本申请要求于2019年7月16日提交的题为OXYGEN-LOSS RESISTANT TOP COA锡G FOR OPTICAL ELEMENTS的美国申请号62/874,869，以及于2020年6月2日提交的题为OXYGEN-LOSS RESISTANT TOP COA锡G FOR OPTICAL ELEMENTS的美国申请号63/033,554的优先权，两者通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明涉及用于光刻装置的光学元件以及包括这种光学元件的光刻装置。
背景技术
光刻装置是将所需图案施加到衬底上的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻装置。例如，光刻装置可以将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
光刻装置用来将图案投影到衬底上的辐射波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。例如，使用极端紫外线(EUV)辐射的(其是波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻装置，可以被用于在衬底上形成比使用例如更高波长(诸如，193nm)的电磁辐射的光刻装置更小的特征。
EUV辐射一般是经由激光束将能量沉积到燃料(通常是锡)中而产生的，这产生了等离子体，该等离子体在去激发和电子与等离子体的离子复合期间发射EUV辐射。所发射的辐射向各个方向发射，因此收集镜被定位和配置为聚焦辐射。为燃料提供能量的激光束通过在收集镜中心的开口来提供。在EUV光刻装置中，期望向经受光刻工艺的衬底提供所产生的尽可能多的EUV辐射。因此，期望将EUV辐射损失降到最低。
由于产生EUV辐射的方式，例如通过用激光照射锡液滴以形成锡等离子体，在收集镜的区域中存在高的锡蒸气压力，并且锡原子可以沉积在收集器的表面上。所沉积的锡可以通过与氢自由基(H*)反应而除去。锡与氢的反应产生氢化锡，其在常温下是气态的。因此，这些气体能够带走沉积在收集镜上的锡。氢气可以通过收集镜中心的洞或孔来提供，激光通过该洞或孔来发射。氢气也可以经由管状主体提供，该管状主体被构造和布置为在基本上横向于反射表面的方向上引导气流，并且在收集器上方径向地向外流动。还可以从收集镜的边缘提供氢，以便保护和清洁收集镜的外侧部分。
护膜保护光刻装置的光学组件，诸如掩模或其他图案形成装置。护膜可以被用于在光刻装置的彼此可密封的区域之间，提供用于光刻辐射的通道。护膜也可以用作滤光器，诸如光谱纯度滤光器或光刻装置的动态气锁的一部分。
虽然本公开一般涉及光刻装置的上下文中的光学元件，诸如用于EUV光刻装置的收集镜，但是光学元件在除光刻装置和护膜之外的各种类型的装置中得到应用，动态气锁膜和光谱纯度滤光器也被认为是光学元件。光学元件还可以被用于利用波长比当前使用的更短的辐射的光刻装置。
此外，期望提高光刻装置内的光学元件的寿命，诸如收集镜、薄膜或动态气锁的组件。这些光学元件在使用时暴露在光刻装置的恶劣环境中，因此随着时间的推移可能会损坏。期望防止、减少或消除对这种光学元件的损坏。
在光刻装置(和/或方法)中，期望辐射的强度损失最小化，该辐射被用于在涂有抗蚀剂的衬底上形成图案。这样做的一个原因是，理想情况下，应当尽可能多的辐射可用于将图案施加到衬底，例如以减少曝光时间和增加吞吐量。因此，由于污染降低了收集镜的反射率，因此期望尽可能保持收集镜的清洁。同时，期望使穿过光刻装置并入射到衬底上的不想要的辐射(例如，带外)的辐射量最小化。
本发明旨在试图解决上述至少一些问题。
技术实现要素：
根据本发明的第一方面，提供了一种光学元件，该光学元件包括盖层，盖层包括在其中的多个氧空位。光学元件可以是用于光刻的光学元件，或者其他设备可以是这里描述的任何光学元件。
在一个实施例中，盖层可以包括掺杂的氧化锆。氧化锆可以被掺杂处于其氧化态的三价阳离子，诸如但不限于氧化钇Y2O2。
虽然本公开在诸如用于EUV光刻装置的收集镜的光刻装置的上下文中，一般涉及用于光学元件的盖层，但是本公开在诸如护膜、动态气锁膜和光谱纯度滤光器的光学元件，以及在除光刻装置之外的各种类型的装置中，以及诸如在各种其他类型的光学部件上的涂层中得以应用。
在EUV光刻装置中，可以通过用激光照射锡液滴以形成锡等离子体来产生EUV辐射。这导致收集镜区域的锡蒸汽气压很高，并且锡原子倾向于沉积在收集镜的表面上。此外，等离子体产生过程中未消耗的部分锡也可以最终以纳米和微米颗粒的形式收集在收集镜上。所沉积的锡可以通过与氢自由基(H*)反应除去。锡与氢自由基的反应生成氢化锡，锡氢化物在EUV光刻装置操作的温度以及室温下是气态的。因此，这些气体能够带走沉积在收集镜上的锡。然而，提供用于去除锡沉积的原子氢也会与光学组件(诸如收集镜)的传统盖层发生反应，并对其进行损坏。当盖层被氢还原时，诸如在传统的盖层中，氢自由基在收集镜盖层处的复合率增加，并且收集镜表面上的锡污染的去除受到不利影响，即由于它们的复合而损失了可用的氢自由基，从而降低了锡的去除率。这导致收集镜的工作寿命缩短。为了减轻收集镜表面的还原，可以在光刻装置内的氢气中添加含氧化合物来氧化收集镜的表面。由于EUV源容器中其他金属表面的不期望的后果和EUV传输损失，添加的氧量是有限的。当盖层在使用过程中损坏时，收集器不能通过简单的清洁进行翻新，必须经历昂贵且耗时的重建周期。需要在源操作中使用最大允许氧水平的情况下，进一步缓解以延长收集器的寿命。本公开提供了一种盖层，其中减少了从盖层的氧损失，以提高收集镜的工作寿命并提高光刻装置的可用性。
这是通过由低H*复合率材料制成的盖层来实现的，该材料包括在其中的多个氧空位。由于还原环境中氧的去除会导致盖层的损坏，人们反直觉地发现，在盖层中包括氧空位会稳定盖层，并增强表面氧吸附。在不期望受到科学理论约束下，人们认为最外层表面层中的氧空位有助于吸附氧，而亚表面(subsurface)的氧空位则通过拉伸或极化氧-氧键来使周围的晶格氧向空置位释放，并影响所吸附的分子。此外，人们认为提供氧空位而产生的表面晶体缺陷作为更活跃的吸附位。
盖层可以包括氧化锆。氧化锆作为盖层是有利的，因为它具有低的氢自由基复合率，因此增强了挥发性金属氢化物(最明显的是锡氢化物)的自清洁。然而，在EUV光刻装置的环境中，包括高能EUV辐射和氢自由基的生成，这种材料可以被还原为亚氧化物，甚至被还原为其金属状态。这导致盖层表面处的氢自由基复合增加，从而降低了锡污染对光学反射镜的自洁。已经发现，在盖层中包括大量氧空位使氧化锆在类似于EUV光刻装置的气体环境中通过表面形成水而被还原所需的激活能量增加一倍以上。而ZrO2通常在低于500K(开尔文)的温度下开始还原，而掺杂有较大的低价阳离子的氧化锆(在其中导致更多数目的氧空位)在700K以上的温度开始还原。因此，在氢气环境中，具有大量氧空位的氧化锆盖层比没有氧空位的氧化锆盖层更稳定。
氧化锆盖层中的氧空位可以通过控制化学计量将氧空位并入氧化锆晶格内来实现。
盖层还可以包括一种或多种金属氧化物，该一种或多种金属氧化物选自由以下项构成的组：钇、铈、钙、镁、钛和稀土金属。
将一种或多种金属氧化物添加到ZrO2会导致盖层中氧空位的数目增加，并且EUV光刻装置中稳定性相关联地增加。
在一些实施例中，盖层可以包括氧化锆和氧化钇。
在不期望受到科学理论的约束下，人们认为氧化锆晶格中的Zr4 阳离子被Y3 阳离子替换，从而形成氧空位，以便在超晶格中保持电荷中性。对于每两个替换的钇阳离子，产生一个氧空位。这些氧空位的存在使材料有获得氧的趋势，而不是通过表面形成水和随后的脱附而失去氧。类似的考虑因素也适用于所提到的其他金属。
还发现，当四方相ZrO2经历相变改变为单斜相ZrO2时，添加Y2O3可以防止ZrO2开裂。
盖层可以包括钇稳定的氧化锆。盖层可以包括钇稳定的锆氧化物。
如上所述，向盖层添加钇导致形成更多数目的氧空位，从而改善了EUV光刻装置的还原环境中的稳定性。
一种或多种金属氧化物可以以摩尔分数计构成盖层的约1％至约25％。在一些实施例中，一种或多种金属氧化物可以以摩尔分数计构成盖层的摩尔分数约1.5％至约20％。在一些实施例中，取决于目标掺杂剂，一种或多种金属氧化物可以以摩尔分数计构成盖层的约8％。已经发现，通过向氧化锆掺杂摩尔分数约8％的氧化钇，氧化锆还原的激活能量增加一倍以上。
在盖层包括氧化锆和另一金属氧化物的实施例中，氧化锆相对另一金属氧化物的摩尔分数可以从约70:1到约5:1。在各种实施例中，盖层的厚度可以小于5纳米，但在各种适合的应用中也可以更厚。
已经发现，通过包括这些量的金属氧化物，光学元件的稳定性提高，并且通过盖层的EUV传输损耗有限。这样，在对EUV传输效率影响非常小的情况下，增加了承载这种盖层的光学组件的寿命。
盖层可以包括合金金属或合金金属氧化物。在一些实施例中，盖层可以包括混合金属氧化物。在一些实施例中，混合金属氧化物可以是由作为构成晶体的至少两种类型阳离子构成的金属氧化物。混合金属氧化物可以被认为是含有多种金属的氧化物。在一些实施例中，混合金属氧化物可以表示形成盖层的两种或更多种金属氧化物的混合物。
如上所述，合金金属或金属氧化物产生稳定的盖层。与由单一金属或单一金属氧化物形成的盖层相比，用来形成盖层的两种或两种以上金属的组合，提供了对氢还原更稳定的盖层。两种或两种以上金属的比例可以显著不同于1:1，以便优化其他性能，诸如EUV透射率、氢表面复合率和硬度。这种混合金属氧化物的层非常适合用作保护层，例如在Mo/Si多层的顶部，用于EUV反射镜、计量护膜、掩模版或掩模版台基准标记。
合金金属或合金金属氧化物可以由具有半金属和/或非金属的合金形成。半金属可以是硼。非金属可以是氮。
因此，盖层可以包括与硼合金化的氧化锆。盖层可以包括与氮合金化的氧化锆。
类似地，在一些实施例中，盖层可以由与硼合金化的钌形成。盖层可以包括与氮合金化的钌。
用硼掺杂和/或用氮掺杂钌，使钌盖层变得更非晶形并且更少多晶。掺杂还减少了钌层和下面的层之间的晶格失配，从而促进了附着力并减少了岛的形成。类似的优点也适用于掺杂氧化锆盖层。
在掺杂剂是硼的情况下，硼可以以摩尔分数计构成盖层的约5％至约15％。在一些实施例中，硼可以以摩尔分数计构成盖层的约10％。在这些水平上，已经发现，与未掺杂硼相比，盖层更加非晶形，从而减少了氢和氧的渗透，从而更好地保护下面的层。此外，掺硼盖层的EUV光学性能与未掺杂盖层相当或略好。
在一个实施例中，盖层可以包括Mo(x-y)RuxBy，其中x y＝1，并且其中0.01≤y≤0.15，但是在其他实施例中可以使用各种其他化学计量比和各种其他配方的Mo、Ru和B。与未掺杂硼的盖层相比，这样的盖层也更加非晶形，并且具有如上所述的优点。这样的盖层比包括掺杂氧化锆或钌的盖层具有更低的EUV反射率，这在EUV反射比不理想时可能是需要的，诸如需要高EUV透射率的护膜或动态气锁膜。
盖层可以设置在诸如收集镜的光学元件上。由于收集镜非常靠近产生EUV辐射的地方，因此它受到光刻装置内的一些最苛刻条件的影响，因此期望收集镜由能够承受恶劣条件并且能够在使用中被清洁的材料构成。
盖层可以设置在光学元件上，该光学元件可以是薄膜或动态气锁膜。这些光学元件还暴露在高温、高功率辐射和等离子体下，而且在使用过程中也容易退化，因此也期望它们在这样的环境中保持稳定。
根据本发明的第二方面，提供了一种包括根据本公开的第一、第三或第四方面的光学元件的光刻装置。
如上所述，与其它光学元件相比，具有本文中公开的盖层的光学元件具有有利的属性。因此，包括这种光学元件的光刻装置还表现出改进的性能，包括但不限于，在不需要维护或更换光学元件的情况下以更高功率操作的能力和更长时间运行的能力。
根据本发明的第三方面，提供了一种包括盖层的光学元件，该盖层包括两种或更多种金属的氧化物。光学元件可以是这里描述的任何光学元件。光学元件可以是用于光刻或其他装置的光学元件。
如结合本公开的第一方面所描述的，包括混合金属氧化物的盖层提供了改善的抗氢还原能力。
盖层可以包括在其中的金属或半金属掺杂剂。金属掺杂剂可以包括一种或多种金属，其选自由以下项构成的组：钇、铈、钙、镁、钛和稀土金属。以摩尔分数计，金属掺杂剂可以盖层的约1％到约25％的量存在。在一些实施例中，以摩尔分数计，可以以约8％的量来提供金属掺杂剂。
在一个实施例中，盖层可以包括氧化锆和氧化钇。
根据本发明的第四方面，提供了一种光学元件，包括其中包括一种或多种掺杂剂的钌盖层。光学元件可以是用于光刻或其他装置的光学元件，并且可以是在此描述的任何光学元件。
一种或多种掺杂剂可以选自由硼和氮构成的组。如上所述，硼和氮使钌层更加非晶形，并且更耐去湿。钌的多晶结构具有颗粒之间的边界和开口，允许原子和小分子的传输。钌层和下面的层之间的任何晶格失配都会加剧这种情况。在EUV辐射、氢等离子体和其他分子(诸如氮)的影响下，钌微晶倾向于生长，从而增加了钌层的孔隙率。已经发现，掺杂氮或硼使钌变得更加非晶形，从而更好地阻止了原子和小分子通过。
在一些实施例中，以摩尔分数计，可以以盖层的约1％到约25％的量来提供一种或多种掺杂剂。
在一个有利的实施例中，光学元件可以是光刻装置的收集镜。
根据本发明的任何方面的盖层可以由任何适合的制造方法提供，并且本发明不限于所使用的形成技术。例如，盖层可以由真空共沉积方法提供，诸如，PECVD、双靶磁控溅射、离子PVD或ALD。根据本发明的任何方面的盖层可以设置在任何光学元件上，包括但不限于，收集镜、薄膜、动态气锁膜、掩模版和掩模版台基准标记。
应当理解，关于一个实施例描述的特征可以与关于另一个实施例描述的任何特征相结合，并且所有这样的组合在这里被明确地考虑和公开。因此，关于本发明的任何方面公开的任何特征都可以与关于本发明的任何其他方面公开的特征相结合，除非这样的组合不兼容。
附图说明
现在将仅通过示例的方式参考附图来描述本发明的实施例，其中相应的附图标记指示相应的部件，并且其中：
图1描绘了根据本发明实施例的光刻装置；
图2示意性地描绘了根据本发明实施例的贯穿盖层的横截面；以及
图3示意性地描绘了根据本发明的贯穿盖层的横截面。
附图的特征不一定是按比例绘制的。根据下面阐述的具体实施方式并结合附图，本发明的特征和优点将变得清楚，其中相同的附图标记自始至终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记一般指示相同、功能相似和/或结构相似的元件。
具体实施方式
图1示出了光刻系统。该光刻系统包括辐射源SO和光刻装置LA。辐射源SO被配置为产生极端紫外线(EUV)辐射束B。光刻装置LA包括照明系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。
照明系统IL被配置为在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前对辐射束B进行调节。投影系统被配置为将辐射束B(现在由掩模MA图案化以形成辐射束B’)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻装置将图案化的辐射束B与在衬底W上先前形成的图案对准。护膜可以沿着辐射的路径定位，用于保护图案形成装置MA，诸如对图案形成装置MA造成影响。照明系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，一起为EUV辐射束B提供所需的横截面形状和所需的强度分布。除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或替代它们，照明系统IL可以包括其他反射镜或装置。
在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。作为该相互作用的结果，产生图案化的EUV辐射束B’。投影系统PS被配置为将图案化的EUV辐射束B’投影到衬底W上。为此，投影系统PS可以包括反射镜13、14，它们被配置为将图案化的EUV辐射束B’投影到由衬底台WT保持的衬底W上。在一些实施例中，投影系统PS可以将减缩因子应用于图案化的EUV辐射束B’，从而形成具有比图案形成装置MA上的相应特征更小特征的图像。例如，在一些实施例中可以应用4或8的减缩因子。尽管投影系统PS在图1中被示为仅具有两个反射镜13、14，但在其他实施例中，投影系统PS可以包括不同数目的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻装置LA将由图案化的EUV辐射束B’形成的图像与先前在衬底W上形成的图案对准。
可以在辐射源SO、照明系统IL和/或投影系统PS中提供相对真空，即在远低于大气压的压力下的少量气体(例如，氢气)。
辐射源SO、照明系统IL和投影系统PS可以全部被构造和布置为使得它们可以与外部环境隔离。在辐射源SO中可以提供低于大气压的压力的气体(例如，氢气)。可以在照明系统IL和/或投影系统PS中提供真空。如上所述，可以在照明系统IL和/或投影系统PS中提供远低于大气压的少量气体(例如，氢气)。
图1中所示的辐射源SO可以是被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。在各种实施例中可以是CO2激光器的激光系统1被布置为经由激光束2将能量沉积到燃料中，诸如从燃料发射器3提供的锡(Sn)。该能量沿着激光束2被引导到燃料。虽然在下面的描述中提到锡，但也可以使用任何适合的燃料。燃料例如可以是液体形式，并且例如可以是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，该喷嘴被配置为将例如以液滴形式的锡沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹引导。激光束2入射到等离子体形成区域4处的锡上。将激光能量沉积到锡中，这在等离子体形成区域4处产生等离子体7。在等离子体的去激发和离子的复合期间，从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
EUV辐射由近垂直入射辐射收集器5(有时更一般地称为垂直入射辐射收集器或收集镜)收集和聚焦。收集器5可以具有布置为反射EUV辐射的多层结构。EUV辐射可以具有大约4nm到大约20nm范围内的波长，并且在一些实施例中，EUV辐射可以具有诸如13.5nm的波长。在一些实施例中，收集器5可以具有椭圆配置，具有两个椭圆焦点。如下所述，第一焦点可以在等离子体形成区域4，第二焦点可以在中间焦点6。
激光系统1可以与辐射源SO分开。在这种情况下，激光束2可以借助光束输送系统(未示出)从激光系统1传递到辐射源SO，该光束输送系统包括例如适合的导向反射镜和/或扩束器和/或其他光学器件。激光系统1和辐射源SO可以一起被认为是辐射系统。
由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B聚焦在一点以形成等离子体形成区域4的图像，其用作照明系统IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦的点可以称为中间焦点6。辐射源SO被布置为使得中间焦点6位于辐射源SO的封闭结构中的开口8处或附近。
辐射束B从辐射源SO传递到照明系统IL中，照明系统IL被配置为调节辐射束。照明系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，一起为辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角度分布。辐射束B从照明系统IL传递并入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA对辐射束B进行反射和图案化。除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替它们，照明系统IL可以包括其他反射镜或设备。
在从图案形成装置MA反射之后，图案化辐射束B’进入投影系统PS。该投影系统包括多个反射镜13、14，它们被构造为将辐射束B’投影到由基板台WT保持的基板W上。投影系统PS可以对辐射束应用减缩因子，从而形成具有比图案形成装置MA上的相应特征更小的特征的图像。例如，可以应用减缩因子4。尽管投影系统PS在图1中具有两个反射镜13、14，但是投影系统可以包括任意数目的反射镜(例如，六个反射镜)。
图1中所示的辐射源SO可以包括未示出的组件。例如，可以在辐射源中提供光谱滤光器。光谱滤光器可以对于EUV辐射基本上是透射的，但对于其他波长的辐射(诸如，红外辐射)基本上是阻挡的。
如果图案形成装置MA没有受到保护，则污染可能需要清洁或丢弃图案形成装置MA。清洁图案形成装置MA中断了宝贵的制造时间，并且丢弃图案形成装置MA是昂贵的。更换图案形成装置MA也中断了宝贵的制造时间。因此，薄膜可用于覆盖或以其他方式保护图案形成装置MA。
图2描绘了在衬底20上形成的堆叠，包括盖层16。图示的层设置在衬底20的表面上，其可以是本申请中描述的一个或多个光学元件。例如，在一些实施例中，具有图示的盖层的光学元件可以是图1的收集器5。备选地或附加地，图示的层可以设置在衬底20的表面上，其可以是薄膜或动态气锁膜，或者可以设置在各种其他光学元件上。在盖层16的下面可以有可选的层17和18。这些可选的层17、18可以被用于减少多层19和盖层16的材料之间的晶格失配，或者例如可以被用作扩散阻挡。在一些实施例中，多层19可以包括交替的硅和钼层。虽然图2描绘了多层19中的四层，但是可以理解，多层19中可以有任何适合数目的层，并且本发明不限于多层中的层数，也不限于作为多层的硅和钼。盖层16、可选层17、18和多层19设置在衬底20上，其可以表示在此描述的任何光学元件。可以使用任何适合的衬底，并且本发明不限于特定衬底或特定光学元件。根据本发明的所公开盖层可以是在此描述的任何盖层，并且可以包括在其中的多个氧空位。在实施例中，盖层16包括摩尔分数从大约70:1到大约5:1的氧化锆和氧化钇。
图3与图2相似，但是堆叠包括在盖层16下方的副盖层16a。副盖层16a可以包括不包括多个氧空位的材料。这样，包括多个氧空位并且可以是在此描述的任何盖层的盖层16可以位于副盖层16a上。以这种方式，包括多个氧空位的盖层可以是附加于已在光刻装置的光学元件上使用的盖层材料的材料。
虽然已经具体参考了光刻装置在IC制造中的使用，但是应理解，这里描述的光刻装置可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。在适用的情况下，这里的公开内容可以应用于使用这种制造工具以及在各种其他类型的晶片或其他处理工具中使用的光学元件。
虽然上面已经描述了本发明的具体实施例，但是可以理解，本发明可以不同于所描述的方式实施。例如，各个层可以由执行相同功能的其他层替换。
本发明的其他方面在以下编号条款中阐述。
1.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括盖层，所述盖层包括在其中的多个氧空位。
2.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括掺杂的氧化锆。
3.根据条款2所述的光学元件，其中所述氧化锆包括处于其氧化态的三价阳离子作为所述氧化锆中的掺杂剂。
4.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括氧化锆和一种或多种金属氧化物，所述一种或多种金属氧化物选自由以下项构成的组：钇氧化物、铈氧化物、钙氧化物、镁氧化物、钛氧化物和稀土金属氧化物。
5.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括氧化锆和氧化钇。
6.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括钇稳定的氧化锆。
7.根据条款4所述的光学元件，其中以摩尔分数计，所述一种或多种金属氧化物构成所述盖层的约1％至约25％。
8.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括合金金属或合金金属氧化物。
9.根据条款8所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括具有半金属和/或非金属的合金。
10.根据条款9所述的光学元件，其中所述半金属和/或非金属包括硼。
11.根据条款9所述的光学元件，其中所述半金属和/或非金属包括氮。
12.根据条款10或11所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括合金氧化锆。
13.根据条款10或11所述的光学元件，其中所述合金金属或合金金属氧化物包括合金钌。
14.根据条款10所述的光学元件，其中所述硼包括所述盖层的摩尔分数约1％至约15％。
15.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括Mo(x-y)RuxBy，其中x y＝1，并且其中0.01≤y≤0.15。
16.根据任何前述条款所述的光学元件，其中所述光学元件是收集镜。
17.根据条款1至15中任一项所述的光学元件，其中所述光学元件是薄膜、动态气锁膜、掩模版或掩模版-台基准标记。
18.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括混合金属氧化物。
19.根据条款1所述的光学元件，其中所述盖层包括钇稳定的氧化锆。
20.一种光刻装置，包括根据任何前述条款所述的光学元件。
21.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括盖层，所述盖层包括两种或更多种金属氧化物。
22.根据条款21所述的光学元件，其中所述盖层还包括在其中的金属或半金属掺杂剂。
23.根据条款22所述的光学元件，其中所述金属掺杂剂包括一种或多种金属，所述一种或多种金属选自由以下项构成的组：钇、铈、钙、镁、钛和稀土金属。
24.根据条款21的光学元件，其中盖层包括氧化锆和氧化钇。
25.一种用于光刻装置的光学元件，所述光学元件包括钌盖层，所述钌盖层包括在其中的一种或多种掺杂剂。
26.根据条款25所述的光学元件，其中所述一种或多种掺杂剂选自由硼和氮构成的组。
27.根据条款26所述的光学元件，其中以摩尔分数计，所述一种或多种掺杂剂以所述盖层的约1％到约25％的量存在。
28.根据条款21至27所述的光学元件，其中所述光学元件是光刻装置的收集镜。
以上描述旨在说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员而言明显的是，可以如所描述的那样对本发明进行修改，而不背离所提出的权利要求的范围。
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
