一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法与流程

技术特征：
1.一种探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，包括：选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片，此时，碲镉汞芯片的pn结已形成；将所述碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔；在各所述接触孔上生长金属电极；测量不同腐蚀深度下各所述金属电极的电压电流曲线；当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的pn结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深。2.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，形成设深度梯度排列的多个所述接触孔的深度范围为：1μm-4μm。3.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，相邻所述接触孔间的深度差值为0.1μm-0.3μm。4.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，采用湿法腐蚀液去除所述接触孔对应位置的钝化层。5.根据权利要求4所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀液为盐酸或磷酸。6.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，所述金属电极的生成采用如下方法之一：离子束沉积法、磁控溅射法及热蒸发法。7.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，所述金属电极为采用如下材质之一：cr、au和pt。8.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，所述碲镉汞芯片的离子注入在100kv-400kv条件下进行，离子注入计量范围为：1
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/cm3。9.根据权利要求1所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，所述碲镉汞芯片的离子注入方法包括：采用光刻方法在所述碲镉汞芯片形成离子注入区；在所述离子注入区进行离子注入并退火。10.根据权利要求9所述的探测碲镉汞芯片pn结有效结深的方法，其特征在于，在光刻前，采用酒精与丙酮清洗对所述碲镉汞芯片表面进行清洗。

技术总结
本发明提供一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法，属于半导体技术领域，包括：选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片；将碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内的钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔；在各接触孔上生长金属电极；测量不同腐蚀深度下各金属电极的电压电流曲线；当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的PN结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深。本发明与碲镉汞原有的芯片制造工艺相同，可以应用于碲镉汞红外探测器的工艺生产过程中，实时监控离子注入后碲镉汞的有效结深。控离子注入后碲镉汞的有效结深。控离子注入后碲镉汞的有效结深。


技术研发人员：何斌 刘世光 祁娇娇 戴永喜 杨刚
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
技术研发日：2021.11.16
技术公布日：2022/3/4