一种显示面板及其制备方法与流程

1.本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.oled（organic light-emitting diode，简称oled）因其具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一，正在逐步替代tft-lcd，有望成为继lcd之后的下一代主流显示技术。
3.近些年由于市场的需求，各家面板手机终端厂商逐渐在往全面屏方面专研，搭配oled技术使显示技术达到一个高峰。全面屏通过缩短上下左右的边框达到高屏占比的目标。经过几年的发展，刘海屏、水滴屏、挖孔屏等层出不穷，为了提高屏占比，屏下摄像头技术应运而生。其技术主要是当要应用摄像头拍照时，外部环境的光线可以透过顶上的透明显示区进入相机的模块中；当不使用摄像头时，屏幕内的画素在经过电路驱动下可正常显示于其上的透明显示区，如此这个位置可以不需要开孔，进一步提高屏占比。
4.但此技术目前仍存在一个不足之处，即透明显示区和旁边的有效发光区在不使用摄像头正常显示时，画面会有一些差异；或者在拍照时，成像效果较差。究其原因，发现该区域的穿透率较低是一个关键影响因素。为此，我们提出一种显示面板及其制备方法，以解决上述背景技术中提到的问题。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种显示面板及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种显示面板，包括屏下摄像头的透明显示区、有效发光区和玻璃基板，所述玻璃基板的上端表面设有tft薄膜晶体管阵列层，所述tft薄膜晶体管阵列层的上端表面设有像素定义层，所述像素定义层上设有oled器件层，所述像素定义层的上端表面设有阴极层，所述阴极层的上端表面设有薄膜封装层；所述透明显示区处的阴极层为透明显示区阴极层，所述有效发光区处的阴极层为有效发光区阴极层。
7.所述薄膜封装层包括由下至上的第一无机层、有机层、第二无机层组成的薄膜封装层。
8.所述透明显示区阴极层与有效发光区阴极层的材料一致，均为退火的pan纳米纤维增强石墨烯薄膜、氧化钛结晶膜、丝素蛋白膜或者为在柔性石墨烯表面涂覆的有机质子酸htb的纳米涂层。
9.所述透明显示区阴极层与有效发光区阴极层的材料不一致，且透明显示区阴极层的材料为退火的pan纳米纤维增强石墨烯薄膜、氧化钛结晶膜、丝素蛋白膜或者为在柔性石墨烯表面涂覆有机质子酸htb的纳米涂层，有效发光区阴极层的材料为金属。
10.一种显示面板的制备方法，具体包括以下步骤：s1、在柔性衬底或者玻璃基板上制备tft阵列层，即tft薄膜晶体管阵列层；s2、在tft薄膜晶体管阵列层上制备像素定义层，像素定义层定义出oled器件制备区域；s3、制备oled器件层，主要有：空穴注入层、空穴传输层、rgb发光层、电子注入层、电子传输层等；s4、在像素定义层上制备阴极层，s5、在阴极层上制备第一无机层、有机层、第二无机层组成的薄膜封装层。
11.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种显示面板及其制备方法，本发明的显示面板通过改变现有金属阴极层的机构，通过采用新型、穿透率更高、可柔性的、可提高其导电效果的材料，大大改善了现有屏下摄像头技术中透过率较低，显示不良或摄影成像不佳的问题。
12.本发明也提出了一种显示面板的制备方法，通过该结构和方法，可以大大改善现有屏下摄像头透明显示区穿透率较低的问题。
附图说明
13.图1为本发明透明显示区、有效发光区和屏下摄像头设置的示意图；图2为本发明图1中a-a处实施例1的剖视结构示意图；图3为本发明图1中a-a处实施例2的剖视结构示意图；图4为本发明显示面板的制备方法的流程示意图；图5为本发明步骤s1的侧剖结构示意图；图6为本发明步骤s2的侧剖结构示意图；图7为本发明步骤s3的侧剖结构示意图；图8为本发明步骤s4的侧剖结构示意图；图9为本发明步骤s5的侧剖结构示意图。
14.图中：1、透明显示区；2、有效发光区；3、屏下摄像头；4、玻璃基板；5、tft薄膜晶体管阵列层；6、像素定义层；7、阴极层；71、有效发光区阴极层；72、透明显示区阴极层；8、薄膜封装层；81、第一无机层；82、有机层；83、第二无机层；9、oled器件层。
具体实施方式
15.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
16.手机正面摄像头区域不需要像以往一样需开孔，进而可以提高屏占比。当不使用摄像头拍照时，屏下摄像头3的透明显示区1可以正常显示画面，其显示效果和旁边的有效发光区2相当，不会有明显的肉眼可感的差异；当需要使用摄像头进行拍照时，外部光线可通过透明显示区1进入底下的镜头模组（即屏下摄像头3）中，由于改善了穿透率，相机成像效果大大提高。
17.实施例1：本发明提供了如图1-2的一种显示面板，包括屏下摄像头3的透明显示区1、有效发光区2和玻璃基板4，所述玻璃基板4的上端表面设有tft薄膜晶体管阵列层5；tft薄膜晶体管阵列层5含阻挡层、缓冲层、半导体沟道层、栅极电路、源漏极电路、平坦化层、阳极层等结构（图中均未示出）；其作为oled器件的驱动源，当在tft的阳极和oled的阴极之家加一定电压时，oled即可发光，再通过tft的电路驱动控制，控制画面的显示；所述tft薄膜晶体管阵列层5的上端表面设有像素定义层6，所述像素定义层6上设有oled器件层9，即rgb oled器件结构，oled器件结构一般含空穴注入层、空穴传输层、rgb发光层、电子注入层，电子传输层（图中未示出）；所述像素定义层6的上端表面设有阴极层7，所述阴极层7的上端表面设有薄膜封装层8；所述透明显示区1处的阴极层为透明显示区阴极层72，所述有效发光区2处的阴极层为有效发光区阴极层71。
18.所述薄膜封装层8包括由下至上的第一无机层81、有机层82、第二无机层83组成的薄膜封装层。第一无机层81和第二无机层83主要用于阻挡水汽的入侵，保护器件不被水氧侵蚀造成器件失效，有机层82主要用于改善第一无机层81和第二无机层83的平坦性，改善针孔等缺陷，薄膜封装层的多层堆叠的结构有助于实现如今柔性显示的需求。
19.所述透明显示区阴极层72与有效发光区阴极层71的材料一致，过去阴极层一般为ag/mg等金属或其合金，其制备方式主要为蒸镀制程，存在穿透率降低等问题。本实施例中的阴极层采用新型材料，可以是退火的pan纳米纤维增强石墨烯薄膜，利用石墨烯的高导电性、柔韧性以及热处理后的pan纳米纤维网格结构保证了魔波的透明度（可大于94%），大大改善了现有金属阴极结构的穿透率和导电性。该新型材料还可以是氧化钛结晶膜、丝素蛋白膜、在柔性石墨烯表面涂覆一定厚度的有机质子酸htb的纳米涂层，同样可以起到改善穿透率和导电性的目的。
20.透明显示区阴极层72与有效发光区阴极层71采用同一种材料，优点为可以在同一道制程中制备，降低工艺难度，节省材料和开发成本。其制备方式可以是化学气相沉积或者喷墨打印，化学气相沉积工艺成熟，喷墨打印节省材料利用率，各有优势。
21.如图4-9，一种显示面板的制备方法，具体包括以下步骤：s1、在柔性衬底或者玻璃基板4上制备tft阵列层，即tft薄膜晶体管阵列层5；s2、在tft薄膜晶体管阵列层5上制备像素定义层6，像素定义层6定义出oled器件制备区域；s3、制备oled器件层9，主要有：空穴注入层、空穴传输层、rgb发光层、电子注入层、电子传输层等；s4、在像素定义层6上制备阴极层，s5、在阴极层上制备第一无机层81、有机层82、第二无机层83组成的薄膜封装层。
22.实施例2：本发明提供了如图1和图3的一种显示面板，包括屏下摄像头3的透明显示区1、有效发光区2和玻璃基板4，所述玻璃基板4的上端表面设有tft薄膜晶体管阵列层5，所述tft薄膜晶体管阵列层5的上端表面设有像素定义层6，所述像素定义层6上设有oled器件层9，所述像素定义层6的上端表面设有阴极层，所述阴极层7的上端表面设有薄膜封装层
8；所述透明显示区1处的阴极层为透明显示区阴极层72，所述有效发光区2处的阴极层为有效发光区阴极层71。
23.所述薄膜封装层8包括由下至上的第一无机层81、有机层82、第二无机层83组成的薄膜封装层。
24.所述透明显示区阴极层72与有效发光区阴极层71的材料不一致，透明显示区阴极层72可以是新型材料退火的pan纳米纤维增强石墨烯薄膜、氧化钛结晶膜、丝素蛋白膜、在柔性石墨烯表面涂覆一定厚度的有机质子酸htb的纳米涂层，而有效发光区阴极层71仍采用现有的金属阴极，降低其电阻率，提高此区域的显示均匀性。
25.如图4-8，一种显示面板的制备方法，具体包括以下步骤：s1、在柔性衬底或者玻璃基板4上制备tft阵列层，即tft薄膜晶体管阵列层5；s2、在tft薄膜晶体管阵列层5上制备像素定义层6，像素定义层6定义出oled器件制备区域；s3、制备oled器件层9，主要有：空穴注入层、空穴传输层、rgb发光层、电子注入层、电子传输层等；s4、在像素定义层6上制备阴极层，s5、在阴极层上制备第一无机层81、有机层82、第二无机层83组成的薄膜封装层。
26.综上所述，与现有技术相比，本发明的显示面板通过改变现有金属阴极层的机构，通过采用新型、穿透率更高、可柔性的、可提高其导电效果的材料，大大改善了现有屏下摄像头技术中透过率较低，显示不良或摄影成像不佳的问题。
27.本发明也提出了一种显示面板的制备方法，通过该结构和方法，可以大大改善现有屏下摄像头透明显示区穿透率较低的问题。
28.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。