功率半导体元件的制作方法

技术特征：
1.一种功率半导体元件，其特征在于，该功率半导体元件包括:基材，具有表面；第一阱区，具有第一电性，由该表面延伸进入该基材之中；第二阱区，具有第二电性，由该表面延伸进入该基材之中，并与该第一阱区隔离；漏极，具有该第一电性，并位于该第一阱区之中；源极，具有该第一电性，并位于该第二阱区之中；第一栅极结构，位于该表面上，且与该第一阱区和该第二阱区至少部分重叠；第二栅极结构，位于该表面上，且与该第二阱区重叠；以及掺杂区，具有该第一电性，位于该第二阱区之中，并且连接该第一栅极结构和该第二栅极结构。2.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，还包括隔离结构，位于该第一阱区中，且位于该第一栅极结构和该漏极之间。3.如权利要求2所述的功率半导体元件，其特征在于，该隔离结构是浅沟隔离结构(shallow trench insulator，sti)。4.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，还包括虚拟栅极(dummy gate)结构，位于该表面上，且位于该第一栅极结构和该漏极之间。5.如权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，该虚拟栅极结构邻接该漏极，且与该第一栅极结构隔离。6.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，该第一电性为n型电性；且该第二电性为p型电性。7.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，该第一电性为p型电性；且该第二电性为n型电性。8.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，该第一栅极结构和该第二栅极结构连接至一共同电压源。9.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，该第二栅极结与该第一栅极结构隔离。

技术总结
本发明公开一种功率半导体元件，包括:基材、第一阱区、第二阱区、漏极、源极、第一栅极结构、第二栅极结构及掺杂区。第一阱区具有第一电性，由基材表面延伸进入基材中。第二阱区具有第二电性，由基材表面延伸进入基材中。漏极具有第一电性，并位于第一阱区中。源极具有第一电性，并位于第二阱区中。第一栅极结构位于基材表面上，且与第一阱区和第二阱区至少部分重叠。第二栅极结构位于基材表面上，且与第二阱区重叠，并与第一栅极结构隔离。掺杂区具有该第一电性，位于第二阱区中，并且连接第一栅极结构和第二栅极结构。极结构和第二栅极结构。极结构和第二栅极结构。


技术研发人员：林宗翰 叶宜函
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2020.09.07
技术公布日：2022/3/7