技术特征：
1.一种方法，包括以下操作：
收集来自多个温度检测器的温度反馈，所述多个温度检测器中的每一个经放置在支撑晶片的基板支撑组件的多个加热区中的对应加热区中；
提供代表所述温度反馈的数据作为工艺控制算法的第一输入；
提供如使用模型所计算的针对所述多个加热区中的一个或多个加热区的加热器温度的目标值来作为所述工艺控制算法的第二输入；
计算加热器功率的目标值以用于实现针对所述一个或多个加热区的所述加热器温度的目标值，其中由运行所述工艺控制算法的处理器基于所述第一输入和所述第二输入来执行所述计算；以及
控制包括所述基板支撑组件的处理腔室的腔室硬件，以匹配所述一个或多个加热区的所述加热器温度的目标值。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述多个温度检测器包括多个电阻式温度检测器(RTD)。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述模型经配置成基于与一个或多个工艺参数的当前最佳值相对应的晶片特性来计算针对所述加热区中的一个或多个加热区中的特定加热区的加热器温度的目标值。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺控制算法是闭环算法，在所述闭环算法中重复以下操作：收集所述温度反馈、提供代表所述温度反馈的数据、提供所述加热器温度的目标值、计算所述加热器功率的所述目标值、以及控制腔室硬件。
5.如权利要求1所述的方法，其中控制所述腔室硬件包括：
控制加热器电子设备，以将所述所计算的加热器功率的目标值传递到所述加热区中的一个或多个加热区。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述控制所述腔室硬件进一步包括：
控制热交换器温度，以实现所述一个或多个加热区的加热器温度的目标值。
7.如权利要求3所述的方法，其中所述模型所使用的工艺参数包括以下项中的一者或多者：喷头的温度、腔室压力、和所述喷头与所述基板支撑组件之间的距离。
8.如权利要求7所述的方法，其中与所述一个或多个工艺参数的所述当前最佳值相对应的所述晶片特性包括晶片蚀刻量和晶片温度中的一者或两者。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述模型使用的工艺参数进一步包括以下项中的一者或多者：腔室主体温度、热交换器温度、升降杆高度、和工艺气体。
10.如权利要求1所述的方法，其中使用机器学习算法利用历史腔室数据来训练所述模型。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述多个加热区中的每一个包括一个或多个加热器。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述基板支撑组件具有多个区域，每个区域具有对应的能独立控制的多个加热区。
13.一种系统，包括：
多个温度检测器，所述多个温度检测器中的每一个经放置在经配置为支撑晶片的基板支撑组件的多个加热区中的对应加热区中；
处理器，所述处理器执行工艺控制算法，所述处理器用于：
从所述多个温度检测器接收温度反馈数据；
提供所述温度反馈数据作为所述工艺控制算法的第一输入；
使用服务器中存储的模型来计算针对所述多个加热区中的一个或多个加热区的加热器温度的目标值；
提供通过所述模型所计算的针对所述一个或多个加热区的所述加热器温度的目标值来作为所述工艺控制算法的第二输入；
基于所述第一输入和所述第二输入来计算加热器功率的目标值以用于实现针对所述一个或多个加热区的所述加热器温度的目标值；以及
计算用于调节包括所述基板支撑组件的处理腔室的腔室硬件的量，以匹配所述一个或多个加热区的所述加热器温度的目标值。
14.如权利要求13所述的系统，其中所述多个温度检测器包括多个电阻式温度检测器(RTD)。
15.如权利要求13所述的系统，其中所述模型经配置成基于与一个或多个工艺参数的当前最佳值相对应的晶片特性，计算针对所述加热区中的一个或多个加热区中的特定加热区的加热器温度的目标值。
16.如权利要求13所述的系统，其中所述腔室硬件包括：
加热器电子设备，将所述所计算的加热器功率的目标值传递至所述一个或多个加热区。
17.如权利要求16所述的系统，其中所述腔室硬件进一步包括：
热交换器温度控制器，所述热交换器温度控制器帮助实现针对所述一个或多个加热区的加热器温度的目标值。
18.如权利要求15所述的系统，其中所述模型所使用的工艺参数包括以下项中的一者或多者：喷头的温度、腔室压力、和所述喷头与所述基板支撑组件之间的距离。
19.如权利要求18所述的系统，其中所述模型所使用的工艺参数进一步包括以下项中的一者或多者：腔室主体温度、热交换器温度、升降杆高度、和工艺气体。
20.如权利要求13所述的系统，其中所述工艺控制算法是闭环算法。
技术总结
腔室内的基板支撑组件中的多个加热区是独立控制的。将来自多个温度检测器的温度反馈设置成第一输入来提供给工艺控制算法，所述工艺控制算法可以是闭环算法。工艺控制算法的第二输入是使用模型所计算的一个或多个加热区的加热器温度的目标值。计算为一个或多个加热区实现加热器温度的目标值所需的加热器功率的目标值。控制腔室硬件以匹配加热器温度的目标值，所述加热器温度的目标值与对应于一个或多个工艺参数的当前最佳值的晶片特性相关。
技术研发人员：M·西米诺;D·C·卡鲁拉克奇;S·费;R·费什努普拉萨德;D·卢博米尔斯基;
受保护的技术使用者：应用材料公司;
技术研发日：2020.07.17
技术公布日：2022.03.01
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