显示基板及其制作方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种显示基板，其特征在于，包括：具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；设置在所述基底的第一面上的驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；设置在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；设置在所述基底的第一面上的挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙在所述基底上的正投影为连续图形，所述挡墙的一部分位于所述第一绑定电极远离所述基底的一侧，所述挡墙的其余部分位于相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙在所述基底上的正投影与所述第一绑定电极在所述基底上的正投影无交叠。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.2倍。5.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一绑定电极包括：电极主体部和传输部，所述传输部连接在所述电极主体部与所述驱动功能层之间，所述电极主体部远离所述基底的一侧设置有导电保护层，所述侧面走线与所述导电保护层连接。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，多个所述导电保护层靠近所述显示区的边缘位于第一边界上，所述挡墙位于所述显示区与所述第一边界之间。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙与所述第一边界之间的距离为所述外延区宽度的0.04～0.1倍，所述挡墙与所述显示区的边界之间的距离为所述外延区宽度的0.08～0.15倍。8.根据权利要求1至3中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括多个发光器件，所述驱动功能层包括：第一导电图形，所述第一导电图形包括多条信号传输线，所述信号传输线与所述第一绑定电极连接；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧；第二导电图形，所述第二导电图形设置在所述第一导电图形远离所述基底的一侧，所述第二导电图形包括多个连接电极，所述连接电极通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号传输线连接；设置在所述第二导电图形远离所述基底一侧的第二绝缘层；其中，所述发光器件的引脚通过所述第二绝缘层上的第二过孔与所述连接电极连接，所述挡墙远离所述基底的表面不低于所述第二绝缘层远离所述基底的表面。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙包括层叠设置的第一挡墙部和第二挡墙部，所述第一挡墙部与所述第一绝缘层同层设置，所述第二挡墙部与所述第二
绝缘层同层设置。10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙远离所述基底的表面的高度为所述第二绝缘层远离所述基底的表面的高度的1～1.3倍。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的显示基板。12.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：提供具有第一面、第二面和侧面的基底，所述第一面与所述第二面相对，所述侧面连接在所述第一面与所述第二面之间，所述基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；在所述基底的第一面上形成驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；在所述基底的第二面上形成多个第二绑定电极，所述第二绑定电极与所述第一绑定电极一一对应；在所述基底的第一面上形成挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域；在形成有所述挡墙的基底上形成与所述第一绑定电极一一对应连接的侧面走线，所述第二绑定电极通过所述侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上。

技术总结
公开一种显示基板及其制作方法、显示装置，所述显示基板包括：具有第一面、第二面和侧面的基底，基底包括显示区和位于显示区一侧的外延区；设置在所述基底的第一面上的驱动功能层和多个第一绑定电极，所述驱动功能层位于所述显示区，所述第一绑定电极位于所述外延区，且与所述驱动功能层电连接；设置在所述基底的第二面上的多个第二绑定电极，所述第二绑定电极通过侧面走线与所述第一绑定电极一一对应连接；所述侧面走线的一部分位于所述基底的侧面上；设置在所述基底的第一面上的挡墙，所述挡墙位于所述外延区，所述挡墙在所述基底上的正投影至少沿多个所述第一绑定电极的排列方向穿过每相邻两个第一绑定电极之间的间隔区域。域。域。


技术研发人员：龚林辉 刘超
受保护的技术使用者：京东方晶芯科技有限公司
技术研发日：2020.08.25
技术公布日：2022/2/28