米至1.3纳米。
19.可选的，基于以下步骤生成关联模型：
20.设定n组不同的制备工艺模拟参数；
21.分别在各制备工艺模拟参数形成的制备条件下制备ito薄膜样品；
22.测定各ito薄膜样品的粗糙度；
23.建立各粗糙度与各制备工艺模拟参数之间的一一对应关系，以生成关联模型。
24.另一方面，本技术实施例还提供一种ito薄膜粗糙度调试系统包括控制设备以及制造设备；控制设备连接制造设备；
25.控制设备用于实现上述ito薄膜粗糙度调试方法；
26.制造设备用于根据制备工艺参数形成与制备工艺参数对应的制备条件。
27.可选的，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备；
28.控制设备分别连接制氧设备和热处理设备；
29.其中，制氧设备用于根据氧气流量参数按氧气流量参数对应的流量向ito材料释放氧气；
30.热处理设备用于根据工艺温度参数和退火时间参数对ito材料进行热处理。
31.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
32.本技术ito薄膜粗糙度调试方法通过获取需要制备ito薄膜的待设定粗糙度，从关联模型查找待设定粗糙度对应的制备工艺参数，利用制备工艺参数配控制制造设备，以使制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，从而将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜，实现改变ito薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ito薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。
附图说明
33.图1为本技术实施例中ito薄膜粗糙度调试方法的第一流程示意图。
34.图2为本技术实施例中生成关联模型步骤的流程示意图。
35.图3为本技术实施例中ito薄膜粗糙度调试方法的第二流程示意图。
36.图4为本技术实施例中ito薄膜粗糙度调试系统的结构框图。
具体实施方式
37.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
38.在显示面板的生产制造过程中，会涉及到在玻璃基板等器件上形成ito薄膜，然后在ito薄膜上形成tft(thin film transistor，薄膜晶体管)结构、有机光阻层等结构。ito薄膜的透过率和导电率影响着显示面板的品质，但是目前传统技术中仅仅对ito薄膜的透过率和导电率进行调试，而忽略了ito薄膜的粗糙度对显示面板的品质提升作用，为此，如图1所示，提供了一种ito薄膜粗糙度调试方法，包括以下步骤：
39.步骤s110，获取待设定粗糙度。
40.粗糙度是指加工表面具有的较小间距和微小峰谷的不平度。其两波峰或两波谷之间的距离一般在1毫米以下，它属于微观几何形状误差，表面粗糙度越小，则表面越光滑。待
设定粗糙度是指制备的ito薄膜的期望粗糙度，待设定粗糙度可根据不同显示面板的类型、不同制备制程工艺等条件进行选择，以更好地根据实际情况选择合适的粗糙度。在一个示例中，待设定粗糙度的范围为0.6纳米至1.3纳米，例如，粗糙度可以选择为0.7纳米、0.8纳米、09纳米、1.0纳米、1.1纳米或1.2纳米，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。
41.相关操作人员向实现本技术ito薄膜粗糙度调试方法的控制设备输入待设定粗糙度后，控制设备获取待设定粗糙度。在一个示例中，相关操作人员可以利用移动终端向控制设备(移动终端与控制设备无线连接)发送待设定粗糙度。
42.步骤s120，基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数。
43.需要说明的是。制备工艺参数用于使得ito材料按对应的粗糙度成型的参数。示例性的，制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数。氧气流量参数用于表征在ito材料成型过程中氧气流量的大小，示例性的，氧气流量参数的范围为30sccm(标准毫升/分钟)至80sccm，例如，氧气流量参数为40sccm、50sccm、60sccm或70sccm，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。工艺温度参数用于表征在ito材料成型过程中的环境温度，示例性的，工艺温度参数的范围为25摄氏度至120摄氏度，例如，工艺温度参数为30摄氏度、40摄氏度、60摄氏度或80摄氏度，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。退火时间用于表征在ito材料成型过程中经加热之后放置时长，示例性的，退火时间参数的范围为15分钟至60分钟，例如，退火时间参数为20分钟、30分钟、40分钟或50分钟，具体的可以根据实际情况需要而设定，对此不作具体限定。氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数共同影响粗糙度，每个粗糙度都对应一组氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数。
44.关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系，即粗糙度与制备工艺参数存在一一对应的关系。当制备工艺参数包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数时，关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数的对应关系。
45.示例性的，如图2所示，基于以下步骤生成关联模型：
46.步骤s210，设定n组不同的制备工艺模拟参数。
47.步骤s220，分别在各制备工艺模拟参数形成的制备条件下制备ito薄膜样品。
48.步骤s230，测定各ito薄膜样品的粗糙度。
49.步骤s240，建立各粗糙度与各制备工艺模拟参数之间的一一对应关系，以生成关联模型。
50.需要说明的是，为了生成关联模型，预先通过设定n组不同的制备工艺模拟参数，示例性的，制备工艺模拟参数包括氧气流量模拟参数、工艺温度模拟参数和退火时间模拟参数。控制设备根据制备工艺模拟参数控制制造设备形成制备条件，促使ito材料成型为ito薄膜样品，对在不同制备工艺模拟参数对应的制备条件下形成ito薄膜样品进行粗糙度测量，建立测量得到的粗糙度与制备工艺模拟参数的对应关系，在一个示例中，可以是粗糙度与氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数构成的参数组的对应关系。在一个示例中，关联模型以表格形式存储在内存中。
51.步骤s130，将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条
件，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。
52.控制设备在获取到制备工艺参数之后，控制设备将制备工艺参数配置入制造设备，制造设备根据制备工艺参数形成ito材料成型为ito薄膜的制备条件。需要说明的是，制备条件系制造设备在被配置入制备工艺参数后，根据制备工艺参数运行而为ito材料成型的环境。在一个示例，制造设备被配置入氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数。
53.示例性的，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备。在制备工艺参数包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数时，如图3所示，将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜的步骤中，包括步骤：
54.步骤s310，获取待设定粗糙度。
55.步骤s320，基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系。
56.步骤s330，将氧气流量参数配置入制氧设备，以使制氧设备按氧气流量参数对应的流量向ito材料释放氧气。制氧设备可以按氧气流量参数对应的流量释放氧气。
57.步骤s340，将工艺温度参数和退火时间参数配置入控制热处理设备，以使热处理设备根据工艺温度参数和退火时间参数对ito材料进行热处理。在制氧设备释放氧气的同时，热处理设备按工艺温度参数对应的温度对ito材料进行加热，并在加热完成之后，热处理设备退火时间参数对应的时长对加热后ito材料进行退火处理。
58.步骤s350，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。在经过前述步骤之后，ito材料成型为具有待设定粗糙度的ito薄膜。
59.本技术ito薄膜粗糙度调试方法通过获取需要制备ito薄膜的待设定粗糙度，从关联模型查找待设定粗糙度对应的制备工艺参数，利用制备工艺参数配控制制造设备，以使制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，从而将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜，实现改变ito薄膜表面粗糙度，有利于提高后续制程中有机材料在ito薄膜表面的附着性，更加有利于后续制程的制备，最终提高显示面板的信赖性及产品品质良率。
60.应该理解的是，虽然图1-3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-3中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
61.本技术ito薄膜粗糙度调试方法可应用于高精细、高解像度tft显示面板中，采用物理溅射成膜ito膜层改善表面粗糙度，提高覆盖多层膜层表面附着性。供覆盖膜层包括用于显示面板金属薄膜，彩色滤光片有机材料薄膜，成盒工程聚合物pi(polyimide，聚酰亚胺)薄膜等。
62.为了实现本技术ito薄膜粗糙度调试方法，提供一种ito薄膜粗糙度调试系统，如图4所示，该ito薄膜粗糙度调试系统包括控制设备41以及制造设备43；控制设备41连接制
造设备43。
63.需要说明的是，控制设备用于实现本技术薄膜粗糙度调试方法，具体的，控制设备实现以下步骤：获取待设定粗糙度；基于关联模型获取待设定粗糙度对应的制备工艺参数；关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与制备工艺参数的对应关系(当制备工艺参数至少包括氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数时，关联模型用于表征ito薄膜的粗糙度与氧气流量参数、工艺温度参数和退火时间参数的对应关系)；将制备工艺参数配置入制造设备形成与制备工艺参数对应的制备条件，将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。
64.但是制造设备至少包括制氧设备和热处理设备时，控制设备还用于实现以下步骤：将氧气流量参数配置入制氧设备，以使制氧设备按氧气流量参数对应的流量向ito材料释放氧气；将工艺温度参数和退火时间参数配置入控制热处理设备，以使热处理设备根据工艺温度参数和退火时间参数对ito材料进行热处理；将涂覆在基板表面的ito材料制备成具有待设定粗糙度的ito薄膜。
65.控制设备还用于实现以下步骤：设定n组不同的制备工艺模拟参数；分别在各制备工艺模拟参数形成的制备条件下制备ito薄膜样品；测定各ito薄膜样品的粗糙度；建立各粗糙度与各制备工艺模拟参数之间的一一对应关系，以生成关联模型。
66.需要说明的是，本技术ito薄膜粗糙度调试系统各步骤中相关步骤与本技术ito薄膜粗糙度调试方法中步骤相同，详细情况请参照本技术ito薄膜粗糙度调试方法各实施例，此处不再赘述。
67.制造设备用于根据制备工艺参数形成与制备工艺参数对应的制备条件。在一个示例中，制造设备至少包括制氧设备和热处理设备，具体的，控制设备分别连接制氧设备和热处理设备。制氧设备用于根据氧气流量参数按氧气流量参数对应的流量向ito材料释放氧气；热处理设备用于根据工艺温度参数和退火时间参数对ito材料进行热处理。
68.本技术ito薄膜粗糙度调试系统，能够为ito材料成型为具备合适粗糙度提供制备条件，保证制作的ito薄膜具有合适的粗糙度，有利于提高后制程有机材料的附着性，从而提高产品的信赖性及产品品质良率。
69.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
70.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。