阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.在现有液晶显示器(liquid crystal display，简称lcd)技术中，通常会再薄膜晶体管的沟道区的下方设置遮光层，以防止背光直接照射沟道区，影响薄膜晶体管的性能。
3.如图1至图3所示，遮光层11通常仅设于薄膜晶体管的沟道区对应的位置，半导体有源层12覆盖遮光层11的部分边界，由于遮光层11厚度的影响，在所述部分边界对应的位置，半导体有源层12会形成坡度边13，该坡度边13与栅极金属线14的方向平行，在采用准分子激光退火(excimer laser annealing，简称ela)工艺对非晶硅层进行激光退火时，ela的扫描方向与栅极金属线14的延伸方向相同，位于坡度边13位置的氧化硅晶粒会出现结晶异常的现象，最终影响薄膜晶体管的电性能。
4.因此，现有显示面板存在半导体有源层结晶异常的现象，需要解决。


技术实现要素：

5.本发明提供一种阵列基板及显示面板，以缓解现有显示面板半导体有源层结晶异常的现象。
6.为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：
7.本发明提供一种阵列基板，其包括遮光层、半导体有源层、以及栅极金属线，所述半导体有源层设于所述遮光层之上；
8.其中，所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向不平行。
9.可选的，在本发明的一些实施例中，所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向垂直。
10.可选的，在本发明的一些实施例中，所述阵列基板包括若干薄膜晶体管，所述有源层包括所述薄膜晶体管的有源区，所述有源区的形状为n型，包括相对的第一边和第二边，以及连接所述第一边的所述第二边的第三边；所述有源区包括第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区位于所述第一边上，所述第二沟道区位于所述第二边上。
11.可选的，在本发明的一些实施例中，所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部位于所述第一边之下，所述第二遮光部位于所述第二边之下。
12.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一边在所述遮光层上的投影落入所述第一遮光部所在的区域内，所述第二边在所述遮光层上的投影落入所述第二遮光部所在的区域内。
13.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一遮光部与所述第二遮光部互为镜像。
14.可选的，在本发明的一些实施例中，所述遮光层位于所述第一边或所述第二边之下。
15.可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一边或所述第二边在所述遮光层上的投影落入所述遮光层所在的区域内。
16.可选的，在本发明的一些实施例中，所述遮光层的形状为i型或l型。
17.相应的，本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括本发明任意一种实施例所述的阵列基板。
18.本发明提供了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括遮光层、半导体有源层、以及栅极金属线，所述半导体有源层设于所述遮光层之上；其中，所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向不平行。通过调整遮光层的设计，使遮光层被半导体有源层覆盖的边界与栅极金属线的延伸方向不平行，从而保证在半导体有源层ela退火时，ela的扫描方向与所述边界不平行，缓解了所述边界对应的半导体有源层结晶异常的现象。
附图说明
19.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
20.图1为现有阵列基板的俯视结构示意图；
21.图2为现有阵列基板的剖面结构示意图；
22.图3为图2中101区域的放大示意图；
23.图4为本发明实施例提供的阵列基板的第一种俯视结构示意图；
24.图5为本发明实施例提供的阵列基板的第二种俯视结构示意图；
25.图6为本发明实施例提供的阵列基板的第三种俯视结构示意图；
26.图7为本发明实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本发明的具体实施方案，对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本发明保护范围。
28.本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本发明，而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0029]
针对现有显示面板存在半导体有源层结晶异常的现象，本发明提供一种阵列基板及显示面板可以缓解这个问题。
[0030]
在一种实施例中，请参照图4至图7，图4示出了本发明实施例提供的阵列基板的第一种俯视结构示意图，图5示出了本发明实施例提供的阵列基板的第二种俯视结构示意图，图6示出了本发明实施例提供的阵列基板的第三种俯视结构示意图，图7示出了本发明实施
例提供的阵列基板的剖面结构示意图，具体为所述阵列基板沿图4至图6中bb’方向的剖面结构示意图。如图4至图7所示，本发明实施例提供的阵列基板包括遮光层21、半导体有源层22、以及栅极金属线24，所述半导体有源层22设于所述遮光层21之上；
[0031]
其中，所述遮光层21被所述半导体有源层22覆盖的边界23与所述栅极金属线24的延伸方向不平行。
[0032]
优选的，所述遮光层21被所述半导体有源层22覆盖的边界与所述栅极金属线24的延伸方向垂直。
[0033]
本发明实施例通过调整遮光层的设计，使遮光层被半导体有源层覆盖的边界与栅极金属线的延伸方向不平行，从而保证在半导体有源层ela退火时，ela的扫描方向与所述边界不平行，缓解了所述边界对应的半导体有源层结晶异常的现象。
[0034]
具体的，请参照图4至图7，本发明实施例提供的阵列基板包括依次层叠设置的衬底20、遮光层21、第一绝缘层26、半导体有源层22、第二绝缘层27、栅极金属层24、第三绝缘层28、以及源漏极层29。所述半导体有源层22、所述第二绝缘层27、所述栅极金属层24、所述第三绝缘层28和所述源漏极层29共同形成所述阵列基板内的薄膜晶体管。
[0035]
其中，半导体有源层22图案化形成薄膜晶体管的有源区22，当所述薄膜晶体管为n型金属氧化物半导体(n-metal-oxide-semiconductor，简称nmos)时，有源区22包括沟道区、位于所述沟道区两侧的轻掺杂区、以及位于所述沟道区和所述轻度掺杂区以外的重度掺杂区；当所述薄膜晶体管为p型金属氧化物半导体(p-metal-oxide-semiconductor，简称pmos)时，有源区22包括沟道区和位于所述沟道区以外的重度掺杂区。在ela退火制程之前，半导体有源层22为一层单晶硅薄膜。在一种实施例中，如图4至图6所示，所述有源区的形状为n型，包括相对的第一边221和第二边222，以及连接所述第一边221的所述第二边222的第三边223。
[0036]
栅极金属层24图案化形成所述薄膜晶体管的栅极和栅极金属线，所述栅极和所述栅极金属线连接，通常的，如图4至图6所示，所述栅极为所述栅极金属线上的局部区域。所述栅极金属线24与所述半导体有源层22空间重叠的局部区域即为所述薄膜晶体管的栅极，相应的，所述半导体有源层与所述栅极金属线24空间重叠的局部区域即为所述薄膜晶体管的沟道区。在一种实施例中，如图4至图6所示，所述栅极金属线沿水平方向延伸，与所述半导体有源层22在空间上存在两处重叠，所述有源区包括两个沟道区，第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区位于所述第一边221上，所述第二沟道区位于所述第二边222上。
[0037]
源漏极层29图案化形成至少两条源漏极金属线，两条所述源漏极金属线分别通过贯穿所述第三绝缘层28和所述第二绝缘层27的过孔25与所述有源层22的沟道区两侧的重度掺杂区连接以形成欧姆接触，与所述重度掺杂区连接的所述金属线成为所述薄膜晶体管的源极和漏极。
[0038]
第二绝缘层27位于半导体有源层22和栅极金属层24之间，覆盖所述半导体有源层22，起到阻隔所述半导体有源层22与上层栅极金属层24的作用。第三绝缘层28位于栅极金属层24和源漏极层29之间，覆盖所述栅极金属层24，起到阻隔所述栅极金属层24和所述源漏极层29的作用。
[0039]
第一绝缘层26位于半导体有源层22和遮光层21之间，覆盖所述遮光层21，同时起到防止重金属扩散到半导体有源层22，影响所述薄膜晶体管的性能的作用。
[0040]
遮光层21形成于衬底20上，用于遮挡所述阵列基板下方射入所述薄膜晶体管的光线，主要阻挡射入所述薄膜晶体管的沟道区的光线，从而避免所述薄膜晶体管发生光致漏电现象，影响所述薄膜晶体管的电学性能。所述遮光层21的材料一般采用不透明的吸光材料，通常为钼等不透明的重金属材料。
[0041]
在一种实施例中，如图4和图5所示，遮光层21图案化形成对应于一个所述薄膜晶体管的两个遮光部，即第一遮光部211和第二遮光部212，所述第一遮光部211位于所述第一边221之下，用于遮挡所述第一沟道区下方的光线，所述第二遮光部212位于所述第二边222之下，用于遮挡所述第二沟道区下方的光线。所述第一边221在所述遮光层21上的投影落入所述第一遮光部211所在的区域内，所述第二边222在所述遮光层21上的投影落入所述第二遮光部212所在的区域内。这样，所述遮光层21被所述半导体有源层22覆盖的边界23与所述栅极金属线24的延伸方向垂直。
[0042]
在一种实施方案中，如图4所示，所述第一遮光部211、所述第二遮光部212的形状均为i型，且所述第一遮光部211与所述第二遮光部212互为镜像。所述第三边223覆盖所述第一遮光部211右侧的部分边界，形成相对应的第一坡度边，所述第一坡度边与所述栅极金属线24垂直，所述第一坡度边与ela制程中ela的扫面方向相垂直，缓解了ela退火过程中第一坡度边处氧化硅晶粒发生结晶异常的现象。同样的，所述第三边223覆盖所述第二遮光部212左侧的部分边界，形成相对应的第二坡度边，所述第二坡度边与所述栅极金属线24垂直，所述第二坡度边与ela制程中ela的扫面方向相垂直，缓解了ela退火过程中第二坡度边处氧化硅晶粒发生结晶异常的现象。
[0043]
在另一种实施方案中，如图5所示，所述第一遮光部211、所述第二遮光部212的形状均为l型，且所述第一遮光部211与所述第二遮光部212互为镜像。相对于上一实施方案，本实施方案中，所述第一遮光部211和所述第二遮光部212的宽度减小提高了显示面板的开口率。
[0044]
在其他实施方案中，所述第一遮光部211、所述第二遮光部212的形状可以是其他任意满足本发明实施例发明构思的形状，且所述第一遮光部211和所述第二遮光部212的形状可以相同也可以不同，在此不做限定。
[0045]
在一种实施例中，如图6所示，遮光层21图案化形成对应于一个所述薄膜晶体管的一个遮光部，所述遮光部可以位于所述第一边221之下，用于遮挡所述第一沟道区下方的光线，也可以位于所述第二边222之下，用于遮挡所述第二沟道区下方的光线。所述第一边221或所述第二边222在所述遮光层21上的投影落入所述遮光部所在的区域内。这样，所述遮光层21被所述半导体有源层22覆盖的边界23与所述栅极金属线24的延伸方向垂直。同样的，所述第三边223覆盖所述遮光部的部分边界，形成相对应的坡度边，所述坡度边与所述栅极金属线24垂直，所述坡度边与ela制程中ela的扫面方向相垂直，缓解了ela退火过程中第二坡度边处氧化硅晶粒发生结晶异常的现象。所述遮光部可以是i型、l型或其他任何满足发明实施例发明构思的形状，在此不做限定。相比于上述实施例，本实施例对应于一个所述薄膜晶体管仅设置一个遮光部，进一步增大了显示面板的开口率。
[0046]
相应的，本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括本发明实施例提供的任意一种阵列基板。因此，所述显示面板具备本发明实施例提供的任意一种阵列基板所具有的技术特征和有益效果，具体请参照上述阵列基板相关的实施例，在此不再赘述。
[0047]
综上所述，本发明实施例提供了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括遮光层、半导体有源层、以及栅极金属线，所述半导体有源层设于所述遮光层之上；其中，所述遮光层被所述半导体有源层覆盖的边界与所述栅极金属线的延伸方向不平行。通过调整遮光层的设计，使遮光层被半导体有源层覆盖的边界与栅极金属线的延伸方向不平行，从而保证在半导体有源层ela退火时，ela的扫描方向与所述边界不平行，缓解了所述边界对应的半导体有源层结晶异常的现象。
[0048]
以上对本发明实施例所提供的阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。