技术特征:
1.一种溅镀靶材,其特征在于:
包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种,且
氟的含量为100ppm以下。
2.根据权利要求1所述的溅镀靶材,其特征在于:氯的含量为100ppm以下。
3.根据权利要求1或2所述的溅镀靶材,其特征在于:氧的含量为500ppm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅镀靶材,其特征在于:在所述溅镀靶材中存在包含选自铝、稀土类元素及钛族元素中的至少2种元素的金属间化合物。
5.根据权利要求4所述的溅镀靶材,其特征在于:在所述溅镀靶材中存在1种、2种、3种或4种所述金属间化合物。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的溅镀靶材,其特征在于:在所述溅镀靶材中存在1种以上的选自铝、稀土类元素及钛族元素中的至少1种元素的氮化物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的溅镀靶材,其特征在于:所述稀土类元素是钪及钇中至少任一种。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的溅镀靶材,其特征在于:所述钛族元素是钛、锆及铪中至少任一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的溅镀靶材,其特征在于具有:在铝母相中存在以下材料中至少任一种的组织,即,包含铝及稀土类元素的材料、包含铝及钛族元素的材料、以及包含铝、稀土类元素及钛族元素的材料;或者
由复合相构成的组织,该复合相是在铝母相中至少包含以下相中任一种或两种,即,仅包含稀土类元素及不可避免的杂质作为金属种的相、以及仅包含钛族元素及不可避免的杂质作为金属种的相。
技术总结
本发明的目的在于提供一种溅镀靶材,在溅镀靶材中作为杂质的氟元素的混入得到抑制,且使用该溅镀靶材形成薄膜时能够抑制因氟所导致的异常放电的发生,而形成配向性良好的薄膜。本发明的溅镀靶材的特征在于:包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种,且氟的含量为100ppm以下。
技术研发人员:丸子智弘;鈴木雄;大友将平;中村紘暢;
受保护的技术使用者:株式会社古屋金属;
技术研发日:2020.06.26
技术公布日:2022.03.01
再多了解一些
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