一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

驱动系统的制作方法

2022-03-05 02:15:02 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统,其特征在于,包括输入电路,被配置为接收输入的片上电压并输出片上电压;调整电路,被配置为自动检测所述输入电路输出的片上电压的当前幅度,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述片上电压的当前幅度对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压。2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述调整电路包括:基准电压生成器,被配置为输出与所述片上电压的n个可选幅度有关的多个基准电压;多个比较器,每个被配置为将所述输入电路输出的片上电压与相应的一个基准电压相比较,并输出比较结果;决策器,被配置为基于所述多个比较器的比较结果确定从与片上电压的n个可选幅度有关的n个模式中检测与所述输入电路输出的片上电压的当前幅度相关的模式,且根据检测到的模式,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述模式对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压,其中n是大于1的正整数。3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述多个基准电压的每个的幅度是所述n个可选幅度中两个相邻可选幅度之间的中间电压,所述多个比较器的每个在所述片上电压大于相应的一个基准电压时输出第一值,且在所述片上电压小于或等于相应的一个基准电压时输出第二值,其中,所述n个模式中的每个模式与第一值和/或第二值组成的多个可能的码中的一个码对应;所述输出结果是由多个比较器输出的第一值和/或输出的第二值组成的结果码,所述决策器被配置为根据所述结果码来从所述n个模式中确定与所述结果码对应的所述模式。4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述基准电压生成器是带隙基准电源,所述第一值是二进制1,第二值是二进制0,所述比较器是模拟-数字转换器,所述决策器是数字-模拟转换器。5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,在所述片上电压的幅度为1.8v时,所述偏置电压被设置为0v,在所述片上电压的幅度为2.5v时,所述偏置电压被设置为所述片上电压的4分之一,在所述片上电压的幅度为3.3v时,所述偏置电压被设置为所述片上电压的3分之一。6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述调整电路包括:v/i和i/v转换电路,被配置为根据片上电压与偏置电压的输入-输出关系来基于所述输入电路输出的片上电压来输出相应的偏置电压,其中,所述v/i和i/v转换电路包括:v/i转换电路,被配置为将输入的片上电压转换为电流信号;i/v转换电路,被配置为将所述电流信号转换为相应的偏置电压,或者,所述调整电路包括:多个电阻器,用于将输入的片上电压进行分压。7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述输入电路包括平均电路,被配置为将所述片上电压平均化,并输出平均化的片上电压,其中,所述平均电路包括至少一个电容器
和至少一个电阻器。8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述驱动系统还包括:阈值解码器,被配置为基于检测到的模式来对接收器中的一些薄膜晶体管的栅极设置为与所述模式相对应的阈值电压,其中所述接收器中的另一些薄膜晶体管的栅极电压为所述片上电压。9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,对于幅度为1.8v的所述片上电压的所述阈值电压被设置为0.9v,对于幅度为2.5v的所述片上电压的所述阈值电压被设置为1.25v,对于幅度为3.3v的所述片上电压的所述阈值电压被设置为1.65v。10.根据前述权利要求的任一所述的系统,其特征在于,所述驱动系统包括开关组,被配置为在训练时期接通片上电压且断开与薄膜晶体管的耦合使得薄膜晶体管截止,其中所述训练是为了使得基于所述输入电路输出的片上电压的预设幅度,输出预设的偏置电压或预设的阈值电压,且所述开关组被配置为在正常操作时期,接通与薄膜晶体管的耦合。11.根据权利要求10所述的系统,其特征在于,所述训练时期是由计数器来控制,且在所述计数器计数期间,生成低电平和高电平相间隔的一串训练模式脉冲使得输入电路接收的片上电压为周期性波,且在所述计数器计数结束时,所述训练模式脉冲变为低电平,指示开始正常操作时期。

技术总结
提供自动检测片上电压以调整薄膜晶体管的栅极电压的驱动系统。驱动系统包括:输入电路,被配置为接收输入的片上电压并输出片上电压;调整电路,被配置为自动检测所述输入电路输出的片上电压的当前幅度,向所驱动的薄膜晶体管的栅极输出与所述片上电压的当前幅度对应的偏置电压,其中所述薄膜晶体管的源极直接或间接耦合到所述片上电压,所述偏置电压低于所述片上电压。可以通过自动检测片上电压并自动调整的动作来完成对于不同I/O(输入/输出)电压电平的晶体管栅极保护和接收器阈值电压调整。调整。调整。


技术研发人员:魏家徵 于梁 魏述琦
受保护的技术使用者:海宁奕斯伟集成电路设计有限公司
技术研发日:2021.07.08
技术公布日:2022/3/4
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