复合材料及发光器件的制作方法

1.本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种复合材料及发光器件。


背景技术：

2.量子点具有发光颜色可调、色纯度高、荧光效率高、光稳定性好和易溶液加工等独特的优点，引起了人们的广泛关注。目前量子点已被作为发光层应用于发光二极管。近年来，随着量子点化学合成工艺的进步，溶液态的量子点的光致发光效率(plqy)已接近100％。然而，当量子点紧密堆叠组装成固态薄膜时，由于激子的能量可以通过荧光共振能量转移(fret)传递给相邻的量子点，导致量子点薄膜的荧光效率急剧下降，进而限制发光二极管的效率。
3.因此，如何有效的抑制量子点间的荧光共振能量转移，提高量子点发光二极管的效率是一个重要的问题。


技术实现要素：

4.基于此，有必要提供一种复合材料及发光器件，以提高量子点发光二极管的效率。
5.本发明的一个目的是提供一种发光层，方案如下：
6.一种复合材料，包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，所述量子点材料和所述宽禁带纳米颗粒材料为混合状态，所述宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物。
7.在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的禁带宽度为2.5ev～5ev。
8.在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料选自钛酸钡(batio3)、钛酸铜(cutio3)、钛酸锰(mntio3)、钽酸钾(ktao3)、钽酸锂(litao3)、三氧化二镓(ga2o3)、一氧化锰(mno)、五氧化二钽(ta2o5)、五氧化二钒(v2o5)、三氧化二镱(yb2o3)、二氧化锆(zro2)中的一种或多种。
9.在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～15nm。
10.在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～6nm。
11.在其中一个实施例中，所述量子点材料的粒径为1nm～15nm。
12.在其中一个实施例中，所述量子点材料选自
ⅱ‑ⅵ
族量子点材料、
ⅲ‑ⅴ
族量子点材料、
ⅳ‑ⅵ
族量子点材料、具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物量子点材料中的一种或多种。
13.在其中一个实施例中，所述量子点材料选自
ⅱ‑ⅵ
族的cdse、cds、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdseste、znseste、cdznseste；
ⅲ‑ⅴ
族的inp、inas、inasp；
ⅳ‑ⅵ
族的pbs、pbse、pbte、pbses、pbsete、pbste；具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物半导体材料abx3(其中，a为有机基团，b为金属元素，x为卤族元素)中的一种或多种。
14.在其中一个实施例中，所述复合材料中，所述宽禁带纳米颗粒材料和所述量子点
材料的体积比为1:99～70:30。
15.在其中一个实施例中，所述复合材料中，所述宽禁带纳米颗粒材料和所述量子点材料的体积比为20:80～50:50。
16.本发明的另一个目的是提供一种发光器件，方案如下：
17.一种发光器件，其特征在于，包括发光层，所述发光层的材料包括权1～9中任一项所述的复合材料。
18.在其中一个实施例中，所述发光层的厚度为10nm～20nm。
19.与现有方案相比，上述复合材料及发光器件具有以下有益效果：
20.上述复合材料可作为发光器件的发光层的材料，将包括混合的复合材料及发光器件量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，其中宽禁带纳米颗粒材料能够将量子点材料有效分隔开来，增大量子点材料之间的距离，而宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物，能够有效阻断激子能量在量子点材料间的荧光共振能量转移，抑制了激子的淬灭，提高了量子点薄膜的荧光效率，进而提高量子点电致发光器件的效率。
附图说明
21.图1为一实施例的发光器件的结构示意图。
22.附图标记说明：
23.100、发光器件；110、第一电极；120、第二电极；130、发光层；140、基板；150、空穴注入层；160、空穴传输层；170、电子传输层。
具体实施方式
24.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
25.需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
26.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
27.本发明一实施例的复合材料包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料为混合状态。其中，宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物。
28.上述复合材料及发光器件复合材料可作为发光器件的发光层的材料，包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，其中宽禁带纳米颗粒材料能够将量子点材料有效分隔开来，增大量子点材料之间的距离，而宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物，能够有效阻断激子能量在量子点材料间的荧光共振能量转移，抑制了激子的淬灭，
提高了量子点薄膜的荧光效率，进而提高量子点电致发光器件的效率。
29.较优地，复合材料中量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料为均匀混合。
30.在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料的禁带宽度为2.5ev～5ev。
31.在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料选自钛酸钡(batio3，禁带宽度为3.3ev)、钛酸铜(cutio3，禁带宽度为3.0ev)、钛酸锰(mntio3，禁带宽度为3.1ev)、钽酸钾(ktao3，禁带宽度为3.5ev)、钽酸锂(litao3，禁带宽度为4.0ev)、三氧化二镓(ga2o3，禁带宽度为4.8ev)、一氧化锰(mno，禁带宽度为3.6ev)、五氧化二钽(ta2o5，禁带宽度为4.0ev)、五氧化二钒(v2o5，禁带宽度为2.8ev)、三氧化二镱(yb2o3，禁带宽度为4.9ev)、二氧化锆(zro2，禁带宽度为5.0ev)中的一种或多种。
32.在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～15nm。进一步地，在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～6nm。
33.在其中一个示例中，量子点材料的粒径为1nm～15nm。
34.在其中一个示例中，量子点材料选自
ⅱ‑ⅵ
族量子点材料、
ⅲ‑ⅴ
族量子点材料、
ⅳ‑ⅵ
族量子点材料、具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物量子点材料中的一种或多种。
35.在其中一个示例中，所述量子点材料选自
ⅱ‑ⅵ
族的cdse、cds、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdseste、znseste、cdznseste；
ⅲ‑ⅴ
族的inp、inas、inasp；
ⅳ‑ⅵ
族的pbs、pbse、pbte、pbses、pbsete、pbste；具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物半导体材料abx3(其中，a为有机基团，b为金属元素，x为卤族元素)中的一种或多种。
36.在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料和量子点材料的体积比为1:99～70:30。进一步地，在其中一个示例中，宽禁带纳米颗粒材料和量子点材料的体积比为20:80～50:50。在一些具体的示例中，宽禁带纳米颗粒材料和量子点材料的体积比为20:80、30:70、40:60、50:50等。
37.宽禁带纳米颗粒材料体积占比过小，则其阻断激子能量在量子点间的荧光共振能量转移的效果较差，而宽禁带纳米颗粒材料体积占比过大，则量子点材料含量少，发光层发光效果差。
38.研究表明，通过将量子点嵌入到有机聚合物中，或者增加量子点壳层的厚度，可以有效抑制量子点间的荧光共振能量转移。但是，上述方法也存在弊端。量子点与有机聚合物混合过程中容易发生相分离，而增加壳层的厚度，或利用聚合物包覆量子点，虽然可以抑制荧光共振能量转移，但同时也会影响电荷的注入，对器件的电荷平衡产生负面影响。
39.如图1所示，进一步地，本发明还提供一种发光器件100，发光层130，发光层130包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物。
40.更具体地，发光器件100还包括第一电极110以及第二电极120，发光层130分别连接于第一电极110以及第二电极120。
41.其中，发光层130可以是上述任一示例的发光层。
42.在其中一个示例中，发光层的厚度为10nm～20nm。当发光层在此厚度范围，为单层量子点层的厚度或接近单层量子点层的厚度，量子点材料能够直接与电子传输层和空穴传
输层连接，而由于宽禁带纳米颗粒材料的电荷注入势垒大于量子点材料，电荷优先注入到量子点，因此宽禁带纳米颗粒的加入并不影响量子点电致发光器件的电荷注入特性。
43.可以理解，发光器件100还包括基板140，基板140作为tft驱动阵列及其上各功能层的载体。基板140可以为柔性基板，如聚酰亚胺等，也可以为刚性基板，如玻璃等。
44.可以理解，第一电极110和第二电极120之间还可以设置功能层。所述功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种，上述各功能层与发光层之间的位置关系可根据常规设置。
45.在图1所示的具体示例中，发光器件100包括依次层叠设置的基板140、第一电极(阳极)110、空穴注入层150、空穴传输层160、发光层130、电子传输层170以及第二电极(阴极)120。
46.在另一个示例中，发光器件包括依次层叠设置的基板、阳极层、空穴注入层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层以及阴极层。
47.进一步地，本发明还提供一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：
48.在第一电极上形成发光层，发光层包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物；
49.在发光层上形成第二电极。
50.其中，发光层可以是上述任一示例的发光层。
51.在其中一个示例中，在第一电极上形成发光层包括：
52.将量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料混合溶解于溶剂中，得到混合液；
53.将混合液打印于第一电极上，干燥。
54.下面提供实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各示例所进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
55.实施例1
56.本实施例提供一种用于制作发光层的复合材料。复合材料由均匀混合的znse量子点和batio3颗粒构成，体积比为80:20。
57.实施例2
58.本实施例提供一种用于制作发光层的复合材料。复合材料由均匀混合的cdzns量子点和mntio3颗粒构成，体积比为70:30。
59.实施例3
60.本实施例提供一种用于制作发光层的复合材料。复合材料由均匀混合的inp量子点和mno颗粒构成，体积比为60:40。
61.实施例4
62.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
63.发光器件的结构为：
64.ito/pedot:pss/tfb/cdse:ga2o3/zno/al。
65.发光器件的制作方法包括以下步骤：
66.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基
板以及ito表面，并且提升ito功函数。
67.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
68.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
69.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的ga2o3纳米颗粒(禁带宽度为4.8ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，ga2o3纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为50:50，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
70.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
71.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
72.实施例5
73.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
74.发光器件的结构为：
75.ito/pedot:pss/tfb/cdse:zro2//zno/al。
76.发光器件的制作方法包括以下步骤：
77.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
78.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
79.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
80.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的zro2纳米颗粒(禁带宽度为5.0ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，zro2纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为50:50，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
81.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
82.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
83.实施例6
84.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
85.发光器件的结构为：
86.ito/pedot:pss/tfb/cdse:ga2o3/zno/al。
87.发光器件的制作方法包括以下步骤：
88.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基
板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
89.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
90.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
91.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的ga2o3纳米颗粒(禁带宽度为4.8ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，ga2o3纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为20:80，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
92.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
93.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
94.实施例7
95.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
96.发光器件的结构为：
97.ito/pedot:pss/tfb/cdse:ga2o3/zno/al。
98.发光器件的制作方法包括以下步骤：
99.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
100.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
101.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
102.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的ga2o3纳米颗粒(禁带宽度为4.8ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，ga2o3纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为65:35，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
103.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
104.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
105.实施例8
106.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
107.发光器件的结构为：
108.ito/pedot:pss/tfb/cdse:ta2o5/zno/al。
109.发光器件的制作方法包括以下步骤：
110.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
111.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
112.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
113.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的ta2o5纳米颗粒(禁带宽度为4.0ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，ta2o5纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为50:50，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
114.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
115.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
116.实施例9
117.本实施例提供一种发光器件及其制作方法。
118.发光器件的结构为：
119.ito/pedot:pss/tfb/cdse:yb2o3/zno/al。
120.发光器件的制作方法包括以下步骤：
121.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
122.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
123.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
124.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的yb2o3纳米颗粒(禁带宽度为4.9ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，yb2o3纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为50:50，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
125.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
126.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
127.对比例1
128.对比例1的发光器件的结构为：
129.ito/pedot:pss/tfb/cdse/zno/al。
130.发光器件的制作方法包括以下步骤：
131.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
132.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
133.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
134.(4)发光层的制备：将粒径为10nm的cdse红色量子点溶解，得量子点溶液，而不添加宽禁带纳米颗粒材料，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该量子点溶液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
135.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
136.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
137.对比例2
138.对比例2的发光器件的结构为：
139.ito/pedot:pss/tfb/cdse:ag2s/zno/al。
140.发光器件的制作方法包括以下步骤：
141.(1)基板处理：以玻璃清洗剂、纯水、异丙醇先后超声清洗基板表面，用氮气吹干基板表面后，在150℃下烘烤1小时，并在紫外臭氧下处理10分钟。上述处理能够获得洁净的基板以及ito表面，并且提升ito功函数。
142.(2)空穴注入层的制备：在步骤(1)处理得到的基板表面旋涂pedot:pss溶液，然后在145℃下烘烤15分钟，获得空穴注入层薄膜，其厚度约为40nm。
143.(3)空穴传输层的制备：在步骤(2)得到的空穴注入层上旋涂tfb溶液，然后在200℃烘烤30分钟，获得空穴传输层薄膜，其厚度约为20nm。
144.(4)发光层的制备：将粒径为5nm的ag2s纳米颗粒(禁带宽度为0.9ev)与粒径为10nm的cdse红色量子点混合均匀溶解得到混合液，ag2s纳米颗粒与cdse红色量子点的体积比为50:50，在步骤(3)得到的空穴传输层上旋涂该混合液，然后在100℃下烘烤10分钟，获得发光层薄膜，其厚度约为15nm。
145.(5)电子传输层的制备：在步骤(4)得到的发光层上旋涂zno溶液，然后在100℃下烘烤30min，获得电子传输层，其厚度约为40nm。
146.(6)阴极的制备：以蒸镀的方式，在步骤(5)得到的电子传输层上蒸镀al层，获得阴极，其厚度约为100nm。
147.对上述实施例4～9以及对比例1-2制作得到的发光器件进行测试，结果如表1所示。
148.由表1结果可知，相比对比例1(发光层中未添加所述宽禁带纳米颗粒材料)，实施例4～9制作得到的发光器件的开启电压、电流效率以及相对外量子效率均有所提高。
149.表1实施例4～7及对比例1-2制作得到的发光器件的测试结果
[0150][0151]
本发明的复合材料及发光器件将量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料混合，其中宽禁带纳米颗粒材料能够将量子点材料有效分隔开来，增大量子点材料之间的距离，而宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5ev的金属氧化物，能够有效阻断激子能量在量子点材料间的荧光共振能量转移，抑制了激子的淬灭，提高了量子点薄膜的荧光效率，进而提高量子点电致发光器件的效率。
[0152]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
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以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。