一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片的制作方法

技术特征：
1.一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片，其特征在于由多级非线性传输线单元周期级联构成，每一级非线性传输单元包括一段高阻微带线和三个晶体管，所述晶体管均基极和发射极短接。2.根据权利要求1所述的一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片，其特征是所述芯片版图布局采用弯曲折叠走线。3.根据权利要求1或2所述的一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片，其特征是所述芯片包括40级非线性传输单元。4.根据权利要求3所述的一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片，其特征是所述40级非线性传输单元中，第一高阻微带线（tl1）、第一基极-发射极短接晶体管（d1）、第二基极-发射极短接晶体管（d2）、第三基极-发射极短接晶体管（d3）构成第一非线性传输线单元（nltl1），其中，第一高阻微带线（tl1）的一端作为梳谱发生器的输入端，另一端与第一基极-发射极短接晶体管（d1）的集电极相连，第一基极-发射极短接晶体管（d1）的基极与第二基极-发射极短接晶体管（d2）的集电极相连，第二基极-发射极短接晶体管（d2）的基极与第三基极-发射极短接晶体管（d3）的集电极相连，第三基极-发射极短接晶体管（d3）的基极接地；第二高阻微带线（tl2）、第四基极-发射极短接晶体管（d4）、第五基极-发射极短接晶体管（d5）、第六基极-发射极短接晶体管（d6）构成第二非线性传输线单元（nltl2），其中，第二高阻微带线（tl2）的一端与第一基极-发射极短接晶体管（d1）的集电极相连，另一端与第四基极-发射极短接晶体管（d4）的集电极相连，第四基极-发射极短接晶体管（d4）的基极与第五基极-发射极短接晶体管（d5）的集电极相连，第五基极-发射极短接晶体管（d5）的基极与第六基极-发射极短接晶体管（d6）的集电极相连，第六基极-发射极短接晶体管（d6）的基极接地；第三高阻微带线（tl3）、第七基极-发射极短接晶体管（d7）、第八基极-发射极短接晶体管（d8）、第九基极-发射极短接晶体管（d9）构成第三非线性传输线单元（nltl3），其中，第三高阻微带线（tl3）的一端与第四基极-发射极短接晶体管（d4）的集电极相连，另一端与第七基极-发射极短接晶体管（d7）的集电极相连，第七基极-发射极短接晶体管（d7）的基极与第八基极-发射极短接晶体管（d8）的集电极相连，第八基极-发射极短接晶体管（d8）的基极与第九基极-发射极短接晶体管（d9）的集电极相连，第九基极-发射极短接晶体管（d9）的基极接地；以此类推，第四十高阻微带线（tl40）、第一百一十八基极-发射极短接晶体管（d118）、第一百一十九基极-发射极短接晶体管（d119）、第一百二十基极-发射极短接晶体管（d120）构成第四十非线性传输线单元（nltl40），其中，第四十高阻微带线（tl40）的一端与第一百一十五基极-发射极短接晶体管（d115）的集电极相连，另一端与第一百一十八基极-发射极短接晶体管（d118）的集电极相连，第一百一十八基极-发射极短接晶体管（d118）的基极与第一百一十九基极-发射极短接晶体管（d119）的集电极相连，第一百一十九基极-发射极短接晶体管（d119）的基极与第一百二十基极-发射极短接晶体管（d120）的集电极相连，第一百二十基极-发射极短接晶体管（d120）的基极接地。5.根据权利要求4所述的一种宽带非线性传输线梳谱发生器芯片，其特征是所述第一百一十八基极-发射极短接晶体管（d118）的集电极作为梳谱发生器的输出端。

技术总结
本发明涉及一种高功率宽带非线性传输线梳谱发生器芯片。该梳谱发生器芯片由40级非线性传输线单元周期级联构成，其中每个非线性传输线单元由高阻微带线与三个基极-发射极短接的晶体管组成。射频信号每经过一级非线性传输单元后可实现一定程度的波形压缩。经过一定数量的非线性传输单元后，在芯片输出端口可以得到DC-100GHz的系列谐波脉冲信号，后可通过选频网络滤出孤波中所需的谐波成分实现高次倍频功能。本发明工作频率宽，并且通过弯曲折叠走线减小谐波的能量反射，实现了更高的谐波功率输出与更小的芯片尺寸，填补了国内高次倍频梳谱发生器芯片的空白。梳谱发生器芯片的空白。梳谱发生器芯片的空白。


技术研发人员：曹军 刘尧 潘晓枫
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2021.12.13
技术公布日：2022/3/3