FinFET器件及其栅极结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多个沿第一方向延伸并间隔排列的鳍片；依次形成牺牲层及停止层，所述牺牲层覆盖所述鳍片的外壁及所述衬底的表面，所述停止层覆盖所述牺牲层；形成至少两个虚拟栅极，所述虚拟栅极覆盖所述停止层及所述衬底，且所述虚拟栅极沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交；蚀刻部分所述虚拟栅极、停止层及牺牲层以形成暴露所述衬底的深槽，并于所述深槽内形成隔离墙，所述隔离墙截断所述虚拟栅极；以及，去除所述虚拟栅极、所述停止层及所述牺牲层，以形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍片。2.根据权利要求1所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层及所述停止层沿所述第二方向的厚度之和大于或等于工艺允许的隔离墙与鳍片的最小间距。3.根据权利要求1所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材质包括非晶硅、无定型碳、碳化硅或氮化硅。4.根据权利要求1所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述停止层的材质包括氮化钛、氮化钽、氧化铝或氧化钛。5.根据权利要求1所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述隔离墙的材质包括氮化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。6.根据权利要求5所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述隔离墙利用原子层沉积工艺形成。7.根据权利要求1所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述鳍片与所述牺牲层之间还形成有栅氧层，所述栅氧层覆盖所述鳍片的外壁，所述牺牲层覆盖所述栅氧层。8.根据权利要求7所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述深槽的形成方法包括：形成层间介质层，所述层间介质层填充于相邻的虚拟栅极之间；蚀刻部分所述虚拟栅极、停止层及牺牲层以形成暴露所述衬底的深槽。9.根据权利要求8所述的finfet器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括位于中间的栅极导电层及沿所述栅极导电层的侧壁部分包围所述栅极导电层的栅氧层。10.一种finfet器件的形成方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1至9中任一项所述的finfet器件的栅极结构的形成方法形成栅极结构。

技术总结
本发明提供了一种FinFET器件的栅极结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有鳍片；依次形成牺牲层及停止层，牺牲层覆盖鳍片的外壁及衬底的表面，停止层覆盖牺牲层；形成虚拟栅极，虚拟栅极部分覆盖隔离层及衬底；蚀刻部分虚拟栅极以形成暴露衬底的深槽，于深槽内形成隔离墙，隔离墙截断虚拟栅极；去除虚拟栅极、停止层及牺牲层，以形成栅极结构。利用覆盖于鳍片上的牺牲层及停止层，可在蚀刻虚拟栅极以形成深槽时可以利用停止层确保深槽与鳍片的距离，从而使得于深槽中形成的隔离墙与鳍片保持合适的距离以具有类似自对准的效果，以防止隔离墙发生过度偏移，而且有利于提高后续制程的良率。制程的良率。制程的良率。


技术研发人员：刘洋
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8