真空规保护系统和半导体设备的制作方法

技术特征：
1.一种真空规保护系统，其特征在于，包括：rps设备，用于给反应腔室提供等离子体气源；回填真空规，与所述反应腔室连接；控制阀，用于使所述回填真空规和所述反应腔室连通或断开；控制模块，分别与所述rps设备和所述控制阀连接，所述控制模块用于控制所述rps设备的开关和所述控制阀的开关，当所述控制模块控制所述rps设备打开时，所述控制模块控制所述控制阀关闭；当所述控制模块控制所述rps设备关闭且氟离子含量小于等于预设阈值时，所述控制模块控制所述控制阀打开，以连通所述回填真空规和所述反应腔室。2.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，还包括氟离子检测仪，所述氟离子检测仪与所述控制模块连接，所述氟离子检测仪设置于所述控制阀和所述反应腔室之间的连接管路，以用于检测所述连接管路中的氟离子含量，当所述氟离子检测仪检测到的所述氟离子含量小于等于氟离子预设阈值时，所述控制模块控制所述控制阀打开，以连通所述回填真空规和所述反应腔室。3.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，还包括时间设置模块，所述时间设置模块与所述控制模块连接，用于设置所述rps设备关闭的时间预设阈值，当所述rps设备关闭的时间大于等于所述预设时间阈值时，所述控制阀和所述反应腔室之间的连接管路中的所述氟离子含量小于等于氟离子预设阈值，所述控制模块控制所述控制阀打开，以连通所述回填真空规和所述反应腔室。4.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，所述回填真空规和所述反应腔室通过第一管道连接，所述控制阀设置于所述第一管道。5.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，所述控制阀设置于所述回填真空规内，且所述控制阀设置于所述回填真空规的进气口结构与所述回填真空规的膜片之间。6.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，所述控制阀为气动控制阀和电动控制阀中的任意一种。7.根据权利要求1所述的真空规保护系统，其特征在于，所述控制阀为电磁阀、气动阀、隔膜阀和角阀中的任意一种。8.一种半导体设备，其特征在于，包括工艺真空规和如权利要求1-7任意一项所述的真空规保护系统，所述工艺真空规与所述反应腔室连接。9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，还包括主管道、第一管道和第二管道，所述第一管道的进气端口和所述第二管道的进气端口分别连接所述主管道出气端口，所述主管道的进气端口与所述反应腔室连接，所述第二管道的出气端口与所述工艺真空规连接，所述第一管道的出气端口与所述回填真空规连接，且所述第一管道的长度大于所述第二管道的长度。10.根据权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，还包括压力警报组件，所述压力警报组件包括压力警报器和第三管道，所述压力警报器通过所述第三管道与所述第一管道连接。

技术总结
本发明提供了一种真空规保护系统，包括RPS设备、回填真空规、控制阀和控制模块，RPS设备用于给反应腔室提供等离子体气源；回填真空规与反应腔室连；控制阀用于使回填真空规和反应腔室连通或断开；控制模块分别与RPS设备和控制阀连接，控制模块用于控制RPS设备的开关和控制阀的开关，当所述控制模块控制所述RPS设备打开时，所述控制模块控制所述控制阀关闭；当所述控制模块控制所述RPS设备关闭且氟离子含量小于等于预设阈值时，所述控制模块控制所述控制阀打开，以连通所述回填真空规和所述反应腔室。本发明解决了氟离子会进入到真空规的内部，进而腐蚀真空规内的膜片，会导致真空规测量不准确的问题。本发明同时提供了一种半导体设备。半导体设备。半导体设备。


技术研发人员：叶五毛 张铁彪 姜崴 王卓
受保护的技术使用者：拓荆科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/3/4