用于改善MicroOLED中不同有机层之间性能差异的显示结构的制作方法

用于改善micro oled中不同有机层之间性能差异的显示结构
技术领域
1.本实用新型属于微显示器技术领域，具体涉及用于改善micro oled中不同有机层之间性能差异的显示结构。


背景技术：

2.硅基oled显示作为半导体和oled结合的一种新型显示技术，将是vr/ar等下一代智能穿戴显示的主要方案。随着5g和ai技术的不断进步，越来越多的穿戴显示产品将会变得更具吸引力。而硅基oled微型显示器件，具有高分辨率、低功耗、体积小、重量轻等优势，广泛应用于ar、vr、可穿戴设备、工业安防、医疗等高分辨率的近眼显示行业，逐渐成为新型显示产业的重要角力点，市场潜力巨大。有机电致发光显示器(organic light emitting display，oled)是新一代的显示器，相对于液晶显示器具有自发光、响应快、视角广、色彩饱和等许多优点。其中，micro oled的基本上是采用白光加彩胶(cf)的方式实现彩色显示，而使用这种结构时，需要在cf后制备第二有机平坦化层，起到保护cf以及平坦化的作用，后续就是ocr胶涂布以及玻璃盖板贴合，因第二有机平坦化层与ocr胶所用材料不一，材料性质也有差异，例如收缩率就存在差异，在产品进行可靠性测试时，尤其是高温工作时，两种有机材质收缩不一，造成显示不均，影响产品性能。


技术实现要素：

3.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，为此，本实用新型的目的在于提供一种用于改善micro oled中不同有机层之间性能差异的显示结构，通过在ocr胶与第二有机平坦化层之间制作特殊的过渡无机层来改善两层有机层因收缩率差异造成的micro oled产品显示不均。
4.为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：一种用于改善micro oled中不同有机层之间性能差异的显示结构，包括硅基cmos基体、第一有机平坦化层、cf层、第二有机平坦化层、过渡无机层、ocr胶层和玻璃盖板，所述第一有机平坦化层设置在硅基cmos基体的封装层上，cf层设置在第一有机平坦化层与第二有机平坦化层之间，过渡无机层设置在第二有机平坦化层与ocr胶层之间，过渡无机层将第二有机平坦化层与ocr胶层隔开。
5.进一步的，所述ocr胶层包括第一ocr胶层和第二ocr胶层，过渡无机层设置在第二有机平坦化层与第一ocr胶层之间，第二ocr胶层设置在第一ocr胶层上，玻璃盖板设置在第二ocr胶层上。
6.进一步的，所述过渡无机层为平板结构，过渡无机层的底部与第二有机平坦化层贴合，过渡无机层的顶部与第一ocr胶层贴合。
7.进一步的，所述过渡无机层为凹凸结构，过渡无机层的底部嵌入连接在第二有机平坦化层中，过渡无机层的顶部嵌入连接第一ocr胶层中。
8.进一步的，所述过渡无机层包括上凸部、中间主体和下凸部，上凸部间隔设置在中间主体的上方构成凸凹结构，下凸部间隔设置在中间主体的下方构成凸凹结构，上凸部嵌
入连接第一ocr胶层中，下凸部嵌入连接在第二有机平坦化层中。
9.进一步的，所述上凸部的高度小于第一ocr胶层的厚度，下凸部的高度小于第二有机平坦化层的厚度。
10.进一步的，所述过渡无机层的折射率与ocr胶层的折射率和第二有机平坦化层的折射率保持一致。
11.进一步的，所述过渡无机层为sin、sio或sion无机物，通过涂曝显刻工艺实现图案化。
12.进一步的，所述过渡无机层为sio，sio的折射率为1.5，厚度为50～200nm。
13.采用本实用新型技术方案的优点为：
14.第一ocr胶层和第二有机平坦化层均为有机物，且两者材质不一，如直接接触，高温工作时匹配度不佳，收缩率有差异，容易造成材质紧致程度差异等其他异常，最后带来显示不均。本实用新型通过制作过渡无机层，使两种有机材质分离，避免两者材质互相影响，最终达到显示均匀的目的，特别的，有机层与过渡无机层采用图案化设计即过渡无机层设计为凹凸结构，可增加过渡无机层与第二有机平坦化层和第一ocr胶层之间的粘附性，提高结构稳定性。
附图说明
15.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
16.图1为本实用新型结构示意图；
17.图2为本实用新型过渡无机层为凹凸结构示意图；
18.图3为本实用新型过渡无机层为平板结构示意图。
19.上述图中的标记分别为：1-硅基cmos基体；11-；01-cmos电路；02-阳极；03-pdl像素层；04-oled发光层；05-封装层；2-第一有机平坦化层；3-cf层；4-第二有机平坦化层；5-过渡无机层；51-上凸部；52-中间主体；53-下凸部；6-ocr胶层；61-第一ocr胶层；62-第二ocr胶层；7-玻璃盖板。
具体实施方式
20.在本实用新型中，需要理解的是，术语“长度”；“宽度”；“上”；“下”；“前”；“后”；“左”；“右”；“竖直”；“水平”；“顶”；“底”“内”；“外”；“顺时针”；“逆时针”；“轴向”；“平面方向”；“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位；以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
21.如图1至图3所示，一种用于改善micro oled中不同有机层之间性能差异的显示结构，包括硅基cmos基体1、第一有机平坦化层2、cf层3、第二有机平坦化层4、过渡无机层5、ocr胶层6和玻璃盖板7，所述第一有机平坦化层2设置在硅基cmos基体1的封装层05上，cf层3设置在第一有机平坦化层2与第二有机平坦化层4之间，过渡无机层5设置在第二有机平坦化层4与ocr胶层6之间，过渡无机层5将第二有机平坦化层4与ocr胶层6隔开。通过制作过渡无机层，使第二有机平坦化层4和ocr胶层6两种有机材质分离，避免两者材质互相影响，来改善两层有机层因收缩率差异造成的micro oled产品显示不均，最终达到显示均匀的目
的。
22.硅基cmos基体1包括硅片基底11、cmos电路01、阳极02和pdl像素层03、oled发光层04和封装层05，cmos电路01设置在硅片基底11上，阳极02设置在cmos电路01上，pdl像素层03间隔设置在阳极02中，pdl像素层03的底部贯穿阳极02与cmos电路01贴合，pdl像素层03的顶部高出阳极02，oled发光层04设置在pdl像素层03和pdl像素层03之间的阳极02上，封装层05设置在oled发光层04上。pdl像素层03凸出阳极02的部分的横截面为梯形，在阳极内的部分的横截面为矩形。
23.ocr胶层6包括第一ocr胶层61和第二ocr胶层62，过渡无机层5设置在第二有机平坦化层4与第一ocr胶层61之间，第二ocr胶层62设置在第一ocr胶层61上，玻璃盖板7设置在第二ocr胶层62上。
24.过渡无机层5为平板结构，过渡无机层5的底部与第二有机平坦化层4贴合，过渡无机层5的顶部与第一ocr胶层61贴合。
25.为增加过渡无机层5与第二有机平坦化层4和第一ocr胶层61之间的粘附性，将过渡无机层5为凹凸结构，过渡无机层5的底部嵌入连接在第二有机平坦化层4中，过渡无机层5的顶部嵌入连接第一ocr胶层61中。
26.过渡无机层5包括上凸部51、中间主体52和下凸部53，上凸部51间隔设置在中间主体52的上方构成凸凹结构，下凸部53间隔设置在中间主体52的下方构成凸凹结构，上凸部51嵌入连接第一ocr胶层61中，下凸部53嵌入连接在第二有机平坦化层4中。上凸部51的高度小于第一ocr胶层61的厚度，下凸部53的高度小于第二有机平坦化层4的厚度。
27.过渡无机层5的折射率与ocr胶层6的折射率和第二有机平坦化层4的折射率保持一致。过渡无机层5为sin、sio或sion无机物，通过涂曝显刻工艺实现图案化；优选的，过渡无机层5为sio，sio的折射率为1.5，厚度为50～200nm。
28.在硅片基底上制备cmos驱动电路01；制作像素阳极02，阳极结构采用ti/al/tin/ito叠层结构，成膜ti,ti厚度可为5～20nm，此处选ti厚度为5nm，成膜al，al厚度可为10～500nm，此处al厚度选为100nm，成膜tin，tin厚度可为1～10nm，此处选tin厚度为3nm，成膜ito，ito厚度可为1～50nm，此处选ito厚度为15nm，以上膜层选用pvd设备进行成膜，通过涂曝显刻工艺实现图案化。
29.制作pdl像素层03，pdl层可用无机物或者有机物制作，常见无机物有sin、sio、sion等，常见的有机物有pi，pet等，此处选用sin作为像素隔离层，厚度可为10～800nm，优选的，此处pdl膜层厚度为120nm，通过涂曝显刻工艺实现图案化。
30.制作oled发光层04，用蒸镀进行成膜，厚度为180nm；制备封装层05，封装结构包含但不限于无机有机叠层结构，其中无机层包含但不限于alo,tio,sin，sio,有机层包含但不限于epoxy,acrylic材料,此处选用无机有机无机封装层封装，结构为sin/acrylic/sin,其中sin膜层厚度为500～1000nm,此处优选的，两层sin厚度均为500nm，用pecvd成膜，acrylic厚度为1～4um，此处选用2um,用ijp成膜。
31.制备第一有机平坦化层2，厚度可为500～1000nm，此处选700nm，通过涂曝显工艺完成；制备彩胶cf层3，厚度可为1～1.5um，特别的，r胶为1.4um，g胶为1.6um，b胶为1.4um，通过涂曝显工艺完成；8.制备第二有机平坦化层08，厚度可为500～1500nm，此处选1000nm，特别的，第二有机平坦化层4，通过涂曝显工艺完成，过渡无机层5为平板结构时，正常膜层
区域厚度为1000nm；间隔设计的即过渡无机层5为凹凸结构时，第二有机平坦化层膜层较薄，为950nm，间隔图案化大小可与像素设计保持一致，也可不一致。
32.过渡无机层5，选用无机物，常见无机物有sin,sio,sion等，在此选用sio,厚度可为50～200nm，在此选用150nm,特别的，sio折射率选用1.5，与ocr胶以及第二有机平坦化层的折射率保持一致，通过涂曝显刻工艺实现图案化，如图所示，过渡无机层5为凹凸结构时，被刻sio膜层保留厚度可为10～100nm，在此选用50nm，此特殊设计可以增加膜层之间粘附力，图案化大小可与像素设计保持一致，也可不一致。
33.制备第一ocr胶层61，厚度可为500～2000nm，在此选用1000nm，且通过涂曝显刻工艺实现图案化，匹配sio的特殊设计(即过渡无机层5的凹凸结构)带来的不平坦，被刻sio区域第一ocr胶层保持1000nm，正常sio区域需刻掉第一ocr胶层50nm，因此做完第一ocr胶层后也为平坦化层，且增强了第一ocr胶层与sio之间的粘附力。
34.涂布第二ocr胶层62，其材质与第一有机ocr胶层一致，厚度可为500～10000nm，在此选用4000nm；贴合玻璃盖板7。
35.第一ocr胶层和第二有机平坦化层均为有机物，且两者材质不一，如直接接触，高温工作时匹配度不佳，收缩率有差异，容易造成材质紧致程度差异等其他异常，最后带来显示不均。本实用新型通过制作过渡无机层，使两种有机材质分离，避免两者材质互相影响，最终达到显示均匀的目的，特别的，有机层与过渡无机层采用图案化设计即过渡无机层设计为凹凸结构，可增加过渡无机层与第二有机平坦化层4和第一ocr胶层61之间的粘附性，提高结构稳定性。
36.以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。